Architecture des ordinateurs

Partie 3 : Mémoire vive

Sommaire
I. Mémoire vive ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 2
Définition ------------------------------------------------------------------------------------------------------- 2
Types de mémoires vives ----------------------------------------------------------------------------------- 2
II. Mémoire vive dynamique ------------------------------------------------------------------------------------- 2
Principe de fonctionnement ------------------------------------------------------------------------------- 2
Rafraichissement --------------------------------------------------------------------------------------------- 2
Structure interne --------------------------------------------------------------------------------------------- 2
III. Mémoire Statique (SRAM) ------------------------------------------------------------------------------------- 2
Description ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 3
IV. Mémoire vive dynamique ------------------------------------------------------------------------------------- 4
Barrette DRAM ------------------------------------------------------------------------------------------------ 4
Types des mémoires dynamiques ------------------------------------------------------------------------ 4
V. Formats de barrettes de mémoire vive -------------------------------------------------------------------- 6
VI. La technologie SDRAM ----------------------------------------------------------------------------------------- 8
Versions --------------------------------------------------------------------------------------------------------- 8
Module mémoire --------------------------------------------------------------------------------------------- 8
Tableau des caractéristiques ------------------------------------------------------------------------------ 8
Améliorations technologiques -------------------------------------------------------------------------- 10
Appellation commerciale : ------------------------------------------------------------------------------- 14
Fréquence réelle et fréquence d’entrée/sortie ----------------------------------------------------- 14
Calcul du débit théorique des mémoires DDR------------------------------------------------------- 15
Synchronisation (timing) ---------------------------------------------------------------------------------- 15
Dual Channel------------------------------------------------------------------------------------------------- 16
Correction d’erreurs --------------------------------------------------------------------------------------- 16

Références : http://www.vulgarisation-informatique.com
http://www.memoireonline.com
http://www.hardware.fr
http://www.x86-secret.com
http://www.wikipédia.com
http://www .commentcamarche.com

Etablissement ESTG
Filière DUT-informatique
Semestre 2
Enseignante MOUTAOUKKIL Assmaa
Partie 3 : Mémoire vive

I. Mémoire vive
Définition
La mémoire vive, ou mémoire système (aussi appelée RAM de l'anglais Random Access Memory : que
l'on traduit en français par mémoire à accès direct) est la mémoire informatique dans laquelle
un ordinateur place les programmes en exécution et les données lors de leur traitement.
Les caractéristiques de cette mémoire sont sa rapidité d'accès, essentielle pour fournir rapidement les
données au processeur, et sa volatilité qui implique une perte totale de toutes les données mémoire dès
que l'ordinateur cesse d'être alimenté en électricité. Cette caractéristique a tendance à disparaitre avec
les dernières évolutions technologiques conduisant à des types de mémoire RAM non-volatile, comme
les MRAM (voir plus loin).

Types de mémoires vives

On distingue généralement :
 Les mémoires dynamiques : (DRAM, Dynamic Random Access Memory), peu coûteuses.
Elles sont principalement utilisées pour la mémoire centrale de l'ordinateur.
 Les mémoires statiques (SRAM, Static Random Access Memory), rapides et onéreuses. Les
SRAM sont notamment utilisées pour les mémoires cache du processeur.
 Les mémoires magnétiques (Magnetic Random Access Memory) est une mémoire non volatile
de type magnétique.

II. Mémoire vive dynamique

Principe de fonctionnement
La mémoire vive dynamique est constituée de centaines de milliers de petits condensateurs
emmagasinant des charges. Lorsqu'il est chargé, l'état logique du condensateur est égal à 1, dans le cas
contraire il est à 0, ce qui signifie que chaque condensateur représente un bit de la mémoire.

Rafraichissement
Etant donné que les condensateurs se déchargent, il faut constamment les recharger (le terme exact est
rafraîchir, en anglais refresh) à un intervalle de temps régulier appelé cycle de rafraîchissement. Les
mémoires DRAM nécessitent par exemple des cycles de rafraîchissement est d'environ 15 nanosecondes
(ns).

Structure interne
Chaque condensateur est couplé à un transistor (de type MOS) permettant de
« récupérer » ou de modifier l'état du condensateur. Ces transistors sont
rangés sous forme de tableau (matrice), c'est-à-dire que l'on accède à une
case mémoire (aussi appelée point mémoire) par une ligne et une colonne.

III. Mémoire Statique (SRAM)

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Partie 3 : Mémoire vive

La mémoire vive statique (ou SRAM pour l'anglais Static Random Access Memory) est un type de
mémoire vive utilisant des bascules1 pour mémoriser les données. Mais contrairement à la mémoire
dynamique, il n'y a pas besoin de rafraîchir périodiquement son contenu. Comme la mémoire dynamique,
elle est volatile : elle ne peut se passer d'alimentation sous peine de voir les informations effacées
irrémédiablement.

Description
La mémoire statique est plus onéreuse, mais beaucoup plus rapide et moins énergivore que la mémoire
dynamique. Elle est donc réservée aux applications où il faut soit des temps d'accès faibles, soit une
faible consommation. Ainsi, on la rencontre dans les mémoires caches et les tampons, ainsi que dans les
applications embarquées. Elle figure également parmi les composants hauts de gamme de certains PC
qui ont besoin de charger une grande quantité de donnés dans certains programmes.
Les premières générations de types de mémoires, qui utilisaient la technologie bipolaire très grande
consommatrice d'électricité, ont été remplacées par des modèles utilisant la technologie CMOS,
beaucoup plus sobre, ouvrant la porte à des systèmes de sauvegarde à piles permettant à ce type de
mémoire de s'affranchir d'une alimentation permanente

1 Voir cours SFO

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Partie 3 : Mémoire vive Mémoire vive
dynamique

IV. Mémoire vive dynamique

Barrette DRAM
La Mémoire DRAM se présente sous forme d’une barrette mémoire que l’on peut enficher dans des
emplacements, sur la carte mère, appelés « slots ».

Barrette mémoire

Slots

Types des mémoires dynamiques

Les mémoires vives dynamiques ont connues une évolution durant ces dernières décennies, plusieurs
améliorations technologiques ont été intégrées pour augmenter la bande passante et réduire la
consommation électrique.
Dans ce qui suit, on présente quelque types de mémoires vives dynamiques :

EDO (Extended Data Out) :

Mémoire vive asynchrone utilisée dans les ordinateurs au début des années 1990 avec la génération des
pentiums I . Elle est obsolète aujourd'hui.

SDR-SDRAM ou bien SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) :

Elle est utilisée comme mémoire
principale et vidéo. La transition s'est
faite lors du passage
du Pentium II au Pentium III. Les
différents types de SDRAM se
distinguent par leur fréquence de
fonctionnement, typiquement 66, 100 et133 MHz. les barrettes comportent 168 broches.
Contrairement aux mémoires EDO qui étaient asynchrones (possédant leur propre horloge). La SDRAM
permet donc de supprimer les temps d'attente dus à la synchronisation avec la carte-mère. Elle est capable
de fonctionner avec une cadence allant jusqu'à 150 Mhz, avec une largeur de bus de 64 bits, une bande
passante (débit théorique) de transfert 580 Mo/s à 1064 Mo/s et permet d'avoir des temps d'accès de
moins de 10 nanosecondes.

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Partie 3 : Mémoire vive Mémoire vive
dynamique
RDRAM (Rambus Dynamic RAM)
La DR-SDRAM (Direct Rambus DRAM ou RDRAM) est un type de mémoire permettant de transférer
les données sur un bus de 16 bits de largeur à une cadence de 800 Mhz, ce qui lui confère une bande
passante de 1.6 Go/s. Comme la SDRAM, ce type de mémoire est synchronisé avec l'horloge du bus
pour améliorer les échanges de données. En contrepartie, la mémoire RAMBUS est une technologie
propriétaire, ce qui signifie que toute entreprise désirant des barrettes de RAM selon cette technologie
doit réserver des droits aux sociétés RAMBUS et Intel. Elle est utilisée pour les machines de
génération Pentium III et Pentium 4.

DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM)

Utilisée comme mémoire principale et comme mémoire vidéo, elle est synchrone avec l'horloge système
mais elle double également la largeur de bande passante en transférant des données deux fois par cycles
au lieu d'une seule pour la SDRAM. On distingue les DDR PC1600, PC2100, PC2700, PC3200, etc. Le
numéro représente la quantité théorique maximale de transfert d'information en Mégaoctets par seconde.
Elle s'est généralisée dans les ordinateurs grand public avec les générations Pentium III et Pentium 4.
Elle comporte 184 broches. Cette mémoire est en voie de disparition avec le retrait des ordinateurs du
début des années 2000.

XDR DRAM (XDimm Rambus RAM) :

Technologie basée sur la technologie Flexio développée par Rambus. Elle permet d'envisager des débits
théoriques de 6,4 Go/s à 12,8 Go/s en rafale.

DDR2 SDRAM (Double Data Rate two SDRAM)

Il s'agit de la 2ème génération de la technologie DDR. On distingue les DDR2-400, DDR2-533, DDR2-
667, DDR2-800 et DDR2-1066. Le numéro (400, 533, etc.) représente la fréquence de fonctionnement.
Certains constructeurs privilégient la technique d'appellation basée sur la quantité de données
théoriquement transportables (PC2-4200, PC2-5300, etc.), mais certains semblent retourner à la vitesse

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Partie 3 : Mémoire vive Mémoire vive
dynamique
réelle de fonctionnement afin de distinguer plus clairement la DDR2 de la génération précédente. Elle
comporte normalement 240 broches.

DDR3 SDRAM (Double Data Rate three SDRAM)

Il s'agit de la 3ème génération de la technologie DDR. Les premiers micro-ordinateurs pouvant utilisé la
DDR3 sont arrivés sur le marché pour la fin de 2007. La DDR3 fournit un débit deux fois plus important
que la DDR2. Début 2014 c'est la technologie la plus communément utilisée dans les ordinateurs grand
public pour la mémoire principale.

DDR4-SDRAM :
La mémoire DDR4 SDRAM qui est aussi connue sous le nom DDR4 est apparue en 2012, mais sa
démocratisation n'est attendue que vers 2015. Toujours dans le même principe, le but c'est d'améliorer
la fréquence et réduire la consommation électrique.
Toutefois, Samsung a annoncé la production en masse de ses premières barrettes DDR4 le 30 août 2013.

V. Formats de barrettes de mémoire vive

On distingue habituellement trois types de barrettes de RAM :
 les barrettes au format SIMM (Single Inline Memory Module) : il s'agit de circuits imprimés dont
une des faces possède des puces de mémoire

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Partie 3 : Mémoire vive Mémoire vive
dynamique
 les barrettes au format DIMM (Dual Inline Memory Module) sont des mémoires 64 bits. Les
barrettes DIMM possèdent des puces de mémoire de part et d'autre du circuit imprimé et ont
également 84 connecteurs de chaque côté, ce qui les dote d'un total de 168 broches.

 Il existe en outre des modules de plus petite taille, appelés SO-DIMM (Small Out line DIMM),
destinés aux ordinateurs portables. Les barrettes SO-DIMM comportent uniquement 144
broches pour les mémoires 64 bits et 77 pour les mémoires 32 bits.
 les barrettes au format RIMM (Rambus Inline Memory Module) sont des mémoires 64 bits
développée par la société Rambus. Elles possèdent 184 broches. Ces barrettes possèdent deux
encoches de repérage (détrompeurs), évitant tout risque de confusion avec les modules
précédents. Compte tenu de leur vitesse de transfert élevée, les barrettes RIMM possèdent un
film thermique chargé d'améliorer la dissipation de la chaleur.
 Comme dans le cas des DIMM, il existe des modules de plus petite taille, appelés SO-
RIMM (Small Out-line RIMM), destinés aux ordinateurs portables. Les barrettes SO-
RIMM comportent uniquement 160 broches.

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Partie 3 : Mémoire vive La technologie
SDRAM

VI. La technologie SDRAM

Versions
Les versions de la SDRAM :
 SDR-SDRAM ou bien SDRAM : pour Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM
 DDR1-SDRAM ou bien DDR : Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM
 DDR2-SDRAM : 2ème génération de DDR
 DDR3-SDRAM : 3ème génération de DDR
 DDR4-SDRAM : 4ème génération de DDR

Module mémoire

Modules mémoire Broches

Détrompeur

Un module de mémoire DDR est constitué d’ :

 Une matrice de cellules mémoire (Memory Cell Array)
 Un buffer d’entrée/sortie (mémoire tampon de pré-lecture)
 Un bus de données (Data bus)

Une mémoire DDR-SDRAM est caractérisée par :

 une fréquence des cellules mémoires appelée fréquence réelle ou fréquence interne
 une fréquence d’Entrée/sortie appelée aussi fréquence du buffer d’I/O
 une bande passante appelé aussi débit théorique (On parle parfois de la fréquence des données :
data frequency)

Tableau des caractéristiques

Le tableau ci-dessous présente quelques mémoires SDR-SDRAM
Dénomination Fréquence Bande passante
PC66 66 MHz 528 Mo/s
PC100 100 MHz 800 Mo/s
PC133 133 MHz 1 064 Mo/s
PC150 150 MHz 1 200 Mo/s

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Partie 3 : Mémoire vive La technologie
SDRAM
Le tableau ci-dessous présente quelques mémoires DDR

Mémoire Appellation Fréquence E/S Fréquence réelle Débit

DDR200 PC1600 100 MHz 100 MHz 1,6 Go/s
DDR266 PC2100 133 MHz 133 MHz 2,1 Go/s
DDR333 PC2700 166 MHz 166 MHz 2,7 Go/s
DDR400 PC3200 200 MHz 200 MHz 3,2 Go/s
DDR433 PC3500 217 MHz 217 MHz 3,5 Go/s
DDR466 PC3700 233 MHz 233 MHz 3,7 Go/s
DDR500 PC4000 250 MHz 250 MHz 4 Go/s
DDR533 PC4200 266 MHz 266 MHz 4,2 Go/s
DDR538 PC4300 269 MHz 269 MHz 4,3 Go/s
DDR550 PC4400 275 MHz 275 MHz 4,4 Go/s
DDR2-400 PC2-3200 200 MHz 100 MHz 3,2 Go/s
DDR2-533 PC2-4300 266 MHz 133 MHz 4,3 Go/s
DDR2-667 PC2-5300 333 MHz 166 MHz 5,3 Go/s
DDR2-675 PC2-5400 337 MHz 168 MHz 5,4 Go/s
DDR2-800 PC2-6400 400 MHz 200 MHz 6,4 Go/s
DDR2-1066 PC2-8500 533 MHz 266 MHz 8,5 Go/s
DDR2-1100 PC2-8800 560 MHz 280 MHz 8,8 Go/s
DDR2-1200 PC2-9600 600 MHz 300 MHz 9,6 Go/s
DDR3-800 PC3-6400 400 MHz 100 MHz 6,4 Go/s
DDR3-1066 PC3-8500 533 MHz 133 MHz 8,5 Go/s
DDR3-1333 PC3-10600 666 MHz 166 MHz 10,7 Go/s
DDR3-1600 PC3-12800 800 MHz 200 MHz 12,8 Go/s
DDR3-1800 PC3-14400 900 MHz 225 MHz 14,4 Go/s
DDR3-2000 PC3-16000 1000 MHz 250 MHz 16 Go/s
DDR3-2133 PC3-17000 1066 MHz 266 MHz 17 Go/s
DDR3-2200 PC3-17600 1100 MHz 275 MHz 17,6 Go/s
DDR3-2400 PC3-19200 1200 MHz 300 MHz 19,2 Go/s
DDR3-2500 PC3-20000 1250 MHz 312 MHz 20 Go/s
DDR3-2600 PC3-20800 1300 MHz 325 MHz 20,8 Go/s
DDR3-2666 PC3-21300 1333 MHz 333,25 MHz 21,3 Go/s
DDR3-2800 PC3-22400 1400 MHz 350 MHz 22,4 Go/s
DDR3-2933 PC3-23466 1466,5 MHz 366,6 MHz 23,4 Go/s
DDR3-3000 PC3-24000 1500 MHz 375 MHz 24 Go/s
DDR4-1600 PC4-12800 800 MHz 100 MHz 12,8 Go/s
DDR4-1860 PC4-14900 928 MHz 116 MHz 14,8 Go/s

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Partie 3 : Mémoire vive La technologie
SDRAM

Mémoire Appellation Fréquence E/S Fréquence réelle Débit

DDR4-2133 PC4-17000 1066 MHz 133 MHz 17 Go/s
DDR4-2400 PC4-19200 1200MHz 150MHz 19,2 Go/s
DDR4-2666 PC4-21333 1333MHz 166MHz 21,3 Go /s
DDR4-3200 PC4-25600 1600MHz 200MHz 25,6 Go/s
DDR4-4266 PC4-34100 2132MHz 266MHz 34,1 Go/s

Améliorations technologiques
La fréquence des microprocesseurs connait une évolution rapide, cela implique les mémoires vives, qui
doivent multiplier leur bande passante pour satisfaire les demandes des processeurs dans délais
optimales. Or les fréquences réelles des mémoires sont relativement limitées (des contraintes techniques
empêchent de les pousser plus loin).
Des solutions ont alors été inventées pour améliorer la bande passante tout en conservant les fréquences
internes (réelles) qui se limitent pour l'heure à environ 370 MHz.

La 1ère solution : Débit de données double (Double data rate)

La première solution était de doubler le débit des données, en les transférant sur le front montant et sur
le front descendant des impulsions d’horloge, ce qui a pour effet de doubler la bande passante de la
mémoire, cette technique est appelée DDR pour Double Data Rate (débit de donnée double).

Les mémoires DDR-SDRAM utilise cette technique pour doubler le débit, contrairement aux SDR-
SDRAM (single data rate SDRAM) qui n’utilise que les fronts montant pour lire ou écrire une donnée.

SDR-SDRAM DDR-SDRAM

Les mémoires SDRAM standard utilisent une méthode La DDR permet de doubler la fréquence des lectures/écritures,
appelée SDR (Single Data Rate) consistant à lire ou à avec une horloge cadencée à la même fréquence, en envoyant
écrire une donnée à chaque front montant. les données à chaque front montant, ainsi qu'à chaque front
descendant. (dual pumping)

Ainsi, une carte mère dotée de mémoire DDR-SDRAM et ayant un bus mémoire cadencé à 133 MHz
est équivalente en débit de donnés à de la SDRAM à 266 MHz.

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Partie 3 : Mémoire vive La technologie
SDRAM
La 2ème solution : prefetching

La deuxième solution est d'augmenter la fréquence du bus mémoire en mettant en place des mécanismes
plus complexes pour l'alimenter. C'est le cas du prefetching. Son principe est simple, il suffit de lire un
nombre plus élevé de cellules mémoires en parallèle, de placer le tout dans un petit buffer (mémoire
tampon de pré-lecture) qui déversera ces données en série mais à très haute vitesse sur le bus mémoire.
Avec la mémoire DDR le prefetching a été introduit à 2, il est passé à 4 avec la DDR2 et à 8 avec la
DDR3. De quoi profiter du mode de transmission DDR, et doubler à deux reprises la vitesse du bus.

n : est le nombre de bits qui sont transférés au tampon de pré-lecture lors d'une lecture.
Exemple : pour un mémoire DDR3 de 16 bits de large, le buffer reçoit 8 mots = 8x16= 128 bits par
cycle d’horloge, on dit que le prefetch de la DDR3 et de 8n (n est le nombre bits par case mémoire)

Prefetch & DDR4 :

L'évolution logique aurait donc été pour la DDR4 de passer le prefetching à 16 pour doubler à nouveau
la fréquence du bus par rapport à la fréquence des cellules, mais cela aurait eu différents désavantages.
Chaque banque mémoire simple est à la base subdivisée en petits blocs de cellules. Avec prefetching

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Partie 3 : Mémoire vive La technologie
SDRAM
nX, chaque banque mémoire devient subdivisée en X tableaux de petits blocs de cellules mémoire. Une
complexité qui augmente les coûts et la consommation avec une multiplication des voies de
communication.
Par ailleurs, le prefetching augmente la plus petite quantité de données qui peut être lue, ce qui finit par
réduire l'efficacité des accès mémoire. Sur un canal 64bit classique, un prefetching de 8 signifie que les
accès se font au minimum par 64 octets. Cela s'accorde assez bien aux caches des CPU et c'est déjà
une valeur relativement élevée. Aller au-delà n'aurait pas été une très bonne idée.

La 3ème solution : bank grouping

Avec la DDR4 qui a suivi, le Jedec2 a fait le choix d'une nouvelle approche dénommée bank grouping.
Elle consiste à séparer les banques mémoire en plusieurs groupes, deux pour les puces de type x16 (bus
de communication de 16-bit) et 4 pour les puces de type x8/x4 rencontrées sur la plupart des modules
DIMM.

Chaque groupe de banques se comporte indépendamment des autres et un second niveau de petits buffers
qui alimentent le bus mémoire est mis en place. Avec plus de données à sa disposition, il est capable de
supporter un bus mémoire à plus haute fréquence. Il n'est cependant pas question de doubler voire de
quadrupler la vitesse du bus mémoire dans tous les cas grâce à 2 ou 4 groupes de banques mémoire
travaillant en parallèle. Le bus mémoire ne monte pas aussi haut en fréquence si facilement.

Comparatif des SDRAM

les trois éléments du module fonctionnent tous à 100

MHz. C'est à dire que les cellules mémoires
fournissent 1 mots toutes les 10 ns au buffer I/O qui
lui-même le renvoie sur le bus de donnée à une
fréquence de 100 millions de bit par secondes (100
MHz).

2 Est un organisme de normalisation des semi-conducteurs qui fait partie de l’Electronic Industries Alliance (EIA). Elle a été créée
en 1960 à partir de l’EIA et la « National Electrical Manufacturers » Association (NEMA), pour la normalisation des composants discrets,
ensuite étendu en 1970 aux circuits intégrés. (selon Wikipédia)

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Partie 3 : Mémoire vive La technologie
SDRAM
La DDR (ou DDR-SDRAM) est apparue pour pallier aux
fréquences qui n'augmentaient plus. Variante de la
première SDRAM, elle prend en compte les fronts
montants et descendants du bus système afin de doubler la
bande passante mémoire disponible. En restant à 100 MHz,
la DDR permet de transférer 200 millions de bit par
seconde, soit une bande passante de ((100*2)*64)/8 = 1600
Mo/s.
Prefetch = 2n
A chaque fois que les cellules mémoire effectuent un cycle,
on peut transférer 4n bits de données, au lieu de 2n bits pour
la DDR1. A fréquence des cellules mémoires égale, la
DDR2 a une bande passante deux fois plus élevée. Alors Le
débit théorique pour une fréquence de base de 100 MHz est
donc de ((100*4)*64)/8 = 3200 Mo/s. La DDR-2
consomme également moins d'énergie avec une tension
revue à 1.8 volt.
Apparue en 2007, la DDR3 va encore plus loin que la DDR-
2 en transmettant non plus 4n bits par cycle mais 8n bits ,
doublant les débits par rapport à la DDR-2. Les barrettes de
DDR-3 comportent 240 broches et fonctionnent avec une
tension encore amoindrie : 1.5 volt.

Le tableau ci-dessus est un comparatif des différentes technologies SDRAM à fréquence réelle égale :
Mémoires Appellation Fréquence Fréquence Bandes Nombre de Consommation
réelle d’E/S passantes bits électrique
SDR PC100 100Mhz 100Mhz 800 Mo/s 1n 3.3 Volts
DDR200 PC-1600 100Mhz 100Mhz 1,6Go/s 2n 2.5 Volts
DDR2-400 PC2-3200 100Mhz 200Mhz 3.2 Go/s 4n 1.8 Volts
DDR3-800 PC3-6400 100Mhz 400Mhz 6.4 Go/s 8n 1.5 Volts
DDR4-1600 PC4-12800 100Mhz 800MHz 12.8 Go/s 16 n 1.2 Volts

Evolution de la technologie SDRAM :

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Partie 3 : Mémoire vive La technologie
SDRAM

Appellation commerciale :
Mémoire SDR-SDRAM :
Les mémoires SDR-SDRAM possèdent généralement une appellation commerciale du type PCxx, où
« xx » représente la fréquence de fonctionnement de la barrette.

Mémoire DDR-SDRAM
Les mémoires DDR possèdent également une appellation commerciale (dénomination) du type PCxxxx,
où « xxxx» représente le débit d'information en Mo/s.
Exemple : la mémoire DDR400 PC3200 possède un débit maximal de 3.2 Go/s
Aussi les DDR possède une notation comme DDRi-yyy où « yyy » représente une fréquence nommée
parfois « la fréquence des données », c’est un multiple de la fréquence réelle

yyy (MHz)=fréquence des données = fréquence réelle × p

le coefficient p représente le prefetch ou le nombre de mots transmis entre les cellules mémoires et le
buffer d’entrée/sortie
p = 2 pour DDR-SDRAM
p = 4 pour DDR2-SDRAM
p = 8 pour DDR3-SDRAM
p = 16 pour DDR4-SDRAM

Attention : le prefetch de la DDR4 est 8n, mais l’intégration du bank-grouping augmente le

nombre de bits transmis au buffer d’E/S à 16n bits
Ainsi une mémoire DDR3-3000 aura une fréquence réelle = 3000 / 8 =375 Mhz

Fréquence réelle et fréquence d’entrée/sortie

Une mémoire DDR est caractérisée par deux fréquences : fréquence réelle (ou fréquence interne) et
fréquence d’E/S
La fréquence réelle c’est la fréquence lié au FSB ou BCLK de la carte mère, tandis que la fréquence
d’E/S est le multiple de la fréquence réelle, elle est donnée par les logiciels de diagnostic comme CPUZ
On définit la fréquence d’E/S par la relation suivante :
𝑓𝑟é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒 𝑟é𝑒𝑙𝑙𝑒 × 𝑝
fréquence d'E/S = 2
le 2 dans l’équation vient de l’effet DDR

Pour les SDR : fréquence d’E/S = fréquence réelle

prefetch

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Partie 3 : Mémoire vive La technologie
SDRAM

Calcul du débit théorique des mémoires DDR

Le débit mémoire (et par conséquent le nom) d'une mémoire est calculé comme suit : Les DDR sont des
mémoires 64 bits (8 octets). Cela signifie qu'une barrette de mémoire DDR peut transmettre : 8 * 2 = 16
octets à chaque cycle d'horloge, le facteur 2 provenant de "l'effet DDR".
Pour l'exemple, supposons que cette mémoire tourne à la fréquence de 133 MHz, on a donc à chaque
seconde : 16 * 133 = 2128, soit un débit théorique d'environ 2 100 Mo/s : c'est donc de la PC2100.

D’une manière générale le débit des DDR-SDRAM se calcule par la formule suivante
𝐷é𝑏𝑖𝑡 = 8 × 𝟐 × 𝐹𝑟é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒 d'E/S

Pour les SDR-SDRAM (single data rate SDRAM) le débit sera :

𝐷é𝑏𝑖𝑡 = 8 × 𝐹𝑟é𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑒 D'E/S
Exemple concret :
Soit un mémoire DDR3-2800 PC3-22400 à partir de cette notation on peut calculer le débit et les deux
fréquences.
Il s’agit d’une mémoire DDR3 dont p = 8
débit = 22400 Mhz = 22,4 Ghz
fréquence réelle = 2800 ÷ 8 = 350 Mhz
350 × 8
fréquence d'E/S = = 1,4 Ghz
2

Synchronisation (timing)
L'accès à une donnée de mémoire se fait suivant plusieurs étapes, chacune de ces étapes nécessitant un
certain temps (appelé timing). Il y a plusieurs étapes, donc plusieurs temps (timings). Nous allons
détailler chacun de ces timings (dont la valeur est indiquée en cycles dans le BIOS, un cycle
correspondant à l'inverse de la fréquence. Plus la fréquence est élevée, plus le temps diminue. La relation
exacte est la suivante :
T = 1/f, où f représente la fréquence du bus
Exemple :A 200 MHz, T est égal à 5 ns (nanosecondes).

RAS active time (Row Adress Strobe) :

Noté parfois tRAS, c'est le temps nécessaire en cycle d’horloge pour sélectionner une ligne.

Le RAS precharge Time :

C’est l'intervalle de temps nécessaire avant d'envoyer une autre commande RAS. c'est-à-dire entre deux
accès à une ligne.

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Partie 3 : Mémoire vive La technologie
SDRAM
CAS delay (Column Address Strobe delay) :
Noté parfois CL ,C’est le temps nécessaire en cycle d’horloge pour sélectionner une colonne

Le RAS to CAS :
C’est le temps nécessaire pour passer du mode de sélection de lignes au mode de sélection de colonnes.
Tous ces temps sont exprimés en cycles d’horloge.
Lorsqu'on parle de timings mémoire on communique souvent les timings dans l'ordre suivant (même si
ce n'est pas indiqué) :
 CAS
 RAS to CAS
 RAS precharge
 RAS
Exemple :

Timing

Optimisation du timing
Les timings peuvent être configurés à partir du bios.Avoir des timings faibles permet de gagner en
performances. Attention cependant à ne pas trop forcer, car vous risqueriez de vous retrouver avec un
système instable. Dans tous les cas, avec des timings configurés de manière optimale, vous gagnerez
environ 5% de performances par rapport à des timings laissés par défaut.

Dual Channel
La plupart des contrôleurs mémoire proposent un fonctionnement en double canal (en anglais Dual
Channel) pour la mémoire. Il s'agit d'exploiter les modules de mémoire par paire afin de cumuler la
bande passante et ainsi exploiter au maximum les capacités du système. Il est essentiel, lors de
l'utilisation du Dual Channel, d'utiliser des barrettes identiques par paire (fréquence, CAS, capacité, et
préférentiellement de même marque).

Correction d’erreurs
Certaines barrettes de mémoire possèdent des systèmes de correction d'erreur afin de garantir l'intégrité
des données qu'elles contiennent. On les retrouve la plupart du temps sur les serveurs, surtout dans le
cas où la manipulation de données est critique. Lorsqu'une barrette possède ce système de correction, on

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Partie 3 : Mémoire vive La technologie
SDRAM
lui accole l'étiquette ECC (Error Correction Coding), et elle coûte plus cher.

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