FAMILIA LÓGICA TTL

Las caracteristicas de la tecnología utilizada, en la familia TTL (Transistor, Transistor

Logic), condiciona los parámetros que se describen en sus hojas de caracteristicas según el
fabricante, (aunque es estandar), la resumiré en sólo algunas como que:

Su tensión de alimentación caracteristica se halla comprendida entre los 4'75V y los 5'25V
como se ve un rango muy estrecho debido a esto, los niveles lógicos vienen definidos por el
rango de tensión comprendida entre 0'2V y 0'8V para el estado L y los 2'4V y Vcc para el
estado H.

La velocidad de transmisión entre los estados lógicos es su mejor baza, ciertamente esta
caracteristica le hacer aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual
han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, SL, S, etc y últimamente los TTL:
HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco mas de los 250Mhz.

Esta familia es la primera que surge y aún todavía se utiliza en aplicaciones que requieren
dispositivos SSI y MSI. El circuito lógico TTL básico es la compuerta NAND. La familia
TTL utiliza como componente principal el transistor bipolar. Como podemos ver en la
figura, mediante un arreglo de estos transistores se logran crear distintos circuitos de lógica
digital.

OTRAS CARACTERISTICAS TTL

Debemos tomar en cuenta otras características de la lógica TTL. Si dejamos una entrada sin
conectar actuará exactamente como un 1 lógico aplicado a esa entrada, ya que el transistor
no será polarizado en forma directa. Cuando se presenta el caso de que no utilizamos una
entrada la podemos dejar desconectada para que actue como un 1 lógico, pero lo más
conveniente sería conectarlas a +5V a través de una resistencia de 1k para proteger de las
corrientes a las entradas de la compuerta.

Cuando dos o más entradas de una compuerta TTL se interconectan para formar una
entrada común, esta tendrá una factor de carga de entrada que es la suma de los factores de
carga de cada entrada.

•Características de la familia TTL.

La familia lógica transistor-transistor ha sido una de las familias de CI más utilizadas.

Los CI de la serie 74 estándar ofrecen una combinación de velocidad y disipación de

potencia adecuada a muchas aplicaciones. Los CI de esta serie incluyen una amplia
variedad de compuertas, flip-flops y multivibradores monoestables así como registros de
corrimiento, contadores, decodificadores, memorias y circuitos aritméticos.

La familia 74 cuenta con varias series de dispositivos lógicos TTL(74, 74LS, 74S, etc.).

•Características de la serie TTL estándar

•Rango de voltajes de alimentación y temperatura.

Estas series utilizan una fuente de alimentación (Vcc) con voltaje nominal de 5V.
Funcionan de manera adecuada en temperaturas ambientales que van de 0° a 70°C.

•Niveles de voltaje

Los niveles de voltaje de salida de la familia 74 estándar son:

•Voltajes nominales máximos

Los voltajes aplicados a cualquier entrada de un CI no deben exceder los 5.5V. Existe
también un máximo para el voltaje negativo que se puede aplicar a una entrada TTL, que es
de -0.5V. Esto se debe al uso de diodos de protección en paralelo en cada entrada de los CI
TTL.

•Retado de propagación

La compuerta NAND TTL estándar tiene retardos de propagación característicos de tPLH =

11 ns y tPHL = 7 ns, con lo que el retardo promedio es de tPD(prom) = 9 ns.

Dentro de la familia TTL, existen otras series que ofrecen alternativas de características de
velocidad y potencia. Dentro de ellas, están:

•Serie 74L, TTL de bajo consumo de potencia

•Serie 74H, TTL de alta velocidad

•Serie 74S, TTL Schottky

•Serie 74LS (LS-TTL), TTL Schottky de bajo consumo de potencia

•Serie 74AS (AS-TTL), TTL Schottky avanzada

•Serie 74ALS, TTL avanzada Schottky de bajo consumo de potencia

Tabla 1. Características representativas de las series TTL

74
74L
74H
74S
74LS
74AS
74ALS

Parámetros de funcionamiento

Retardo de propagación (ns)

9
33
6
3
9.5
1.7
4

Disipación de potencia (mW)

10
1
23
20
2
8
1

Producto velocidad-potencia (pJ)

90
33
138
60
19
13.6
4.8

Máxima frecuencia de reloj (MHz)

