Circuits en Couches Minces

Dossier délivré pour
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20/10/2008
Circuits en couches minces

Couches minces traditionnelles
par Michel MASSÉNAT
Docteur en physique de l’université de Bordeaux
Expert auprès de la Commission européenne
Consultant
1. Généralités................................................................................................. E 3 365 - 2
1.1 Définitions .................................................................................................... — 2
1.2 Domaines d’applications............................................................................. — 2
1.3 Renouveau des couches minces ................................................................ — 3
1.4 Matériaux et caractéristiques ..................................................................... — 4
2. Technologies ............................................................................................. — 6
2.1 Techniques de réalisation et physique des couches minces ................... — 6
2.2 Couches minces monocouches.................................................................. — 10
3. Applications .............................................................................................. — 17
3.1 Applications analogiques, codeurs et capteurs ........................................ — 18
3.2 Applications radiofréquences et hyperfréquences ................................... — 20
4. Conclusion ................................................................................................. — 23
Pour en savoir plus........................................................................................... Doc. E 3 367
a principale ambiguïté attachée à la technologie des couches minces est

L contenue dans son nom, à savoir la notion de couche mince comparée à
celle de couche épaisse. La notion d’épaisseur est-elle suffisante pour distinguer
l’une de l’autre ? Certainement pas, tant les différents auteurs sont partagés sur
le sujet. Je lui préfère quant à moi les notions de propriétés électriques et phy-
siques, de matériaux déposés et de procédés de dépôt.
Les couches minces sont utilisées depuis plusieurs décennies dans un grand
nombre d’applications. Les plus anciennes et encore les plus répandues sont
probablement les applications optiques. La métallurgie et la photographie ont
également utilisé les couches minces mais dans les applications les plus
modernes, on rencontre maintenant la chimie, la biochimie et la médecine,
autour de capteurs de toutes sortes, de gaz mais aussi d’ADN (les biopuces).
Dès les années 1960, le besoin d’intégrer les fonctions électroniques a conduit
à utiliser la technologie des couches minces pour la réalisation des tout premiers
circuits intégrés, les circuits intégrés hybrides ou CIH, en concurrence avec les
technologies d’intégration monolithiques sur silicium.
Au début des années 1980, les technologies à couches épaisses détrônent les
premières, handicapées par leur coût de réalisation et certaines difficultés tech-
niques à réaliser des multicouches. Seules des applications très spécifiques
comme les réseaux de haute précision, les circuits hyperfréquences, certains
capteurs, subsistent alors en couches minces.
La notion de « multichip module » (MCM ou module multipuce) apparaît vers
1985 et, grâce à certaines innovations techniques, redonne un certain intérêt aux
couches minces, qui retrouvent dans ces applications l’opportunité d’exploiter
entièrement leurs capacités d’intégration (voir l’article suivant [E 3 366]).
Mais l’histoire ne fait que se répéter. L’intégration monolithique ne cesse
d’évoluer et de gagner du terrain sur l’intégration hétérolithique, la poussant à
évoluer à son tour. Si les MCM sont la réponse (hétérolithique) d’aujourd’hui
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aux limitations rencontrées par les ASIC (monolithique), les SOP (hétérolithique)
seront la réponse de demain aux SOC (monolithique) qui tentent de prendre
aujourd’hui la place des MCM. Il est certain que dans les SOP, super hybrides
comprenant à la fois interconnexion de haute densité, électrique et optique,
composants actifs et composants passifs, dispositifs de refroidissement et,
pourquoi pas, microsystèmes électromécaniques, les couches minces électro-
niques prendront, plus que jamais, une place de choix.
L’auteur tient à remercier monsieur Thierry Lemoine, chef de département Céramique et

Packaging à Thalès TRT, responsable du laboratoire commun LABCOM BGCC/TRT, ainsi que
monsieur Sylvain Schmitt, ingénieur CNRS/IN2P3, pour l’aide qu’ils lui ont apportée dans la
rédaction et la correction de ce document.
qu’à partir de 12,5 µm (0,5 mil), la zone intermédiaire étant parfois

1. Généralités baptisée mince-épaisse ! Dans la pratique, toutefois, et parlant de
substrats pour circuits hybrides (ou pour MCM), il est relativement
habituel de parler de couches minces jusqu’à 5 µm et de couches
Un tableau des sigles et abréviations peut être consulté à la épaisses au-delà.
fin de l’article. Dans la suite, on considérera toutefois que couches minces ou
épaisses se distinguent plus par la nature du matériau déposé et
surtout par son mode de dépôt que par leur épaisseur. Mais il y
aura toujours une faille dans cette recherche à vouloir séparer des
1.1 Définitions notions qui ne sont peut-être plus séparables aujourd’hui.
Parlant de matériaux, on considère que les couches minces sont
En microélectronique, deux tendances majeures s’affrontent : le
élaborées à partir de matériaux (isolants, résistifs ou conducteurs,
monolithique et l’hétérolithique. Ces deux tendances se dis-
minéraux ou organiques) purs, même s’ils sont complexes. Le
tinguent essentiellement par la nature et par les propriétés de leur
matériau obtenu est le matériau déposé.
substrat.
Par opposition, la couche épaisse est obtenue à partir d’un
Un circuit intégré monolithique se caractérise par un substrat de
mélange de matériaux qui subit des transformations au cours du
type semi-conducteur, lequel participe à la fonction « active » par
processus de dépôt. De plus, le matériau souhaité (par exemple,
ses propriétés intrinsèques. Cela n’exclut pas que des éléments
l’or d’un conducteur) doit généralement être associé à un autre
puissent être rapportés sur le substrat, en particulier un réseau
matériau « porteur » (du verre, par exemple) pour pouvoir adhérer
d’interconnexions en couches minces.
au substrat.
Un circuit intégré hétérolithique (ou hybride) se caractérise par
un substrat isolant, ou rendu isolant, sur lequel l’ensemble des Parlant de processus de réalisation, les couches minces
fonctions passives et actives est reporté, y inclus les fonctions procèdent généralement d’un mode de dépôt global (habituel-
d’interconnexion sous forme de réseau filaire, plaqué ou déposé, lement sous vide) suivi d’étapes de gravure, dites soustractives,
en couches minces ou épaisses. pour obtenir les motifs souhaités.
Comme rien n’est simple, il apparaît qu’aujourd’hui, un substrat Les couches épaisses sont généralement obtenues directement à
isolant peut aussi contenir des composants enfouis ou enterrés à partir d’un mode de dépôt sélectif dit additif, même s’il est parfois
l’intérieur du matériau. Il apparaît aussi que le substrat peut être de nécessaire de recourir à un procédé soustractif pour en accroître la
type semi-conducteur isolé et que dans certains cas même, il peut précision.
participer à la fonction active de l’ensemble. Il devient alors de plus Comme on l’a dit, il peut donc être parfois difficile de classer une
en plus difficile de distinguer s’il s’agit d’un circuit intégré monoli- technologie à couches déposées dans un domaine ou dans l’autre.
thique ou d’un circuit intégré hybride.
Parlant de circuits en couches minces, nous nous attacherons
néanmoins plus particulièrement à la notion de circuit hybride,
dans laquelle la couche déposée peut être aussi bien conductrice
1.2 Domaines d’applications
qu’isolante, mais aussi composant passif.
Cela n’ayant pas encore levé le doute sur la comparaison couche Les applications des couches minces en électronique et surtout
mince/couche épaisse, essayons d’y voir plus clair. Selon les métal- en microélectronique ne sont pas très nombreuses. Elles sont en
lurgistes [1], mais aussi certains électroniciens [2], les couches perpétuelle concurrence avec les couches épaisses dont la qualité
minces en électronique vont de quelques couches atomiques (soit et les propriétés évoluent alors que leur coût plus faible reste un
~ 10 Å) à plusieurs dizaines de micromètres (jusqu’à 100 µm). Les paramètre majeur pour toutes les applications en gros volumes.
couches épaisses se situeraient au-delà. Cependant, la recherche Les applications des couches minces peuvent être divisées en
de hautes performances à coûts faibles a conduit à travailler les sept domaines principaux :
couches épaisses dans le sens d’une augmentation de leur densité — éléments d’interconnexion (§ 1.2.1) ;
donc de la réduction de leur épaisseur à quelques micromètres — composants passifs (§ 1.2.2) ;
seulement. Dans ces conditions, les deux domaines se che- — composants actifs (§ 1.2.3) ;
vauchent largement et il devient difficile de considérer la seule — composants optiques (§ 1.2.4) ;
épaisseur pour les distinguer. — composants magnétiques (§ 1.2.5) ;
Selon d’autres auteurs [3], les couches minces se situent jusqu’à — composants chimiques et biologiques (§ 1.2.6) ;
1 µm (10 000 Å), alors que les couches épaisses ne commencent — capteurs (§ 1.2.7).
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1.2.1 Interconnexion Une autre application possible réside dans les panneaux solaires
réalisés à partir du dépôt sous forme matricielle, de diodes hétéro-
L’interconnexion a toujours été l’un des avantages majeurs des jonction.
couches minces par rapport aux autres modes de dépôt de L’arrivée de composés organiques semi-conducteurs dont le
conducteurs. En effet, la qualité et la finesse des traits et des iso- dépôt est possible par sérigraphie ou par tout autre moyen (mais
lements qu’il est possible d’obtenir (< 1 µm) permet d’atteindre des s’agira-t-il de couches minces ou de couches épaisses ?) ouvre la
densités d’interconnexion qu’aucune autre méthode ne procure. porte à un domaine qui pourrait bien constituer une évolution
Ainsi, les couches minces sont le mode d’interconnexion exclusif majeure de l’électronique. Par exemple, le dépôt à bas coût d’iden-
des circuits intégrés monolithiques. Les circuits intégrés hybrides, tificateurs actifs pourrait donner accès à l’étiquetage électronique
aujourd’hui devenus MCM, ont quant à eux toujours balancé entre des produits même les plus courants et aux contrôles d’accès sans
couches minces et couches épaisses. De fait, l’intérêt des couches contact.
minces est étroitement lié aux types de composants rapportés sur
le substrat.
1.2.4 Composants optiques
Si la grande époque des circuits télécoms des années 1980 a vu
l’apogée des couches épaisses, c’est que les composants alors uti- Les couches minces sont largement utilisées, et ce depuis long-
lisés l’étaient en mini- ou en microboîtiers de type SO, avec des temps, en optique. Les applications sont les revêtements anti-
broches au pas de 1,27 mm ou au pire de 1 mm. Il n’était alors pas réflexion, les filtres de toutes sortes, les polariseurs, etc. Mais ces
nécessaire de recourir aux couches minces, ce qui a entraîné le applications sortent du cadre de l’électronique pure et ne sont pas
déclin des quatre grandes lignes de fabrication d’hybrides en développées dans cet article.
couches minces de l’époque : Sintra (Marcq-en-Barœul), CIT Alca-
tel (Arcueil), LTT (Conflans) et RTC (Évreux).
1.2.5 Composants magnétiques
Avec l’arrivée des techniques numériques complexes, des
grands composants (dont certains à plus de 1 000 inter- Certains oxydes magnétiques comme les manganites, la magné-
connexions), des besoins en miniaturisation, des techniques tite, le dioxyde de chrome présentent la particularité d’avoir le spin
d’assemblage à base de flip-chip ou de CSP, de besoins en rapidité, des électrons de conduction aligné avec le champ magnétique
l’interconnexion à base de couches minces retrouve un intérêt. interne. Nantis de propriétés magnétorésistives géantes, ils sont
Certains domaines particuliers, comme la RF et les hyper- donc particulièrement intéressants pour entrer dans la réalisation
fréquences, nécessitent des qualités de conducteur et de de têtes de lecture pour disques durs, d’autant qu’ils peuvent être
diélectrique, des qualités de tracés et des répétabilités de dépôts et déposés sous forme de couches minces stables et dures. Ils ne font
de gravures que les couches épaisses ne peuvent pas toujours pas non plus partie de la présente étude.
fournir. Les couches minces restent donc avant tout la technologie
de ces domaines spécifiques. Les filtres à ondes de surface (SAW) 1.2.6 Composants chimiques et biologiques
en sont un exemple.
Le transistor à effet de champ MOS peut servir de structure pour
la réalisation de capteurs sensibles aux ions (ISFET) ou aux
1.2.2 Composants passifs éléments chimiques (CHEMFET). Ainsi, une puce multi-ISFET peut
comporter divers capteurs à base de couches minces : Si3N4 pour
Résistances et condensateurs ont de tous temps fait appel aux H+ ; verre, sodium, aluminosilicate pour Na+ ; valinomycine pour
couches minces. De la même manière que pour les conducteurs, K+ [4].
les couches épaisses ont de tous temps concurrencé les couches
Mais nous sommes en train de pénétrer dans l’ère des biopuces.
minces dans ce domaine. Les éléments passifs réalisés en couches
Grâce à la synthèse d’éléments comme la phosphoramidite pyrrole
sont habituellement les résistances et les condensateurs.
ou les oligonucléotides, des sondes ADN sont intégrées sur des
Aujourd’hui, ne subsistent en couches minces que les seuls puces, ou biopuces [5].
composants qui le requièrent impérativement, soit pour des rai-
L’objectif affiché par les acteurs de ces projets particuliers est
sons fonctionnelles (fréquence de fonctionnement, précision abso-
l’intégration totale d’un « labopuce » sur le silicium.
lue ou relative), soit pour des raisons relatives à la qualité et à la
fiabilité (stabilité dans le temps et en température, par exemple). Ces applications très spécifiques ne sont pas non plus
développées dans la suite.
On trouve donc en couches minces : des résistances et des
condensateurs de très haute précision et stabilité, des composants
pour le domaine des RF et hyperfréquences, des réseaux de résis- 1.2.7 Capteurs
tances de précision ou échelles, qui nécessitent une extrême pré-
cision et stabilité des appariements (valeur relative des résistances Les principaux capteurs en film mince sur le marché mesurent la
les unes par rapport aux autres). Ces derniers composants sont température, les contraintes (jauges), la pression, l’humidité, le
largement utilisés dans les convertisseurs A/N ou N/A hybrides. rayonnement infrarouge (bolomètres) et la vitesse ou le débit (ané-
momètre à film chaud) [4]. L’étude des capteurs ne fait pas non
Les inductances, traitées comme des conducteurs, du fait de
plus partie de cet article.
l’augmentation des fréquences, donc de la diminution des
nombres de spires, deviennent aujourd’hui réalisables sous forme
de couches déposées, soit directement, sur ou dans le substrat
d’interconnexion, soit sous forme de composants individuels. 1.3 Renouveau des couches minces
Les années 1960 à 1975 avaient vu l’apogée des techniques
1.2.3 Composants actifs hybrides dites « à films minces » avec de nombreuses et importan-
tes unités de fabrication en France (CIT Alcatel, LTT, RTC, Sintra,
Il est possible de réaliser des transistors en couches minces etc.).
(TFT). Ceux-ci sont proches des MOSFET. Leur intérêt n’est que Les années 1975 à 1990 virent la disparition progressive de ces
rarement manifeste. C’est le cas par exemple sur certains affi- unités et permirent l’introduction des techniques hybrides à films
cheurs en panneaux plans (LCD) pour lesquels un transistor de épais sérigraphiés, lesquelles apportaient, entre autres, des coûts
commutation est associé à chaque pixel du panneau. plus faibles et surtout le multicouche.

