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ESTRUTURA BÁSICA:
As figuras abaixo ilustram a estrutura básica de um transistor, representando
um circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificação
da polarização das junções, as quais são: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C
respectivamente).
Observa-se que no transistor pnp a junção dos dois catodos do diodo forma
a base, que é negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no
transistor npn a junção dos dois anodos forma a base que é positiva, sendo o emissor e
o coletor negativos. A simbologia utilizada para os transistores de junção é mostrada
logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.
POLARIZAÇÃO:
Para que um transistor funcione é necessário polarizar corretamente as suas
junções, da seguinte forma:
1 - Junção base-emissor: deve ser polarizada diretamente
2 - Junção base-coletor: deve ser polarizada reversamente
OPERAÇÃO BÁSICA:
1 - Junção diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarização
direta entre base e coletor. Para estudar o comportamento da junção diretamente
polarizada, foi retirada a bateria de polarização reversa entre base e coletor.
FLUXO DE CORRENTE:
Quando um transistor é polarizado corretamente, haverá um fluxo de corrente,
através das junções e que se difundirá pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
Essas camadas não tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base é a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor é a camada mais dopada;
3. O coletor é uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o
emissor.
Uma pequena parte dos portadores majoritários ficam retidos na base. Como a
base é uma película muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.
ETE ALBERT EINSTEIN - TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR I - Prof. Edgar Zuim 3
A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (I B),
sendo da ordem de microampères. As correntes de coletor e emissor são bem maiores,
ou seja da ordem de miliampères, isto para transistores de baixa potência, podendo
alcançar alguns ampères em transistores de potência. Da mesma forma, para
transistores de potência, a corrente de base é significativamente maior.
Podemos então dizer que o emissor (E) é o responsável pela emissão dos
portadores majoritários; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor
(C) recebe os portadores majoritários provenientes do emissor.
IE = IC + IB, onde:
IC = IC (PORTADORES MAJORITÁRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITÁRIOS)
1
O símbolo hFB é algumas vezes usado na lugar de α
2
Isto é explicável, pois α é menor do que 1.
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Caso ICBO não seja desprezada, a corrente de coletor é dada por:
IC = α IE + ICBO ( I )
Como dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na base
forma a corrente de base, assim:
IE = IC + IB ( II )
1- α ICBO
IB = (1 - α ) . IE - ICBO = . IC -
α α
α
β =
1- α
β
α =
β +1
Exemplos:
a) Um transistor possui um fator α = 0,92. Qual é o fator β ?
Solução:
0,92 0,92
β = 1 - 0,92 = 0,08 = 11,5
3
O símbolo hFE é algumas vezes usado no lugar de β
4
Alguns autores utilizam a notação α CC e β CC
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CONFIGURAÇÕES BÁSICAS:
Os transistores podem ser ligados em três configurações básicas: base comum
(BC), emissor comum (EC) e coletor comum (CC). Essas denominações relacionam-
se aos pontos onde o sinal é injetado e retirado, ou ainda, qual dos terminais do
transistor é referência para a entrada e saída de sinal.
BASE COMUM:
No circuito a seguir, observa-se que o sinal é injetado entre emissor e base e
retirado entre coletor e base.
Desta forma, pode-se dizer que a base é o terminal comum para a entrada e
saída do sinal. O capacitor "C" ligado da base a terra assegura que a base seja
efetivamente aterrada para sinais alternados.
CARACTERÍSTICAS:
EMISSOR COMUM:
No circuito emissor comum, o sinal é aplicado entre base e emissor e retirado
entre coletor e emissor. O capacitor no emissor "CE" assegura o aterramento do
emissor para sinais alternados. CA é um capacitor de acoplamento de sinal.
CARACTERÍSTICAS:
CARACTERÍSTICAS:
1. IB = I 1 - I 2
2. I1 = I2 + IB
CURVAS CARACTERÍSTICAS:
As curvas características definem a região de operação de um transistor, tais
como: região de saturação, região de corte, região ativa e região de ruptura.
A região de ruptura indica a máxima tensão que o transistor pode suportar sem
riscos de danos.
CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarização muito utilizados e
suas principais características:
Por esse motivo esse tipo de polarização não é utilizado em circuitos lineares,
pois é muito instável, pois uma variação da temperatura provoca uma variação de β .
Para este tipo de polarização: IC = β IB
Para evitar o disparo térmico, adota-se geralmente: VCE = 0,5VCC
5
Também denominada hipérbole de máxima dissipação.
