CENTRO UNIVERSITÁRIO DA FEI

LEONARDO NAVARENHO DE SOUZA FINO

RAFAEL NAVARENHO DE SOUZA

PROCESSOS DE FABRICAÇÃO DE LÂMINAS DE SILÍCIO SOBRE ISOLANTE

“SOI”

ESTUDO PARA UNIBOND – SMART CUT

Trabalho de mestrado relativo a PEL108 –

Modelagem de transistores MOS em
tecnologia SOI. Professor Dr. Salvador
Gimenez e Dra. Paula Ghedini Der Agopian

São Bernardo Do Campo

2010
 LISTA DE FIGURAS

Figura 1. Comparativo entre uma estrutura Bulk e SOI ............................................................. 1

Figura 2. Fluxo do processo Unibond com Smart Cut ............................................................... 4
Figura 3. Processo de clivagem em uma lâmina com suporte mecânico ................................... 8
Figura 4. Processo de clivagem em uma lâmina sem suporte mecânico .................................... 8
Figura 5. (1,3) Efeitos sem lâmina de suporte. (2,4) Efeitos com lâmina de suporte................. 8
Figura 6. Formação de microcavidades e bolhas ........................................................................ 9
Figura 7. Aplicações para Smart Cut. Soitec. ........................................................................... 10
Figura 8. Aplicações do Smart Cut........................................................................................... 11
Figura 9. Demais aplicações para o Smart Cut ......................................................................... 12

SUMÁRIO

1 SILÍCIO SOBRE ISOLANTE – INTRODUÇÃO ÀS ESTRUTURAS....................... 1

1.1 – TECNOLOGIAS DE OBTENÇÃO DE ESTRUTURAS SOI................................ 2
1.2 – SOITEC ....................................................................................................................... 2
2 SMART CUT – MOTIVAÇÃO DE ESTUDO .............................................................. 3
2.1 PROCESSO DE OBTENÇÃO DA LÂMINA PELO MÉTODO UNIBOND –
SMART CUT ............................................................................................................................ 4
2.2 IMPLANTAÇÃO IÔNICA DO HIDROGÊNIO ........................................................ 6
2.3 COLAGEM / UNIÃO .................................................................................................... 6
2.4 RECOZIMENTO .......................................................................................................... 7
2.5 VANTAGENS DO PROCESSO UNIBOND – SMART CUT ................................... 9
2.6 DESVANTAGENS DO PROCESSO UNIBOND – SMART CUT ......................... 13
3 REFERENCIAS ............................................................................................................. 14
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1 SILÍCIO SOBRE ISOLANTE – INTRODUÇÃO ÀS ESTRUTURAS

Os avanços na microeletrônica proporcionam a constante redução das dimensões

na microeletrônica, e indiretamente surgem diversos efeitos parasitários, característicos
de dispositivos fabricados em lâminas convencionais de silício (Si). Grandes desafios
apresentam-se na procura de materiais para a fabricação de dispositivos que permitam a
operação estável, tanto em condições favoráveis como adversas, desde baixas a altas
temperaturas, imunidade a radiação ionizante transiente ou permanente, imunidade aos
efeitos de partículas altamente energéticas e que operem normalmente em freqüências
elevadas de operação.
O advento das lâminas de Silício sobre Isolante (SOI) elimina ou reduz muitos
efeitos ate então encontrados no bulk. Uma estrutura SOI, assim como o nome sugere,
consiste de um substrato de suporte mecânico, formado por uma lâmina de Si, coberto
por uma camada de óxido de silício (SiO2), chamado de óxido enterrado, que é, por sua
vez, coberta por um filme fino de Si cristalino onde são efetivamente fabricados os
circuitos dando-se o nome de camada de dispositivos ou camada ativa.
Estes dispositivos em SOI, apresentam várias vantagens tais como: operação em
altas e baixas temperaturas, maior imunidade às radiações ionizantes e partículas
cósmicas, imunidade ao efeito do tiristor parasitário (Latch-Up).no qual os transitores
bipolares parasitários são ativados, chegando a destruir circuitos integrados em CMOS
(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), baixo consumo de potência, alta
freqüência de operação mesmo com baixas tensões de alimentação ( Forhan, N A E,
2006)
Uma imagem comparativa entre uma estrutura SOI, e a bulk convencional pode
ser visualizada na figura 1:

Figura 1. Comparativo entre uma estrutura Bulk e SOI

Arai, Y,Topical Workshop on Electronics for Particle Physics (TWEPP-07)
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1.1 – TECNOLOGIAS DE OBTENÇÃO DE ESTRUTURAS SOI

Muitas técnicas são estudadas e desenvolvidas para a produção de filmes de

silício sobre um isolante, dado que as suas características são muito atrativas para a
escalabilidade e para reforçar a performance em altas velocidades e baixa dissipação de
potência. (Armstrong, G.A., Maiti, C. K.)

De início, existiam apenas duas tecnologias de produção comercial de estruturas

SOI: SIMOX (Separation by Implantation of Oxygen) e Bonded Wafers em particular
BESOI (Bond and Etch back SOI). Por volta de 1995, a SOITEC francesa propôs a
utilização da implantação iônica de hidrogênio (H) como forma de “clivar” uma fina
camada superficial de Si do restante da lâmina de união, com outra lâmina não
implantada utilizando técnicas de Bonded Wafers, chamadas inicialmente de Smart-Cut
SOI.
1.2 – SOITEC
Alguns anos atrás, a tecnologia SOI despertou muito interesse nas aplicações
militares e aeroespaciais e dois pesquisadores, André-Jacques Auberton-Hervé e Jean-
Michel Lamure reconheceram o seu potencial e tentaram viabilizar a produção
comercial de tais itens.
Em 1992, eles fundaram a SOITEC na região de Grenoble nos Alpes franceses,
e começaram a produzir wafers de SOI SIMOX .
Logo, porém, Michel Bruel,da CEA-LETI (um dos maiores centros de pesquisa
em microeletrônica da Europa ), em Grenoble, França, patenteou um novo método para
a produção de wafers de SOI. Apelidado de "Smart Cut ™". E em 1996 um lote piloto
com esta tecnologia foi liberado.
Hoje, a tecnologia Smart Cut é suportado por mais de 1.500 patentes em todo o
mundo, e responde por 95% da produção de todos os wafers de SOI.(Soitec web site:
http://www.soitec.com/en/about/history.php. Acesso em 10/07/2010).
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2 SMART CUT – MOTIVAÇÃO DE ESTUDO

Ao comparar as tecnologias mais utilizadas para a produção de lâminas SOI,

verifica-se que a tecnologia SIMOX dominou por um longo tempo o mercado de
lâminas SOI, no entanto vem perdendo cada vez mais espaçopois seu processo necessita
do emprego de implantadores iônicos especiais (aplicando altas doses e com alta
energia) e fornos de altíssima temperaturas (~1300°C). Além do mais, lâminas SIMOX,
comumente apresentam camadas ativas com altas densidades de deslocamentos, geradas
pela presença de precipitados de oxigênio (aparecem ao geram o óxido enterrado),
ocorre também a formação de defeitos de pin holes no óxido enterrado e a
interdependência entre espessuras de óxido enterrado e da camada ativa.
Comparando com a tecnologia BESOI, em que, um par de lâminas de SI
oxidado é soldado face a face através de forças de van der Waals, submetidos a um
recozimento a temperaturas relativamente altas (até 1100°C) para fortalecer as ligações
químicas, seguindo por um desbaste de um dos lados por polimento mecânico ou
corrosão seletiva. Resumidamente é considerada uma tecnologia mais barata em
comparação à SIMOX e produz filmes e interfaces de melhor qualidade, ao comparar
com as lâminas de Si convencionais. No entanto, além do desperdício de material (o que
encarece de forma significativa o processo) dado que uma das superfícies é perdida
durante o processo, a principal dificuldade da tecnologia está associada à obtenção de
camadas ativas com espessuras e homogeneidade compatíveis com processos em ULSI
(Ultra Large Scale Integration).
A tecnologia Smart-Cut, beneficia-se da capacidade de produção de camadas
cristalinas de alta qualidade, típica da técnica BESOI, ao combinar a solda direta para a
união de lâminas e, ao mesmo tempo, reduz custos utilizando a implantação de íons
leves para promover a separação da camada ativa de Si do restante do substrato. O
processo de separação em duas partes da lâmina de Si implantada é comumente
chamado de “processo de clivagem”.
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2.1 PROCESSO DE OBTENÇÃO DA LÂMINA PELO MÉTODO UNIBOND – SMART CUT

O processo de Smart Cut, está na categoria de transferências de finas camadas

superficiais, removendo-a de uma lâmina de silício e transferindo-a lâmina de silício
manipulada já oxidada. Este processo de remoção é obtido através da utilização de um
gás (normalmente o hidrogênio) implantado e por um processo de recozimento.
O processo que utiliza o Smart Cut é denominado de lâminas Unibond, e
combina o processo de implantação iônica com a tecnologia de “lâmina colada” para
transferir uma fina camada para uma outra lâmina ou um substrato isolado.
Basicamente adota-se os seguintes passos:
1. Processo de implantação iônica do gás (geralmente hidrogênio);
2. Limpeza e ativação das superfícies das lâminas;
3. Recozimento em fornos a temperaturas moderadas (~1100°C).

O processo de fabricação de uma lâmina Unibond utilizando o Smart Cut pode

ser observado na figura 2:

Figura 2. Fluxo do processo Unibond com Smart Cut

Disponível em : http://www.soitec.com/pdf/Soitec_SmartCut_EN.pdf

Em um primeiro momento ocorre a oxidação da superfícia e ser bombardiada

por . Logo em seguida ocorre a implantação iônica de hidrogênio na lâmina oxidada
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de silício (lâmina “semente”) com uma dose por volta de . Nesta fase
micro-bolhas são formadas em uma profundidade igual ao alcance da implantação.
Normalmente esta implantação é realizada já com a lâmina oxidada (com óxido de
silício em sua superfície) para proteção.e futuramente será utilizada no processo de
união das lâminas.
Em uma segunda etapa a lâmina semente é colada em outra lâmina de Si já
oxidada chamada de lâmina de manuseio. A lâmina de manuseio também apresenta um
papel fundamental de sustentação e apoio mecânico para o filme de silício
Então, é realizada uma fase de tratamento térmico. Na primeira parte, as lâminas
são expostas a uma temperatura em torno de 500°C, ocorre um rearranjo cristalino e os
defeitos ocasionados pela má formação do hidrogênio na região de implantação. A
pressão do hidrogênio acaba dividindo a lâmina semente em duas partes: uma fina
camada de Si monocristalino que é colado na lâmina de manuseio, e uma outra parta da
lâmina semente que será reaproveitada em um processo futuro. O mecanismos básico da
separação da lâmina com implantação de hidrogênio e tratamento térmico é similar para
a descamação da superfície e formação de bolhas. Durante o recozimento o tamanho
médio das microcavidades aumentam e interagem umas com as outras, resultando em
uma propagação de uma rachadura por toda a lâmina. Esta rachadura é paralela a
colagem da lâmina. O segundo tratamento térmico é realizado em uma temperatura
elevada (1100°C) e é destinado a fortalecer a união entre o lâmina de manuseio e o
filme SOI.
Finalmente, um polimento mecânico-quimico é realizado no filme SOI, pois ao
realizar a separação, ficam aparentes algumas rugosidades. Nesta etapa o polimento
reduz a superfície rugosa em menos de 0.15nm e consome poucas centenas de
angströms do filme SOI. E a principal vantagem é que a lâmina semente pode ser
reciclada.
Neste momento foi apresentado um resumo geral de como funciona o processo
de fabricação da lâmina SOI Unibond utilizando o Smart Cut e logo abaixo cada etapa
será melhor elucidada.
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2.2 IMPLANTAÇÃO IÔNICA DO HIDROGÊNIO

A lâmina que dará origem a camada superficial de Si, ou camada ativa, recebe a
implantação iônica de ou moléculas de , através do óxido térmco. A dose títipa
está em torno de 5,5x1016 / , isto ocorre na profundidade definida pelo alcance
projetado dos íons implantados, RP, formando as microcavidades, e esta implantação é
realizada com uma energia que varia de 50KeV a 150KeV.
Como comentado ao realizar a implantação de aparecem alguns defeitos no
material, ocasionados pelo rompimento das ligações Si-Si e os defeitos planares,
denominados platelets . Os atamos de H implantados interagem com os de Si das
ligações rompidas gerando ligações Si-H.. Os defeitos da estrutura cristalina acabam
prendendo os atamos de hidrogênio, não fosse por isso, ele escaparia quase que
totalmente da estrutura devido ao alto coeficiente de difusão em Si.

2.3 COLAGEM / UNIÃO

Passada a implantação iônica , ambas as lâminas são encaminhadas para o

estágio de limpeza e ativação das superfícies para remover as partículas e para torná-las
hidrófilas .
Vale ressaltar que o processo Smart CUT, requer condições específicas de
limpeza antes da realização da solda, pois a etapa de implantação iônica modifica a
superfície do óxido, introduzindo contaminantes. Outro ponto a destacar-se está em que
a implantação é responsável pela remoção do estado hidrófilo da superfície, devido a
presença de contaminantes orgânicos na superfície, para retornar as características
originais é necessária realizar uma imersão em água de-ionizada (DI) por um período
elevado (~15horas ) e temperatura ambiente.
Feito isso as mesmas passam por um processo de limpeza que combina um
banho feito em uma solução contendo ácido sulfúrico seguido de um banho em água DI
e um processo RCA, um processo padrão RCA consiste na seguinte seqüência de
etapas, mergulhando-se as lâminas em soluções de:
• H2SO4/H2O2 (4:1) em 80°C por 10 min: esta solução denominada "piranha",
utiliza-se para remover principalmente quantidades de gordura presentes na superfície
das lâminas de silício;
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• HF/H2O (1:10) em temperatura ambiente por 10s: nesta etapa de limpeza

remove-se o óxido de Si (SiO2) nativo na superfície do silício. A reação química do
processo é a seguinte:
SiO2 + 4HF  SiF4 + H2O.;
• NH4OH/H2O2/H2O (1:1:5) em 80°C por 10 min: nesta etapa, removem-se a
gordura e os metais do grupo IB e IIIB (Cu, Ag, Zn, Cd);
• HCl/H2O2/H2O (1:1:5) em 80°C por 10 min: nesta etapa dissolvem-se os íons
alcalinos e hidróxidos de Fe+3, Al+3 e Mg+3 das superfícies dos substratos.
Entre uma solução e outra, as lâminas são submetidas a um enxágüe com água
DI (deionizada). A secagem destas lâminas é feita com jato de nitrogênio. convencional.
Realizada a limpeza as lâminas são soldadas à temperatura ambiente, e esta
ligação e/ou adesão ocorre pelas forças de van der Waals. Uma vez consolidada a
união, procede-se o recozimento térmico.

2.4 RECOZIMENTO

O processo de recozimento dá-se em duas etapas. Durante a primeira etapa , as

lâminas são expostas a um processo térmico rápido, partindo-se do valor ambiente e
com um incremento de 2,5°C/s até se observar a clivagem isso acontece entre 500°C e
600°C. Já a segunda etapa consiste em um recozimento das lâminas por volta de 1100°C
para o fortalecimento das ligações químicas e remoção dos defeitos cristalinos
Após a primeira etapa de recozimento térmico, os átomos de H até em tão
alojados e presos desprendem-se dos defeitos cristalinos e difundem-se formando
microcavidades próximas à região do pico de implantação. Ao aumentar a temperatura,
ocorre um aumento do fluxo de H para o interior das cavidades que, juntamente com a
maior agitação de moléculas H2, desenvolve-se uma alta pressão do gás dentro das
cavidades ocorrendo novos rompimentos de ligações Si-SI, fazendo com que as
cavidades cresçam e se expandam.
Sendo assim a clivagem ocorre com a união das cavidades lateralmente ou
paralelamente a lâmina, durante o tratamento térmico, separando o substrato original em
dois. Este processo é representado na figura 3. Nesta figura observa-se para o primeiro
caso em que a lâmina implantada esteja soldada em outra lâmina de suporte, as
microcavidades crescem paralelamente a superfície da lâmina culminando com a
clivagem da lâmina. No entanto, para o segundo caso visualizado na figura 4, em que
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não existe uma lâmina de suporte, a falta deste suporte faz com que as microcavidades
cresçam além de lateralmente, verticalmente, provocando a formação de bolhas na
superfície, que dependendo do tempo de exposição e da devida temperatura de
recozimento poderá estourar. Uma imagem real é visualizada na figura 6

Figura 3. Processo de clivagem em uma lâmina com suporte mecânico

Figura 4. Processo de clivagem em uma lâmina sem suporte mecânico

Na figura 5 temos um resumo dos casos e seus devidos efeitos.

Figura 5. (1,3) Efeitos sem lâmina de suporte. (2,4) Efeitos com lâmina de suporte
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Figura 6. Formação de microcavidades e bolhas (Forhan, N.A.E)

2.5 VANTAGENS DO PROCESSO UNIBOND – SMART CUT

Ao estudar esta tecnologia, verifica-se que um dos grandes benefícios desta
metodologia esta em sua flexibilidade ao analisar a espessura do óxido enterrado assim
com ao da camada ativa de Si. O óxido enterrado aumenta de tamanha por um processo
térmico e a espessura resultante é ajustada com relativa facilidade. A camada ativa de Si
é obtida pelo processo de clivagem da lâmina ao redor da profundidade da concentração
máxima de íons de hidrogênio ( implantados, ou seja, do alcance projetado para os
íons, Rp. A espessura da estrutura SOI ou a espessura da camada ativa de Si,está
diretamente ligada com a energia dos íons através de uma relação entre Rp e a energia
de implantação, com fraca dependência da dose adotada. A energia dos íons é bastante
precisa e facilmente controlável e conseqüentemente, a espessura da camada ativa após
a clivagem será homogênea. (Forhan, N.A.E)
A utilização de doses médias e íons leves no processo de implantação iônica
minimiza deslocamentos atômicos, oferecendo um processo completo de recristalização
da camada ativa, proporcionando uma qualidade potencialmente superior às obtidas em
lâminas SIMOX.
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As etapas básicas dos processos SMART CUT podem ser desenvolvidas em

equipamentos normalmente utilizados na fabricação de circuitos integrados assim como
os tratamentos térmicos, ou seja, utiliza equipamentos convencionais. A implantação
pode ser realizada nos equipamentos destinados a execução de dopagens para fonte-
dreno e polisilício. Utilizando também as mesmas salas de limpezas convencionais e os
devidos equipamentos de limpeza designados para tecnologia ULSI. E a finalização
com o polimento é realizada com os mesmos equipamentos de polimento das lâminas de
Si bulk, ou com polimentos químico-mecânicos de multicamadas dielétricas
Em outras palavras, este processo está capacitado para altos volumes de
produção, as espessuras do filme de silício assim com a do óxido enterrado, são
facilmente controladas, o processo pode ser aplicado para qualquer diâmetro de lâmina,
e utiliza equipamentos padrão da indústria de circuitos integrados.( Veendrick, H. J. M)

Figura 7. Aplicações para Smart Cut. Soitec.

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Algumas aplicações que utilizam o princípio do Smart Cut, podem ser

visualizados na figura 8 e 9. Como por exemplo:
Silicon On Insulator;
Silicon On Quartz;
Strained Silicon on Silicon Germanium On Insulator;
Strained Silicon On Insulator;
Silicon Carbide On Insulator;
Germanium On Insulator;
Silicon On Anything;
Silicon On Insulating Multilayers;
Patterned Layer Transfer.

Figura 8. Aplicações do Smart Cut

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Figura 9. Demais aplicações para o Smart Cut

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2.6 DESVANTAGENS DO PROCESSO UNIBOND – SMART CUT

Uma das desvantagens observadas está na necessidade do polimento, dado que

este polimento introduz uma não uniformidade da espessura, aparecendo as rugosidades
e estas rugosidades impedem de realizar filmes muito finos. No entanto os processos
estão sempre em desenvolvimento e por processor térmicos esta rugosidade já é
eliminada de uma maneira menos agressiva.
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3 REFERENCIAS

COLINGE J. P, Silicon On Insulator Technology: Materials to VLSI, 3rd Edition.

ALEXE, M. , GÖSELE, U.Wafer Bonding: Applications and Technology. Editora

Springer

VEENDRICK, H. J. M. Nanometer CMOS ICs: From basisc to ASICs .Editora Springer

SRIKRISHMAN K. V. Samrt Cut process for the production of thin semiconductor

material films.United States Patent. Patent Number: 5,882,987. Mar. 16, 1999.

Soitec: Disponível em:

http://www.soitec.com/en/index.php . Acesso em 10/07/2010

História do Smart Cut.Disponível em:

http://www.soitec.com/en/about/history.php . Acesso em : 10/07/2010.

Características do Smart Cut.Disponível em:

http://www.soitec.com/en/technology/smart-cut-smart-choice.php Acesso em :
10/07/2010.

FORHAN, N. A. E., (2006). Fabricação de Novas Heteroestruturas a partir de

estruturas SOI obtidas pela técnica “Smart-Cut”. Tese de Doutorado em
Engenharia Elétrica - Microeletrônica,Escola Politécnica da Universidade de São Paulo,
140p.

CRISTIANSEN S, MOUNTANABBIR, O. SCHMIDT V. Blistering donding and layer

transfer in Group-III Nitride materials.

Processo de limpeza RCA.

http://www.ccs.unicamp.br/site_antigo/download/ServicoLimpezaLamina.pdf Acesso
em 11/07/2010.