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Cependant, en parallèle, le concept de MCM et surtout celui de propriétés mécaniques, module d’élasticité par exemple, sont
MCM-D apparaissaient outre-Atlantique, grâce à Honeywell, dans importantes vis-à-vis des tensions susceptibles d’apparaître dans
les années 1985. le processus, des problèmes de manutention, des cyclages et des
La preuve ayant été faite par Bell Laboratories que le coût nor- chocs thermiques.
malisé de tout type d’interconnexion est identique, à longueur Mais deux propriétés sont tout particulièrement importantes : le
d’interconnexion identique, l’intérêt des MCM devenait alors CTE, ou coefficient d’expansion thermique (dilatation), et le TC, ou
évident puisque ceux-ci diminuent la longueur des interconnexions conductivité thermique. Dû à des CTE différents, le système de
en même temps qu’ils éliminent les encapsulations individuelles couches déposées sur le substrat se comporte comme un bilame
des composants actifs [6]. lors de cyclages thermiques. Le TC participe au refroidissement
En fait, toute l’originalité des techniques MCM-D repose sur une des composants actifs et, de ce fait, à la fiabilité de l’ensemble.
évolution des techniques couches minces utilisées, laquelle permet Les substrats les plus courants sont le silicium, déjà largement
d’obtenir dorénavant des substrats multicouches, ce qui n’était pas utilisé dans le monde semi-conducteur, et les céramiques parmi
le cas avec les couches minces des années 1970. Le multicouche, lesquelles les alumines, la mullite, l’oxyde de béryllium et le nitrure
associé à la densité d’intégration que les couches minces d’aluminium. Des substrats métalliques ont aussi parfois été
permettent d’atteindre, correspond ainsi aux besoins grandissants utilisés, tels que l’aluminium, le cuivre ou des sandwiches. Le
de compacité demandés dans quasiment tous les domaines de tableau 1 en définit les propriétés [6].
l’électronique et de la microélectronique.
Mais que l’on ne s’y trompe pas, en parallèle avec cette évolu-
tion technologique, le passage de l’analogique au numérique a
également été décisif. En effet, l’intégration à la fois de plusieurs Tableau 1 – Propriétés des substrats pour couches minces
niveaux de conducteurs (donc aussi de couches diélectriques) et de
composants passifs (résistances), tous en couches minces, n’est CTE TC Rflexion
Substrats εr
pas évidente et a constitué le frein majeur des circuits hybrides des (ppm · K–1) (W · m–1 · K–1) (kgf · cm–2)
années 1970. Or, les fonctions numériques ne requièrent plus de
passifs de haute précision et stabilité et ceux-ci peuvent alors être Si 2,6 à 4,2 85 à 150 11,7 à 12 140
rejetés hors des couches du substrat, rendant du même coup la Al 22 à 24 200 à 240
réalisation de multicouches complexes et denses, plus aisée.
Cu 16,6 à 17,6 390 à 400
Mais de nombreux travaux réalisés dans les années 1990
permettent aujourd’hui, lorsque cela est nécessaire, d’envisager Cu/Mo/Cu 5,1 à 5,7 150 à 200
l’intégration conjointe de composants passifs en couches minces Al2 O3 (96 %) 6,0 à 7,7 20 à 30 8,8 à 9,8 2 000 à 3 500
et d’un réseau multicouche dense également en couches minces.
Al2 O3 (99,6 %) 6,5 27 10 2 000 à 3 000
De plus en plus, passifs et réseau de conducteurs sont séparés
physiquement pour se rapprocher de l’évolution actuelle dite Mullite (1) 3,5 à 5 4à7 5,5 à 6,8 1 300 à 3 000
« passifs enterrés » afin, d’une part, de protéger ces derniers BeO 6,4 à 8,3 250 à 300 6,4 à 6,9 1 400 à 2 500
vis-à-vis des étapes de réalisation des conducteurs, mais surtout
d’autre part de libérer la surface du substrat pour la pose exclusive AIN 2,1 à 4,4 100 à 230 8,5 à 8,8 3 000 à 4 500
des composants actifs, dans la recherche incessante d’un « facteur (1) Aluminosilicate de formule 3 Al2O3 , 2 SiO2 .
de mérite packaging » de 100 % (surface du substrat = surface de
puces actives).
Le silicium présente l’avantage d’un appariement parfait avec les

1.4 Matériaux et caractéristiques puces rapportées sur lui, et de conditions mécaniques (planéité et
rugosité) parfaites. Mais il est fragile et sujet à des déformations de
Il est quatre domaines d’utilisation pour lesquels le choix du type bilame occasionnées par les couches déposées. Sa permitti-
matériau le mieux adapté à l’application visée est particulièrement vité est de plus élevée. Le principal inconvénient tient toutefois au
important. Ce sont : fait que le silicium est un semi-conducteur et, par là, à la fois un
— le substrat (§ 1.4.1) ; mauvais isolant et un mauvais conducteur (ρ ≈ 10 Ω · cm). Dans le
— les composants passifs (§ 1.4.2) ; cas où un silicium peu dopé est utilisé (silicium de haute résistivité,
— le matériau diélectrique (§ 1.4.3) ; également appelé SiHR), on retrouve un comportement « diélec-
— le matériau conducteur (§ 1.4.4). trique », mais avec un angle de pertes important du fait des por-
La nature du substrat affecte principalement les caractéristiques teurs libres. Ce n’est qu’au-delà de 30 à 40 GHz que le silicium
thermiques, la masse, la robustesse. montre des performances intéressantes comme diélectrique. Uti-
lisé comme substrat dans les applications courantes, il reçoit donc
La nature des composants passifs affecte bien évidemment leurs tout d’abord une couche isolante.
paramètres fonctionnels mais aussi leur stabilité et leur fiabilité.
Les céramiques sont largement utilisées. Cependant, pour rece-
La nature du diélectrique quant à elle affecte les performances voir des couches minces, elles doivent être préalablement polies
électriques du système : fréquence limite, délais, amortissements, et/ou glassivées. On considère qu’une planéité de 10 µm maximum
diaphonie éventuelle. et qu’une rugosité de moins de 1 000 Å sont nécessaires. Cela peut
Enfin, la nature des métallisations affecte les pertes dans le aussi être obtenu par dépôt préalable d’une couche polymère.
réseau et peut avoir une grande influence sur le mode de report Les métaux sont utilisés essentiellement lorsque des spécifi-
des composants et leurs modes de câblage. cations mécaniques et thermiques particulières sont exigées.
Mais ces quatre types d’éléments peuvent interférer et il est
important de rechercher, puis de qualifier, un système compatible.
1.4.2 Composants passifs
1.4.1 Substrats
Les éléments passifs intégrés en couches minces sont pour
Un substrat pour couches minces doit présenter une surface l’essentiel des résistances. Depuis l’arrivée des MCM, on trouve
plane et une très faible rugosité. Il doit en outre être inerte à la également des capacités de découplage, insérées entre plan de
chimie et à tout l’environnement utilisés dans le processus. Ses masse et plan d’alimentation.

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■ Résistances Dans le cas présent, il s’agit d’une couche mince d’or, déposée
Au sujet des résistances, on parle plutôt de systèmes résistifs, sous vide, mais souvent épaissie par recharge chimique ou élec-
car une parfaite compatibilité entre conducteur et résistance doit trolytique.
être garantie. ● Système TaN ou Ta2N/Ni/Au : ce système, également très
Les deux systèmes résistifs les plus répandus sont : développé chez les fabricants de couches minces, utilise une couche
de nitrure de tantale à la place du Nichrome. En fait, du tantale est
— le système nickel-chrome/nickel/or ;
projeté par pulvérisation cathodique en présence d’azote et un
— le système nitrure de tantale/nickel/or. dépôt de nitrure de tantale TaN ou Ta2N se produit alors naturelle-
● Système NiCr/Ni/Au : ce système consiste en un triple dépôt ment.
métallique. Suivant son épaisseur (de 50 Å à 1 000 Å), sa résistance spéci-
La première couche déposée est un alliage de nickel et de fique de feuille peut varier de 1 000 Ω · –1 à 50 Ω · –1.
chrome, également appelé Nichrome, dans des proportions dépen- Dans ce cas de figure, l’usage de la couche de nickel est essen-
dant du procédé de fabrication (40 à 80 % de nickel et 60 à 20 % de tiellement imposé par le manque d’adhérence de l’or sur le nitrure
chrome) et une épaisseur faible de quelques centaines d’ang- de tantale. Cependant, le nickel peut aussi être remplacé par une
ströms. C’est cette couche qui constitue, après gravure, les motifs couche de chrome ou encore de Nichrome.
résistifs. Suivant le fabricant, sa résistance spécifique de feuille
(que l’on appelle souvent à tort résistivité) varie de 1 à 500 Ω · –1 Comme précédemment, l’or est ensuite déposé, puis rechargé
(voir encadré 1 pour la notion de résistance par carré). pour atteindre une épaisseur de 3 à 4 µm.
Pour les résistances, les paramètres essentiels sont bien entendu
la résistance spécifique de feuille qu’il est possible d’obtenir dans
une surface raisonnable, mais aussi la précision, la stabilité et son
Encadré 1 – Notion de résistance par carré (R ) [7] coefficient de température (voir tableau 6).
La notion de résistance par carré, unité notée Ω · –1, résulte ■ Condensateurs
d’un calcul qui associe la valeur n à un dessin (généralement de L’intégration systématique de condensateurs est plus récente et
pistes ou de résistances) dans lequel n carrés de la largeur W du elle est essentiellement liée au besoin en capacités de découplage
motif sont inscrits dans sa longueur L, soit n = L /W. des circuits intégrés numériques modernes. Une solution consiste
à favoriser la capacité naturelle qui existe entre plan de masse et
I plan d’alimentation. Pour cela, deux actions sont possibles et
L menées conjointement :
— réduction de l’épaisseur du diélectrique entre les deux plans ;
W
— augmentation de la constante diélectrique (permittivité) du
e milieu diélectrique.
Le tableau 2 donne quelques valeurs caractéristiques actuelles et
à venir des condensateurs intégrés.
(0)
Cela n’est valable que pour un matériau de résistivité mas-

sique ρ donnée, et d’épaisseur constante e. Tableau 2 – Diélectriques pour capacités réparties
Cette notion est utile et pratique, surtout pour celui qui des- intégrées
sine la fonction. En effet, la résistance du motif ne dépend alors
que de n, nombre de carrés inscrits dans le motif, et non pas de Capacité surfacique
la taille de ces carrés : Diélectrique Épaisseur
répartie
L ρ Époxy ou polyimide ~ 5 µm ~ 800 pF · cm–2
R = ρ ----------- = ----- n = kn
We e
BCB ~ 5 µm ~ 600 pF · cm–2
où n est le nombre de carrés et k est donné en Ω · – 1.
Aluminium anodisé << 1 µm ~ 50 nF · cm–2
Voici deux exemples :
BCB + poudre TiBa ~ 1 à 2 µm > 70 nF · cm–2
BST ~ 300 Å ~ 10 µF · cm–2
R = 3k
R = k /3
1.4.3 Isolants
Les couches isolantes sont destinées à s’intercaler entre les
couches conductrices dans le cas des multicouches. Elles sont pro-
bablement l’un des éléments clés d’une structure MCM. On leur
demande de bonnes propriétés mécaniques et une bonne
compatibilité (dilatation, adhérence) avec le réseau conducteur. On
La deuxième couche, de nickel pur, est déposée sur la première
leur demande également une constante diélectrique basse, la plus
lors de la même opération sous vide. Elle a pour but :
faible possible, de nature à minimiser les problèmes de délais de
— de protéger la première couche de l’oxydation ; propagation, lesquels sont régis par la formule suivante :
— d’assurer une barrière entre le Nichrome et la ou les couches
supérieures (par exemple, dans le cas où de la brasure étain-plomb d
t p = ----- ε r
viendrait dissoudre la couche supérieure d’or). c
La troisième couche a essentiellement pour but de réaliser le avec d la longueur d’un conducteur,
conducteur de surface. Elle doit : c la célérité de la lumière c = 3 · 108 m · s–1,
— avoir une faible résistivité ; εr la constante diélectrique relative (ou permittivité rela-
— permettre le report et le câblage des composants. tive) de l’isolant.

