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CHAPITRE 1
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CHAPITRE 2
2.1 Régime Continu
On dit qu'on est en régime continu ou permanent si les courants et les potentiels électriques sont
indépendants du temps.
On appelle dipôle actif tout dipôle pouvant fournir de la puissance électrique ; c'est-à-dire
capable de débiter un courant dans une charge branchée à ses bornes. Aussi, sa caractéristique
U= f(I) ne passe pas par l'origine.
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Source de courant Source de tension
Pour les dipôles actifs et plus particulièrement les sources, on adopte la convention générateur.
Dans celle-ci, les flèches pour la tension et le courant sont de même sens.
2.1.2.1 Résistances
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2.1.2.1.1 Association en série des résistances
En série, un seul courant parcours tous les dipôles résistifs et chaque résistance développe en ses
bornes une différence de potentiel. La Figure ci-dessous, montre un exemple de trois résistances
connectées en série
En parallèle, une seule tension est appliquée sur tous les dipôles résistifs et chaque résistance est
parcourue par un courant différent. La Figure ci-dessous, montre un exemple de trois résistances
connectées en parallèle.
𝑈 𝑈 𝑈 1 1 1 𝑈
𝑖 = 𝑖1 + 𝑖2 + 𝑖3 = + + =( + + )𝑈 =
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅é𝑞
1 1 1 1 1
Donc, en générale =( + + ……. )
𝑅é𝑞 𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅𝑛
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2.1.2.2 Inductances (bobines)
Une bobine est constituée d’un fil conducteur enroulé autour d’un isolant, formant ainsi ce
qu’on appelle des spires (souvent des cercles). Elle est responsable de la création du champ
magnétique de façon signifiante consommant ainsi de l’énergie réactive. Une bobine est
caractérisée par une inductance, notée L, en Henry (H).
En série, comme les résistances, les inductances s’additionnent pour donner une inductance
équivalente Léq.
𝑑𝐼
𝑈=𝐿
𝑑𝑡
𝑑𝐼
En série, on aura 𝑈é𝑞 = (𝐿1 + 𝐿2 + ⋯ 𝐿𝑛 ) 𝑑𝑡
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2.1.2.2.2 Association en parallèle des inductances
Quand on met des bobines en parallèle, les inverses de leurs inductances s’additionnent pour
donner l’inverse d’une inductance équivalente 1/Léq.
1 1 1 1 1
= ( + + ……. )
𝐿é𝑞 𝐿1 𝐿2 𝐿3 𝐿𝑛
2.1.2.3 Condensateurs
Un condensateur est constitué de deux armatures conductrices (des plaques) séparées par un
isolant appelé diélectrique.
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Les électrons, négatifs, vont s’accumuler sur une armature, qui va donc avoir une charge négative.
Pour compenser, l’autre plaque va se charger positivement. La plaque positive est donc celle par
laquelle arrive le courant : on note +q et -q les charges des deux plaques.
De plus la tension aux bornes du condensateur est notée UC :
Un condensateur est caractérisée par une capacité notée C, en Farad (noté F).
Le principe est l’inverse de celui des bobines, à savoir que quand on a des condensateurs en
parallèle, leurs capacités s’additionnent, alors qu’en série c’est l’inverse de leurs capacités qui
s’additionnent :
L’inverse, s’explique parce que la capacité C se trouve en dénominateur par rapport à la relation
U=f(i) et que R et L sont au numérateur
1
𝑈= ∫ 𝑖𝑑𝑡
𝐶
NB : Il est difficile de parler de l’association mélangée des résistances, des inductances et des
capacités en régime continu. Sans la prise en compte des phénomènes transitoires, les
inductances se comportent comme des court-circuits et les capacités comme des circuits ouverts.
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2.2 Analyse des circuits en régime harmonique (sinusoïdal)
Un circuit est dit fonctionnel en régime sinusoïdal si chaque source d’excitation est sinusoïdale
𝑢(𝑡) = 𝑈𝐶 sin(𝜔𝑡 + φ)
- UC Amplitude en (V)
- ω pulsation (rad/s)
- t temps en (s)
- ϕ phase (rad)
- f = ω/2π fréquence en (Hz)
- T=1/f période en seconde
Valeur moyenne :
𝑇
1
𝑈𝑚𝑜𝑦 = ∫ 𝑢(𝑡)𝑑𝑡 = 0
𝑇
0
Valeur efficace:
𝑇
1 𝑈𝐶
𝑈 = √ ∫ 𝑢2 (𝑡)𝑑𝑡 =
𝑇 √2
0
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Or nous cherchons ce que vaut la puissance active, c'est à dire la puissance MOYENNE.
