Vous êtes sur la page 1sur 7

Université de Batna2 Faculté de Technologie

20118/2019 Département d’Electronique


Physique des composants semi-conducteurs 1
TD n°1: Cristallographie

EXO.1: La maille du silicium est donnée ci-dessous.

1.1. Donner le nom de la structure constituée par les atomes blancs.

1.2. Déterminer les coordonnées des atomes blancs appartenant aux plans xoy et xoz.

1.3. Déterminer les coordonnées des atomes noirs.

1.4. Quel est le nom de la structure constituée des atomes blancs et noirs.

1.5. Combien d'atomes contient cette maille ?

1.6. Est-ce que la maille est primitive ou multiple et si elle est multiple, déterminer sa multiplicité.

1.7. Déterminer la masse volumique du silicium Si le paramètre de sa maille est a=5.43 Å est que sa masse
molaire est M=28 g/mol. (NA=6.023 1023 mol-1).

1.8. Déterminer le taux de compacité de cette structure.

EXO.2: Déterminer la maille élémentaire primitive de la structure 2D suivante.

1
EXO.3: Déterminer la maille de Wigner seitz dans les deux cas suivants

EXO.4: La figure ci-dessous montre le réseau primitif du réseau cubique centré.

4.1: Déterminer les composantes des vecteurs de base (a1, a2, a3) dans la base (i, j, k).

4.2. En déduire les composantes des vecteurs (A, B, C) du réseau réciproque. Conclusion.

EXO.5: Déterminer les indices de Miller des différents plans donnés ci-dessous

2
Université de Batna 2 Faculté de Technologie
20117/2018 Département d’Electronique
Physique des composants semi-conducteurs 1
TD n°2: Notions de base

EXO. 1 : 1.1) Ecrire l’équation de Schrödinger pour un électron libre de se déplacer sur l’axe x’x.
1.2) Donner la forme de la fonction d’onde.
1.3) Donner la relation de dispersion et représenter sa courbe.

EXO.2 : Une particule est confinée à l’intérieur du domaine limité par les deux murs de potentiel infini.

o a x

2.1) Ecrire l’équation de Schrödinger pour la particule.


2.2) En déduire les fonctions d’onde et les niveaux d’énergie.

EXO.3 : Calculer la longueur d’onde dans les cas suivants :


3.1) Un proton accéléré dans le vide par une d.d.p. U=500 V.
3.2) Un électron accéléré dans le vide par une d.d.p. U=105 V
3.3) Une balle de fusil de masse m=5g lancée avec une vitesse v=200 m/s.
3.4) Commenter les résultats obtenus

EXO.4 : Calculer l’incertitude sur la position dans les cas suivants :


4.1) Un avion de masse m= 200 tonnes volant à une vitesse v=2100 km/h connue à 1 km/h près.
4.2) Un électron dont la vitesse est connue à 3.86 106 m/s près.
4.3) Commenter les résultats.

EXO.5 : Ecrire la structure électronique des éléments suivants en précisant les différentes couches et le
remplissage des cases de la dernière couche :
5.1) Aluminium (Z=13), Phosphore (Z=15)
5.2) Silicium (Z=14), Germanium (Z=32)

EXO.6:Calculer la longueurd’onde dans les cassuivants:


6.1) Unrayonnement IR d’énergie 0.2 eV
6.2) Un faisceaud’électrons accéléré par une ddp U=100 kV
6.3) Un faisceau de neutrons thermiques produit par une pile ayant une température T= 1000 K

EXO. 7:
7.1) Calculer lecommutateur ,
7.2) Est-ce qu'il est possible de mesurer simultanément la position et la quantititéde mouvement d'une
particule

3
Université de Batna Faculté de Technologie
2015/2016 Département d’Electronique
TD n°3 Physique des composants semi-conducteurs
Semi-conducteur à l'équilibre et hors équilibre

Exercice 1:
La densité des électrons et celle des trous sont respectivement données par les expressions:

 E − EF   E − EF 
n = N C exp − c 
 p = N V exp v 

 k B T   k B T 

1.1)Trouver la distance énergétique entre le niveau de Fermi et le minimum de la bande de conduction pour un semi-
conducteur à base de silicium de type n dopé avec une concentration ND=1017cm-3 à T =300K.
1.2) Trouver la distance énergétique entre le niveau de Fermi et le sommet de la bande de valence pour un semi-
conducteur à base de silicium de type p dopé avec une concentration NA=1015cm-3 à T =300K.
Données: Pour Si, à T=300 K, on a: NC=2.7 1019cm-3, NV=1.2 1019cm-3