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On leur demande aussi une bonne planarité (capacité à s’étaler pas être utilisé (sauf sous forme d’un flash < 0,1 µm) pour une cou-
et à gommer les reliefs induits par les couches conductrices che brasable à l’étain plomb. L’or constitue le matériau de choix
sous-jacentes), de manière à générer une surface plane « propre ». pour les assemblages de types câblages filaires, TAB, flip-chip ou
On leur demande enfin une bonne compatibilité (chimique) avec collages conducteurs.
l’environnement, particulièrement au cours du processus d’élabo-
ration et la plus faible absorption d’eau possible. ■ Cuivre (Cu) : il présente les mêmes facilités de dépôt que l’or, les
mêmes difficultés d’accrochage aux substrats verre ou céramique et
Les matériaux utilisés avec un système de couches minces ne à peu près la même conductivité. Mais le cuivre se corrode rapide-
sont pas très nombreux. Ils se classent en matériaux minéraux et ment et peut de plus être attaqué par l’acide polyamique, base des
matériaux organiques (les plus répandus aujourd’hui). Ce sont : polyimides. Dans ce cas, une protection par du chrome est souvent
— le dioxyde de silicium SiO2 , ou silice (minéral) ; utilisée.
— le polyimide (organique, dans de multiples versions) ;
— le benzocyclobutène BCB (organique) ; ■ Aluminium (Al) : le plus couramment déposé sous vide (seul
— le RO2800 (organique, des laboratoires Roger) ; mode de dépôt possible), il présente une excellente adhérence aux
— d’autres organiques (PPO, PPQ, etc.) aujourd’hui quasiment substrats. Sa conduction est bonne, de 1 mΩ · –1 (la plus courante)
abandonnés ; à 50 mΩ · –1 en fonction de l’épaisseur déposée. De coût faible et
— pour les applications hyperfréquences, le PTFE (ou Teflon). facile à graver, il est jusqu’à maintenant le métal le plus utilisé dans
les techniques de semi-conducteur.
Le tableau 3 en donne les principales caractéristiques.
■ Autres : outre ces matériaux, des alliages aluminium/cuivre sont
également assez souvent utilisés comme conducteurs, ainsi que le
chrome, le titane ou un alliage titane/tungstène comme barrières de
Tableau 3 – Propriétés des diélectriques protection.
pour couches minces Le tableau 4 donne quelques caractéristiques des conducteurs
en couches minces.
CTE εr Absorption d’eau
Diélectrique (0)
(ppm · K–1) (% masse)
SiO2 0,5 à 0,6 3,8 à 4 ~1

Tableau 4 – Propriétés des conducteurs
Polyimide 35 à 50 3,5 1à3 pour couches minces
Polyimide low stress 3,0 à 3,6 2,9 à 3,5 1à2
CTE TC ρ R (1)
BCB 35 à 66 2,6 à 2,7 0,3 à 0,5 Métal
(ppm · K–1) (W · m–1 · K–1) (µΩ · cm) (mΩ · –1)
RO2800 16 2,9 0,05
Cuivre 18 400 1,67 25
PPQ 55 2,7 0,9
Aluminium 23 240 2,6 à 3,5 35 à 55
PTFE (Teflon) 20 2,2
Or 14 300 2,3 35
Nickel 13 90 6,9 100
1.4.4 Conducteurs Tungstène 45 200 5,5 85
Les exigences les plus critiques pour la définition d’un système Chrome 63 66 13 à 20 200 à 300
conducteur sont la conductivité électrique et la fiabilité. Cependant, Titane 90 22 55 825
il doit aussi être parfaitement compatible avec l’isolant utilisé et, le
Platine 90 70 10,5 155
cas échéant, avec le système résistif. De même, il faut tenir compte
du fait que c’est le conducteur de surface qui reçoit les composants Palladium 110 70 11 165
(mode d’assemblage) et leurs câblages.
(1) Pour une couche de 1 µm d’épaisseur.
Mais il ne faut pas oublier que dans un MCM complexe mo-
derne, un conducteur peut faire plus de 10 cm de long, pour par-
fois une largeur de 10 µm. Pour le concepteur, cela correspond à la
notion de 10 000 (ou 10 000 carrés). Sachant que des conduc-
teurs de moins de 10 µm d’épaisseur présentent une résistance par
carré de 3 à 50 mΩ · –1, c’est donc une résistance de ligne de 30 à
2. Technologies
500 Ω qui est à craindre. Cela peut s’avérer prohibitif, surtout lors-
que le conducteur doit véhiculer de la puissance, et conduire à une
dissipation propre du substrat. Cela peut aussi générer des chutes 2.1 Techniques de réalisation et physique
de tension préjudiciables au bon fonctionnement du système. des couches minces
Les métaux les plus couramment utilisés en couches minces
sont le nickel, l’or, l’aluminium et le cuivre.
2.1.1 Méthodes de dépôt
■ Nickel (Ni) : facile à déposer (par évaporation ou sputtering), il est
utilisé pour ses excellentes propriétés d’accrochage, sa bonne bra- Il existe trois modes principaux de dépôt de couches, en général
sabilité et la barrière de diffusion qu’il constitue. Mais il est notable- utilisables en électronique : sous vide, par dépôt chimique, par
ment plus résistif que le cuivre ou l’or et donc il est utilisé sérigraphie et cuisson. Seuls les deux premiers correspondent aux
uniquement comme couche d’accrochage. couches minces.
■ Or (Au) : il est également facile à déposer par les mêmes moyens Il existe plusieurs méthodes de dépôt des couches minces,
ainsi que par électrochimie et bénéficie de son inaltérabilité. Il adaptées chacune à un type de couche. Pour un matériau donné,
n’accroche pas suffisamment pour être utilisé seul. Sa conductivité il peut exister plusieurs méthodes valables, et le choix parmi
est bonne, proche de celle du cuivre. Soluble dans l’étain, il ne peut celles-ci peut dépendre des problèmes de compatibilité (possibilité

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de chauffer ou non le substrat, nature des couches sous-jacentes

déjà déposées), ainsi que des coûts de dépôt et des performances
souhaitées en termes de dérives dans le temps et en température. R (cm–2 · s–1) Capture
directe
Les principales méthodes disponibles sont : Réévaporation d’adatome
— les méthodes de dépôt par voie physique ou PVD (physical Accommodation Cluster de
vapor deposition), parmi lesquelles : Cluster dimension Croissance
• l’évaporation sous vide, métastable critique d’îlots
• la pulvérisation cathodique,
• le canon à électrons, Substrat à la température Ts
• le dépôt laser pulsé (DLP) ; Diffusion de
surface Ds N0 (~1015 sites · cm–2)
— les méthodes de dépôt par voie chimique ou CD (chemical
deposition), parmi lesquelles :
• le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), Figure 1 – Phénomènes de nucléation et de croissance 3D
• le dépôt à basse pression (LPCVD), (d’après [9])
• le dépôt assisté plasma (PECVD) [8],
• l’oxydation anodique,
• les dépôts par immersion dans un liquide (chimiques ou élec-
trolytiques),
• les dépôts pyrolytiques ;
— les méthodes propres au dépôt de films organiques, mixtes,
à la fois physiques et chimiques, dont on ne sait pas trop si elles
sont du domaine des couches minces ou des couches épaisses,
parmi lesquelles :
• le dépôt par aspersion,
• le dépôt par centrifugation (dit « à la tournette »), Nucléation Croissance Coalescence Canaux Trous
• la polymérisation. de noyaux
2.1.2 Croissance et nucléation sous vide

ln n nmax
Les atomes émis par la source, et dont la trajectoire rectiligne
coupe la surface du substrat, se déposent sur ce dernier, mais ils dn
n’y restent que si leur énergie de liaison E avec les atomes du dt
substrat (pour la première couche) et avec leurs frères (pour les Couche
couches suivantes) est nettement supérieure à l’énergie moyenne continue
d’agitation atomique (température) du substrat (accommodation) :
1 3
E c = ----- mc 2 = ----- kT
2 2
Sinon, après un certain temps moyen de collage tc , ils repartent
(évaporation) à l’occasion d’un écart aléatoire de leur énergie
instantanée ( E ≈ E ) suffisant, dans une direction quelconque. Épaisseur nominale de la couche : t (nm)
Couverture en monocouche, θ (monolayer )
Il y a donc en permanence nécessité de rechercher le meilleur
compromis entre une température de substrat basse, qui limite la n = densité d’îlots (cm–2)
réévaporation du gaz déposé, et une température de substrat
élevée, qui réduit le taux d’impuretés déposées, issues du gaz rési- Figure 2 – Densité d’îlots n en fonction de la couverture
duel, constitué pour l’essentiel de molécules d’eau et de molécules pendant une croissance tridimensionnelle (d’après [9])
de l’huile de pompage.
En fonction des choix réalisés, divers mécanismes de couverture
du substrat peuvent prendre naissance : qui présentent une diffusion superficielle plus grande que les iso-
— croissance d’îlots tridimensionnels (3D) ; lants, sont plus difficiles à déposer sous forme amorphe.
— croissance couche par couche (2D) ;
Les liaisons les plus fortes sont obtenues par affinité chimique,
— croissance combinée.
avec l’oxygène par exemple. Les alumines pures ont peu de sites
Dans le cas qui nous intéresse, celui de la croissance de couches d’accrochage, par contre les verres et le dioxyde de silicium en ont
minces sur substrat isolant, le type de nucléation et de croissance beaucoup. Ils sont donc préférés pour les couches minces. Cela
est dit 3D (selon Volmer-Weber) [9]. Ce modèle peut être repré- explique le succès de substrats comme les verres, le silicium
senté par la figure 1. passivé de SiO2 , les alumines polies et vitrifiées.
Un flux R de particules évaporées percute le substrat et s’accom- Pour certains métaux comme le nickel et l’or, il y a risque de pel-
mode thermiquement avec sa surface. Les adatomes (atomes liculage dès que l’épaisseur de dépôt dépasse quelques milliers
incidents adsorbés) soit sont réévaporés, soit diffusent sur la sur- d’angströms. Cela explique que l’on se limite généralement à un
face et interagissent avec d’autres atomes pour former des clusters flash de ce métal, ensuite rechargé par voie électrolytique.
(groupes). Une partie des clusters ainsi formés continue à croître
en surface pour former des îlots qui se rejoignent à leur tour pour
former une couche continue (figures 1 et 2). 2.1.3 Adhérence et contraintes
Si la vitesse de dépôt R est suffisante ou si la température du
substrat Ts est suffisamment basse pour que R > N 0D s , la couche Les paramètres mécaniques les plus importants qui prennent
est amorphe, les adatomes n’ayant pas le temps de diffuser sur la naissance à l’interface substrat/couche mince sont sans nul doute
surface avant d’être ensevelis sous d’autres adatomes. Les métaux, l’adhérence du film au substrat et les contraintes qui en résultent.

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Une contrainte en compression excessive peut générer des frac-

Substrat tures en chaîne dans le film et jusqu’à la délamination de ce der-
Film mince Compression nier. Une contrainte en extension peut en causer la rupture.
Extension
2.1.4 Méthodes de conception
et de réalisation des motifs
Figure 3 – Contraintes thermiques dans les films minces Le motif d’une couche, pattern en anglais, correspond au dessin
particulier que l’on souhaite donner à cette couche, pour lui confé-
rer ses propriétés électriques. Trois cas de figures se présentent [6].
À l’interface substrat/film mince, il y a, au niveau des premières
couches atomiques, production d’un élément composite : alliage ■ Conducteurs : ce sont des pistes, ou équipotentielles, qui relient
dans le cas du dépôt d’un métal sur un autre métal, ou oxyde (par les nœuds du réseau comme des fils. Le tracé du motif consiste à
exemple) dans le cas du dépôt d’un métal sur un substrat verre ou isoler chacune de ces pistes des autres pistes, par enlèvement de
céramique. Il apparaît que cet élément composé participe métal (figure 4).
grandement et améliore l’adhérence de la couche sur le substrat. Deux philosophies existent pour faire cela, qui dépendent de
Mais celui-ci ne se forme pas immédiatement. Souvent, une opé- nombreux paramètres comme : la culture de l’entreprise, les
ration de recuit ou de stabilisation sous vide ou sous vide partiel logiciels de conception et de tracé disponibles, la fréquence de
est alors introduite dans le processus pour accélérer le phéno- fonctionnement des circuits, etc.
mène.
La première méthode, la plus ancienne, consiste à enlever un
Par exemple, un dépôt d’aluminium sera effectué sur verre par minimum de matière (sillon de largeur constante) entre les zones
l’intermédiaire d’une couche d’accrochage de chrome. Le chrome équipotentielles (figure 4b ). La deuxième, plus proche des tech-
adhère au verre par l’intermédiaire de la formation d’une couche niques de routage modernes, consiste à tracer des pistes, de lar-
d’oxyde de chrome, alors que l’aluminium adhère au chrome grâce geur constante ou non, et à enlever tout le reste (figure 4c).
à la formation d’un alliage chrome-aluminium. Une amélioration
d’un facteur 10 de la force d’adhérence est alors observée au bout L’une et l’autre de ces méthodes ont leurs avantages et leurs
de 300 à 400 heures [9]. inconvénients et sont réalisées par soustraction de matière. Cette
action soustractive est habituellement obtenue par gravure
Mais du fait de la création de ces éléments intermédiaires, des chimique après qu’une opération de photolithographie a permis de
contraintes prennent naissance à l’interface. Elles peuvent être transférer le dessin du motif, depuis un cliché jusqu’au substrat.
séparées en contraintes thermiques et contraintes intrin-
sèques [10]. ■ Diélectriques : les couches diélectriques sont là pour isoler les
Les contraintes thermiques sont facilement déduites de la diffé- couches métalliques successives. Cependant, des liaisons électri-
rence qui existe entre les coefficients de dilatation du substrat et de ques sont généralement nécessaires entre deux niveaux
la couche. Un bilame est donc créé et produit une déformation de conducteurs consécutifs.
l’ensemble (figure 3). Supposons, par exemple, que l’on ait attribué le niveau métal 1
La contrainte est dite en extension lorsque le substrat se dilate aux lignes d’orientation Y et le niveau métal 2 aux lignes X. Des
plus que la couche et en compression dans le cas opposé. Générée interconnexions entre ces deux niveaux doivent donc exister aux
soit lors de la formation du film (lors du refroidissement), soit lors points cerclés (figure 5).
du fonctionnement du circuit dans des environnements thermiques Ces interconnexions devant traverser l’isolant, celui-ci doit donc
cycliques, cette contrainte peut être déterminée et mesurée par être percé d’orifices. Ce sont ces ouvertures, appelées « vias », qui
l’observation de la déformation du bilame [10]. Elle répond alors à constituent le motif de la couche diélectrique.
l’équation :
2 Après perçage, les vias doivent bien entendu être emplis de
Es t s métal, si l’on veut réaliser le contact entre le métal 1 et le métal 2.
∆S f = -----------------------------------
6Rt f ( 1 – ν s ) L’action de percement des vias peut être opérée de diverses
manières suivant le processus général et la précision requise :
avec ∆S f la contrainte biaxiale générée dans le film mince,
— gravure chimique ;
Es le module d’élasticité (ou de Young) du substrat,
— gravure plasma (réactive ou non) ;
ts son épaisseur,
— perçage par laser.
tf l’épaisseur du film mince,
R le rayon de courbure mesuré, ■ Résistances
νs le coefficient de Poisson du substrat.
● Système NiCr/Ni/Au : l’obtention des motifs souhaités est réa-
Elle peut également se déduire du rapport des coefficients de lisée par photolithographie classique suivie de gravures chimiques
dilatation du substrat et du film [11], selon l’équation : sélectives. Si l’on examine la figure 6, on y voit la succession des
E f ( α s – α f )∆T opérations :
∆S f = --------------------------------------
- — gravure du motif conducteur or après lithographie ;
( 1 – νf )
— gravure directe du nickel, l’or assurant sa protection ;
avec Ef le module de Young du film, — gravure du Nichrome après lithographie des motifs résistifs.
αf son coefficient d’expansion thermique (CTE),
Il peut y avoir des variantes de ce procédé. Par exemple, l’or
αs le CTE du substrat,
peut être gravé selon le dessin conducteurs + résistances. Il sert
∆T l’écart de température, alors de masque protecteur pour la gravure du nickel puis du
νf le coefficient de Poisson du film. Nichrome. Il est ensuite gravé à nouveau, selon le motif
Les contraintes intrinsèques quant à elles sont moins bien conducteur seul.
connues et dépendent probablement des imperfections dans le film, Pour une bonne stabilité de la couche résistive de Nichrome,
donc des conditions du dépôt. Dans certains cas, une contrainte celle-ci doit être recuite après gravure pour provoquer un réarran-
initiale de type extension peut évoluer vers une contrainte de type gement moléculaire et réduire les tensions. C’est ce que l’on
compression en raison de l’oxydation de la couche à l’air [10]. appelle thermal annealing.

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Métal
Nœuds
Équipotentielles Sillons
a schéma type b sillons de largeur constante c pistes de largeur constante
Figure 4 – Conception d’un motif conducteur en film mince
en couches minces (monocouches), chaque fois que des résis-

tances de haute précision et de haute stabilité sont nécessaires,
elles sont réalisées en couches minces, sous forme soit de
composant individuel, soit de barrette de résistances, sur verre,
alumine ou silicium.
Couche diélectrique La stabilité s’évalue en fonction du temps et de la température.
En effet, le vieillissement des couches minces répond aux lois
Vias
d’Arrhenius dans lesquelles temps t et température T interviennent
à des degrés divers :
∆R
---------- = – At β exp ( –B/T )
Vias R
avec A ≈ 1,6 · 1011 h–1,
Niveau 1
β ≈ 0,8,
Niveau 2 B ≈ 16 · 103 K,
t durée (h),
T température de la couche (K).
Nota : cette formulation est donnée par un fabricant de couches minces de nickel-
Niveau 1 métal chrome.
a dessin sur 2 niveaux métal b diélectrique et vias ■ Stabilité dans le temps : il est donc facile de voir que la stabilité
des couches minces dans le temps est bonne. Les valeurs annon-
cées sont de l’ordre de 0,1 à 0,5 % de dérive sur 1 000 heures à
Figure 5 – Conception des isolants en films minces 150 oC de température de couche, en fonction de la stabilisation
qu’elles ont préalablement subie.
■ Stabilité en température : de la même manière que dans le
Ensuite, elle est éventuellement protégée par passivation de SiO temps, la stabilité des couches minces en température est bonne.
ou de SiO2 . Alors seulement, elle peut être ajustée par abrasion. Elle s’exprime par l’évolution relative de la résistance de la couche
● Système TaN ou Ta2N/Ni/Au : la gravure des motifs s’effectue
(∆R/R ), en fonction de l’évolution de la température (∆T ) prise par
comme dans le cas précédent. Ensuite, le nitrure de tantale est sta- rapport à 25 oC. Cela donne le coefficient de température ou C TR
bilisé par recuit à l’air entre 300 et 400 oC. Une fine couche d’oxyde (TCR en anglais), qui s’exprime en valeurs relatives (ppm) par degré :
de tantale TaO ou parfois Ta2O5 imperméable se forme alors
( R – R 25 )
(figure 7). De plus, la croissance de cette couche peut être utilisée C TR = 10 6 ⋅ ------------------------------------ ( ppm ⋅ oC –1 )
pour ajuster la résistance à la valeur souhaitée. R 25 ⋅ ( T – 25 )
Pour les couches minces, sa valeur, empreinte d’une certaine

incertitude ou dispersion, est quasiment nulle :
2.1.5 Stabilité des couches minces résistives
C TR = (0 ± 25) ppm · oC–1 par exemple
Le succès des couches minces est en partie dû à l’excellente sta- Cependant, cette valeur peut également être réglée diffé-
bilité des systèmes résistifs, elle-même due au choix et à la pureté remment, soit par exemple : C TR = (50 ± 25) ppm · o C –1 , ou
des matériaux et des procédés. Même avec le déclin des hybrides C TR = (150 ± 25) ppm · oC–1.

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géométrie, élaborées lors de la même opération sur le même

substrat :
C TRdiff ou ∆C TR ≈ 1 ppm · oC–1
Or
Cette valeur particulièrement faible garantit que deux résistances
similaires et voisines dérivent de la même manière.
Nickel
Nichrome
Substrat
2.2 Couches minces monocouches
Jusqu’à ce que la notion de MCM apparaisse (vers 1985), les
a dépôt sous vide de Nichrome, nickel, or couches minces étaient pénalisées par la difficulté de réalisation
conjointe sous vide d’éléments passifs stables (résistances) et de
plusieurs couches conductrices. On se limitait donc alors à des
Or couches minces monocouches.
Bien que ne correspondant plus à la demande actuelle en
matière d’interconnexion de haute densité, elles restent cependant
toujours utilisées dans certains cas très spécifiques comme les
réseaux résistifs de haute précision, les capteurs, les circuits de
très haute fréquence.
2.2.1 Procédés de dépôt

b gravure de la couche d’or
Les deux procédés de dépôt de couches minces sous vide les
plus utilisés sont l’évaporation thermique et la pulvérisation
cathodique, ou sputtering. Sont également utilisés les dépôts dits
en phase vapeur (CVD), éventuellement assistés par plasma
(PECVD) [7].
Le dépôt laser pulsé (DLP) permet de réaliser des couches
minces de tous les matériaux non transparents au faisceau laser
(YAG : Nd), sous ultravide. Ce sont surtout des couches ultra-
Nickel minces (rugosité de hauteur atomique) épitaxiques, de matériaux
réfractaires ou magnétiques qui sont élaborées par ce moyen. Prin-
c gravure sélective du nickel cipalement utilisé en laboratoire ou pour des applications spécifi-
ques hors du propos des circuits électroniques en couches minces,
ce procédé n’est pas développé ici.
D’autres méthodes sont possibles parmi lesquelles les dépôts
électrolytiques et les dépôts chimiques. Les premiers sont surtout
utilisés pour renforcer l’épaisseur d’une couche mince et accroître
sa conductivité. Les seconds sont plus appropriés au dépôt de
métaux sur des corps isolants. Cependant, les épaisseurs que l’on
obtient généralement par ces procédés sont plus du domaine des
Nichrome couches épaisses que de celui des couches minces.
d gravure de la couche résistive de Nichrome 2.2.1.1 Évaporation thermique sous vide ou par effet Joule
La méthode la plus courante pour l’obtention d’une couche
mince sous vide consiste à chauffer le matériau jusqu’à obtenir sa
Figure 6 – Élaboration du système NiCr/Ni/Au
fusion puis son évaporation, ou parfois son évaporation directe
sans passage par la phase liquide. Cette dernière méthode est
alors appelée sublimation sous vide.
En effet, la manière dont un corps chauffé s’évapore sous vide
Conducteur dépend de plusieurs facteurs dont la température, la pression
ambiante et d’un paramètre intrinsèque qui est sa pression de
vapeur.
Oxyde Ta2O5
Si, à la température de fusion du corps (laquelle évolue en
fonction de la pression ambiante), cette pression ambiante est lar-
gement inférieure à la pression de vapeur du corps, alors celui-ci
passe directement de l’état solide à l’état gazeux sans passer par
Résistance Ta2N
une phase liquide. Il y a sublimation, ce qui est particulièrement
pratique pour certains métaux qui peuvent ainsi être évaporés en
les chauffant directement par effet Joule, sans avoir à faire appel
Figure 7 – Ajustage par croissance d’oxyde
à un creuset.
Pour obtenir une vitesse d’évaporation suffisante, le matériau
doit être chauffé jusqu’à ce que sa pression de vapeur atteigne
L’un des points particulièrement intéressants, lors de la environ 1 Pa. Les atomes ou les molécules éjectés de la surface
conception de circuits de haute précision, est le coefficient de tem- transitent ensuite jusqu’au substrat sur lequel ils se condensent
pérature différentiel entre résistances de même nature, de même (§ 2.1.2).

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tableau 5 donne quelques valeurs caractéristiques et comparatives

de plusieurs paramètres attachés à différents niveaux de vide.
Les variantes de la méthode de chauffage direct par effet Joule
sont :
Planétaire support de substrats
— l’usage de creuset ;
— le chauffage par canon à électrons ;
— l’évaporation dite réactive dans laquelle un gaz réactif est
introduit dans l’enceinte pour favoriser la formation de dépôts
d’oxydes ou de nitrures.
Le procédé est très ancien, il a fait ses preuves et dépose relati-
vement vite (quelques centaines à quelques milliers d’angströms
par minute). Cependant, on lui reproche :
— une limitation en épaisseur des couches (problème du
Vapeur pelliculage) ;
— la maîtrise difficile des dépôts de matériaux combinés (alliages
par exemple) ;
— des taux d’impureté qui restent importants et aux limites de
Enceinte l’acceptable ;
à vide — la nature polycristalline des dépôts, dans les cas où on cherche
à réaliser des éléments actifs.
Source
2.2.1.2 Pulvérisation cathodique
Autrement appelé ionoévaporation, ou projection moléculaire,
I ou encore de l’anglais sputtering, ce procédé de dépôt utilise
l’énergie cinétique (~ 1 keV) d’ions créés par une décharge électri-
que dans un gaz (argon par exemple) à faible pression (~ 10–2 torr),
pour obtenir la rupture des liaisons entre les atomes superficiels
Pompe du corps à déposer (cible) et les atomes sous-jacents de ce même
corps, sur une dizaine de couches environ.
Les atomes arrachés de la cible, dont l’énergie cinétique
Figure 8 – Dépôt par thermoévaporation sous vide moyenne peut atteindre plusieurs électronvolts (contre environ
0,15 eV dans le cas de l’évaporation thermique), sont projetés sur
le substrat intercalé sur leur parcours (figure 9). Leur énergie est
alors suffisante pour provoquer une pénétration plus profonde et
La figure 8 décrit le principe d’une installation d’évaporation par un accrochage sur des sites d’énergie minimum. C’est un gage de
sublimation thermique, ou thermoévaporation. bonne adhérence de la première couche sur le substrat et d’une
certaine organisation de la couche déposée.
La qualité du dépôt est d’autant meilleure que le chemin à par-
courir est plus direct et plus court. Un vide suffisant dans l’enceinte Par ailleurs, la méthode présente d’autres avantages :
(10–2 à 10–5 Pa) garantit un libre parcours moyen suffisamment — une bonne uniformité d’épaisseur des couches formées ;
important pour éviter toute collision intermédiaire et pour limiter — un assez bon rendement en matière déposée ;
au maximum les chocs entre molécules de gaz résiduel et parti- — elle convient bien au dépôt de substances réfractaires ;
cules évaporées. Ainsi, à 10–6 torr (on rappelle que 1 torr = 1 mm — elle se prête bien au dépôt de corps composés et d’alliages.
de mercure = 133,3 Pa), le libre parcours moyen est de l’ordre de Ses inconvénients, car il y en a, sont :
50 m, ce qui permet à un maximum de particules de se déposer sur — une faible vitesse de dépôt (environ une couche atomique par
le substrat avant d’avoir été entrechoquées. seconde) ;
Une bonne connaissance des techniques du vide est impérative- — une certaine difficulté à obtenir des couches très pures, en
ment nécessaire, pour la maîtrise de ces techniques de dépôt. Le raison du travail dans un gaz ionisé.
Tableau 5 – Propriétés de quelques niveaux de vide

Vide Vide Vide
Caractéristiques physiques Atmosphère Ultravide
primaire secondaire intergalactique
Pression ..................................................... (mm Hg = torr) 760 7,5 × 10–4 7,5 × 10–7 7,5 × 10–10 7,5 × 10–19
Pression ........................................................................ (Pa) ~ 105 ~ 10 ~ 10–2 ~ 10–5 ~ 10–14
Altitude terrestre correspondante ............................ (km) 0 100 250 800
Concentration moléculaire n .................................. (cm–3) 3× 1019 3× 1013 3× 1010 3 × 107 3 × 10–2
Distance moyenne entre molécules ......................... (cm) 3× 10–7 3× 10–5 3× 10–4 3× 10–3 3
Libre parcours moyen moléculaire ........................... (cm) 6× 10–6 6 6× 103 6× 106 6 × 1015
Temps moyen entre chocs pour une molécule ........... (s) 1,3 × 10–10 1,3 × 10–4 0,13 1,3 × 102 1,3 × 1011
Fréquence moyenne des chocs pour une molécule (Hz) 8 × 109 8 × 103 8 8 × 10–3 8 × 10–12

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– 3 000 à – 4 000 V Bobine d’induction
Gaz (H2+SiH4) Substrats
Suscepteur
Cathode cible
Tube à quartz, refroidi à l’eau
+ Ar +
Ar
Figure 10 – Réacteur CVD horizontal
+ Ar + Ar
Argon
ionisé Un exemple typique est le dépôt de silicium épitaxial utilisé pour
Substrat la réalisation des semi-conducteurs. Un mélange d’hydrogène et
(anode) du composé à réduire, très souvent du silane SiH4 , balaye un sus-
cepteur (ou porte-substrats) porté à haute température (> 1 000 oC)
dans un tube en quartz ou réacteur CVD (figure 10). Le corps réduit
Support par l’hydrogène, en l’occurrence le silicium, se dépose sur les sub-
de substrats
(à la masse) strats à des vitesses relativement importantes (0,1 à 5 µm · min–1).
Une variante répandue de la méthode CVD est le PECVD (plasma
enhanced CVD). Le PECVD permet de produire des dépôts à des
Enceinte Argon
à vide températures plus basses. Avec des gaz réactifs à pression réduite
(< 260 Pa), le plasma augmente la dissociation des gaz sources
pour faciliter leur réaction au niveau de la surface. On réalise par
ce moyen des dépôts de diélectriques, de semi-conducteurs, de
silicium amorphe, de nitrure de titane pour le durcissement des
surfaces métalliques.
+ 2.2.2 Obtention des motifs

Pompe
Il y a deux manières d’obtenir un motif donné à partir d’une
couche mince [7]. La méthode soustractive consiste à déposer la
couche uniformément sur la totalité de la surface, puis ensuite à
Figure 9 – Dépôt par pulvérisation cathodique
enlever, généralement par gravure chimique, les zones non
désirées. La méthode additive consiste à ne déposer la couche
mince qu’à l’emplacement où elle doit se trouver. Un masque ou
Parmi les variantes possibles de la méthode, on peut citer : écran est alors nécessaire pour éviter que le matériau se dépose
— la pulvérisation cathodique réactive, qui consiste à introduire sur les zones non souhaitées. Ce masque peut être réalisé à partir
dans l’enceinte un gaz destiné à entrer en composition avec le corps d’un feuillard métallique fin, gravé, disposé dans l’enceinte à vide
soumis à la pulvérisation (par exemple, introduire de l’oxygène et entre la source et le substrat. Mais plus généralement, il consiste
pulvériser du silicium permet d’obtenir du SiO2 ) ; en une couche mince protectrice, elle-même préalablement dépo-
— la pulvérisation RF (structure de triode à 13,56 MHz) pour le sée sur le substrat puis gravée par photolithographie. Ainsi, on se
bombardement de la cible, qui permet ainsi de déposer des isolants rend compte que même un procédé additif fait largement appel à
(verres, diélectriques), lesquels en fonctionnement continu accumu- un procédé soustractif.
leraient les charges sans autre effet que de progressivement anni- On distingue généralement les procédés applicables au dépôt
hiler la haute tension ; des conducteurs de ceux applicables au dépôt des éléments pas-
— l’oxydation par plasma, qui permet d’oxyder une couche, par sifs. Dans le cas de couches minces monocouches, on ne parle pas
exemple dans le cas de structures photoémissives. de couche isolante. L’obtention des motifs conducteurs peut faire
appel à divers procédés, dont les procédés soustractifs, les pro-
2.2.1.3 Dépôt par voie gazeuse (CVD) cédés additifs et le lift-off. Les motifs résistifs sont quant à eux plus
souvent réalisés par procédé soustractif seulement.
Dans ce type de dépôt, on utilise la réaction d’un composé
gazeux du corps à déposer (généralement, un composé halogéné) ■ Procédés soustractifs : le plus courant et le plus simple des pro-
avec un gaz réducteur (souvent l’hydrogène). Une transition entre cédés est la gravure chimique, ou procédé soustractif par enlève-
phase gazeuse et phase solide se produit lors de la réaction chi- ment de métal.
mique, au voisinage de la surface du substrat. Après dépôt, la couche mince métallique est gravée chimique-
Le résultat est une adsorption et une réaction chimique à la sur- ment par l’intermédiaire d’un masque, lui-même constitué d’une
face, qui génèrent des atomes libres. Ces atomes ont une mobilité laque photosensible préalablement étalée sur le métal, sensibilisée
de surface qui leur permet de trouver les sites de croissance. Les au travers d’un écran comportant le dessin des motifs à réaliser,
produits volatils de la réaction sont désorbés. Le type de dépôt puis chimiquement révélée. Le « photorésist » (laque photosen-
(amorphe, polycristallin ou monocristallin) est fonction de la sible) est de type positif ou négatif selon que les parties insolées
température et du type de substrat. subsistent ou bien sont retirées (figure 11).

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Collimateur Motifs
Photorésist insolés
Dépôt de la couche mince
UV collimatés d'accrochage
Écran Motifs
Laque
photosensible Insolation insolés Photorésist
Développement
Film métal en couche mince
Substrat
Dépôt de la couche mince
d'accrochage Développement
Laque photosensible révélée, après développement
Croissance du métal Croissance du métal

Substrat
Formation des motifs métalliques

Sous-gravure par gravure chimique Élimination du photorésist Élimination photorésist
latérale
Substrat
Gravure soustractive
Motifs métalliques après retrait de la laque
a procédé additif b procédé semi-additif

Substrat
Figure 12 – Obtention de motifs métalliques
Figure 11 – Obtention de motifs métalliques par gravure chimique :

procédé soustractif
pulvérisation magnétron (vitesse de l’ordre de 1 µm · min–1 pour le
cuivre) et dans l’absence d’opération de gravure du cuivre, ainsi que
par la possibilité d’obtenir une bonne « planarisation » niveau par
La gravure chimique présente l’inconvénient de générer le niveau (figure 13). Les procédés additifs dits par lift-off assurent la
phénomène bien connu de sous-gravure ou gravure latérale, occa- formation de lignes fines d’or de moins de 20 µm.
sionné par les agents de gravure isotropes conventionnels. La
valeur de sous-gravure latérale est environ égale à l’épaisseur de ■ Autres procédés : parmi d’autres procédés moins utilisés, citons
la couche gravée. Pour pallier ce phénomène, on peut faire appel les procédés de transfert du type offset applicables à des mélanges
à des agents de gravure anisotropes, dont les propriétés d’attaque organiques-or et de coût de mise en œuvre particulièrement faible.
sont maximales selon l’axe Z, et minimales selon les axes X et Y. Les procédés dits « Damascène » sont intermédiaires entre les
Toutefois, ces propriétés sont adaptées à des natures particulières procédés additifs et les procédés lift-off. Le métal est enterré dans
de métaux déposés, par exemple à une orientation cristallogra- des sillons creusés dans la couche isolante. L’excès de métal est
phique de type <111>, ce qui en complique l’emploi. enlevé par polissage mécanique-chimique (CMP).
■ Procédés additifs : le mode additif recueille plus de suffrages que
le précédent, en particulier pour sa rapidité qui en fait un procédé
plus industriel. Un procédé additif typique est décrit, de même
2.2.3 Éléments réalisés et caractéristiques
qu’un procédé semi-additif typique voisin, sur la figure 12. Les couches minces monocouches restent une technologie déli-
Le photorésist, déposé en premier puis insolé et révélé, sert de cate et coûteuse. Elles ne sont donc plus utilisées aujourd’hui que
masque pour le dépôt sélectif de la couche mince métallique. dans certains cas particuliers et spécifiques :
Le dépôt préalable d’une couche métallique d’accrochage, en — réseaux d’interconnexion imprimés, dans les domaines des
pulvérisation cathodique par exemple, est une bonne solution car radiofréquences et des hyperfréquences ;
il conduit ensuite à un renforcement par galvanoplastie, lequel ne — composants passifs de précision et/ou de grande stabilité :
nécessite pas d’équipement d’un coût prohibitif. De plus, dans le • résistances de précision, réseaux et échelles de résistances,
cas de conducteurs en cuivre, une couche d’accrochage de chrome résistances HF,
peut aussi servir de couche de protection vis-à-vis des interactions • condensateurs,
chimiques potentielles entre le cuivre et l’acide polyamique, agent • filtres, réseaux RC,
de formation du polyimide (cas des couches minces multicouches • inductances,
pour MCM-D). • atténuateurs,
• lignes à retard ;
■ Procédés lift-off : l’intérêt de la méthode lift-off réside dans la gar- — capteurs et senseurs : capteurs de pression, de température ;
niture directe des vias par une méthode de dépôt rapide telle que la — terminaisons pour circuits logiques intégrés.

