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République Algérienne Démocratique et Populaire

Ministère de l’enseignement supérieur et de la recherche


scientifique
Université Amar Thelidji – Laghouat

Faculté des Sciences
Département d’Electronique
Option : Master microelectronique

TP 1 :

Réalisé par :
Grinat Hisham
Allaoui lakhdhar
Encadré par:
Mahoub Abdel hafidh

Promotion : 2020/2021
Partie théorique :

1/ schéma électrique équivalent d une cellule solaire :

2/ le rôle de chaque compassant constituant ce générateur :

La cellule PV se comporte comme un générateur mixte qui donne un courant


et une tension.

Le circuit équivalent contient quatre composantes; un générateur de courant


monté en parallèle sur deux diodes qui a un facteur d'idéalité n qui varie de 1
jusqu'a 2, et deux résistances de fuite, une montée en série et l'autre en
parallèle

La résistance série Rs est liée à l'impédance des électrodes et du matériau;


il en résulte que la tension V aux bornes de la cellule est différente de la
tension aux borne de la jonction PN

La résistance shunt Rsh correspond à la fuite de courant entre les deux


zones N et P de la jonction; il en résulte qu'une partie du courant Iph sera
dérivée par cette résistance et ne pourra être délivrée à la charge.

3/ expression du courant debité par la photopile

4/ Courant de court-circuit
Tension à circuit ouvert VOC

5/ Im

Vm

6/ facteur de forme FF

Rendement de conversion

7/ La réponse spectrale : est la valeur du courant de court-circuit


scJ de la cellule par unité de flux monochromatique incident.
 La partie Pratique :

1. Effet de l’épaisseur de l’absorbeur ( la couche p-CIGS) :

a. Représenter la variation de la densité de courant en fonction de la tension


de polarisation Iv pour différentes épaisseurs de l’absorbeur ( w= 0.5 , 1 ,
1.5 , 2 µm) :

CIGS 0.5 1 1.5 2


Icc 29,65 31,64 32,75 33,40
Vdc 0,56 0,59 0,60 0,60
FF 76,28 78,23 78,87 79,17
ɳ% 12,89 14,64 15,54 16,05

b. Représenter l’effet de l’épaisseur de l’absorbeur sur les paramètres PV


( Jsc , Voc , FF est le rendement ) :
c. Représenter l’effetde l’épaisseur de la couche absorbante sur la réponse
spectrale :
2. Effet du l’énergie du gap de l’absorbeur CIGS :

a. Représenter l’effet de l’énergie du gap de la de la couche absorbante sur


la réponse spectrale pour Eg = 1.1 est 1.2 1.3 ev

CIGS 1.1 1.2 1.3


Voc 0.6071 0.7061 0.8086
Icc 33.40 33.38 33.44
FF 79.17 80 81.40
ɳ% 16.05 19.00 22.02

b. Représenter la variation de la densité de courant en fonction de la tension


de polarisation Iv pour différentes énergie du gap pour Eg 1.1 est 1.2 est
1.3

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