Exercice 2 : Dans le cuivre pur, à T=300 K, le temps de relaxation des électrons libres vaut 2 10-14s.
2.1)Calculer la mobilité des électrons libres dans le cuivre et comparer sa valeur avec celle des électrons dans un
monocristal de silicium. Conclusion.
2.2)Si la concentration en électrons libres est égale à 10.5 1022 cm-3, calculer la conductivité puis la résistivité.
3.2)La densité de courant est souvent limitée, dans les fils non bobinés, à la valeur Jmax=5 A.mm-2. Quelle est alors la
valeur Emax du champ électrique à ne pas dépasser ? En déduire la vitesse moyenne maximale des électrons libres.
Données : me=9 10-31 kg, e=1.6 10-19 C.

Exercice 3 : Un barreau de silicium intrinsèque de 10 cm de long est soumis à une différence de potentiel de 500 V.
3.1)Calculer la vitesse moyenne prise par les électrons libres à la température ambiante !
3.2)Même questions pour les trous.
3.3)Calculer la conductivité σ et la résistivité ρ à 300 K et comparer aux valeurs du cuivre.
Données: Pour Si intrinsèque; ni=1.5 1010cm-3, µn=1500 cm2V-s-1, µp=500 cm2V-s-1.

Exercice 4 : On insère dans le silicium des atomes donneurs avec une concentration ND=1016cm-3.
4.1)Comparer ND au nombre d’atomes de silicium par cm-3 et au nombre d’électrons ou de trous qu’on aurait dans un
cristal pur de silicium à la même température (300 K). Conclusion.
4.2)Déterminer et comparer n et p.
4.3)Calculer la résistivité et comparer à celle du silicium pur (ρ=2.2 103 Ω.m)
4.4)En déduire la résistance d’un parallélépipède de longueur 10 µm et de section 30µm x 30 µm)
Données: Pour Si intrinsèque; ni=1.5 1010cm-3, µn=1500 cm2V-s-1, µp=500 cm2V-s-1

Exercice 5 : A température ambiante (27 °C), les porteurs de charge dans un semi-conducteurs ont une mobilité µ=0.1
m2V-1s-1.
5.1)Que vaut la constante de diffusion ?
5.2)Si les porteurs ont une durée de vie moyenne typique τ=100µs, que vaut la longueur de diffusion ?

Exercice 6 : Un cristal de silicium contient 1021 m-3 donneurs.


6.1)Déterminer l’excès d’électrons et de trous nécessaires pour augmenter la conductivité de 15% !
6.2)Quelle est la vitesse de génération de porteurs nécessaires pour maintenir cet excès en régime stationnaire ?
Données : µp=0.3µn, τp=10-6s, T=300 K

Exercice 7 : Une plaquette de Ge de type n est éclairée par un flash lumineux qui double le nombre de porteurs
minoritaires.
7.1) Calculer l’intervalle de temps nécessaire pour que la densité de trous excédentaires s’abaisse à 1017 m-3.
Données : ND=1022m-3, ni=2.5 1019 m-3 (à T=300 K), τp=10-3s

4
Université de Batna Faculté de Technologie
2015/2016 Département d’Electronique
TD n°4 Physique des composants semi-conducteurs
Jonction PN

Exercice 1:
On considère une jonction PN abrupte au silicium constituée de deux régions homogènes dopées
respectivement avec NA=1018 cm-3 , côté P, et ND=1016 cm-3 côté N. Les mobilités et les durées de vie des
porteurs minoritaires sont respectivement µn=1540 cm2 /V.s, µp=770 cm2 /V.s, τn =10-10 s et τp=10-8 s.
La densité de porteurs intrinsèque du silicium à température ambiante est ni=1010 cm-3 et la température de
travail est T=300 K.
1ère partie: Etude à l'équilibre en supposant une jonction abrupte