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Laque photosensible
Contre-masque
Polymère de lift-off
Diélectrique
Substrat
Gravure de la laque
photosensible
Gravure du
contre-masque
Ouverture RIE Figure 15 – Circuit HF

du lift-off et du
diélectrique
de géométrie beaucoup plus élaborée, dans le cas des circuits

fonctionnant dans le domaine des fréquences très élevées
Dépôt du métal
par pulvérisation
(figure 15).
cathodique
■ Éléments résistifs : comme il a été dit, les couches résistives les
plus répandues sont à base de nickel-chrome ou d’oxyde de tantale.
Dissolution du Les propriétés comparatives des résistances qu’il est possible
lift-off et retrait
des parties de métal d’obtenir à partir de ces couches sont résumées dans le tableau 6.
surabondantes On décèle un léger avantage pour le système NiCr par rapport au
système TaN, ce qui s’explique aisément compte tenu des procédés
d’élaboration de l’un et de l’autre.
Figure 13 – Procédé lift-off
(0)
Tableau 6 – Propriétés des couches minces résistives

(d’après Electro-Films, Inc.)
Paramètre NiCr TaN
Résistance possible 1 Ω à 2 MΩ 1 Ω à 25 MΩ
Tolérance absolue ± 0,05 % ± 0,1 %
Tolérance relative ± 0,003 % ± 0,02 %
CTR absolu 10 à 50 ppm · K–1 10 à 100 ppm · K–1
CTR relatif ± 0,5 ppm · K–1 ± 2,0 ppm · K–1
Stabilité (1 000 h à 125 oC)
absolue 0,02 % 0,08 %

Figure 14 – Circuit basse fréquence (doc. Sintra) relative 0,005 % 0,02 %
Stabilité (1 an à 125 oC)
absolue 0,05 % 0,15 %
■ Réseaux d’interconnexion : outre les réseaux conducteurs déjà relative 0,01 % 0,04 %
décrits à propos des systèmes résistifs NiCr et TaN, de multiples
autres possibilités existent : Stabilité (1 000 h à 200 oC)
— TiWAu ; TiWNiAu ; TiPtAu ; CrCuAu (d’après MicroFab) ; absolue 0,15 %
— TiW, Pd, Mo, Ni, Au, Cu, Ti, Cr (d’après Electro-Films).
Les terminaisons métalliques (couches de surface) les plus
répandues restent néanmoins l’aluminium, l’or et le cuivre : Il va de soi cependant que les précisions annoncées ne sont pas
— Al : 25 mΩ · –1 en 1,5 µm d’épaisseur ; obtenues après simple gravure des motifs. Une étape d’ajustage,
— Au : 25 mΩ · –1 en 1,5 µm d’épaisseur ; généralement par ouverture d’un sillon laser transverse, est néces-
— Cu : 10 mΩ · –1 en 2 µm d’épaisseur. saire.
Ces réseaux peuvent être relativement simples, par exemple De nombreuses formes d’ajustage [7] permettent d’atteindre la
dans le cas de circuits fonctionnant à basse fréquence (figure 14, précision requise, soit avec la meilleure sensibilité, soit en préser-
circuit obtenu par gravure à isolements de largeur constante), soit vant la surface nécessaire à la dissipation thermique (figure 16).

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∆R
Sensibilité de l’ajustage en L
w
x
y y x
100
w
0 Figure 16 – Résistances en couches minces
et ajustage laser (d’après [7])
2.2.4 Report de composants

Électrode inférieure Là encore, de multiples variantes existent suivant la filière
d’encapsulation retenue, le domaine et la fréquence de fonction-
nement, le type de composant rapporté sur la couche.
Électrode supérieure
On trouve des composants nus et des composants encapsulés,
Polysilicium n+ des assemblages à base de collage ou bien à base de brasage, des
liaisons électriques obtenues par adhésif conducteur ou bien par
Diélectrique câblage filaire, ruban ou bande métallique (figure 18).
Il est bon de rappeler quelques définitions concernant les termes
Électrode inférieure utilisés dans ce métier.
silicium n+
■ Pastille active ou pastille passive (chip) (figure 18a) : composant
Substrat silicium actif ou passif, non encapsulé, ne possédant pas de connexion, apte
au report sur les circuits intégrés à couches. Généralement assem-
blé et interconnecté, au moyen d’un adhésif conducteur (époxy
chargée à l’argent par exemple).
■ Microcomposant (figure 18b) : composant actif ou passif minia-
Figure 17 – Structure d’une capacité MOS à macropores turisé possédant des connexions, encapsulé, apte au report sur les
(d’après [12]) circuits intégrés à couches. Généralement assemblé et inter-
connecté au moyen de brasure eutectique étain plomb.
■ Composant à poutres (beam lead ) (figure 18c) : composant non
Outre ces deux systèmes, d’autres matériaux sont parfois utili- encapsulé possédant des connexions sous forme de poutres per-
sés. Par exemple, l’alliage SiCr a une résistivité spécifique de mettant le report sur les circuits intégrés à couches. Assemblé et
feuille très élevée (~ 2 000 à 3 000 Ω · –1). Il est utilisé pour pro- interconnecté, suivant les cas, par adhésif conducteur, par brasage
duire des résistances élevées de faible surface (d’après ou par soudure.
Vishay-Brands).
■ Composant à surépaisseurs (flip-chip) (figure 18d ) : composant
■ Éléments capacitifs : il est théoriquement relativement aisé de non encapsulé, possédant des surépaisseurs permettant le report
générer une capacité entre deux plans métalliques. Cependant, cela sur les circuits intégrés à couches. Généralement assemblé et inter-
ne procède pas de la technologie des couches minces monocouches connecté par brasure eutectique étain plomb, mais aussi par adhésif
puisque deux dépôts métalliques sont nécessaires. conducteur isotrope, ou plus récemment anisotrope, ou bien par
En couches minces monocouches, des chips capacitifs sont soudure thermocompression, suivant la nature des surépaisseurs.
néanmoins disponibles (chez Electro-Films Inc.) pour des valeurs
allant de 0,5 à 1 000 pF. Ces chips sont obtenus à partir d’un dépôt ■ Composant sur bande de transfert (TAB) (figure 18e) : compo-
métallique unique, aluminium ou or, sur un substrat silicium dopé sant non encapsulé présenté sur film isolant possédant des
(donc conducteur) revêtu de SiO2 en technologie MOS. Les ten- connexions (araignée) permettant le report sur les circuits intégrés à
sions de tenue vont de 25 à 100 V. Cependant, les valeurs restent couches. Généralement interconnecté par thermocompression des
relativement faibles, sinon à utiliser des surfaces de pastilles « doigts » de l’araignée sur le substrat. Peut aussi être brasé ou
considérables. collé.
Une technique récente et encore en voie de développement ■ Interconnexion complémentaire (figure 18f ) : interconnexion
consiste à utiliser la technologie des macropores MOS dans du électrique, non assurée par la déposition des couches, par exemple,
« silicium 3D » [12]. Des macropores cylindriques (tubes) sont interconnexion :
creusés dans le silicium puis revêtus d’une couche de diélectrique — entre les composants rapportés et le circuit à couches minces ;
ONO (oxide/nitride/oxide) et enfin sont métallisés (figure 17). Une — entre différentes parties d’un ou de plusieurs circuits à
capacité spécifique de 20 à 100 nF · mm–2 de surface de chip est couches ;
annoncée. — pour le raccordement des sorties.

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Chip passif
Pastille active
a chips b microcomposants encapsulés type SOP c composant à poutres (beam lead )
d pastilles à surépaisseurs (flip-chip ) e composant sur bande (TAB) f interconnexions complémentaires
Figure 18 – Report des composants
Pour des circuits à plus bas coût, en vue d’applications télécoms

ou professionnelles, la technique des microboîtiers types SO (ulté-
rieurement utilisés en montage en surface), brasés sur couches
minces, est née au début des années 1970. Les couches minces en
nickel sont alors étamées plutôt que dorées. La protection finale
est un enrobage (figure 19b).
2.2.5 Packaging
La protection finale du circuit hybride en couches minces est
obtenue par une encapsulation ou par un enrobage. Boîtiers,
laques, vernis, enrobages, etc., sont autant d’options possibles
pour assurer cette fonction.
■ Enrobages
a hermétique, collé b enrobé Les produits potentiellement utilisables pour l’enrobage des
circuits en couches minces sont multiples : résines phénoliques,
polyesters, époxydes, silicones, polyuréthannes, etc. Mais de fait,
Figure 19 – Circuits couches minces
peu sont réellement utilisées.
● Résines phénoliques : de couleur beige, ces résines, d’une mise
en œuvre peu industrielle, ont cependant eu un certain succès avec
■ Encapsulation : conditionnement qui assure les sorties, les les hybrides en couches minces. Cela est dû au fait qu’elles assurent
dimensions extérieures, si nécessaire la protection électrique, une bonne protection et qu’elles présentent un retrait faible lors de
magnétique, mécanique et climatique, et qui contribue aux caracté- la polymérisation. Elles sont également d’un coût raisonnable. Utili-
ristiques thermiques du circuit hybride fini. sées au trempé, sans outillage spécifique, elles sont bien adaptées à
■ Assemblage : l’assemblage des composants sur les circuits en des séries faibles ou moyennes.
couches minces monocouches a surtout fait appel aux techniques ● Résines époxy : plus largement utilisées en électronique, elles
de collage conducteur (colles à l’argent) et de microcâblage filaire, sont d’un coût plus élevé, surtout lorsqu’on les utilise en moulage
pour l’obtention de circuits hermétiques, essentiellement pour des par injection. Elles présentent de très bonnes caractéristiques élec-
applications militaires et spatiales (figure 19a). triques, de retrait et de reprises d’humidité.

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a Cerpack b PGA
a plate-forme ronde b cuvette
c PLCC-J leaded
c flatpack d puissance
d CCGA e CBGA
Figure 20 – Boîtiers verre-métal

Figure 21 – Boîtiers céramiques
■ Boîtiers
Les boîtiers cofrittés, réalisés par empilage de feuilles de céra-
Les boîtiers, généralement hermétiques, représentent le moyen mique crue individuellement métallisées, puis par cofrittage de
de protection idéal, mais plus cher, pour des composants aussi fra- celles-ci, peuvent présenter un nombre important de couches
giles et susceptibles que le sont les couches minces. conductrices et ainsi permettre des architectures multipuces
● Boîtiers métalliques, dits « verre-métal » : ils représentent la complexes. Ils ouvrent également la voie à des systèmes d’inter-
plus ancienne génération de boîtiers. Ils sont obtenus par usinage connexion sophistiqués : broches en L, en J, mais aussi surfa-
d’un bloc de métal puis assemblage de connexions isolées par une ciques types PGA, CBGA, CCGA, LGA, etc. Ils sont généralement
perle de verre, d’où le nom verre-métal. L’assemblage de la perle de fermés par brasure d’un capot en métal.
verre constitue l’élément fragile, coûteux et limitatif de ce type de
boîtiers. La fragilité est induite par les contraintes mécaniques qui
naissent dans la perle lors de l’assemblage à haute température. Les
limitations sont dues au pas des connexions qui reste important
(2,54 mm) vis-à-vis des besoins actuels en nombre de connexions
3. Applications
des électroniques numériques.
Les matériaux utilisés sont classiquement les ferronickels ou le Il n’est pas très aisé de déterminer un domaine particulier pour
Kovar® (fer/nickel/cobalt), mais aussi le fer, le cuivre, le molybdène l’utilisation des couches minces en électronique, tant les
ou des métaux légers comme l’aluminium. Leur protection est applications peuvent être variées mais aussi, comme on l’a déjà
assurée par dépôts de nickel ou d’or. dit, tant la notion de couches minces s’estompe elle-même parmi
d’autres filières plus ou moins proches.
Les formes de boîtiers sont multiples : plate-forme ronde ou
rectangulaire, cuvette, flatpack, TO ou boîtiers de puissance. Leur On peut néanmoins tenter la classification des applications
fermeture est réalisée par soudure électrique d’un couvercle ou typiques des couches minces. On distingue alors les domaines
capot (figure 20). suivants :
— le domaine « traditionnel » des couches minces, à savoir
● Boîtiers céramiques : les boîtiers céramiques constituent la
certains circuits analogiques, les codeurs ainsi que toutes sortes de
version « moderne » des boîtiers hermétiques, répondant aux exi- capteurs, senseurs, jauges, etc. ;
gences actuelles en matière de nombre de connexions (>> 100 dans — le domaine très particulier des applications hyperfréquences
certains cas). Le corps du boîtier est réalisé dans une céramique et radiofréquences, pour lequel dans bien des cas, seules les
électronique, alumine dans la plupart des cas, mais aussi nitrure couches minces apportent les performances nécessaires ;
d’aluminium, carbure de silicium ou composite AlSiC pour les appli-
— le domaine actuel des applications basses fréquences, à haute
cations de puissance. Ils existent dans deux familles principales
densité d’interconnexion, essentiellement celui des circuits numé-
(figure 21).
riques complexes, dits MCM (voir article suivant [E 3 366]) ;
Les boîtiers type Cerpack sont assez similaires aux boîtiers — le domaine le plus récent, celui encore embryonnaire des
verre-métal flatpack en ce sens que les interconnexions sont réali- applications optoélectroniques (voir [E 3 366]) ;
sées par une grille (ou lead-frame) enchâssée entre deux coquilles — enfin, l’ensemble des autres applications qui n’entrent pas
de céramique. De ce fait, ils restent réservés aux composants dans les domaines précédents, comme la robustification (voir
monopuces ou aux produits n’ayant que peu de connexions. [E 3 366]).