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polarização VBE, reduzindo a corrente de base. Isto resulta numa corrente de coletor
menor compensando parcialmente o aumento original de β .
Aplicando LKT:
VCC = VRC + VCE + REIE
onde: VRC = RCIC
logo:
VCC = RCIC + VCE + REIE
Adota-se como prática para garantir a estabilidade térmica sem afetar o sinal
de saída: VRE = 0,1VCC
Equações básicas:
VCC IC
IB = RB +βRE
ou ainda: IB = β
IE = (β + 1)IB
3 - POLARIZAÇÃO POR REALIMENTAÇÃO NEGATIVA
Equações básicas:
VRE = 0,1VCC
VRC = VCC - (VCE + VRE)
VCC
IB = RB +βRC
Equações básicas:
VCE = 0,5VCC
0,5V CC
RE =
IE
IE = β IB
VCC
IB = RB +βRE
Aplicando Thèvenin:
RB2 . VCC
Abrindo o terminal da base temos: VTH =
RB1 +RB2
VTH - VBE
IE
Sendo: IB = β+1
, temos: IE = RE +
RTH
β+1
RTH
Se RE for 10 vezes maior do que β+1 , podemos simplificar a fórmula:
VTH - VBE
IE =
RE
Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o
que equivale dizer que:
RTH ≤ 0,1β RE
Apresentamos a seguir algumas regras práticas para a elaboração de um
projeto de polarização por divisor de tensão na base:
RBB
RB1 . RBB
RB2 = ou RB2 = 1-
VBB
RB1 - RBB
VCC
Em função de β
IE
IB = (β+1)
- ICBO IE = (β + 1)IB + (β + 1)ICBO
IC = β IB + (β + 1)ICBO onde: (β + 1)ICBO = ICEO
Em função de α :
Partindo da equação ( II ) da página 6 desta apostila:
IC = α IE + ICBO
temos: IE = IC + IB
logo: IC = α (IC + IB) + ICBO
portanto: IC = α IC + α IB + ICBO
resolvendo: IC - α IC = α IB + ICBO
colocando IC em evidência resulta:
IC (1 - α ) = α IB + ICBO
portanto:
αIB ICBO
IC = +
1- α 1- α
ICEO = (β + 1)ICBO
Basicamente determina a amplificação de um circuito, conforme será visto
mais adiante.
ICBO: Varia com a temperatura, sendo de grande importância, uma vez que,
para cada 10ºC de aumento de temperatura, essa corrente dobra. É a corrente entre
coletor e base, com o emissor aberto.
DADOS:
β = 100
IC = 3mA
VBE = 0,7V
Solução:
Adotando VE = 0,1VCC, VCE = 0,5VCC e VRC = 0,4VCC, temos:
VE = VRE = 1,2V
VCE = 6V
VRC = 4,8V
Cálculo de IB
Cálculo de RBB
RBB = 0,1β .400 = 4kΩ
Cálculo de VBB
VBB = RBBIB + VBE + VRE = 4.000.(30.10-6) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2
VBB = 2,02V
Cálculo de RC
VRC 4,8V
RC = = = 1,6kΩ (equivalente a 4RE)
IC 3mA
Cálculo de R1
RBB . VCC 4.000 . (12) 48.000
R1 = = = 2,02
= 23.762Ω
VBB 2,02
Cálculo de R2
R1 . RBB (23.762).( 4.000) 95.048
R2 = = = = 4.817Ω
R1 - RBB 23 .762 - 4.000 19.762
RESPOSTAS:
RC 1,6kΩ
RE 400Ω
R1 23,762kΩ
R2 4,817kΩ
IB 30µ A
IE 3mA
IC 3mA
DADOS:
IE = 4mA
VBE = 550mV
VCE = 5V
VCC = 12V
ICBO = 6µ A 19
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α = 0,92
Cálculo de β
α 0,92
β= = =11,5
1 - α 1 - 0,92
Cálculo de ICEO
ICEO = (β + 1)ICBO = 12,5.(6µ A) = 75µ A
Cálculo de IC
IC = α IE + ICBO = 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75µ A = 3,755mA
Cálculo de IB
IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245µ A
Cálculo de RC
VRC
RC = VRC = VCC - VCE - VRE (onde VRE = 0,1VCC)
IC
5,8V
RC = 3,755mA = 1.54kΩ (1.544,6Ω )
Cálculo de RE
VRE 1,2
RE = = = 300Ω
IE 4mA
Cálculo de RB
VRB
RB = VRB = VCC - VBE - VRE VRB = 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
IB
10,25V
RB = 245 µA = 41,84kΩ (41.836,7Ω )
RESPOSTAS:
β 11,5
ICEO 75µ A
IC 3,755mA
IB 245µ A
Cálculo de IB
VCC 15 15 15
IB = = = = = 72,12 µA
RB + βRE 100k Ω + 40(2,7k Ω) 100k +108k 208k