Quand on analyse notre expression de la puissance active au cours du temps, on remarque
deux choses :
𝑝(𝑡) = 𝑈𝐼 cos(𝜑)
Im
u(t)
ω
UC
ϕ
Re
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2.2.4 Transformation des composants passifs (R, L et C) dans le domaine
de phase
Temps Phase
Résistance
𝑖(𝑡) = 𝐼𝐶 cos(𝜔𝑡 + φ) → 𝐼 = 𝐼𝐶 e𝑗𝜑
𝑍=𝑅
Inductance
𝑖(𝑡) = 𝐼𝐶 cos(𝜔𝑡 + φ) → 𝐼 = 𝐼𝐶 e𝑗𝜑
𝜋
𝑑𝑖(𝑡)
𝑢(𝑡) = 𝐿 = −𝐿𝜔𝐼𝐶 sin(𝜔𝑡 + φ) → 𝑈 = 𝐿𝜔𝐼𝐶 e𝑗(𝜑+ 2 )
𝑑𝑡
𝑍 = 𝑗𝜔𝐿
Condensateur
𝑖(𝑡) = 𝐼𝐶 cos(𝜔𝑡 + φ) → 𝐼 = 𝐼𝐶 e𝑗𝜑
𝜋
1 1 1
𝑢(𝑡) = 𝐶 ∫ 𝑖𝑑𝑡 = 𝐶𝜔 𝐼𝐶 sin(𝜔𝑡 + φ) → 𝑈 = 𝐶𝜔 𝐼𝐶 e𝑗(𝜑− 2 )
1
𝑍=
𝑗𝜔𝐶
Application au circuit RL
𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜑 = 𝑅𝐼 + 𝑗𝜔𝐿𝐼 →
𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜑
𝐼=
𝑅 + 𝑗𝜔𝐿
𝜔𝐿
𝜃 = 𝑡𝑔−1 ( 𝑅 )
Donc
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𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜑 𝑉𝑚 𝑒 𝑗(𝜑−𝜃)
𝐼= =
√𝑅 2 + 𝜔 2 𝐿2 𝑒 𝑗𝜃 √𝑅 2 + 𝜔 2 𝐿2
En temporel
𝑉𝑚
𝑖(𝑡) = 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡 + 𝜑 − 𝜃)
√𝑅 2 + 𝜔 2 𝐿2
Exemple
Calculer Is , VL , VC , IR et IC
𝝅
𝑍𝐿 = 𝑗𝜔𝐿 = 𝑗2𝜋60 × 0.1 = 𝒋𝟑𝟕. 𝟕 = 𝟑𝟕. 𝟕𝒆𝒋𝟐 𝛀
−𝝅
1 1
𝑍𝐶 = 𝑗𝜔𝐶 = −𝑗 2𝜋60×80×10−6 = −𝒋𝟑𝟑. 𝟐 = 𝟑𝟑. 𝟐𝒆𝒋 𝟐 𝛀
𝑍𝑅 = 𝑅 = 𝟓𝟎𝛀
𝑉𝑠 = 𝟐𝟒𝟎𝒆𝒋𝟎 𝑽
D’après le circuit
1
𝑅( )
𝑗𝐶𝜔
𝑉𝑠 = 𝑍𝐿 𝐼𝑠 + (𝑍𝑅 // 𝑍𝐶 ) 𝐼𝑠 = 𝑗𝜔𝐿𝐼𝑠 + ( 1 ) 𝐼𝑠 = 𝑍é𝑞 𝐼𝑠
𝑅+( )
𝑗𝐶𝜔
1
𝑅(
) 𝑅 1 − 𝑗𝜔𝐶𝑅 𝑅
𝑗𝐶𝜔 −1
𝑍𝑅 // 𝑍𝐶 = ( )=( ) = 𝑅( )=( ) 𝑒 𝑗𝑡𝑔 (−𝜔𝐶𝑅)
1 1 + 𝑗𝜔𝐶𝑅 1 + (𝜔𝐶𝑅) 2
√1 + (𝜔𝐶𝑅)2
𝑅+( )
𝑗𝐶𝜔
= 27.63𝑒 −𝑗56.45 = 27.63(0.55 − 𝑗0.83) = 15.20 − 𝑗22.93
𝑉𝑠 240𝑒 𝑗0
𝐼𝑠 = = = 𝟏𝟏. 𝟑𝟑𝒆−𝒋𝟒𝟒.𝟏𝟗 𝑨
𝑍é𝑞 21.19𝑒 +44.19
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2.2.4 Calcul de la puissance en régime sinusoïdal permanent
Soit une impédance quelconque ayant une tension 𝑣(𝑡) = 𝑉𝑚 cos(𝜔𝑡) et un courant
𝑖(𝑡) = 𝐼𝑚 cos(𝜔𝑡 − 𝜑). On définit la puissance instantanée par :
1 𝑇 1
𝑃= ∫ 𝑝(𝑡)𝑑𝑡 = 𝑤(𝑇) = 𝑉𝐼 cos 𝜑
𝑇 0 𝑇
Puissance complexe
On définit la puissance complexe S par :
𝑆 = 𝑽𝑰∗
𝑆 = 𝑉𝐼𝑐𝑜𝑠𝜑 + 𝑗𝑉𝐼𝑠𝑖𝑛𝜑
𝑆 = 𝑃 + 𝑗𝑄
La quantité Q est appelée puissance réactive, et son unité est le VAR (Voltampère- Réactif). La quantité
S est aussi appelée puissance apparente, son amplitude est |S| = V I, et son unité est le VA
(Voltampère).
Facteur de puissance
Le facteur de puissance est le rapport de la puissance réelle sur la puissance complexe.
𝑃
𝑐𝑜𝑠𝜑 =
‖𝑆‖
On peut aussi représenter les différents types de puissances (complexe, active et réactive) ´ sous forme
de triangle.
