École Royale de l’Air

Marrakech

Professeur Hassan BELAHRACH

Electronique Analogique : TDs chapitre 2

I- Soit le montage de la figure 1. On donne : VBE=0.6V, VCC=10V, β=100, UT=kT/q=25mV,

n=1, RE=1kΩ, RC =3.3kΩ, R1=8.15kΩ, R2=1.85kΩ et RL>>RC.

A - Étude statique (DC)

1 - Donner le circuit correspondant à l'étude statique.

2 - Dessiner le circuit de Thévenin équivalent entre la base et la masse (VCC, R1 et R2).
3 - Donner la droite de charge en entrée VBE=f(IB) et la droite de charge en sortie VCE=f(IC).
4 - Calculer les courants IB0, IC0 et la tension VCE0.
5 - Calculer la puissance dissipée dans le transistor.
6 - Calculer h11 autour du point de fonctionnement.

B- Étude en petits signaux BF (AC)

En petits signaux basse fréquence, le transistor bipolaire est modélisé par les paramètres
hybrides h11 et h21 et les deux autres sont supposés négligeables. Les condensateurs Cl1, Cl2 et
CB sont représentés par des court-circuits à la fréquence d'utilisation.

1 - Faire le schéma électrique équivalent de ce montage en petits signaux BF.

2 - Exprimer l’amplification en tension Av = vs/ve en fonction de gm et Ru=RL//RC, puis
donner sa valeur.
3 - Si ve(t) = 0.01 sin(t), exprimer vs(t). Tracer ve(t) et vs(t) sur le même graphe.
4 - Calculer les résistances d’entrée et de sortie du montage.
5 - Conclusion.

RC R1

Cl2

VCC
C

B
Rg Cl1 vs RL
E
R2
vg ve RE CB

Fig. 1
1
II - Étude d'un amplificateur à transistors bipolaires

Soi l'amplificateur constitué de deux étages de la figure 2. On considère les transistors T1 et T2

sont complémentaires (NPN et PNP). Ces derniers sont caractérisés par le même gain en courant
=250. Les paramètres hybrides h12 et h22 sont supposés négligeables. Les courants base sont
supposés négligeables devant les autres courants. En dynamique, on suppose que les capacités Cl1,
Cl2 et Cd se comportent comme des court-circuits. On donne VBE0 = 0.6V, Vcc=15V, IC1=2.4mA,
R2=4R1, RE1= RE2=1k, RC1=2.7k.

Fig. 2

i'

1- Comment sont montés les transistors T1 et T2. Dessiner le circuit correspondant à l'étude
statique.
2- Calculer ( VB1 , VCE1 ) du transistor T1 et ( IC2 , VCE2 ) du transistor T2.

3- Dessiner le schéma électrique équivalent en petits signaux BF du premier étage. Déterminer

les caractéristiques de cet étage : Résistance d'entrée Re1 = ve/ ie, gain en tension à vide Av1 =
vs1/ve et résistance de sortie Rs1= (vs1 / is1 pour vg= 0 et sans charge).

4- Dessiner le schéma électrique équivalent en petits signaux BF du second étage. Déterminer les
caractéristiques de cet étage : Résistance d'entrée Re2 = vs1/i', gain en tension à vide Av2=vs/vs1 et
résistance de sortie Rs2 = (vs / is pour vs1= 0 et sans charge).

5- En utilisant les caractéristiques des deux étages, dessiner le circuit équivalent du montage
global. Déduire le gain en tension Av= vs/ve du montage globale. Quel est le rôle du second étage.