Cálculo de IE
IE = (β + 1).IB = (41).72,12µ A = 2,96mA
Cálculo de VCE
VCE = VCC - REIE = VCC - VRE = 15 - (2,7kΩ . 2,96mA) = 15 - 7,992V = 7,008V ≈ 7V
VRE = 7,992V ≈ 8V
RESPOSTAS:
IB 72,12µ A
IE 2,96mA
VCE 7V
VRE 8V
Cálculo de IC
IC = β IB = 100.(20,27µ A) = 2,027mA
Cálculo de VCE
VCE = VCC - RCIC = 15 - (4k7 . 2,027mA) = 15 - 9,527 = 5,473V
RESPOSTAS:
Equações básicas
( I ) VCC - VRC - VCE - VRE = 0
VRC = RCIC e VRE = REIE, temos:
( II ) VCC = RCIC + VCE + REIE
Cálculo de IC
Cálculo de IE
IE = IC + IB = 1,2mA + 6µ A = 1,206mA ≈ 1,2mA
Quando β > 100, podemos considerar IC = IE
Cálculo de RC
Utilizando a equação ( II )
15 = (RC . 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA) 15 = (RC . 1,2mA) + 8 + 0,18
15 = (RC . 1,2mA) + 8,18
15 - 8,18
RC = 1,2mA =5,68k Ω (5.683,3Ω )
Cálculo de RB
VRB = VCB + VRC
RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE, então: VCB = 8 - 0,6 = 7,4V
RESPOSTAS:
IC = 1,2mA RC = 5,68kΩ
IE = 1,2mA RB = 2,37MΩ
RETA DE CARGA:
Podemos determinar o ponto de operação de um transistor através da reta de
carga, definindo em um projeto ou aplicação os parâmetros de tensão e corrente.
Esse método gráfico somente pode ser aplicado se tivermos disponível a curva
característica do transistor, fornecida pelo fabricante.
Neste capítulo abordaremos apenas reta de carga para CC; reta de carga para
CA será abordada posteriormente.
VCC 25V
2º ponto: para VCE = 0, temos IC = RC + RE =1,25k Ω = 20mA
Procedimento:
CONCLUSÕES:
1. Quando um transistor opera na região de saturação ou bem próxima dela, a tensão
entre coletor e emissor (VCE) tende a zero, pois aumenta consideravelmente a
corrente de coletor.
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2. Quando um transistor opera na região de corte ou bem próxima dela, a tensão
entre coletor e emissor (VCE) tende a se igualar a VCC, pois a corrente de coletor
tende a zero.
A tensão de saturação típica para um transistor de silício é da ordem de 150 a
250mV.
Para Q1:
IC 18mA
β = IB = 45 µA = 400
Para Q2:
IC 2,5mA
β = IB = 10 µA = 250
A reta de carga pode ser também obtida para uma configuração base comum
ou emissor comum, seguindo o mesmo processo. Apresentaremos um exemplo de
uma reta de carga para uma montagem em base comum.
Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traçar a reta de
carga.
1º ponto:
Quando IC = 0, temos VCB = VCE = VCC.
Observe que o eixo da tensão está calibrado em VCB.
Quando IC = 0, VBE = 0, como VCB = VCE - VBE, logo VCB = VCE - 0
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Portanto, VCB = 25V
2º ponto:
VCC 25V
Para VCE = 0, temos: IC = = = 25mA
RC 1k Ω
Neste caso RE é o circuito de entrada da configuração base comum, sendo
então desconsiderado para calcular um dos pontos da reta de carga.
Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrônica, é preciso
garantir sua saturação para qualquer tipo de transistor, sob todas as condições de
funcionamento; variação da temperatura, correntes, β , etc.
Na prática, ao projetar uma chave eletrônica com transistor, utiliza-se a
corrente de base da ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta
de carga, conforme mostra a figura abaixo:
VCC 12V
Considerando VCE de saturação = 0, teremos: RC = = = 600 Ω
IC 2mA
Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, IB = 0.
Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
Deveremos então recalcular o valor de RC.
5V - 0,7V
IB = = 0,915mA
4,7 kΩ
15V
IC = 1,5kΩ=10mA
Portanto, a relação é válida (10/0,915 = 10,9), garantindo a saturação.
Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor
operando como chave de corrente.
Determinar:
As tensões em RC para os valores de 10Ω e 1000Ω
O valor de VCE nas duas condições
Determinando RE
Considerando IC = IE, temos:
Calculando VRC
Levando-se em conta que a tensão do emissor está amarrada em 4,3V então,
para os dois casos IC = 5mA (estamos admitindo IE = IC).
Para satisfazer a equação VCC - VRC - VCE - VRE = 0, a tensão VCE é que variará,
assim sendo temos:
Para RC = 10Ω
VCE = 12 - 0,05 - 4,3 = 7,65V
Para RC = 1kΩ
VCE = 12 - 5 - 4,3 = 2,7V
Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma
luminosidade ideal. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto que L-2
uma queda de 2,5V. Poderá o led 2 ter sua luminosidade diminuída por necessitar de
mais tensão?
Solução:
A primeira impressão é de que realmente o led 2 terá sua luminosidade
diminuída, pois em comparação ao led 1 necessita de mais tensão em seus terminais.
No entanto como os leds estão sendo acionados por uma fonte de corrente tal
não acontecerá, conforme será mostrado nos cálculos a seguir:
Fixando a corrente de emissor:
Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal então basta fixar a
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corrente de emissor em 15mA, dimensionando o valor de RE.
A figura a seguir mostra que a corrente nos leds permanece constante, embora
as tensões sejam diferentes.
2º ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 1,5 = 4,5V
2º ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 2,5 = 3,5V
REGULADOR SÉRIE:
Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo
os mesmos princípios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui.
LIMITAÇÕES:
Valores mínimos e máximos de VIN
Como VIN = VR + VZ e VR = R.IR mas IR = IZ + IB
então:
VIN = R(IZ + IB) + VZ
VIN(MAX) = R.(IZ(MAX)) + VZ
PZ(MAX)
onde: IZ(MAX) =
VZ
Tensão de entrada mínima:
VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( II )
VIN(MAX) - VZ
De ( I ) tiramos: IZ(MAX) = ( III)
R
VIN(MIN) - VZ
De ( II ) tiramos: IZ(MIN) + IB(MAX) = ( IV )
R
IZ(MAX) VIN(MAX) - VZ
=
IZ(MIN) +IB(MAX) VIN(MIN) - VZ
PROJETO
Projetar uma fonte de alimentação estabilizada com diodo zener e transistor
com as seguintes características:
Tensão de saída (VL): 6V
Corrente de saída máxima (IL(MAX)): 1,5A
Tensão de entrada (VIN): 12V ± 10%
Escolha do transistor
VCBO(MAX) = 45V
6
IC(MAX) é a máxima corrente que o coletor pode suportar
7
PC(MAX) é a máxima potência de dissipação do coletor
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IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
β > 40 < 250
Neste caso, o valor mínimo de beta é 40 e o máximo 250. Para que o projeto
funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor.
IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = β( MIN )
logo: IC(MAX) = IL(MAX) - β( MIN )
0,5W
PZ(MAX) = 6,8V = 73,53mA
Teremos então na carga 6,1V, valor este, perfeitamente aceitável.
VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) = . ( IZ(MIN) +IB(MAX) )
VIN(MIN) - VZ
13,2V - 6,8V
IZ(MAX) = . ( 8mA + 36,5mA )
10,8V - 6,8V
6,4V
IZ(MAX) = . 44,5mA = 71,2mA
4V
Cálculo de R:
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
VIN(MIN) - VZ 10,8V - 6V 4V
R = IB(MAX) + IZ(MIN) = 36,5mA +8mA = 44,5mA =89,89 Ω
Portanto R deverá ser maior do que 87,04Ω e menor do que 89,89Ω . Adotaremos o
valor comercial mais próximo: 91Ω
2
E2 (V IN(MAX) - VZ) (13,2V - 6V) 2 (6,8V) 2
P= P= = = = 0,508W
R R 91 91
REGULADOR PARALELO:
A exemplo do regulador série, o transistor atua como elemento de controle e o
zener como elemento de referência.
FUNCIONAMENTO:
VZ = VCB como VZ é constante, VCB será constante
VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE
logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ
Neste caso, VCE tende a parmanecer constante desde que IZ não assuma valores
menores que IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX).