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Le facteur de puissance indique si la charge se comporte de façon inductive, capacitive ou résistive. Si
le comportement est inductif, on dit que le facteur de puissance est en retard (ou arrière, ou positif).
Si le comportement est capacitif, on dit que le facteur de puissance est en avance (ou négatif).
Exemple
Calculer les puissances complexes pour chaque branche issues du même exemple précédent :
1- La branche de l’Inductance
Puissance apparente
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CHAPITRE 3
3.1 Circuits magnétiques
Un circuit magnétique est semblable à un circuit électrique. C’est un parcours fermé qui est réalisé
avec un matériau magnétique de haute perméabilité (µr >>). Cependant, on va respecter quelques
hypothèses pour l’analyse de ces circuits :
𝑩 = 𝝁𝑯
Où B est la densité de flux (en Wb/m2 ou Tesla), H est l’intensité du champ magnétique (en A/m) et µ
est la perméabilité magnétique du milieu (en Wb/m ou H/m).
– Pas de saturation.
– Pas d’hystérésis.
Une force magnétomotrice 𝑭 = 𝑵𝑰 force un flux ϕ à circuler dans le circuit magnétique. L’intensité
du champ magnétique dans le noyau est donnée par la loi d’Ampère :
𝑵𝑰 = ∫ 𝑯𝒅𝒍
La force produite est reliée au courant qui circule et au nombre de tours dans la bobine :
𝑭 = 𝑵𝑰
Où F est la force, N est le nombre de tours, et I le courant. L’unité de cette force est A·t (Ampère-tour).
∅ = ∫ 𝑩 𝒅𝒔
𝒍
𝕽= Lignes de
𝝁𝑺
champs
l est la longueur du tube ou de matériaux Matériaux
magnétiques
S est la section transversale
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On appelle ℜ la réluctance du circuit magnétique. La réluctance est une quantité qui caractérise la
”résistance” du circuit magnétique au passage du flux. C’est un peu comme la loi d’Ohm pour des
circuits magnétiques.
Résistance R Réluctance 𝕽
Courant I Flux φ
Exemple 1
Soit le circuit magnétique suivant. Le courant I est 1.2A, la perméabilité relative du matériau est µr =
3000, le nombre de tours N est 100 et une profondeur de 4cm.
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Exemple 2
Soit le circuit magnétique suivant. Le courant I est 2A, la perméabilité relative du matériau est µr =
2500, le nombre de tours N est 250 et une profondeur de 4cm. L’entrefer a une épaisseur de 0.5cm
(l’entrefer est la section où il manque une petite partie du circuit).
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