35
3
50
125
45
200
70

Factor de carga de la salida

10
20
10
20
20
40
20

Parámetros de Voltaje

VOH
2.4
2.4
2.4
2.7
2.7
2.5
2.5

VOL
0.4
0.4
0.4
0.5
0.5
0.5
0.4

VIH
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
VIL
0.8
0.7
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8

La serie TTL también puede caracterizarse por el tipo de salida con que cuenta:

•salida TTL de colector abierto

•salida TTL de tres estados

FAMILIA CMOS

Existen varias series en la familia CMOS de circuitos integrados digitales. La serie 4000
que fue introducida por RCA y la serie 14000 por Motorola, estas fueron las primeras series
CMOS. La serie 74C que su característica principal es que es compatible terminal por
terminal y función por función con los dispositivos TTL. Esto hace posibles remplazar
algunos circuitos TTL por un diseño equivalente CMOS. La serie 74HC son los CMOS de
alta velocidad, tienen un aumento de 10 veces la velocidad de conmutación. La serie
74HCT es también de alta velocidad, y también es compatible en lo que respecta a los
voltajes con los dispositivos TTL.

Los voltajes de alimentación en la familia CMOS tiene un rango muy amplio, estos valores
van de 3 a 15 V para los 4000 y los 74C. De 2 a 6 V para los 74HC y 74HCT.

Los requerimientos de voltaje en la entrada para los dos estados lógicos se expresa como un
porcentaje del voltaje de alimentación. Tenemos entonces:

VOL(max) = 0 V

VOH(min) = VDD

VIL(max) = 30%VDD

VIH(min) = 70% VDD

Por lo tanto los margenes de ruido se pueden determinar a partir de la tabla anterior y
tenemos que es de 1.5 V. Esto es mucho mejor que los TTL ya que los CMOS pueden ser
utlizados en medios con mucho más ruido. Los margenes de ruido pueden hacerse todavía
mejores si aumentamos el valor de VDD ya que es un porcentaje de este.
En lo que a la disipación de potencia concierne tenemos un consumo de potencia de sólo
2.5 nW cuando VDD = 5 V y cuando VDD = 10 V la potencia consumida aumenta a sólo
10 nW. Sin embargo tenemos que la disipación de potencia sera baja mientras estemos
trabajando con corriente directa. La potencia crece en proporción con la frecuencia. Una
compuerta CMOS tiene la misma potencia de disipación en promedio con un 74LS en
frecuencia alrededor de 2 a 3 Mhz.

Ya que los CMOS tienen una resistencia de entrada extremadamente grande (1012 ) que
casi no consume corriente. Pero debido a su capacitancia de entrada se limita el número de
entradas CMOS que se pueden manejar con una sola salida CMOS. Así pues, el factor de
carga de CMOS depende del máximo retardo permisible en la propagación. Comunmente
este factor de carga es de 50 para bajas frecuencias, para altas frecuencias el factor de carga
disminuye.

Los valores de velocidad de conmutación dependen del voltaje de alimentación que se

emplee, por ejemplo en una 4000 el tiempo de propagación es de 50 ns para VDD = 5 V y
25ns para VDD = 10 V. Como podemos ver mientras VDD sea mayor podemos operar en
frecuencias más elevadas.

Hay otras características muy importante que tenemos que considerar siempre, las entradas
CMOS nunca deben dejarse desconectadas, todas tienen que estar conectadas a un nivel fijo
de voltaje, esto es por que los CMOS son, al igual que los MOS muy susceptibles a cargas
electrostáticas y ruido que podrían dañar los dispositivos.

•Características de la familia CMOS.

La tecnología MOS (Metal Oxido Semiconductor) deriva su nombre de la estructura básica

MOS de un electrodo metálico montado en un aislador de óxido sobre un subestrato
semiconductor. Los transistores de la tecnología MOS son transistores de campo
denominados MOSFET. La mayoría de los CI digitales MOS se construyen exclusivamente
con MOSFET.

•Características principales.

•voltaje de alimentación

Las series 4000 y 74C funcionan con valores de VDD que van de 3 a 15V, por lo que la
regulación de voltaje no es un aspecto crítico. Las series 74HC y 74HCT funcionan con
voltajes de 2 a 6 V.

•niveles de voltaje

Cuando las salidas CMOS manejan solo entradas CMOS, los niveles de voltaje de la salida
pueden estar muy cercanos a 0V para el estado bajo, y a VDD para el estado alto.