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Depuis, la majorité de l’électronique est devenue numérique, ce

Tableau 7 – Applications des couches minces qui a permis à d’autres techniques plus denses, dont les couches
épaisses, de voir le jour. Il n’en reste pas moins qu’aux frontières
RF et hyperfréquences
d’une fonction numérique subsistent en général des éléments ana-
logiques, interfaces entre le cœur de la fonction et les éléments
Capteurs, senseurs
basses fréquences
Optoélectronique
périphériques toujours analogiques, de type capteur, senseur,
Interconnexion
antenne, etc.
Monolithiques
Applications
analogiques
Aujourd’hui, ces éléments sont encore, pour la plupart, réalisés
en couches minces pour les mêmes raisons de performances supé-
Autres
rieures. Par contre, au lieu d’être simplement implantés sur un
réseau d’interconnexion en couche mince, ils sont réalisés sous
forme de composant individuel, rapporté sur la fonction qui le
MEMS, MOEMS X
requiert.
Capteurs infrarouges, bolomètres X

On peut alors faire la distinction entre réseaux résistifs pour
conversion N/A ou A /N, composants de type interface, géné-
Cellules solaires X ralement résistances, et composants très spécifiques de type
Senseurs biologiques X senseurs et capteurs.
Capteurs de pression, température X
Senseurs de gaz X
3.1.1 Composants de conversion
Magnétomètres X
Capteurs médicaux X La conversion analogique-numérique (A/N) et numérique-analo-
Conditionneurs de signaux X
gique (N/A) a une place importante en électronique, d’autant plus
que la place du numérique y est, elle aussi, importante.
Terminaisons, lignes à retard X
La conversion A/N s’appuie sur la comparaison entre le signal
Convertisseurs de données X analogique à traduire en entrée et un signal incrémental sous
Amplificateurs et réseaux X forme de rampe de tension, généré par le décodeur. La résolution
du décodeur est directement liée à l’incrément de signal, lequel est
Interconnexion haute densité (hybrides, X
MCM) en relation directe avec la précision du système exprimée en
nombre de bits. Le décodeur peut être à simple rampe ou bien à
Modules 3D X double rampe. Celui-ci est basé sur l’utilisation d’un amplificateur
Boîtiers composants haute densité X opérationnel et d’un réseau de commutation (figure 22).
Circuits radiofréquences X Deux types de réseaux se partagent la conversion A/N :
Ondes acoustiques de surface X — le réseau binaire pondéré ;
Circuits hyperfréquences X — le réseau, ou échelle, R-2R.
Circuits optroniques X Dans le réseau binaire pondéré, chaque résistance dépend des
précédentes par une puissance de 2, la première valant R et la der-
Protection, robustification X nière prenant la valeur (2n – 1)R si n est le nombre de bits.
Composants de haute performance X X Dans l’échelle R-2R, chaque résistance prend l’une des valeurs R
MEMS : micro-electronic mechanical system. ou bien 2R.
MOEMS : micro-optical and electronic mechanical system. Il en est de même de la conversion N/A qui fait aussi appel à un
réseau de résistances. La figure 23 montre le générateur de
courants utilisé dans un convertisseur N/A de NEC. Ce réseau est
Le tableau 7 donne un aperçu de l’ensemble des applications du type binaire pondéré. Chaque branche du générateur produit un
possibles des couches minces. courant dont la valeur est double ou moitié de la branche qui
précède ou qui suit.
Mais surtout, il convient ne pas oublier que dans chacun de ces
domaines, les circuits en couches minces peuvent autant se Au-delà de toutes ces considérations techniques qui ne font pas
présenter sous la forme de sous-ensembles ou modules multi- l’objet de l’étude, il faut retenir que la précision d’un convertisseur
puces, que sous la forme de composants unitaires. est directement liée à celle du réseau de résistances qu’il utilise. De
plus, par précision, il faut aussi entendre précision dans toute la
Nous avons déjà largement évoqué les composants passifs gamme de température prévue ainsi que dans le temps. Donc, sta-
réalisés en couches minces et pensons que ceux-ci ne constituent bilité et coefficients de température sont également des para-
pas un domaine particulier mais entrent dans la classification pré- mètres importants. Cela explique que les couches minces qui
cédente, en fonction de leurs caractéristiques particulières. présentent, particulièrement en valeurs relatives, des coefficients
de température extrêmement faibles tout autant qu’une très bonne
stabilité dans le temps, sont encore largement employées dans ce
3.1 Applications analogiques, domaine applicatif particulier.
codeurs et capteurs
À l’origine des hybrides, lorsque seules les couches minces 3.1.2 Composants d’interface et d’adaptation
étaient d’actualité, l’électronique était exclusivement analogique.
Les performances des couches minces se prêtaient alors bien à ce En dehors du cas très particulier des composants de conversion,
type de fonctions qui requièrent précision élevée, bonne stabilité, d’autres applications requièrent l’usage de réseaux de résistances.
coefficients de température parfaitement maîtrisés et surtout un Ce peuvent être des blocs de résistances distinctes de même
bon appariement entre éléments semblables sur un même subs- valeur et de même topologie (pour présenter un CTR équivalent)
trat. avec ou sans point commun.

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R1 = R
S1
R2 = 2 R –
R R R R A
S2 E
+
R3 = 4 R
S3
R4 = 8R 2R
2R 2R 2R 2R > 2R
– 2R
S4
R5 = 16R A
E
+
S5
Rn = (2n – 1)R
Sn
a réseau binaire pondéré b échelle R - 2R
Figure 22 – Réseaux de résistances utilisés en conversion analogique-numérique
DAC out
+ Bit 1 Bit 2 Bit 3 Bit 4 Bit n

A
–
R1 R2 R3 R4 Rn
Figure 23 – Réseau pondéré de résistances utilisé en conversion numérique-analogique (d’après doc. NEC)
Ce peuvent aussi être des résistances montées en ponts divi- 3.1.3 Senseurs, capteurs
seurs, utilisées dans des montages amplificateurs opérationnels de Le domaine des senseurs et des capteurs est très large car l’une
précision, drivers de courant, additionneurs, soustracteurs, etc. des propriétés des couches minces, de par leur pureté et leur faible
Ce peuvent être enfin des résistances d’adaptation en sortie ou épaisseur (nombre de couches atomiques réduit), est leur extrême
buffers, ou bien des résistances de rappel en entrée (pull-up ou sensibilité à des sollicitations extérieures de diverses natures, déjà
pull-down ), de plus en plus largement utilisées avec les compo- citées à de nombreuses reprises dans cette étude : température,
sants numériques complexes et qui, pour des raisons évidentes de compression, élongation, lumière, champ magnétique, humidité,
densité, doivent être le plus intégrées possible. infrarouges, phénomènes biologiques, phénomènes chimiques,
etc. Cela en fait donc des composants de choix pour une multitude
La figure 24 montre un réseau couches minces de 19 résistances de capteurs et de senseurs possibles.
identiques montées sur substrat verre, avec un point commun.
Utilisés dans un nombre croissant d’applications militaires, les
La figure 25 montre l’utilisation d’un réseau couche mince sur capteurs infrarouges, ou bolomètres, sont particulièrement
céramique, utilisé sur un circuit en couche épaisse. d’actualité.

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Figure 24 – Réseau couche mince (doc. Sintra)

Figure 26 – Électrodes implantables en couches minces pour étude
et surveillance de l’épilepsie (doc. Nibec)
nouveau statut : celui de science prédictive, capable à partir de

nouveaux outils — les biopuces — d’accumuler en un temps
record des masses énormes d’informations sur le polymorphisme
des gènes, leur expression, leur régulation, la fonction des protéi-
nes, le comportement cellulaire, etc.
La recherche sur les biopuces, menée par des sociétés de phar-
macie et de diagnostic du monde entier, n’en prend que plus
d’importance. Le CEA, engagé dans de multiples partenariats pri-
vés et publics (bioMérieux, Proteus, Genset, CNRS, INSERM, Insti-
tut Pasteur, Ligue contre le cancer...), s’implique à la fois sur des
projets amonts et industriels. Ceux-ci concernent les puces ADN,
Figure 25 – Réseau couche mince sur circuit analogique les “labs-on-a-chip” et l’instrumentation associée. »
couche épaisse
Le champ des capteurs et senseurs restera donc selon toute pro-
babilité, encore pour longtemps, l’un des domaines incontour-
nables d’usage des couches minces.
Mais les applications biochimiques prennent aussi une impor-
tance croissante, en médecine par exemple. La figure 26 montre
des systèmes d’électrodes en couches minces déposées sur sup-
port flexible, destinés à être implantés dans le corps humain pour
3.2 Applications radiofréquences
l’étude et la surveillance, ici, de l’épilepsie. La même chose existe et hyperfréquences
pour d’autres pathologies où des analyses doivent être menées, si
possible en temps réel, par exemple l’analyse de la glycémie (taux
de glucose dans le sang) pour les diabétiques. 3.2.1 Applications radiofréquences
Une extrême diversité de domaines applicatifs fait appel à ces
senseurs. Les thermistances ou résistances variables en tempéra- Au plan de la bande de fréquences utilisée (10 kHz à 300 MHz),
ture sont utilisées partout où il doit être tenu compte des variations les applications radiofréquences ne nécessitent pas obligatoire-
de température pour compenser une électronique sensible à ce ment l’usage des couches minces pour ce qui concerne la propa-
phénomène. Les capteurs de pression sont largement utilisés en gation des signaux dans les lignes.
pesage, particulièrement en pesage de précision. D’autres sen- Les progrès réalisés tant pour les matériaux en couches épaisses
seurs mesurent les vitesses ou les débits de fluides. que pour les procédés de dépôt de celles-ci, les rendent en général
compatibles avec cet usage. En conséquence, les fonctions RF pour
L’arrivée des biopuces est en passe de permettre un énorme
applications de masse font plus largement appel aux techniques
progrès à la recherche médicale et biomédicale sur les gènes, cet
couches épaisses et MCM-C (particulièrement aux LTCC) qu’aux
extrait d’un article du Leti [5] en donne un exemple :
techniques de couches minces.
« L’arrivée de la génomique fonctionnelle accélère les évolu-
Cependant, certains composants passifs, particulièrement les
tions.
inductances, peuvent tirer avantage de meilleures précisions de
Moins de dix ans après l’apparition du concept de génomique gravure et de traits plus fins. Il en est de même pour d’autres
fonctionnelle, la publication au printemps 2000 d’un premier composants pour lesquels une grande précision ou de grandes
“brouillon” du génome humain a fait accéder la biologie à un performances sont requises.

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Absorbant Peigne λ
acoustique interdigité
SAW
Source RF Substrat
d'excitation piézo-électrique
Face avant
Figure 28 – Principe du transducteur à ondes de surface
Face arrière
us
Figure 27 – TXVCO avec inductance en couche mince
Barre b
(doc. Philips [13])
ité
interdig
Peigne interdigité
On a déjà cité le cas des capacités MOS faibles pertes pour
Peigne
découplage RF (§ 2.2.3 et figure 17). Ainsi, il apparaît que les
us
couches minces sont mieux adaptées que les autres technologies,
Barre b
parmi lesquelles les couches épaisses et les cofrittés ou cocuits
basse température, pour produire des inductances à haut facteur
de qualité (faibles pertes), des condensateurs de valeur élevée,
ainsi que des résistances de précision, cela dans une taille réduite,
particulièrement avantageuse pour toutes les applications por-
tables. En effet, l’épaisseur et la permittivité élevées des couches
épaisses ou des feuilles de LTCC introduisent dans les inductances
une capacité parasite trop élevée eu égard à la haute fréquence de
Figure 29 – Filtres à ondes de surface (doc. LUP-Nancy)
résonance qui est généralement recherchée. D’où l’intérêt très vif
qui subsiste quant à l’usage des couches minces pour la réalisation
de composants individuels pour applications RF.
res, elles ont la même gamme de fréquences que les ondes
Pour preuve, l’exemple de la figure 27 montre un composant radioélectriques (~ 10 kHz à 300 MHz), d’où leur intérêt dans ce
passif selfique et capacitif RF, de 2,5 mm × 4 mm, réalisé en couche type d’applications. Le deuxième intérêt est la vitesse de propaga-
mince sur silicium par Philips. La puce active de commande est tion de ces ondes acoustiques à la surface du solide, qui est envi-
reportée directement sur le chip passif par un procédé flip-chip, ron 105 fois plus faible que celle des ondes électromagnétiques,
alors que l’ensemble inductance plus pastille est lui-même reporté soit de l’ordre de 3 km · s –1 comparé à 3 · 10 8 m · s –1 . Cela en
sur le module électronique, ici un module TXVCO (oscillateur change la longueur d’onde qui est donc de 30 µm à 100 MHz, alors
contrôlé en tension par transmission en bande X) pour applications qu’elle est de 3 m dans le vide.
GSM, par une technique µBGA ou CSP.
Cela rend possible la réalisation de motifs à la taille de cette
De nombreux fabricants proposent un catalogue de composants longueur d’onde, dans des dimensions restreintes, du domaine de
en couches minces. On y trouve des chips résistifs de précision, la microélectronique.
non inductifs et à faible bruit, des résistances appariées, des divi-
Le transducteur à ondes de surface (ou SAW) fonctionne donc de
seurs potentiométriques, des réseaux, des réseaux RC, des lignes
la manière suivante. Un signal RF est appliqué à des doigts inter-
à retard, uniques ou différentielles, des inductances, des atténua-
digités déposés sur un cristal piézo-électrique poli. Cela génère
teurs, des filtres de tous types, etc.
donc à la surface du cristal des déformations ultrasonores dites
« ondes de Rayleigh ». De la même manière, ces ondes propagées
3.2.2 Filtres à ondes acoustiques de surface vers un deuxième peigne interdigité (figure 28) produisent le
signal RF transféré.
Le filtre à ondes acoustiques de surface (SAW) est l’exemple Du dessin des peignes interdigités résulte la fonction de transfert
type de l’usage des couches minces dans une fonction électro- appliquée au signal RF (ligne à retard, filtre, résonateur, réflecteur,
nique radiofréquence. Mais peut-être est-il bon d’en rappeler le etc.). Mais on voit aisément que des lignes de quelques micro-
principe [14] [15]. mètres, sinon parfois une fraction de micromètre de large, sont
Étudiées dès 1885 par Lord Rayleigh, les ondes dites « de nécessaires (fonctionnement à 1 GHz par exemple). Cela ne peut
surface » sont les ondes qui se propagent à la surface d’un solide, être réalisé que par une technique de couches minces (figure 29).
de manière similaire à celles qui se propagent à la surface de l’eau. Les propriétés de la fonction sont également dépendantes du
Ce sont donc des ondes acoustiques, plus mécaniques qu’électro- support de ces couches minces, le cristal piézo-électrique. Thalès
magnétiques. Parmi leurs propriétés, en tant qu’ondes ultrasono- Microsonics TMX produit un volume important de filtres SAW pour