ZCE

ρ
E

-xP +xn x
0

Région P Région N

1.1. On se place dans le cas à une dimension et compte tenu de la condition d’équilibre, déduire l'expression
du potentiel de diffusion (la barrière de potentiel entre la région N et la région P).
1.2. En adoptant la notation ci-dessus, trouver le profil du champ électrique dans la ZCE en résolvant l'équation
de poisson.
1.3. En déduire le profil du potentiel électrique
1.4. En s'appuyant sur la condition de continuité du potentiel au point x=0, trouver les expression de xn et xp.
1.5. En déduire l'expression de la longueur de la ZCE.
1.6. Donner l'expression de la capacité de la ZCE.
1.7. En déduire de ce qui précède l'expression du champ maximal.
1.8. Application numérique: On vous demande de calculer:
1.8.1. La valeur du potentiel de diffusion;
1.8.2. La largeur de la ZCE;
1.8.3. La valeur du champ maximal.
2ème Partie: Etude hors équilibre-Polarisation directe sous une tension de 0.5 V
2. Calculer
2.1 La nouvelle valeur de la barrière de potentiel;
2.2 La nouvelles valeur de la largeur de la ZCE.
2.3. La valeur du courant de recombinaison;
2.4. La valeur du courant de diffusion.
3ème partie: Etude hors équilibre-Polarisation inverse sous une tension de -10
3.Calculer
3.1. La nouvelle valeur de la barrière de potentiel;
3.2. La nouvelles valeur de la largeur de la ZCE.
3.3. La valeur du courant de diffusion des minoritaires;
3.4. La valeur du courant de génération thermique.

5
Exo2: Les mesures I-V directes d'une diode à jonction ont donné les résultats illustrés par la figure ci-dessous.
2.1. Déterminer la tension seuil de la diode;
2.2. Quel est le matériau de base de cette diode;
2.3. Déterminer la résistance interne de la diode;
2.4. Quelle est la tension appliquée aux bornes de la diode (graphiquement, puis par le calcul) lorsqu'elle est
parcourue par un courant de 40 µA;
2.5. Quelle est la résistance limitatrice Rp lorsque on veut faire passer un courant d'intensité I=20mA sous une
tension externe de 5V.

140

120

100

80
I(µA)

60

40

20

0
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 275 300
V(mV)

Exo3: 3.1. Calculer la résistance interne de la diode à jonction de l'exercice 1 si la région p a une longueur de
200 µm et la région n a une longueur 5 µm et que la section de la jonction est s=1 mm2.
3.2. Calculer la capacité de transition de cette jonction sachant que:
εsi≈12 et ε0=8.85 10-12 F/m

6
Université de Batna 2 Faculté de Technologie
2017/2018 Département d’Electronique
TD n°5 Physique des composants semi-conducteurs 1
Contact métal-métal et structure Schottky

Exercice 1 : Les travaux de sortie des deux métaux Ag et Au sont respectivement φAg=4.3 eV et φAu=4.8 eV. On
vous demande de :
2.1. Dessiner les diagrammes des bandes avant et après contact
2.2. Indiquer le type de charge d’espace de chaque côté de la jonction
2.3. Calculer la hauteur de la barrière de potentiel qui s’établit entre les deux métaux

Exercice 2 : Considérons une structure métal semi-conducteur (diode Schottky) à base de chrome-silicium dont
le dopage est ND = 1017 cm-3, φm=4.5 eV, χ=4.05 eV et NC=2.82 1019 cm-3
3.1. En se référant au diagramme énergétique ci-dessous, calculer la barrière Eb du coté métal à T=300K.
3.2. Calculer le potentiel de diffusion Vd.
3.3. Calculer la largeur de la zone de charge d'espace.

Exercice 3 : Dans une mesure de la résistance des contacts par la technique TLM, nous avons réalisé le
dispositif donné par la figure ci-dessous. Les résistances obtenues des mesures I-V entre les différents plots
sont les suivantes:
R1 = 7.59Ω, R2 = 8.26Ω, R3 = 9.85Ω, R4 = 13.02Ω, et R5 = 18.87Ω.
Pour les distances :
di = 10μm, 20 μm, 40 μm, 80 μm, 160 μm.
Donnée: W=100 µm
3.1. Représenter graphiquement Ri=f(di)
3.2. Déterminer graphiquement les grandeurs: Rc, Rs, LT et ρc.

d1 d2 d3 d4 d5

Vous aimerez peut-être aussi