VOL (max)
0V

VOH (min)
VDD

VIL (max)
30% VDD

VIH (min)
70% VDD

•velocidad de operación

Una compuerta NAND N-MOS común tiene un tiempo de retardo de 50 ns. Esto se debe
principalmente a la resistencia de salida relativamente alta (100k) y la carga capacitiva
representada por las entradas de los circuitos lógicos manejados.

•margen de ruido

Normalmente, los márgenes de ruido N-MOS están alrededor de 1.5V cuando operan desde
VDD = 5 V, y serán proporcionalmente mayores para valores más grandes de VDD.

•factor de carga

Para circuitos operando en DC o de baja frecuencia, las capacidades del factor de carga son
virtualmente ilimitadas. Sin embrago, para frecuencias mayores de 100 kHz, se observa un
deterioro del factor de carga - siendo del orden de 50, lo que es un tanto mejor que en las
familias TTL.

•consumo de potencia

Los CI MOS consumen pequeñas cantidades de potencia debido a las resistencias

relativamente grandes que utilizan. A manera de ejemplo, se muestra la disipación de
potencia del INVERSOR N-MOS en sus dos estados de operación.

•PD = 5V x 0.05nA = 0.25 nW

•PD = 5V x 50A = 0.25mW

•complejidad del proceso

La lógica MOS es la familia lógica más simple de fabricar ya que utiliza un solo elemento
básico, el transistor N-MOS (o bien el P-MOS), por lo que no requiere de otros elementos
como diodos o resistencias (como el CI TTL).

•Susceptibilidad a la carga estática

Las familias lógicas MOS son especialmente susceptibles a daños por carga electrostática.
Esto es consecuencia directa de la alta impedancia de entrada de estos CI. Una pequeña
carga electrostática que circule por estas altas impedancias puede dar origen a voltajes
peligrosos. La mayoría de los nuevos dispositivos CMOS están protegidos contra daño por
carga estática mediante la inclusión en sus entradas de un diodo zener de protección. Estos
diodos están diseñados para conducir y limitar la magnitud del voltaje de entrada a niveles
muy inferiores a los necesarios para hacer daño.

Las principales series CMOS son:

•serie 4000/14000

•serie 74C

•serie 74HC (CMOS de alta velocidad)

•serie 74HCT

•Diferencias entre las familias TTL y CMOS.

En comparación con las familias lógicas TTL, las familias lógicas MOS son más lentas en
cuanto a velocidad de operación; requieren de mucho menos potencia; tienen un mejor
manejo del ruido; un mayor intervalo de suministro de voltaje; un factor de carga más
elevado y requieren de mucho menos espacio (área en el CI) debido a lo compacto de los
transistores MOSFET. Además, debido a su alta densidad de integración, los CI MOS están
superando a los CI bipolares en el área de integración a gran escala. (LSI - memorias
grandes, CI de calculadora, microprocesadores, así como VLSI).

Por otro lado, la velocidad de operación de los CI TTL los hace dominar las categorías SSI
o MSI (compuertas, FF y contadores)

FAMILIA ECL

La familia ECL, lo que quiere decir Lógica Acoplada en Emisor (emmiter-coupled logic)
son unos circuitos integrados digitales los cuales usan transistores bipolares, pero a
diferencia de los TTL en los ECL se evita la saturación de los transistores, esto da lugar a
un incremento en la velocidad total de conmutación. La familia ECL opera bajo el principio
de la conmutación de corriente, por el cual una corriente de polarización fija menor que la
corriente del colector de saturación es conmutada del colector de un transistor al otro. Este
tipo de configuraciones se les conoce también como la lógica de modo de corriente (CML;
current-mode logic).

El circuito básico para los ECL es principalmente la configuración de amplificador

diferencial. El funcionamiento de este amplificador es muy simple, se tiene una corriente
fija IE que es producida por la fuenet VEE, esta corriente que pasa a través de la resistencia
de 1k permanece alrededor de 3 mA durante la operación normal de la compuerta. Ahora
bien, depende del nivel de voltaje en la base de los transistores de entrada para definir que
transistor debe conducir, esto significa que la corriente cambiará entre el colector de Q1 y
Q2 y el de Q3. Los niveles lógicos para la familia ECL son los siguientes:

0 lógico -1.7 V

1 lógico -0.8 V

CARACTERÍSTICAS DE LA ECL

La familia TTL utiliza transistores que operan en el modo saturado. Como resultado, su
velocidad de conmutación esta limitada por el retardo en el tiempo de almacenamiento
asociado con un transistor que se conduce a saturación. En cambio con el desarrollo de la
ECL sa ha logrado mejorar las velocidades de conmutación. La familia ECL no se usa tan
comunmente como las familias TTL y MOS, excepto en aplicaciones de muy alta
frecuencia donde su velocidad es superior. Sus márgenes de ruido son relativamente bajos y
tiene un elevado consumo de potencia son desventajas en comparación con las otras
familias lógicas

En la familia ECL los transistores nunca se saturan, esto hace que la velocidad de
conmutación sea muy alta, el tiempo común de retardo es de 2ns. Los márgenes de ruido en
el peor de los casos son de 250 mV. Esto hace a los ECL un poco inseguros para utilizarse
en medios industriales de mucho trabajo.

También tenemos que tomar en cuenta la disipación de potencia de una compuerta ECL que
es de 40 mW, muy alta en comparación a las otras familias. Otra desventaja es su voltaje de
alimentación negativo y niveles lógicos, que no son compatibles con las demás familias y
esto dificulta el uso de las ECL en conjunción con los circuitos TTL y MOS.

El flujo de corriente total en el circuito ECL permanece constante, no importa su estado

lógico esto ayuda a mantener un consumo de corriente invariables en el suministro de
potencia del circuito.

A continuación se muestra una tabla donde se compara la familia ECL con la TTL:

Familia Lógica tPD (ns) PD(mW) Margen de Ruido (mV) Frecuencia Máx (Mhz)

74 9 10 400 35

74AS 1.7 8 300 200

74ALS 4 1.2 400 70

74S 3 20 300 125

74LS 9.5 2 300 45

ECL 1 40 250 600

FAMILIA MOS

Los transistores de la tecnología MOS (Metal Oxide Semiconductors) son transistores de

efecto de campo a los que llamamos MOSFET, la gran mayoría de los circuitos integrados
digitales MOS se fabrican solamente con este tipo de transistores.

El MOSFET tiene varias ventajas: es muy simple, poco costoso, pequeño y consume muy
poca energía. Los dispositivos MOS ocupan mucho menos espacio en un CI que los BJT,
un MOSFET requiere de 1 mílesimo cuadrado del area del CI mientras que un BJT ocupa
50 mílesimos del area del CI. Esta ventaja provoca que los circuitos integrados MOS estén
superando por mucho a los bipolares en lo que respecta a la integración a gran escala (LSI,
VLSI). Todo esto significa que los CI MOS pueden tener un número mucho mayor de
elementos en un solo subestrato que los circuitos integrados bipolares.

La velocidad de este tipo de tecnología es relativamente lenta cuando se compara con los
BJT, esto se puede considerar como una de sus principales desventajas.

Los CI digitales MOS utilizan exclusivamente MOSFET de incremento, además nos

interesa utilizarlos solamente como interruptores al igual que se usan los BJT en la familia
TTL.

En los MOSFET canal N, el voltaje de la compuerta a la fuente VGS es el voltaje que

determina si el dispositivo esta en ENCENDIDO o en APAGADO. Cuando VGS = 0 V, la
resistencia del canal es muy alta de 1010 , o sea, que no existe un canal conductor entre la
fuente y el drenaje ya que para propósitos prácticos esto es un circuito abierto. Mientra
VGS sea cero o negativo el dispositivo permanecerá apagado. Cuando VGS se hace
positivo, en particular un valor mayor al voltaje de umbral (VT) que por lo general es de
1.5 V, el MOSFET conduce. En este caso el dispositivo esta encendido y la resistencia del
canal entre la fuente y el drenaje es de 1 k. El MOSFET canal P opera exactamente igual
excepto que emplea voltajes de polaridad opuesta. Para encender los P-MOSFET, debe
aplicarse un voltaje VGS negativo que exceda VT.

Los circuitos integrados P-MOS y N-MOS tiene una mayor densidad de integración por lo
que son más económicos que los CMOS. Los N-MOS son más comunmente utilizados que
los P-MOS, ya que son dos veces más rápidos y tienen cerca de dos veces la densidad de
integración de los P-MOS.

En las siguientes figuras se muestran un inversor N-MOS, una NAND N-MOS y una NOR
N-MOS.
En el circuito del inversor tenemos que Q1 siempre esta en el estado de encendido y actua
como una resistencia de carga RENC = 100 k. El transistor Q2 cambiara a apagado o
encendido en respuesta al voltaje de entrada VEN.

Con VEN = 0 V, Q2 esta apagado con VEN = 5 V. Q2 esta encendido y el voltaje de salida
esta en su nivel BAJO.

En la compuerta NAND Q1 actua como una resistencia de carga, mientras que Q2 y Q3 son
los interruptores controlados por las entradas A y B. Si A o B esta en su nivel BAJO (0V),
el transistor esta apagado y X esta en su nivel ALTO (+5 V). Cuando A y B estan en 1
lógico, Q2 y Q3 estan encendidos de modo que X esta en un 0 lógico.

La compuerta NOR utiliza Q2 y Q3 como interruptores paralelos con Q1. Cuando A o B

esta en 1 lógico, el MOSFET correspondiente esta encendido, lo que provoca en la salida
un nivel BAJO. Sólo cuando ambas entradas estan en 0 V, Q2 y Q3 estan apagados y la
salida es ALTA.

CARACTERÍSTICAS DE LOS CIRCUITOS MOS

Velocidad de Operación 50 ns.

Margen de Ruido 1.5 V

Factor de Carga 50

Consumo de Potencia 0.1 mW

Como podemos ver los circuitos MOS tiene algunos aspectos mejores y otros peores en
comparación con los TTL o los ECL. El tiempo de retardo tan alto se debe a la alta
resistencia de entrada que tienen estos dispositivos y a la capacitancia de entrada
razonablemente alta. Los MOS consumen muy pequeñas cantidades de potencia por lo que
son ampliamente utilizados para el LSI y el VLSI, donde se guardan grandes cantidades de
compuertas en un solo encapsulado sin ocasionar sobrecalentamiento. Otro aspecto
favorable es que los MOS son muy simples de fabricar, no requiere de otros elementos
como resistencias o diodos. Esta característica y su bajo consumo de potencia son la causa
de su gran auge en el campo digital.

La familia lógico MOS tiene una característica que no se había tomado en cuenta en las
familias anteriormente estudiadas, la sensibilidad estática. Esto es, que los dispositivos
MOS son sensibles a daño por electricidad estática. Al grado de que las mismas cargas
almacenadas en el cuerpo humano pueden dañarlos. La descarga electrostática provoca
grandes perdidas de estos dispositivos y circuitos electrónicos por lo que se deben tomar
medidas especiales como: conectar todos los intrumentos a tierra física, conctarse a sí
mismo a tierra física, mantener los CI en una esponja conductora o en papel aluminio; todo
esto para evitar cargas electrostáticas que puedan dañar los dispositivos MOS.

CIRCUITOS LOGICOS MOS COMPLEMENTARIOS

La familia CMOS utiliza MOSFET de canales P y N en el mismo circuito para obtener una
mayor velocidad de operación y un menor consumo de potencia. El problema de los CMOS
es la elevada complejidad del proceso de fabricación y su pequeña densidad de integración..

Sin embargo, la lógica CMOS tiene una mayor densidad de integración y el proceso de
fabricación es más simple que la familia TTL.

En las figuras se representan los P-MOSFET y los N-MOSFET con unos bloques marcados
con P y N respectivamente. El inversor CMOS tiene dos MOSFET en serie de modo que el
dispositivo con canal P esta conectado a +VDD y el de canal N esta conectado a tierra.
Cuando tenemos VENT = +VDD la compuerta de Q1 esta en 0V, esto quiere decir que Q1
esta apagado. La compuerta Q2 estará en +VDD, de esta manera Q2 esta encendido. En el
caso donde VENT = 0 V, Q1 esta encendido y Q2 apagado produciendo un voltaje de
salida de aproximadamente + VDD.

La compuerta NAND esta formada por la adición de un P-MOSFET en paralelo con un N-

MOSFET en serie al inverosr básico. Puede observarse entonces, que la única vez que una
salida BAJA ocurrirá es cuando las entradas sean ambas ALTAS para encender los
MOSFET de canal N.

Para una compuerta NOR CMOS necesitamos agregar un P-MOSFET en serie y un N-

MOSFET en paralelo al inversor básico. Cuando tenemos un 0 lógico en cualquier entrada
enciende P-MOSFET y apaga N-MOSFET, y viceversa para una entrada ALTA.

BIBLIOGRAFÍA

TOCCI, Ronald. Sistema Digitales: Principio y Aplicaciones. Ed. Prentice Hall. 5a ed.

HAZEN, Mark. Experiencing electricity and Electronics. Ed. Saunders College. 7a ed.