Os parâmetros para o projeto de em regulador paralelo são essencialmente:
VIN, VL e IL(MAX).
VIN(MAX) - VZ - VBE
= IZ(MAX) + IC(MAX) (I)
R1
VIN(MIN) - VZ - VBE
=IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) ( II )
R1
Dividindo ( I ) e ( II ), temos:
Isolando IZ(MAX):
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VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) = . (I Z(MIN +IC(MIN) + IL(MAX) ) - IC(MAX) ( III )
VIN(MIN) - VZ - VBE
OBS: IC(MIN) é a corrente de coletor para uma tensão de entrada mínima. Em
muitos projetos a mesma pode ser desprezada por não ter influência significativa no
resultado final.
Corrente em R2:
IC(MIN)
IR2 = IZ(MIN) - IB(MIN), onde IB(MIN) = β( MIN )
IC(MIN)
portanto: IR2 = IZ(MIN) - β( MIN ) ( IV )
Quando a tensão de entrada for máxima e a carga estiver aberta (pior
condição), um acréscimo de corrente circulará pelo diodo zener. Como VBE é
praticamente constante, essa corrente circulará pela base do transistor, daí então
teremos:
IC ( M A =X β) (M I N) . IB ( M A X )
IB ( M A X= I) Z ( M A X- I)R 2 I β . (IZ(MAX) - IR2 ( V )
C(MAX) = (MIN)
VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) - β .(IZ(MAX) - IR2
(MIN)
VIN(MIN) - VZ - VBE
IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VZ - VBE 1
. (I Z(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) ) +β( MIN ) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE β( MIN ) +1
Escolha do transistor:
Deverão ser observados os parâmetros:
VCEO 8 > (VZ + VBE)
IC(MAX) > IL(MAX)
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)
PROJETO
Projetar um regulador paralelo , com as seguintes características:
VL = 15V
IC(MAX) = 600mA
VIN = 22V ± 10%
8
VCEO é a tensão entre coletor e emissor com a base aberta
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Escolha do transistor:
O transistor deverá ter as seguintes características:
VCEO = 35V
IC(MAX) = 3A
PC(MAX) = 35W
β (mínimo = 40; máximo = 120)
PZ(MAX) = 1,3W
IZ(MIN) = 20mA
VZ = 15V
PZ(MAX) 1,3W
IZ(MAX) = = = 86,67mA
VZ 15V
Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:
IZ(MAX) =
VIN(MAX) - VZ - VBE 1
VIN(MIN) . (I Z(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) ) +β( MIN ) . IR2 .
- VZ - VBE β( MIN ) +1
IC(MIN)
Desprezando IC(MIN) ICMIN) = 0, então como IR2 = IZ(MIN) - β( MIN )
, IR2 = 20mA
8,5V
IZ(MAX) = . (620mA + 800mA) . 0,0244 = (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA
4,1V
Calculando PC(MAX):
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PC(MAX) = (VZ + VBE) . IC(MAX) = 15,07 . 2,073 = 31,24W
PC(MAX) = 31,24W
Calculando R2:
VR2 = R2.IR2 VR2 = VBE
VBE 0,7V
R2 = = = 35 Ω (adotar 33Ω )
20mA 20mA
PR2 =
( ER2 ) 2 = ( 0,7 ) 2 =
0,49V
= 14,85mW
R2 33Ω 33Ω
Calculando R1:
VIN(MIN) - VZ - VBE 19,8V - 15V - 0,7V 4,1V
R1 = IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) = = = 6,613 Ω
20mA + 600mA 620mA
OBS: IC(MIN) = 0
VIN(MAX) - VZ - VBE 24,2V - 15V - 0,7V 8,5V
R1 = = = = 3,94 Ω
IZ(MAX) + IC(MAX) 86,67mA + 2,073A 2,16
FUNCIONAMENTO:
Quando houver uma variação da tensão de entrada, a tendência é ocorrer uma
variação da tensão de saída.
Quando IC2 aumenta, haverá um aumento da tensão em R1 (VR1), uma vez que
a tensão do emissor de T2 é fixada pela tensão de zener (VZ).