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w 1 000
t ρ ρ
w Z0 (Ω )
εr = 1
εr h εr t ρ b εr = 4
h 100
ρ ρ εr = 9
Lignes simples
w s w
10
t ρ ρ ρ 0,1 1 10
+ – w s w w/h
εr h t ρ εr ρ
Figure 31 – Impédances caractéristiques de striplines
+ –
(d’après [16])
ρ ρ
Lignes différentielles
3.2.3.2 Impédance caractéristique
a microstrip b stripline
L’expression de l’impédance caractéristique d’une ligne n’a de
sens que par rapport à un autre élément, soit coplanaire, soit, ce
Figure 30 – Lignes de conducteurs hyperfréquences qui est plus souvent le cas, un plan de masse. On nomme cette
construction microstrip ou stripline, suivant que les lignes de
signaux sont, ou non, enterrées entre deux plans de masse
(figure 30).
l’industrie des télécommunications. Les cristaux piézo-électriques
utilisés sont le niobate de lithium LiNbO3 et le tantalate de lithium ■ Lignes simples : cette expression est fonction de la largeur w de
LiTaO3 . Les motifs interdigités sont réalisés par gravure chimique, la ligne, de l’épaisseur h du diélectrique qui la sépare du plan de
gravure sèche ou par lift-off, suivant la dimension et la précision masse et de la permittivité ε r du milieu diélectrique.
requises, d’une couche mince d’aluminium de 500 à 4 000 Å
Elle répond aux relations suivantes [6] [16].
d’épaisseur.
● Expression de l’impédance caractéristique dans le vide :
- + ---------
≈ 60 ln --------
3.2.3 Applications hyperfréquences w 8h w
si ------ 1 alors Z 0 ( εr = 1 )
h w 4h
120 π
3.2.3.1 Comportement aux hyperfréquences w
si ------ > 1 alors Z 0 ( εr = 1 ) ≈ ------------------------------------------------------------------------------------
h h h 6

En UHF et au-delà (300 MHz à 300 GHz), domaine des w
------ + 2,42 – 0,44 ------ + 1 – ------
micro-ondes ou des hyperfréquences, résistance, inductance, capa- h w w
cité et conductance d’un élément passif sont réparties dans cet élé-
● Expression de l’impédance caractéristique dans le milieu dié-
ment et se combinent pour former ses caractéristiques hyper-
lectrique :
fréquences que sont l’impédance caractéristique Z0 , l’atténuation
et la vitesse de phase. Z 0 ( εr = 1 ) ε +1
- dans laquelle ε r ( eff )
Z 0 ( εr ) = -------------------- ≈ ---------------
r - constitue une assez
La géométrie et la nature des matériaux influent directement sur ε r ( eff ) 2
ces paramètres et il devient alors évident que seule leur maîtrise
parfaite est garante du bon fonctionnement d’un circuit à ces fré- bonne approximation.
quences-là. Nota : Z 0 est exprimée en ohms, toutes les longueurs sont exprimées en mètres.
Deux types de géométries sont habituellement utilisés pour réa- La figure 31 donne quelques valeurs de Z 0 pour une application
liser des lignes de conducteurs en hyperfréquences, les microstrips de type stripline, en fonction des autres paramètres, ε r , w et h.
et les striplines (figure 30). ■ Lignes différentielles : pour se rapprocher le plus possible des
À la différence de l’électronique numérique dite rapide (§ 3.1.6 caractéristiques d’un câble extérieur ou de celles d’une résistance
de [E 3 366]), nous sommes dans le cas d’applications analogiques de terminaison, on peut utiliser des lignes de signaux dites
dans lesquelles la notion de temps de commutation n’intervient « différentielles », aussi proches l’une de l’autre que la technologie
pas. Seule la longueur d’onde guidée (celle dans le vide divisée par le permet. En effet, il a été remarqué que dans ce cas, le bruit généré
l’indice du matériau diélectrique) intervient. sur les deux lignes est couplé et rejeté en mode commun. De plus,
les réflexions sont diminuées.
On compare celle-ci à la longueur de la ligne. Si la longueur
d’onde guidée est grande (~ 10 fois plus grande ou plus, que la Les formules empiriques qui régissent ce mode de fonction-
longueur de la ligne), les effets de propagation sont négligeables, nement sont données ci-après (d’après le CERN).
nous sommes en régime dit de « constantes localisées » et le cir- ● Cas des microstrips :
cuit se décrit très bien avec ses paramètres L, C, R, sans qu’il soit
s
nécessaire de faire appel à l’impédance caractéristique, ce qui dif-
fère peu de l’électronique basse fréquence traditionnelle. Dans le
Z diff = 2Z 0 1 – 0,48e –0,96 -----
h
cas contraire (longueur d’onde guidée petite), il faut introduire la
avec :
notion d’impédance caractéristique dans les calculs et dans la
60 4h
topologie du circuit.
Z 0 = ---------------------------------------------- ln ------------------------------------------
0,475 ε r + 0,67 0,67 ( 0,8w + t )


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4. Conclusion
Les couches minces sont présentes partout. Sans elles, il n’y
aurait bien sûr pas de circuits intégrés monolithiques car il ne
serait pas possible d’interconnecter les milliers, sinon les millions,
de transistors que les techniques de diffusion permettent
aujourd’hui d’intégrer sur quelques centimètres carrés de silicium.
Mais au-delà de l’électronique monolithique et des circuits
intégrés, toute l’électronique est concernée. Une majorité de
capteurs, de senseurs, aujourd’hui en couches minces, sont le
point de départ de nombreuses fonctions électroniques, en déli-
vrant un signal analogique représentatif du paramètre mesuré :
température, pression, déformation, flux, lumière, champ magné-
tique, phénomène chimique, etc.
Comme on l’a vu, les couches minces interviennent encore une
fois dans la conversion de ce signal analogique en un signal numé-
rique, lequel est ensuite traité dans un calculateur monolithique.
Figure 32 – Substrats hyperfréquences en couches minces Dans bien des cas, en particulier lorsque la fréquence de fonc-
(produits développés par Thalès Microwave) tionnement est élevée (domaines des radiofréquences et des
hyperfréquences), le circuit électronique en éléments discrets
nécessite des composants passifs : résistance, condensateur,
inductance, etc., dotés d’une grande stabilité, d’une très haute pré-
● Cas des striplines : cision et d’un coefficient de température faible, sinon parfaitement
s
connu et maîtrisé. Ce sont encore les couches minces qui per-
Z diff = 2Z 0 1 – 0,347e –2,9 -----
h mettent de réaliser de tels composants.
Toutes ces fonctions ont de tous temps été l’apanage des tech-
avec : niques en couches minces et aucune autre technique n’a vraiment
tenté de concurrencer ces dernières sur ce terrain. Aujourd’hui,
60 4h

Z 0 = ----------- ln --------------------------------------------
εr 0,67π ( 0,8w + t )
nous pouvons même considérer que nous avons tous dans notre
poche, du moins tous les possesseurs d’un téléphone cellulaire, un
composant en couche mince, le filtre à ondes acoustiques de
Nota : Z 0 est exprimée en ohms, toutes les longueurs sont exprimées en centimètres. surface qui assure la fonction de filtrage de cet appareil.
La nouveauté des couches minces réside dans l’interconnexion
3.2.3.3 Apport des couches minces en hyperfréquences de haute densité. Les couches minces ont tenu le terrain de l’inter-
L’apport des couches minces en hyperfréquences se situe à trois connexion, principalement dans le cas des hybrides à puces nues,
niveaux, tous liés à la précision de gravure. pendant de nombreuses années, jusqu’à ce que les couches
épaisses, plus faciles à mettre en œuvre et moins coûteuses, appa-
Il est fréquent de devoir réaliser des fonctions passives (capaci- raissent début 1980 et s’emparent de ce domaine. Mais cette perte
tés, inductances, lignes) avec des caractéristiques précises à ± 5 %, d’influence n’aura duré qu’une dizaine d’années, ce qui est très
dans toute la gamme de température spécifiée. Cela signifie sou- court à l’échelle planétaire mais aussi à l’échelle de l’électronique,
vent qu’une fois soustraites toutes les fluctuations sur la tempéra- science maintenant plus que centenaire. En effet, les couches
ture, sur les permittivités, sur les épaisseurs, etc., des précisions de minces réapparaissent au début des années 1990 avec une capa-
gravure de l’ordre de 2 %, soit pour une ligne de 100 µm, ± 2 µm, cité d’interconnexion nouvelle, induite par la possibilité d’empiler
sont nécessaires. plusieurs niveaux les uns sur les autres, donc de proposer du mul-
Certaines fonctions passives, des coupleurs de Lange par exem- ticouche. Cela redonne un second souffle au circuit hétérolithique,
ple, nécessitent de réaliser des géométries de 50 m ou moins, le bon vieux circuit hybride qui, du coup, devient circuit multipuce
inaccessibles à d’autres technologies que les couches minces. ou MCM et introduit la notion de macrocomposant, ou de macro-
fonction complexe. L’article suivant [E 3 366] décrit ces nouvelles
Enfin, il convient de ne pas oublier que dès un fonctionnement applications des couches minces.
à quelques gigahertz, les courants ne circulent que sur une épais-
seur de quelques micromètres (1 à 2 µm constituant l’épaisseur de Avec la « pervasion » de l’électronique dans les applications
peau). Dans certains cas, une ligne sérigraphiée, par nature dente- grand public, et en particulier dans les applications portables, la
lée, peut poser des problèmes de pertes car les dentelures se tra- densité d’interconnexion devient l’une des premières exigences
duisent par un « allongement » de la longueur de la ligne. L’effet demandées à l’électronique. Les couches minces y trouvent une
de peau a été quantifié et se traduit par la relation empirique ouverture nouvelle dans le packaging des fonctions complexes,
suivante, laquelle donne l’épaisseur équivalente d’un conducteur, fonctions 3D par exemple, ou bien dans celui des composants
dans lequel le courant se comporterait comme à basse fréquence : miniatures nouveaux tels que les CSP. Sans aucun doute, cela
constituera probablement une application majeure des années à
ρ venir.
e = 503 -----
f Enfin, l’optoélectronique, qui constitue à l’heure actuelle la
branche la moins développée de l’électronique, prépare selon
avec e (m) l’épaisseur, toute vraisemblance une large gamme d’applications nouvelles
ρ ( Ω ⋅ m ) la résistivité, pour les couches minces, lesquelles sont aujourd’hui quasiment
f (Hz) la fréquence. cantonnées aux applications d’affichage.
La figure 32 donne une illustration de ce que peuvent être des Loin de se limiter à des applications anciennes, le domaine d’uti-
circuits hybrides en couches minces pour applications hyper- lisation des couches minces reste encore plein d’avenir et de poten-
fréquences. Les formes et les motifs très arrondis sont typiques de tialité, décrits dans l’article [E 3 366]. Celles-ci n’ont donc pas fini de
ce genre d’applications. nous étonner par leurs capacités d’adaptation et d’évolution.

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Sigles et abréviations
A/N Analogique/numérique MOSFET Metal oxide semiconductor field effect transistor
ADN Acide désoxyribonucléique N/A Numérique/analogique
ASIC Application specific integrated circuit (monolithique) PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition
BCB Benzocyclobutène ou bis-benzocyclobutène PGA Pin grid array
BST BaSrTiO3 barium strontium titanate PLCC Plastic leaded chip carrier
CBGA Ceramic ball grid array PPO Polyoxyphénylène
CCGA Ceramic column grid array PPQ Polyphénylquinoxaline
CHEMFET Chemical field effect transistor PTFE Polytétrafluoroéthylène (Teflon)
CIH Circuit intégré hybride (hétérolithique) PVD Physical vapor deposition
CMP Chemical mechanical polishing (ou planarization) RF Radiofréquence (13,56 MHz)
CSP Chip size (ou scale ) package RIE Reactive ion etching
CTE Coefficient of thermal expansion SAW Surface acoustic wave device
CTR Coefficient de température des résistances SiHR Silicium haute résistivité
CVD Chemical vapor deposition SO Small outline (package)
DLP Dépôt laser pulsé SOC System-on-chip
ISFET Ion sensitive field effect transistor SOP System-on-package
LCD Liquid crystal display TAB Tape automated bonding
LPCVD Low pressure chemical vapor deposition TAB Transfert automatique sur bande
LTCC Low temperature cofired ceramic TC Thermal coefficient
MCM Multi chip module TCR Temperature coefficient of resistance
MCM-D Multi chip module deposited TFT Thin film transistor
MEMS Micro-electronic mechanical system TXVCO Transmit X-band voltage controlled oscillator
MOEMS Micro-optical and electronic mechanical system µBGA Micro-BGA
MOS Metal oxide semiconductor

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