FORMULÁRIO:
Considerando a tensão de entrada máxima
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN) + IB(MAX) =
R1
IL(MAX)
mas, IB(MAX) = β1( MIN )
IL(MAX) ≈ IC(MAX) temos então:
dividindo ( I ) e ( II )
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1 > R1 < IL(MAX)
IZ(MAX) IZ(MIN) +
β1( MIN )
A potência desenvolvida em R1 no pior caso é dada por:
VR1 = VIN(MAX) - (VL + VBE1(MIN))
Cálculo de R2
Adota-se uma regra prática, onde: IR2 = 0,1.IC2
VL - VZ - VBE2(MAX)
Quando IC2 = IZ(MIN) R2 < 0,1.I Z(MIN)
VL - VZ - VBE2(MIN)
Quando IC2 = IZ(MAX) R2 >
0,1.I Z(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) = R1 (adotado)
(V L - VZ - VBE2(MIN) ) 2
PR2 =
R2 (adotado)
Cálculo de R3
R3
VR3 = VL . VR3.(R3 + R2) = VL.R3
R3 + R 2
VR3 . R2
R3 = (R2 adotado no cálculo anterior)
VL - VR3
Cálculo de potência em R3
Em R3 temos: VR3 = VZ + VBE2(MAX)
(V Z + VBE2(MAX) ) 2
PR3 =
R3 (adotado)
PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores
e um diodo zener de referência, que obedeça as características:
Escolha de T1:
O transistor T1 deverá ter as seguintes características:
IC(MAX) > IL(MAX) = 0,8A
VCEO > VIN(MAX) - VL = 27,5 - 12 = 15,5V
PC(MAX) > (VIN(MAX) - VL).IL(MAX) = (27,5V - 12V).800mA = 12,4W
14,9V
IZ(MAX) = . 70mA =106,43mA
9,8V
Portanto, o diodo escolhido poderá ser usado.
Escolha de T2:
O transistor T2 deverá ter as seguintes características:
VCEO > (VL + VBE2(MIN) - VZ) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V
IC(MAX) > IZ(MAX) = 255mA
PC(MAX) > [(VL + VBE1(MIN)) - VZ] . IZ(MAX)
PC(MAX) > [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W
VCEO = 45V
IC(MAX) = 1A
PC(MAX) = 8W
β (MIN) = 40 β (MAX) = 250
Cálculo de R1:
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) 27,5V - 12V - 0,6V 14,9V
R1 > = = = 58,4 Ω
IZ(MAX) 255mA 255mA
Cálculo de R2:
VL - VZ - VBE2(MIN) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R2 > 0,1.I Z(MAX)
IZ(MAX) = R1 (adotado)
Cálculo de R3:
VR3 . R2 5,7V . (560 Ω) 3.192
R3 = = = = 506,67 Ω adotar 470Ω
VL - VR3 12V - 5,7V 6,3
CONFIGURAÇÃO DARLINGTON:
A configuração Darlington
consiste na ligação entre dois
transistores na configuração seguidor
de emissor, ligados em cascata,
conforme ilustra a figura ao lado,
proporcionando em relação a um
único transistor um ganho de
corrente bastante elevado.
O ganho total de tensão é
aproximadamente igual a 1.
Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas características são:
VCBO = 80V
ETE ALBERT EINSTEIN - TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR I - Prof. Edgar Zuim 47
IC(MAX) = 4A
PC(MAX) = 36W
β (MIN) = 500 β (MAX) = 1.000
Neste caso, VBE é maior. Vamos considerar para este projeto, VBE = 1,4V
Desta forma, o diodo zener deverá ter uma tensão: 6V + 1,4V = 7,4V.
O valor comercial mais próximo é de 7,5V.
O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas características são:
VZ = 7,5V
PZ(MAX) = 400mW
IZ(MIN) = 10mA
0,4W
IZ(MAX) = 7,5V = 53,33mA
IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = β( MIN )
logo: IC(MAX) = IL(MAX) - β( MIN )
VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) = . ( IZ(MIN) +IB(MAX) )
VIN(MIN) - VZ
IC(MAX) 1,497A
IB(MAX) = β( MIN ) = 500 = 2,994mA
13,2V - 7,5V
IZ(MAX) = . (10mA + 2,994mA )
10,8V - 7,5V
5,7V
IZ(MAX) = 3,3V . 12,994mA = 22,44mA
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
Portanto R deverá ser maior do que 106,88Ω e menor do que 253,96Ω . Adotaremos
o valor comercial mais próximo a partir de uma média aritmética dos dois valores,
que neste caso é 180Ω .
2 2 2
E2 (V IN(MAX) - VZ) (13,2V - 7,5V) (5,7V)
P= P= = = =180,5mW
R R 180 180
COMPARAÇÕES: