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M E S U R E S - A N A LY S E S

Ti674 - Mesures et tests électroniques

Grandeurs électriques à mesurer

Réf. Internet : 42417 | 2nde édition

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III
Cet ouvrage fait par tie de
Mesures et tests électroniques
(Réf. Internet ti674)
composé de  :

Techniques de mesure analogiques et numériques Réf. Internet : 42416

Métrologie temps-fréquence Réf. Internet : 42415

Instrumentation de mesures électriques Réf. Internet : 42413

Grandeurs électriques à mesurer Réf. Internet : 42417

Mesures des télécommunications Réf. Internet : 42317

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IV
Cet ouvrage fait par tie de
Mesures et tests électroniques
(Réf. Internet ti674)

dont les exper ts scientifiques sont  :

Luc ERARD
Ingénieur ESE, Conseiller scientifique et technique du LNE

Ahmed MAMOUNI
Professeur à Polytech Lille (École polytechnique universitaire de Lille)

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V
Les auteurs ayant contribué à cet ouvrage sont :

Khalifa AGUIR Nicolas FELTIN Jérôme MANCEAU


Pour l’article : R1084 Pour l’article : R1085 Pour l’article : R995

Gilles AMENDOLA Brice GAUTIER Antti MANNINEN


Pour les articles : R1078 – Pour l’article : R1084 Pour l’article : R1002
R1079 – R1080
Pierre GOURNAY Aarne OJA
François BERNOT Pour l’article : R1084 Pour l’article : R1002
Pour l’article : R1035
Johannes HOFFMANN Nadine PESONEN
Yves BLANCHARD Pour l’article : R1084 Pour l’article : R1002
Pour les articles : R1078 –
R1079 – R1080 Frédéric HOUZÉ François PIQUEMAL
Pour l’article : R1084 Pour l’article : R1084
Lukasz BOROWIK
Pour l’article : R1084 Xavier JEHL André POLETAEFF
Pour l’article : R1085 Pour les articles : R965 – R1015 –
Nicolas CHEVALIER R1045
Pour l’article : R1084 Marc JOUVE
Pour l’article : R975 Jean-Marie POTEL
Pascal CHRÉTIEN Pour l’article : R1035
Pour l’article : R1084 Bernard KANTOROWSKI
Pour l’article : R1040 Patrick POULICHET
Christophe DELABIE Pour les articles : R1078 –
Pour les articles : R1078 – Anna-Maija KARKKAINEN R1079 – R1080
R1079 – R1080 Pour l’article : R1002
Olivier SCHNEEGANS
Dominique DERESMES André LECONTE Pour l’article : R1084
Pour l’article : R1084 Pour l’article : R1040
Heikki SEPPA
Nissim ELNÉKAVÉ Alain LEFÈVRE Pour l’article : R1002
Pour l’article : R1005 Pour l’article : R1035
Radomir SOUCEK
Jean-René EVAN Philippe MAILLOT Pour l’article : R1066
Pour l’article : R1025 Pour l’article : R1084
Gérard TRAPON
Pour l’article : R955

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VI
Grandeurs électriques à mesurer
(Réf. Internet 42417)

SOMMAIRE
Réf. Internet page

Méthodes de zéro en courant continu R955 9

Méthodes de zéro en courant alternatif R965 15

Mesure de tension en courant continu R975 21

Mesure des tensions alternatives R995 25

Applications des MEMS à la métrologie électrique R1002 31

Diviseurs de tension ou de courant R1005 35

Mesures d'intensité de courant électrique R1015 39

Puissance en courant continu et en courant alternatif R1025 43

Mesure des hautes tensions R1035 45

Mesure de déphasages R1045 49

Appareils de contrôle de la sécurité électrique R1040 55

Phénomènes parasites perturbant les mesures. Règles pour générateurs et multimètres R1066 61

Mesure des composants électroniques. Partie 1 : méthodes et précautions R1078 65

Mesure des composants électroniques. Partie 2 : mesure des composants passifs R1079 69

Mesure des composants électroniques. Partie 3 : mesure des composants actifs R1080 71

La nanoélectronique au service de la métrologie de l'ampère R1085 77

Techniques de mesure de grandeurs électriques adaptées aux nanocircuits R1084 83

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VII
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Méthodes de zéro
en courant continu
par Gérard TRAPON
Ingénieur, chargé d’études au Bureau national de métrologie BNM/LCIE
(Laboratoire central des industries électriques)

1. Rappels et définitions ............................................................................. R 955 - 2


1.1 Définition d’un réseau équilibré ................................................................. — 2
1.2 Propriétés d’un réseau équilibré ................................................................ — 2
1.3 Réseau à six branches de Wheatstone ...................................................... — 3
1.4 Détection de zéro, sensibilité...................................................................... — 4
1.4.1 Détection en courant .......................................................................... — 5
1.4.2 Détection en tension........................................................................... — 6
2. Méthodes de zéro appliquées à la mesure des résistances ......... — 6
2.1 Résistances étalons (raccordement et conservation de l’ohm) ............... — 6
2.1.1 Définitions, indéterminations « intrinsèques » ................................ — 6
2.1.2 Grandeurs d’influence........................................................................ — 9
2.2 Ponts de Wheatstone et de Thomson........................................................ — 10
2.2.1 Principe................................................................................................ — 10
2.2.2 Montage utilisé ................................................................................... — 10
2.2.3 Précautions à prendre ........................................................................ — 11
2.3 Comparateurs de courants à circuit magnétique...................................... — 12
2.3.1 Principe................................................................................................ — 12
2.3.2 Montage utilisé ................................................................................... — 13
2.3.3 Précautions à prendre ........................................................................ — 13
2.3.4 Utilisation d’un SQUID ....................................................................... — 14
2.4 Mesures à l’aide d’un diviseur de tension Kelvin-Varley ......................... — 14
2.4.1 Principe................................................................................................ — 14
2.4.2 Montage utilisé ................................................................................... — 16
2.4.3 Précautions à prendre ........................................................................ — 16
2.5 Méthodes propres aux résistances de très fortes valeurs ....................... — 17
2.5.1 Pont de Wheatstone asservi .............................................................. — 18
2.5.2 Méthode des deux générateurs......................................................... — 18
2.5.3 Précautions à prendre ........................................................................ — 18
3. Méthodes de zéro appliquées à la mesure de tensions ................ — 19
3.1 Piles étalons et références à diode zener (raccordement et conservation
du volt).......................................................................................................... — 19
3.1.1 Généralités .......................................................................................... — 19
3.1.2 Grandeurs d’influence........................................................................ — 19
3.1.3 Utilisation ............................................................................................ — 20
3.2 Méthodes potentiométriques ..................................................................... — 22
3.2.1 Principe................................................................................................ — 22
3.2.2 Montage utilisé ................................................................................... — 23
3.2.3 Précautions à prendre ........................................................................ — 23
3.3 Comparateur de courants à circuit magnétique ....................................... — 23
3.3.1 Principe................................................................................................ — 23
3.3.2 Montage utilisé ................................................................................... — 24
3.3.3 Précautions à prendre ........................................................................ — 24
3.4 Association à un diviseur résistif ............................................................... — 24
4. Autres procédés de mesures ou étalons de conservation ........... — 26
4.1 Mesures industrielles – appareils numériques ......................................... — 26
4.2 Étalons de conservation des laboratoires nationaux ............................... — 26
Pour en savoir plus........................................................................................... Doc. R 955
p。イオエゥッョ@Z@ェオゥョ@QYYW

Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite.
© Techniques de l’Ingénieur, traité Mesures et Contrôle R 955 − 1


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MÉTHODES DE ZÉRO EN COURANT CONTINU ________________________________________________________________________________________________

asés sur la méthode d’opposition (ou de zéro, ou d’équilibre ), les procédés


B qui vont être décrits ont été à l’origine de la métrologie électrique (pont
de C. H. Christie et C. Wheatstone ; potentiomètre de J.-C. Poggendorf ) : ils
regroupent les méthodes fondamentales utilisables pour la constitution d’un
laboratoire de mesures précises en courant continu.
Malgré le développement d’un appareillage de mesures électroniques qui
permet d’atteindre des incertitudes de plus en plus faibles et de joindre la rapidité
de lecture à la commodité d’un affichage numérique, les méthodes de zéro
continuent à être pratiquées dans tous les domaines de la métrologie électrique
de précision.
En effet, les méthodes de zéro mettent en jeu un rapport de deux grandeurs
passives (résistances, nombre de spires...), qui est souvent soit
« auto-étalonnable » soit « auto-ajustable ». On peut ainsi, et sans l’aide d’étalon
extérieur, soit connaître la valeur exacte de ce rapport, soit l’ajuster à sa valeur
nominale. Ces méthodes permettent donc de déterminer de façon très précise
le rapport entre la grandeur à mesurer et une grandeur de même type, mais
de valeur connue, dite grandeur étalon. L’élément représentatif de la grandeur
étalon assure, d’une part, le raccordement du laboratoire de mesures à l’étalon
national, et d’autre part, la conservation de l’unité dans le laboratoire, entre deux
raccordements successifs.
Le raccordement s’effectue par l’intermédiaire de la chaîne d’étalonnage mise
sur pied par le Bureau national de métrologie (BNM ) dans les années 70, et
dénommée actuellement « chaîne nationale d’étalonnage BNM-COFRAC ». Le
COFRAC (Comité français d’accréditation ) tient à la disposition des utilisateurs
la liste des laboratoires ou sociétés accrédités pour la délivrance de certificats
d’étalonnage.
Les méthodes de zéro qui vont être décrites permettent donc de réaliser la
traçabilité des grandeurs mesurées aux étalons nationaux, par l’intermédiaire
de l’étalon de raccordement et de conservation ; elles ont été classées en deux
grandes catégories, d’une part celles qui permettent la comparaison des résis-
tances, et d’autre part, celles qui permettent la comparaison des tensions
continues. En tête de chacune de ces deux parties sont rappelées les caracté-
ristiques, définitions métrologiques, grandeurs d’influence et précautions
d’emploi des éléments étalons utilisés (soit, respectivement, les résistances
étalons d’une part, et les piles étalons et référence à diode zener d’autre part ).
Pour plus de détails sur la définition et les grandeurs d’influences des
résistances étalons, le lecteur se reportera à l’article « Définition des caractéris-
tiques métrologiques d’éléments passifs [R 1075], du présent traité.
Au paragraphe 4, sont décrits de façon succincte les deux phénomènes
physiques mis en œuvre dans les laboratoires nationaux de métrologie pour la
conservation de l’ohm et du volt (soit, respectivement, l’effet Hall quantique et
l’effet Josephson ).

1. Rappels et définitions mètre lorsqu’elle concerne à la fois les résistances et les forces élec-
tromotrices.

1.1 Définition d’un réseau équilibré


1.2 Propriétés d’un réseau équilibré
Un réseau équilibré est un réseau qui possède au moins une
branche dans laquelle le courant est nul. La résistance de cette
branche (qui sera appelée branche morte ou branche de détection) Si l’on numérote les branches du réseau à partir d’indices i, j, k, ...,
peut être modifiée sans qu’aucune variation n’intervienne pour les on peut exprimer le courant passant dans la branche i sous la forme :
courants circulant dans les autres branches du réseau. m
Le réseau équilibré est qualifié de pont lorsque la relation Ii = ∑ Gij ⋅ Uj
d’équilibre concerne uniquement les résistances, et de potentio- j=1

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R 955 − 2 © Techniques de l’Ingénieur, traité Mesures et Contrôle

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_______________________________________________________________________________________________ MÉTHODES DE ZÉRO EN COURANT CONTINU

avec Gij conductance de transfert entre les branches i et j


(conductance dont le signe tient compte du choix,
arbitraire, des polarités des sources et des sens des
courants),
m nombre total des branches du réseau.
■ Pour un réseau à une seule source Us , dans la branche s, l’annu-
lation du courant Id dans la branche de détection d se traduit par :
Id = Gds · Us = 0
Le type même de circuit satisfaisant à cette relation est le pont
de Wheatstone (figure 1), pour lequel, à l’équilibre Gds = 0.
Figure 1 – Pont de Wheatstone
■ Pour deux sources de fém U1 et U2 , l’annulation du courant dans
la branche d s’exprime par :
Gd1 · U1 + Gd2 · U2 = 0

ce qui entraîne :
— soit Gd1 = Gd2 = 0, cas auquel on réservera le nom de pont
double ;
Gd 1 U2
— soit -----------
- = – ------- , le réseau étant équilibré pour des tensions
Gd 2 U1
proportionnelles aux conductances de transfert (figure 2).
■ Un cas particulier est celui où la branche de détection comporte
une fém Ed . L’annulation du courant Id implique alors l’égalité entre
la tension à vide du réseau vue de la branche de détection
déconnectée, et la fém Ed .
À partir du courant de court-circuit du réseau en A et B :
Figure 2 – Montage pour la mesure de résistances de fortes valeurs
I cc = ∑ Gij U
j

(Gij étant les conductances de transfert pour le court-circuit), le


théorème de Thévenin permet d’écrire la tension à vide sous la
forme :
U V = R ∑ G ij U
j

où R est la résistance équivalente du circuit de Thévenin. Ce circuit


est caractéristique du circuit potentiométrique (figure 3).

1.3 Réseau à six branches de Wheatstone

La figure 4 représente un tel réseau qui comprend 6 branches Figure 3 – Circuit potentiométrique
possédant des résistances, R0 à R5 , et des forces électromotrices,
U0 à U5 ; chaque branche est parcourue par un courant, I0 à I5 .
Le sens convenu pour les forces électromotrices et pour les
courants est indiqué sur la figure.
Les relations de Kirchhoff pour les mailles [A,B,D], [B,C,D] et
[C,A,B] s’écrivent :
I0 R0 + I1 R1 – I2 R2 = U0 + U1 – U2
– I0 (R0 + R3 + R4) + I1 R4 – I2 R3 = – U0 – U3 + U4 (1)
– I0 R4 + I1 (R1 + R4 + R5) + I2 R5 = U1 + U4 + U5

Figure 4 – Réseau général à six branches de Wheatstone

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MÉTHODES DE ZÉRO EN COURANT CONTINU ________________________________________________________________________________________________

En notant ∆ le déterminant : s’annule, quelles que soient les valeurs de R 0 et R 5 lorsque


R2 R 4 = R1 R3 .
R0 R1 – R2 Si l’on suppose nulles toutes les fém sauf une [par exemple U5
– ( R0 + R3 + R4 ) sur la figure 4 et dans les expressions (1)], on réalise un pont de
∆ = R4 – R3
Wheatstone dont la relation d’équilibre s’exprime indifféremment
– R4 R1 + R4 + R5 R5 sous l’une des formes équivalentes, pour des rapports égaux :
R2 R4 = R1 R3
on peut écrire les solutions du système d’équations (1) sous la
forme : R1 R
ou ------ = -----4-
R2 R3
j=5  R1 R4
I0 ⋅ ∆ = ∑ K0 j ⋅ Uj  ou ------------------- = ------------------- , ...,
R1 + R2 R4 + R3

j=0

j=5
 lorsque le courant I0 s’annule. Une des résistances du pont est
I1 ⋅ ∆ = ∑ K1 j ⋅ Uj  (2) déterminée par la connaissance des trois autres, ou par la
j=0  connaissance de l’une d’elles et du rapport des deux autres.

j=5  Le réglage du pont s’effectue en général sur l’une des résistances
I2 ⋅ ∆ = ∑ K2 j ⋅ Uj  du pont, le rapport des deux autres (bras de proportion, ou tête de

j=0  pont) étant modifié par bonds.
Le principe de réciprocité permet d’affirmer qu’un réseau équilibré
et en tirer les équations, sous la même forme, pour les courants pour un couple de branches : source (R5 ) et détection (R0 ), l’est
I3 = I2 + I0 , I4 = I1 – I0 et I5 = I1 + I2 . également pour le couple opposé : source (R0 ) et détection (R5 ), où
Enfin, la résolution complète du système permet de déduire toutes l’on intervertit les rôles source/détecteur (symétrie du tableau 1).
les conductances de transfert :
K ij
G ij = -------

- 1.4 Détection de zéro, sensibilité
Les coefficients K ij , qui sont donc égaux aux produits des
conductances de transfert Gij par le déterminant ∆, sont donnés dans L’étude d’un pont au voisinage de l’équilibre va être effectuée, ici,
le tableau 1 pour les six courants de branches. sur l’exemple du réseau général à six branches de la figure 4, ramené
au réseau à une seule source, qui constitue le pont de Wheatstone
Dans ce tableau, on notera :
de la figure 1.
— la symétrie axiale, conforme au principe de réciprocité ;
— la possibilité d’annuler la conductance de transfert entre deux Pour les autres cas de ponts ou potentiomètres, décrits dans les
branches non consécutives, par un choix convenable des résistances paragraphes 2 et 3, les calculs peuvent être faits de façons similaires,
des quatre autres branches. Ainsi, pour les branches 0 et 5, la en utilisant les mêmes procédés.
conductance de transfert, soit : (0)

R2 R4 – R1 R 3
-----------------------------------
-

Tableau 1 – Conductance de transfert du réseau de Wheatstone : Gij

Tension Courant ∆ · Ii , dans la branche i de résistance Ri


branche
j, Uj ∆ · I5 ; R 5 ∆ · I1 ; R 1 ∆ · I2 ; R 2 ∆ · I3 ; R 3 ∆ · I4 ; R 4 ∆ · I0 ; R 0

(R3 + R4) (R1 + R2) (R3 + R4) R2 (R3 + R4) R1 (R1 + R2) R4 (R1 + R2) R3 R2 R4 – R1 R3
U5
+ (R1 + R2 + R3 + R4) R0 + (R2 + R3) R0 + (R1 + R4) R0 + (R1 + R4) R0 + (R2 + R3) R0
(R3 + R4) R2 (R5 + R2) (R0 + R4) – (R4 + R5) R3 R 2 R4 – R0 R 5 (R3 + R0) R2 (R2 + R3) R4
U1
+ (R2 + R3) R0 + (R0 + R2 + R4 + R5) R3 – (R0 + R4) R5 + (R3 + R5) R0 + (R3 + R4) R5
(R3 + R4) R1 – (R4 + R5) R3 (R0 + R3) (R1 + R5) (R0 + R4) R1 R1 R3 – R0 R5 – (R1 + R4) R3
U2
+ (R1 + R4) R0 – (R0 + R4) R5 + (R0 + R1 + R3 + R5) R4 + (R4 + R5) R0 – (R3 + R4) R5
(R1 + R2) R4 R 2 R 4 – R0 R 5 (R0 + R4) R1 (R4 + R5) (R0 + R2) – (R2 + R5) R1 (R1 + R4) R2
U3
+ (R1 + R4) R0 + (R4 + R5) R0 + (R0 + R2 + R4 + R5) R1 – (R0 + R2) R5 + (R1 + R2) R5
(R1 + R2) R3 (R3 + R0) R2 R1 R3 – R0 R5 – (R2 + R5) R1 (R3 + R5) (R0 + R1) – (R2 + R3) R1
U4
+ (R2 + R3) R0 + (R3 + R5) R0 – (R0 + R2) R5 + (R0 + R1 + R3 + R5) R2 – (R1 + R2) R5
R2 R4 – R 1 R 3 (R2 + R3) R4 – (R1 + R4) R3 (R1 + R4) R2 – (R2 + R3) R1 (R1 + R4) (R2 + R3)
U0
+ (R3 + R4) R5 – (R3 + R4) R5 + (R1 + R2) R5 – (R1 + R2) R5 + (R1 + R2 + R3 + R4) R5

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R 955 − 4 © Techniques de l’Ingénieur, traité Mesures et Contrôle

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_______________________________________________________________________________________________ MÉTHODES DE ZÉRO EN COURANT CONTINU

Selon la résistance interne du détecteur utilisé, l’étude devra être La valeur initiale du courant I1 se déduit de l’expression (2) et du
effectuée en calculant, pour un déséquilibre donné, soit le courant tableau 1 :
qui traverse la branche de détection, soit la tension à ses bornes. I1∆ = k15 U5
Les détecteurs de faible résistance interne (< 10 kΩ) ont presque
( R3 + R4 ) R2 + ( R2 + R3 ) R0
totalement disparu du marché ; c’est le cas en particulier des I 1 = -------------------------------------------------------------------------- U 5
galvanomètres à cadre mobile qui ne sont plus guère utilisés que ∆
par le constructeur canadien Guildline pour ses ponts à comparateur
de courant (§ 2.3 et 3.3). Sous l’effet de la fém r1 I1 , le courant I0 de la branche de détection,
nul à l’origine, devient [expression (2) et tableau 1] :
Les détecteurs de très forte résistance interne (plusieurs
mégohms, voire gigaohms) sont maintenant les plus répandus. Ils I0 ∆ = k01 r1 I1
sont souvent dénommés « microvoltmètres » ou
soit :
« nanovoltmètres » et peuvent être analogiques (les plus pratiques
pour une détection de zéro) ou numériques. 冤 ( R 2 + R 3 )R 4 + ( R 3 + R 4 )R 5 冥 ⋅ 冤 ( R 3 + R 4 )R 2 + ( R 2 + R 3 )R 0 冥
Remarque : pour plus de détails sur tous ces appareils, leurs caractéristiques et - r1 U5
I 0 = -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
précautions d’emploi, le lecteur se reportera avec profit à l’article [4] du présent traité (voir ∆2
également dans cet article, les problèmes de détection liés aux boucles de masse, aux
couplages magnétiques et électrostatiques, aux bruits thermiques, aux réjections de mode après simplification algébrique :
commun...).
Le tableau A (en documentation « Pour en savoir plus » R2 R3
I 0 = -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- r 1 U 5
[Doc. R 955]) résume, de façon non exhaustive, les constructeurs, 冤 ( R 1 + R 3 )R 2 + ( R 1 + R 2 )R 5 冥 ⋅ 冤 ( R 1 + R 2 )R 3 + ( R 1 + R 3 )R 0 冥
importateurs et caractéristiques principales des principaux appareils
utilisables comme détecteurs de zéro. r1
En faisant apparaître la variation relative de R 1 , ------- , l’expression
R1
1.4.1 Détection en courant du courant I0 dans la branche de détection peut se mettre sous la
forme :
r1
Méthode utilisable dans le cas où le déséquilibre du pont ou I 0 = σ ⋅ ------ ⋅ U 5
R1
du potentiomètre provoque le passage d’un courant non
négligeable dans la branche de détection [détecteur de faible où σ représente la sensibilité en courant du dispositif de mesure :
résistance interne].
R1 R2 R3
σ = -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
- (3)
À partir de la figure 1 et des conductances de transfert du 冤 ( R 1 + R 3 )R 2 + ( R 1 + R 2 )R 5 冥 ⋅ 冤 ( R 1 + R 2 )R 3 + ( R 1 + R 3 )R 0 冥
tableau 1, on peut évaluer la variation de courant dans la branche
de détection R0 , lorsqu’une des résistances du pont, R1 par exemple, Il est possible de choisir des résistances R2 et R4, considérées
se trouve légèrement modifiée à partir de sa valeur d’équilibre comme variables, pour que la valeur de σ soit maximale. Pour cela,
on est conduit à calculer les dérivées partielles de (3), σ (R2 , R4), par
R2 R4
冢R 1 = --------------冣 . Soit r1 l’accroissement de R1 . rapport à R2 et R4 et à les rendre égales à zéro :
R3
∂σ
Cette modification équivaut, pour l’ensemble du réseau, à l’inser- σ R′ 2 = ----------- = 0
∂R 2
tion d’une fém I1 r1 dans la branche R1 (théorème de compensation),
avec I1 : valeur initiale du courant dans cette branche. ∂σ
σ R′ 4 = ----------- = 0
Après modification de la résistance R1, le réseau se présente selon ∂R 4
la configuration de la figure 5.
On trouve ainsi que les valeurs de R2 et R4 sont données par un
système d’équations dont la résolution conduit à ce que l’on nomme
les conditions de Heaviside :

R1 + R0
R1 = R 1 R 5 -------------------
R1 + R5

R1 + R5
R4 = R 1 R 0 -------------------
R1 + R0
R2 R4
(avec R 3 = ------------- )
R1
Malheureusement, le gain de sensibilité obtenu en se conformant
aux conditions de Heaviside est assez modeste. On trouvera dans
le tableau 2 quelques résultats du calcul de sensibilité obtenus dans
des cas pratiques simples.
(0)

Figure 5 – Pont de Wheatstone déséquilibré

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MÉTHODES DE ZÉRO EN COURANT CONTINU ________________________________________________________________________________________________

Tableau 2 – Valeurs de sensibilités, en courant, 2. Méthodes de zéro


du pont de Wheatstone
appliquées à la mesure
R2 R3 R4 ␴ des résistances
(Ω) (Ω) (Ω) (mA/V ou mS)

60 60 1 000 0,150 2.1 Résistances étalons (raccordement


80 80 1 000 0,152 et conservation de l’ohm)
140,72 100 710,6 0,157
200 200 1 000 0,152 Les résistances étalons sont utilisées en tant qu’élément de
400 400 1 000 0,145 raccordement à l’unité nationale d’une part, et de conservation de
2 000 2 000 1 000 0,099 cette unité entre deux raccordements successifs, d’autre part. La
avec : R0 = 103 Ω ;R5 = 10 Ω et R1 = 103 Ω première fonction est assurée par un étalonnage régulier (annuel par
(les conditions de Heaviside sont remplies pour R3 = 100 Ω)
exemple) dans un des laboratoires accrédités de la chaîne nationale
d’étalonnage BNM-COFRAC ; la seconde fonction consiste à
comparer, à l’aide d’une des méthodes de zéro qui vont être décrites,
les étalons de travail du laboratoire à l’étalon de raccordement.
1.4.2 Détection en tension L’utilisation d’éléments différents, pour les mesures de routine et
pour le raccordement aux étalons nationaux, permet de réduire
considérablement les risques de variations accidentelles des étalons
Méthode utilisable lorsque le déséquilibre du pont provoque le (résultant de chocs, de surcharge électrique...) ; elle permet
passage d’un courant négligeable dans la branche de détection également de lever un doute éventuel sur la valeur de l’un des étalons
[cas d’un détecteur de très forte résistance interne, devant les de travail, sans être obligé de s’en séparer pour un étalonnage par
résistances des bras du pont]. un laboratoire extérieur.
Bien entendu, la qualité essentielle d’une résistance qui devra être
Sur le pont représenté sur la figure 5, si l’on suppose que la résis- utilisée, et mesurée, en des lieux différents est que sa valeur puisse
tance de source R5 est faible devant les autres résistances du bras être reproduite sans ambiguïté, quels que soient les utilisateurs et
de pont (R5 de l’ordre de 1 à 100 mΩ pour les générateurs de tension les lieux d’utilisation. Cette caractéristique est obtenue dès la
continue modernes), un accroissement r1 de la résistance d’équilibre construction de l’appareil, par une forme et une disposition des
R1 est équivalent, au second ordre près, à la mise en série d’une bornes d’accès qui permettent une définition parfaite de l’élément
force électromotrice e = r1 I1 avec le bras du pont, I1 étant la valeur métrologique.
du courant initial. D’une façon générale, le problème de la définition des caracté-
Cette force électromotrice apparaît directement aux bornes du ristiques métrologiques d’éléments résistifs se présente sous les
détecteur, pour peu que la résistance interne de ce dernier soit assez deux aspects suivants :
importante ( R 0 Ⰷ R 1 à R 4 ) . — celui des indéterminations « intrinsèques » (qui se manifestent
par l’influence des conditions d’insertion de l’élément dans un
U
e = r 1 I 1 = r 1 -------------------- circuit) ;
R1 + R4 — celui de l’action des grandeurs d’influence (par exemple la
température, la puissance dissipée,...) sur la grandeur métrologique.
e r1 1
---- = ------ ⋅ -------------
U R1 1 + k
R R 2.1.1 Définitions, indéterminations
avec k = -----4- = ------3- , le rapport du pont à l’équilibre. « intrinsèques »
R1 R2
e 1
La sensibilité, ---- , est donc proportionnelle à ------------ , pour une varia-
U 1+k La valeur d’un élément résistif entre deux points A et B est définie
comme étant le rapport entre la tension qui apparaît entre ces deux
r1
tion relative ------ donnée de la résistance de bras R1 ; elle atteint ses points par le courant qui y circule.
R1
Dans la pratique, la mesure de la tension entre les points A et B
valeurs maximales pour un rapport inférieur à 1. nécessite la connexion de conducteurs sous les bornes d’accès à ces
Autrement dit, pour un pont de Wheatstone dont la résistance deux points. La position des points de définition A et B doit être
variable d’ajustage se trouve dans le bras R1, dont le rapport de tête indépendante de la façon dont l’utilisateur réalise la connexion sur
de pont s’effectue par le réglage des résistances R3 et R4 (en général la surface des bornes d’accès (état de la surface, force de serrage,
une de ces résistances est fixe et l’autre variable par puissance de emplacement) ; pour cela, on dispose de deux paires de bornes
10) et dont la résistance inconnue se trouve dans le bras R2, la séparées pour la mesure de tension et pour les amenées de courant.
meilleure finesse d’équilibre sera obtenue par un choix des La jonction entre chacune des paires de bornes est effectuée par le
résistances de tête de pont R3 et R4 tel que R4 < R1 . constructeur aux points de définition A et B de la résistance, d’une
façon non modifiable (soudure par exemple), et non accessible par
l’utilisateur.
Pour ce qui concerne la mesure du courant circulant dans l’élément
métrologique, elle ne peut s’effectuer que par la mesure du courant
qui y pénètre, ou par la mesure du courant qui en sort. Dans les
deux cas, la mesure ne doit pas être perturbée par la présence de
courants dérivés, soit dans le circuit de mesure de tension, soit dans
les résistances d’isolement.

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Méthodes de zéro en courant


alternatif
par André POLETAEFF
Ingénieur diplômé du Conservatoire national des arts et métiers (CNAM)
Ingénieur chargé d’études et de recherches en métrologie basses fréquences au
Laboratoire national de métrologie et d’essais (LNE)

1. Rappels.............................................................................................. R 965v2 – 2
1.1 Généralités sur les méthodes de mesure .......................................... — 2
1.2 Remarque importante sur la condition d’équilibre d’un pont
en régime alternatif ............................................................................ — 3
1.3 Caractéristiques d’un pont de mesure .............................................. — 3
2. Ponts de type Wheatstone ............................................................ — 3
2.1 Description et condition d’équilibre .................................................. — 3
2.2 Contraintes pratiques ......................................................................... — 3
2.3 Ponts P/Q ............................................................................................ — 4
2.4 Ponts P.Q ............................................................................................ — 5
2.5 Ponts P.C ou ponts d’Owen ............................................................... — 6
2.6 Ponts P/C ou ponts de Shéring .......................................................... — 7
2.7 Ponts dérivés du pont de type Wheatstone ...................................... — 8
2.8 Mise en œuvre pratique de ponts de type Wheatstone.................... — 10
3. Principe des ponts à transformateurs ........................................ — 10
3.1 Pont à transformateur de potentiel ................................................... — 10
3.2 Pont à transformateur de potentiel et transformateur de courant ... — 11
3.3 Pont universel à double transformateur ........................................... — 11
4. Détecteurs de zéro.......................................................................... — 12
4.1 Facteurs influençant la détection de zéro en alternatif ..................... — 12
4.2 Détection synchrone .......................................................................... — 12
4.3 Détecteurs synchrones ....................................................................... — 14
5. Ponts coaxiaux ................................................................................ — 16
5.1 Intérêt des ponts à structure coaxiale et contraintes engendrées ... — 16
5.2 Définition de l’impédance en structure coaxiale............................... — 17
5.3 Transformateurs ................................................................................. — 18
5.4 Exemple de pont destiné à la comparaison d’impédances .............. — 21
5.5 Incertitudes pouvant être obtenues au moyen de ponts coaxiaux .. — 22
6. Conclusion........................................................................................ — 23
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. R 965v2

L es méthodes de zéro sont couramment utilisées en métrologie. Elles per-


mettent de comparer soit directement, soit par l’intermédiaire d’un pont
de mesure, la grandeur à mesurer à un étalon. Le choix de l’une ou de l’autre
de ces méthodes repose sur la nature de cette grandeur, les étalons disponibles
et dépend également de la fréquence à laquelle on désire effectuer la mesure
ainsi que de l’incertitude souhaitée. Dans cet article, nous considérons unique-
ment les mesures d’impédance.
Les ponts les plus couramment rencontrés et aussi les plus simples sont les
p。イオエゥッョ@Z@、←」・ュ「イ・@RPQS

ponts de type Wheatstone. Une place importante leur est donc consacrée (§ 2).
Les différentes configurations dans lesquelles ils peuvent être utilisés y sont

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MÉTHODES DE ZÉRO EN COURANT ALTERNATIF –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

décrites, avec pour chacune d’elles le type d’impédance pour lequel elle est le
mieux adaptée. Les ponts à transformateurs sont aussi largement utilisés du
fait, d’une part, de leur bonne précision et de l’influence relativement faible des
conditions environnementales sur leurs performances et, d’autre part, de leur
coût relativement bas. Le principe de ces ponts est également présenté (§ 3).
La réalisation de l’équilibre constituant un point clef dans toutes les méthodes
de zéro, le choix du « détecteur de zéro » qui permet de réaliser cet équilibre
peut devenir crucial. La technique la plus performante pour extraire un signal
alternatif de faible amplitude d’un bruit pouvant être nettement prépondérant,
dite « technique de détection synchrone », est décrite en détail et les deux gran-
des familles de détecteurs synchrones modernes actuellement disponibles sur
le marché sont présentées (§ 4). Des considérations d’ordres technique de
même qu’économique sont évoquées.
Enfin, lorsque des incertitudes très petites sont recherchées ou lorsqu’on
désire effectuer des mesures à des fréquences élevées, l’adoption d’un mon-
tage en structure coaxiale peut s’avérer incontournable. Les principes de base
régissant la mise en œuvre de ponts coaxiaux, la description des éléments spé-
cifiques qui les constituent ainsi que deux exemples de réalisation complètent
cette présentation (§ 5).

La seule qualité requise par l’appareil de mesure qui prend alors


1. Rappels le nom de « détecteur » est la sensibilité. L’intérêt de ces méthodes
réside donc dans le fait que l’influence de l’appareil de mesure sur
le résultat se trouve minimisé.
On distingue en fait trois classes parmi les méthodes de zéro :
1.1 Généralités sur les méthodes
– les méthodes de pont ;
de mesure – les méthodes potentiométriques ;
Les méthodes utilisées pour mesurer une grandeur peuvent être – les méthodes de mesure directe d’un facteur de transfert.
classées en trois catégories :
1.1.3.1 Méthodes de pont
– les méthodes de déviation ;
Un pont de mesure est constitué par la mise en opposition de
– les méthodes de comparaison ; deux tensions ou de deux courants obtenus par l’intermédiaire de
– les méthodes de zéro. deux circuits électriques passifs, alimentés par la même source. Un
détecteur de zéro sert à réaliser cette mise en opposition. Le pont
1.1.1 Méthodes de déviation est dit « équilibré » lorsque le détecteur indique zéro.
Elles correspondent au cas où la grandeur à mesurer est appli- Cet équilibre s’obtient lorsque les différentes impédances utili-
quée directement sur l’appareil de mesure qui, analogiquement sées dans les circuits passifs vérifient une certaine relation. Les
ou numériquement, en fournit la mesure. ponts de mesures sont donc des outils particulièrement bien adap-
tés pour mesurer une impédance par rapport à d’autres.
Pour que le résultat soit satisfaisant, il est donc nécessaire que
cet appareil soit suffisamment juste, fidèle et sensible. 1.1.3.2 Méthodes potentiométriques
À partir d’une source de référence et d’un circuit électrique de
1.1.2 Méthodes de comparaison caractéristiques connues, on élabore une grandeur (différence de
potentiel ou courant électrique) dont on peut ainsi connaı̂tre la
La mesure de la grandeur est obtenue par comparaison à une valeur. Cette grandeur est mise en opposition avec une grandeur
autre grandeur connue et de même nature. Pour ce faire, on utilise inconnue de même nature par l’intermédiaire d’un détecteur. Le
un appareil approprié relié successivement à la première grandeur, montage ainsi constitué est un potentiomètre de mesure qui, lors-
puis à la seconde. qu’il est équilibré, fournit la mesure de la grandeur inconnue.
Les qualités indispensables de cet appareil sont alors la fidélité et
la sensibilité. 1.1.3.3 Méthodes de mesure directe d’un facteur de
transfert
1.1.3 Méthodes de zéro Considérons un circuit électrique dans lequel on s’intéresse au rap-
port de deux grandeurs (par exemple : gain en tension d’un amplifi-
Dans les méthodes de zéro, la grandeur à mesurer est également cateur). On peut évidemment le calculer après avoir mesuré successi-
comparée à une grandeur de référence. Ces deux grandeurs, à un vement les deux grandeurs. Cependant, il est possible dans certains
facteur connu près, sont appliquées simultanément et en opposi- cas d’imaginer un montage qui mette en opposition ces deux gran-
tion à l’appareil de mesure qui donne donc une indication liée à deurs. La valeur du rapport se détermine alors directement, quand
leur différence. Quand cet appareil indique zéro, les deux gran- l’équilibre est atteint, à partir des caractéristiques connues du circuit
deurs, à ce facteur près, sont égales. de mesure utilisé pour obtenir l’opposition.

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– MÉTHODES DE ZÉRO EN COURANT ALTERNATIF

1.2 Remarque importante sur la condition C


d’équilibre d’un pont en régime I2
alternatif
V1 V2
Quel que soit le type de pont utilisé, l’équilibre est obtenu lorsque
les impédances qui le composent vérifient une certaine relation. Les
impédances étant caractérisées par des nombres complexes, cette
relation porte elle aussi sur des nombres complexes. Elle induit donc Z1
deux équations d’équilibre qui, selon la notation utilisée, portent : I1
– soit sur les modules des impédances pour l’une et les argu- Z2
ments pour l’autre ; A D B
– soit sur les parties réelles pour l’une et les parties imaginaires I4
Z4
pour l’autre.
Z3

1.3 Caractéristiques d’un pont de mesure


L’étude théorique détaillée des caractéristiques dont il est question
dans ce paragraphe sort du cadre de cet article. Nous nous limiterons
à donner les définitions ainsi que quelques remarques pratiques. V4 V3

1.3.1 Sensibilité I3
D
Le pont est d’autant plus sensible que la déviation du détecteur
est plus importante pour un même petit écart par rapport à la V
condition d’équilibre.
On peut définir de façon quantitative la sensibilité globale du
montage SZR lorsqu’on règle l’impédance ZR faisant partie du pont
par l’expression : G

⎛ ∂l ⎞
SZR = ⎜
⎝ ∂Z R ⎠⎟ Z = ZR 0
R Figure 1 – Ponts de type Wheatstone

avec l indication fournie par le détecteur,


Le pont est dit « équilibré » lorsque le voltmètre détecte une ten-
ZR0 valeur de l’impédance ZR correspondant à sion nulle entre les nœuds C et D, ce qui implique :
l’équilibre.
Z 2 .I2 = Z 3 .I3 et Z 4 .I4 = Z1.I1.
1.3.2 Convergence
Par ailleurs, le fait qu’aucun courant ne circule à travers le volt-
Nous avons vu (§ 1.2) que la condition d’équilibre d’un pont alter- mètre implique :
natif correspond en fait à deux relations. Ceci implique qu’il y a
dans un tel montage au moins deux éléments de réglage. Il nous I1 = I2 et I3 = I4 .
faut donc trouver une réponse aux questions suivantes :
La condition d’équilibre du pont se déduit de la combinaison de
– quels éléments de réglage choisir ? ces quatre dernières équations, soit :
– quel doit être le processus de réglage pour que l’équilibre du
pont puisse être atteint en un nombre minimal d’opérations, donc
Z1.Z 3 = Z 2 .Z 4 .
le plus vite possible ?
Les réponses à ces questions ne peuvent être obtenues que par
l’examen détaillé du cas particulier envisagé. C’est l’étude de la
2.2 Contraintes pratiques
convergence du pont. Notons que la rapidité de la convergence Les ponts de type Wheatstone sont utilisés essentiellement pour
dépend également de la compétence ou habileté de l’opérateur. mesurer une impédance. Celle-ci constituera donc une des bran-
ches du pont, les trois autres étant formées d’associations d’impé-
dances simples et connues servant d’étalons. L’élaboration de la
2. Ponts de type Wheatstone structure de ces branches doit tenir compte de plusieurs facteurs :
– le premier est lié au fait que, dans la pratique, les seuls dipôles
étalons réalisables avec une précision suffisante et dans une gamme
2.1 Description et condition d’équilibre de valeurs assez étendue sont les résistances et les condensateurs.
Les performances des inductances réelles sont assez limitées ;
Le schéma de base des ponts de type Wheatstone utilisés en – le second provient de la nature de l’impédance inconnue. Celle-
courant alternatif est le même que celui du pont de Wheatstone uti- ci peut avoir une composante réactive capacitive (à argument posi-
lisé en courant continu. Il est constitué par quatre impédances tif) ou inductive (à argument négatif). Dans les deux cas le pont
notées Z1 à Z4 et associées, comme indiqué sur la figure 1. Un doit pouvoir être équilibré ;
générateur de tension alternative alimente le pont entre les – en troisième lieu, la structure choisie doit être aussi simple que
nœuds A et B et un voltmètre permet de mesurer la tension déve- possible.
loppée entre les nœuds C et D.
La prise en compte de ces facteurs conduit, dans la pratique cou-
Cette tension s’écrit : rante, à faire les choix suivants :
VC − VD = V2 − V3 = Z 2 .I2 − Z 3 .I3 d'une part, – l’une des branches, qui servira effectivement de réglage du pont,
sera composée d’une résistance et d’un condensateur, connectés en
= V4 − V1 = Z 4 .I4 − Z1.I1 d'autre
e part.
série ou en parallèle ;

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MÉTHODES DE ZÉRO EN COURANT ALTERNATIF –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

– les deux autres branches de référence seront constituées 2.3 Ponts P/Q
chacune d’un dipôle simple dont les valeurs, généralement
maintenues constantes, fixent la plage de mesure. Ces éléments Ils correspondent au cas où les impédances Z3 et Z4, notées res-
peuvent être soit deux résistances, soit une résistance et un pectivement Q et P, sont des résistances pures (voir figure 2a). La
condensateur. condition d’équilibre (1) s’écrit donc en utilisant la notation
trigonométrique :
Ces ponts peuvent ainsi être regroupés en quatre catégories : les
ponts P/Q, les ponts P.Q, les ponts P.C et enfin les ponts P/C. Q. Z X .exp ( j .φX ) = P . Z 0 .exp ( j .φ0 ) .

C C

ZX Z0 ZX Q

A D B A D B

P Q P Z0

D D

G G

a pont P/Q b pont P.Q

C C

ZX Z0 ZX C

A D B A D B

P C P Z0

D D

G G

c pont P.C d pont P/C

Figure 2 – Différentes structures utilisées pour les ponts de Wheatstone en courant alternatif

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– MÉTHODES DE ZÉRO EN COURANT ALTERNATIF

Cette égalité entraı̂ne automatiquement fX = f0 soit :


Les arguments des impédances ZX et Z0 étant égaux, celles-ci
⎧ P
⎪⎪RXs = Q .R0
sont de même nature.

2.3.1 Pont P/Q série ou pont de Sauty-Wien ⎪C = Q .C
⎪⎩ Xs P 0
Dans ce pont, l’impédance Z0 est constituée par un condensateur
C0 en série avec une résistance R0 (voir figure 3a). La condition Ce pont est particulièrement bien adapté à la mesure d’impédan-
d’équilibre (1) s’écrit : ces capacitives à faibles pertes (RXs relativement petit).

P P ⎡ 1 ⎤ 2.3.2 Pont P/Q parallèle ou pont de Nernst


ZX = .Z 0 = . ⎢R0 + ⎥
Q Q ⎣ j .C 0 .ω ⎦ L’impédance Z0 est ici constituée par un condensateur C0 en
parallèle avec une résistance R0 (voir figure 3b). La condition
où w est la pulsation de la tension alternative. d’équilibre s’écrit encore :
Pour que la relation d’équilibre soit indépendante de la fré-
P
quence, l’expression de ZX doit être de la même forme que celle ZX = .Z 0
de Z0. ZX doit donc être caractérisée par ses composantes série Q
RXs et CXs. On obtient alors :
1 P 1
1 P ⎡ 1 ⎤ soit = .
RXs + = . ⎢R0 + ⎥ Y X Q Y0
j .C Xs .ω Q ⎣ j .C 0 .ω ⎦
Q Q ⎡ 1 ⎤
ou encore YX = .Y0 = . ⎢ + j .C 0 .ω ⎥
P P ⎣ R0 ⎦
C
Pour que la relation d’équilibre soit indépendante de la fré-
CXs quence, ZX doit maintenant être caractérisée par ses composantes
parallèle RXp et CXp. On obtient alors :

1 Q ⎡ 1 ⎤
+ j .C Xp .ω = . ⎢ + j .C 0 .ω ⎥
R0 C0 RXp P ⎣ R0 ⎦
RXs
A B soit :

⎧ P
⎪⎪RXp = Q .R0

⎪C = Q .C
P Q ⎪⎩ Xp P 0

Ce pont est particulièrement bien adapté à la mesure d’impédan-


D
ces capacitives à pertes importantes (RXp relativement petit).

a pont de Sauty-Wien
2.4 Ponts P.Q
Dans ces ponts, ce sont les impédances étalons Z2 et Z4 qui sont
constituées de résistances pures, notées respectivement Q et P
C
(voir figure 2b). La condition d’équilibre du pont s’écrit :

CXp
C0 Z X .exp ( j .φX ) . Z 0 .exp ( j .φ0 ) = P .Q

Ce qui entraı̂ne automatiquement fX = - f0. Les impédances ZX et


Z0 sont donc de natures différentes (inductive pour la première,
RXp R0 capacitive pour la seconde).

2.4.1 Pont P.Q parallèle ou pont de Maxwell


L’impédance Z0 est constituée d’une résistance R0 et d’un conden-
sateur C0 connectés en parallèle (voir figure 4b). Z0 s’écrit donc :

P R0 /( j. C 0. ω ) R0
Q Z0 = =
R0 + 1/( j. C 0. ω) 1 + j .R0 .C 0 . ω
D et la condition d’équilibre devient :

b pont de Nernst P .Q 1 + j .R0 .C 0 .ω


ZX = = P .Q.
Z0 R0
Figure 3 – Ponts P/Q

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Mesure de tension
en courant continu

par Marc JOUVE


Licencié ès sciences physiques
Docteur de 3e cycle option hyperfréquences
Ingénieur responsable du Laboratoire de métrologie du LCIE de Toulouse

1. Méthodes de zéro..................................................................................... R 975 2


1.1 Potentiomètre .............................................................................................. — 2
1.2 Diviseur de tension...................................................................................... — 2
1.3 Utilisation d’un diviseur dans les mesures précises de tensions............ — 2
1.4 Comparateur de courants ........................................................................... — 3
2. Méthodes voltmétriques ........................................................................ — 3
2.1 Voltmètres à aiguilles .................................................................................. — 3
2.1.1 Voltmètre magnétoélectrique à cadre mobile................................... — 3
2.1.2 Voltmètre à aimant mobile ................................................................. — 4
2.1.3 Voltmètre électrostatique.................................................................... — 4
2.1.4 Autres voltmètres................................................................................ — 4
2.2 Voltmètres numériques............................................................................... — 5
2.2.1 Description d’un voltmètre numérique............................................. — 5
2.2.2 Techniques de conversion analogique-numérique .......................... — 5
2.2.3 Exactitude, résolution et linéarité d’un CAN .................................... — 9
2.2.4 Influence des parasites sur les mesures........................................... — 10
2.2.5 Caractéristiques des voltmètres numériques................................... — 10
3. Parallèle entre voltmètre analogique et numérique....................... — 11
4. Évolution des multimètres numériques............................................. — 11
4.1 Amélioration des caractéristiques des CAN.............................................. — 11
4.2 Fonction d’autocalibrage ............................................................................ — 12
5. Conclusion ................................................................................................. — 12
Références bibliographiques ........................................................................ — 12

orsque l’on désire réaliser une mesure de tension en courant continu, on a


L le choix entre diverses méthodes qui sont plus ou moins adaptées à ce que
l’on veut faire.
Nous pouvons classer les méthodes ou appareillages de mesures en trois
grandes catégories.
■ Méthodes d’opposition ou de zéro : les mesures sont faites par comparai-
son à des tensions de référence précises. Avec ce type de méthode, on peut
atteindre des incertitudes relativement faibles (10–5 à 10–7).
■ Méthodes utilisant des voltmètres analogiques : ces appareils convertis-
sent une tension en déplacement mécanique. Ils ne permettent pas d’atteindre
des incertitudes inférieures à quelques 10–3.
■ Méthodes utilisant des voltmètres numériques : la mesure est directe-
ment affichée sous forme de chiffres ; la plupart du temps, le changement de cali-
bre est automatique ainsi que l’indication de polarité.
p。イオエゥッョ@Z@ェオゥョ@QYYX

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MESURE DE TENSION EN COURANT CONTINU _______________________________________________________________________________________________

1. Méthodes de zéro 1.2 Diviseur de tension

Il existe un certain nombre de ponts potentiométriques ou des


Le diviseur de Kelvin-Varley est l’un des plus précis. C’est un divi-
méthodes de division de tension qui permettent d’effectuer des
seur résistif ; il a la particularité de présenter une résistance d’entrée
mesures de tension continue avec une très bonne exactitude. Ces
constante quel que soit le rapport de division. Les commutateurs
dispositifs sont décrits dans le fascicule [R 955] Méthodes de zéro en
des étages successifs permettent l’addition de tensions partielles
courant continu, auquel nous conseillons au lecteur de se reporter.
qui sont des fractions de la tension d’entrée. Le branchement des
Nous en rappelons seulement les principes.
résistances de chaque étage peut être réalisé soit en série, soit en
parallèle (figure 3). Ce diviseur sert à étalonner les diviseurs à rap-
port décimal, ainsi que les bras de proportion des ponts de Wheat-
1.1 Potentiomètre stone et de Kelvin.
Les diviseurs de Kelvin-Varley réalisés industriellement permet-
Le potentiomètre permet de comparer deux différences de poten- tent d’atteindre des exactitudes de l’ordre de 1 p.p.m (10–6) dans le
tiel en les opposant aux chutes de tension produites par un même meilleur des cas.
courant dans deux résistances (figure 1). Le rapport de division peut atteindre 10–7.
A l’équilibre des galvanomètres, on a :
e = ri = r U ⁄ R
donc : 1.3 Utilisation d’un diviseur
e⁄U = r⁄R. dans les mesures précises de tensions
La valeur des résistances donne directement le rapport e / U.
Pour des mesures précises, une des tensions peut être la f.é.m.
Lorsque l’on désire disposer d’une tension précise et finement
(force électromotrice) d’une pile étalon par exemple.
réglable, pour étalonner des générateurs de tension continue par
Le potentiomètre peut également servir à mesurer un courant I à exemple, on peut associer un diviseur de Kelvin-Varley à un diviseur
l’aide d’un shunt R (mesure de R I ) ou à comparer deux résistances de tension de référence à pas fixes, le diviseur Kelvin-Varley servant
X et R (figure 2) : alors à diviser finement la tension d’un pas. Ce système est la com-
UX posante essentielle du banc d’étalonnage Fluke type 7105 (figure 4).
X
-------- = ------
UR R Le diviseur à pas fixes est dit de référence, puisque l’on a la pos-
sibilité, par l’intermédiaire d’une sortie spéciale, de comparer (réfé-
L’exactitude de ce système est généralement de 1 × 10 –6 . rencer ou standardiser) la tension de sortie à celle délivrée par une
source stable et précise (référence Zener ou pile étalon).
Avec ce banc de mesure, on peut atteindre des exactitudes de
l’ordre de 1 × 10 –5 à 2 × 10 –5 .
i

Rh
G
R -- r
g
r U
e 11
10
g, G galvanomètres 9
Rh rhéostat
8
7
Figure 1 – Méthode potentiométrique : schéma de principe
(␣) 6
Entrée
5 (␥)
4
Rh
3 (␤)
G 2 (␦)
I0 1
Sortie

UX UR 11 R1 11 R2 11 R3 11 R4

X R
I
R1 = 104 ⍀ ; R2 = 2 x 103 ⍀ ; R3 = 4 x 102 ⍀ ; R4 = 80 ⍀
Lecture décimale du rapport tension de sortie/tension d'entrée :
G galvanomètre 10--1 ␣ + 10--2 ␤ + 10--3 ␥ + 10--4 ␦
Rh rhéostat

Figure 2 – Mesure d’une résistance à l’aide d’un potentiomètre Figure 3 – Diviseur de Kelvin-Varley

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R 975 − 2 © Techniques de l’Ingénieur, traité Mesures et Contrôle

RR
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_______________________________________________________________________________________________ MESURE DE TENSION EN COURANT CONTINU

Ref UX E

1,1 kV
G1 G2
R1 R2
1,0 kV
N1
N2
I1 I2

Rh1 Rh2
1,1 V Z D (2f )
G KV
1,0 V
Tension à mesurer
E i (f )
0,5 V
D (2f ) détecteur
E pile étalon
0,1 V G1, G2 galvanomètres
i (f ) courant d'excitation du modulateur (fréquence f )
Z
N1, N2 nombres de spires des enroulements
Rh1, Rh2 rhéostats
R1, R2 résistances à comparer
UX tension à mesurer
G générateur de tension stable
Z détecteur de zéro
E tension de référence (pile étalon) Figure 5 – Mesures de différences de potentiel à l’aide
Ref diviseur de référence d’un comparateur de courant
KV diviseur Kelvin-Varley

Figure 4 – Banc d’étalonnage Fluke 7105 Bien que ces appareils soient peu exacts (de l’ordre de ± 1.10–3 V )
et fragiles, ils restent utiles pour certaines applications ponctuelles.
Pour plus de détails, nous conseillons au lecteur de se reporter au
1.4 Comparateur de courants fascicule [R 945] Appareils indicateurs électriques analogiques.
Nous allons passer rapidement en revue les principaux types.
Il est basé sur la comparaison de deux courants, ceux-ci étant
comparés par la mesure des flux qu’ils créent dans des enroule-
ments (figure 5). 2.1.1 Voltmètre magnétoélectrique à cadre mobile
Pour la mesure de tensions, le courant I2 est maintenu constant
(séro sur G2) ; à l’équilibre on a : L’essentiel de l’appareil est un bobinage placé dans l’entrefer
cylindrique d’un aimant permanent.
E Lorsque le bobinage de N spires est parcouru par un courant i, un
I 2 = ------
R2 couple électrique γ se développe sur le cadre :
N2 I 2 E N2 γ = N ϕ i
et I 1 = -------------- -.
- = ---------------
N1 R2 N1
avec ϕ flux coupé par une spire du bobinage pour une
Aux bornes de R1, on dispose d’une tension variable proportion- rotation d’une unité d’angle.
nelle à N2 / N1. Le galvanomètre G1 permet de mesurer UX : Ce bobinage est ramené à son état d’origine par un ressort qui
R N développe un couple de rappel γR :
UX = R1 I 1 = -----1- ------2- E .
R2 N1 γ R = kα
Avec ce dispositif, des mesures de tension peuvent être réalisées
avec une exactitude de l’ordre de 10–6 à 10–7, la tension E étant alors avec α angle de déviation,
celle délivrée par une pile étalon (système Guildline 9930). k coefficient de raideur du couple de rappel.
A l’équilibre, on a :

γ = γ R et α = N ϕ i
2. Méthodes voltmétriques ---------------
k
On a donc proportionnalité entre la déviation α du bobinage et le
courant i qui y circule (figure 6).
2.1 Voltmètres à aiguilles Pour des raisons mécaniques et d’optimisation de caractéristi-
ques, le fil du bobinage est fin ; de ce fait, le courant directement
Il existe encore un certain nombre de voltmètres à aiguilles utili- admissible dans un tel appareil est assez faible (quelques micro-
sées dans l’industrie. ampères).

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RS
RT
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Mesure des tensions alternatives

par Jérôme MANCEAU


Diplômé de l’École nationale supérieure des ingénieurs du Mans
Ingénieur en métrologie au Laboratoire National d’Essais (LNE)

1. Grandeur à mesurer................................................................................. R 995 — 2


1.1 Caractérisation ............................................................................................. — 2
1.2 Paramètres ................................................................................................... — 2
2. Appareils de mesure ............................................................................... — 2
2.1 Appareils à redressement ........................................................................... — 4
2.2 Appareils électroniques analogiques à valeur efficace « vraie »............. — 6
2.3 Appareils à transposition thermique ......................................................... — 12
2.4 Appareils thermiques .................................................................................. — 12
2.5 Appareils sélectifs........................................................................................ — 12
2.6 Appareils électrostatiques .......................................................................... — 13
2.7 Appareils à échantillonnage ....................................................................... — 13
2.8 Appareils à comparaison de valeur crête .................................................. — 14
3. Mesures de précision en laboratoire de métrologie
basse fréquence ....................................................................................... — 16
4. Phénomènes perturbant les mesures de tension
en courant alternatif ............................................................................... — 16
4.1 Harmoniques du signal à mesurer............................................................. — 17
4.2 Autres phénomènes perturbateurs ............................................................ — 18
5. Techniques d’étalonnage des appareils de mesure
de tension alternative............................................................................. — 18
5.1 Étalonnage des voltmètres à déviation ..................................................... — 18
5.2 Étalonnage des voltmètres à affichage numérique .................................. — 19
5.3 Étalonnages automatiques ......................................................................... — 19
5.4 Étalonnage des appareils de mesure de tensions inférieures à 200 mV —
5.5 Étalonnage des appareils à transposition thermique............................... — 19
5.6 Étalonnage des mesureurs de valeur de crête.......................................... — 22
Références bibliographiques ......................................................................... — 22

e présent article traite principalement de la mesure des tensions en courant


L alternatif sinusoïdal de fréquences comprises entre 10 Hz et 100 kHz. La pre-
mière partie (paragraphes 1 et 2) est consacrée à la description des différents
principes de fonctionnement des appareils de mesure, et à leur précision, cela
dans le but de guider le lecteur dans le choix de l’appareil le mieux adapté à ses
besoins. Une deuxième partie (paragraphe 3) concerne les différentes méthodes
de mesure utilisées en laboratoire de métrologie. Une troisième partie
(paragraphe 4) expose les précautions à prendre au cours des mesures et les dif-
férentes composantes à considérer pour réaliser un calcul d’incertitude. Une
dernière partie (paragraphe 5) traite des méthodes d’étalonnage des appareils
de mesure de tension alternative.
p。イオエゥッョ@Z@ェオゥョ@RPPU

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RU
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MESURE DES TENSIONS ALTERNATIVES ____________________________________________________________________________________________________

1. Grandeur à mesurer ■ Valeur moyenne après redressement

1.1 Caractérisation
1
U mr = ---
T
∫ 0
2U
u ( t ) dt = -------- ≈ 0 ,637U
π

■ Valeur crête
Un signal alternatif sinusoïdal est entièrement caractérisé par sa
fréquence, sa phase et l’un des paramètres suivants : Uc = U
— valeur efficace Ueff ;
— valeur moyenne après redressement Umr ; ■ Valeur crête à crête
— valeur crête Uc ;
— valeur crête à crête Ucc. Ucc = 2U
Ces paramètres sont liés par les relations suivantes :

Uc 2U c
U eff = -------
2
U mr = ----------
π
Ucc = 2Uc 2. Appareils de mesure
(Les définitions sont données au paragraphe 1.2.)
En théorie, la caractérisation d’un signal alternatif sinusoïdal con-
siste donc, abstraction faite de la fréquence et de la phase, à évaluer 2.1 Appareils à redressement
indifféremment un seul de ces paramètres. Pratiquement, les com-
posantes harmoniques du signal et les signaux parasites affectent
de façon variable (suivant l’ordre, la valeur et la phase) le signal 2.1.1 Appareils sensibles à la valeur moyenne
théorique et la mesure d’un seul paramètre ne suffit alors plus à après redressement
caractériser pleinement le signal. Le besoin métrologique repose
cependant rarement sur une caractérisation complète mais plutôt
sur l’évaluation d’un seul paramètre et de son écart par rapport à ■ Principe de mesure
celui du signal pur. Le principe consiste à redresser le signal alternatif puis à filtrer le
Les techniques de mesure utilisées sont pour la plupart sensibles signal résultant de manière à obtenir en sortie un signal continu pro-
à un seul paramètre et il est alors judicieux de choisir la méthode portionnel à la valeur moyenne redressée du signal alternatif appli-
appropriée pour ne pas entacher le résultat d’une erreur supplémen- qué à l’entrée (figure 1).
taire.
● Le redressement double alternance est le plus répandu. Il est
obtenu par l’association de deux à quatre diodes semi-conductrices
(germanium ou silicium) montées en pont de manière à obtenir une
1.2 Paramètres résistance d’entrée identique pour les deux polarités (figure 2).
● Le filtrage peut être de nature mécanique ou électronique en
fonction du type d’appareil :
Un signal sinusoïdal (par exemple une tension) s’écrit :
— dans les appareils à aiguille, le signal redressé est directement
u(t) = U sin(2πft) = U sin(ωt) placé à l’entrée d’un galvanomètre à cadre mobile dont l’aiguille se
avec u(t) valeur instantanée du signal, déplace devant une échelle graduée. L’inertie mécanique du cadre
remplit la fonction de filtre ;
U amplitude du signal,
— dans les appareils à affichage numérique, le signal redressé
f fréquence du signal,
traverse un filtre électronique de type passe-bas avant d’être numé-
ω pulsation du signal, risé puis transmis au dispositif d’affichage.
t temps.
Bien que sensibles à la valeur moyenne, ces appareils sont très
■ Valeur efficace souvent utilisés pour déterminer la valeur efficace des signaux alter-
natifs sinusoïdaux. Dans le cas particulier des signaux alternatifs
T
sinusoïdaux, nous pouvons en effet écrire (cf. paragraphe 1.2) :
U eff =
1
---
T
∫ 0
U
u 2 ( t ) dt = ------- ≈ 0 ,707U
2 U mr π
U eff = --------------- ≈ 1 ,11U mr
avec T période du signal. 2 2
Tension
Tension

Tension

u (t) ur (t)
Umr

t t t

Redressement Filtrage
Entrée Sortie Figure 1 – Principe des appareils
à redressement double alternance

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R 995 − 2 © Techniques de l’Ingénieur

RV
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___________________________________________________________________________________________________ MESURE DES TENSIONS ALTERNATIVES

nes de millivolts). Pour ces niveaux, la caractéristique courant/ten-


sion des diodes présente d’une part une non-linéarité importante
Résistance de calibre
qui déforme le signal redressé, et d’autre part une tension de seuil
en dessous de laquelle la diode ne laisse plus passer de courant et
rend le dispositif insensible. Le seuil de redressement se situe géné-
ralement entre 0,3 et 0,5 V.
u (t ) ● Une amélioration sensible des performances consiste alors à
utiliser un redresseur dit « sans seuil ». Ce système utilisé dans cer-
ur (t )
tains appareils numériques fonctionne en utilisant la contre-réaction
d’un amplificateur opérationnel (figure 3) et se comporte comme un
redresseur simple alternance. En lui associant un sommateur, on
obtient un redressement à double alternance. La diode D′ est utili-
sée pour compenser les imperfections de l’amplificateur opération-
nel.
Résistance de calibre
En considérant le cas où la diode D est passante, nous pouvons
écrire, après calculs, la relation suivante au nœud A :

u (t ) –2 1
u A ( t ) = -------------------- u ( t ) + --------------------
3 A d0
ur (t ) 1 + ---------- 1 + ----------
A d0 3

avec Ad0 gain en boucle ouverte de l’amplificateur associé


au dispositif redresseur.
Figure 2 – Redresseurs double alternance
Par conséquent, la tension de seuil de ce redresseur est égale à :
Cette relation est satisfaite par l’utilisation d’un diviseur approprié
3
à l’entrée ou bien d’une échelle spécialement graduée pour les affi- U seuil = ------------- U 0
cheurs à aiguille. 2A d0
Les principaux inconvénients de cette méthode se manifestent
pour des signaux de faible amplitude (inférieurs à plusieurs centai- avec U0 tension de seuil de la diode D.

u (t)

U
Signal à l'entrée

2R uA (t)

D'
R Signal au nœud A t

+
D
u (t ) –2U
2R R'

A + uB (t)
R' B
us (t )
1,11 U
Signal au nœud B

t
us (t)

1,11 U
Signal à la sortie

Figure 3 – Redresseur « sans seuil »

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RW
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MESURE DES TENSIONS ALTERNATIVES ____________________________________________________________________________________________________

T
Rd Ueff =
T 冮
1 2
u (t ) · dt
0
T
Ri
ρ T 冮
1 2
u (t) · dt
0
u (t) C

V Uc – R
u (t ) R
+
u 2 (t)
Intégrateur
Extracteur
Élévateur de racine carrée
au carré
Figure 4 – Principe d’un appareil à redressement sensible à la valeur
de crête Figure 5 – Détermination intuitive de la valeur efficace

■ Usage et précision
2.2 Appareils électroniques analogiques
On retrouve ce principe de mesure principalement dans les à valeur efficace « vraie »
contrôleurs universels et notamment dans les appareils à déviation.
Leurs spécifications (sur un an) sont de l’ordre de quelques 10−3 à
quelques 10−2 et leur bande passante s’étend généralement de 2.2.1 Détermination intuitive
15 Hz à 20 kHz. La résistance d’entrée de ces appareils reste com-
prise entre 5 kΩ/V et 50 kΩ/V. Le moyen a priori le plus intuitif d’obtenir la valeur efficace d’un
signal alternatif est d’utiliser des composants électroniques analogi-
Toutes les spécifications indiquées dans le présent article sont issues de documenta- ques capables de fournir les fonctions nécessaires à l’élaboration de
tions fournies par les constructeurs et sont exprimées sous une forme relative à la valeur la relation :
mesurée.

2.1.2 Appareils à redressement sensibles


U eff =
1
---
T
∫ 0
u 2 ( t ) dt

à la valeur de crête
Pour réaliser cela, les composants nécessaires sont (figure 5) :
— un élévateur au carré ;
■ Principe de mesure — un intégrateur ;
— un extracteur de racine carrée.
Le principe (figure 4) consiste à appliquer la tension alternative à
mesurer à un condensateur C à travers une diode. Pendant les alter-
nances positives, le condensateur se charge et pendant les alternan- 2.2.2 Convertisseur log/antilog
ces négatives, il se décharge dans l’impédance d’entrée ρ du
voltmètre continu V, shuntée par l’impédance inverse Ri de la diode. ■ Principe de mesure
Si la constante de temps RC (R étant la résistance équivalente à Ri et
Cette méthode, basée sur une expression de la valeur efficace à
ρ en parallèle) est grande devant la demi-période, le condensateur
partir de fonctions logarithme et exponentielle (antilog), est généra-
ne se décharge pratiquement pas, et reste alors chargé à la valeur de lement préférée. Elle présente en effet une meilleure dynamique
crête de la tension à mesurer. ainsi qu’un nombre de composants et un coût plus faibles.
Dans cette technique, un voltmètre continu électronique présen- Son principe repose sur la mise en équation suivante :
tant une résistance interne élevée (1 à 10 MΩ) est utilisé pour la
T


mesure de la tension continue. Le procédé de mesure n’est pas uti- 1
lisable dans le domaine des basses tensions, la diode n’étant pas- U eff = --- u 2 ( t ) dt = u2 ( t )
sante que pour une tension directe comprise entre 0,3 et 0,5 V T 0

environ. L’erreur de mesure est approximativement égale à T/(2RC).


Enfin, cette mesure ne caractérise qu’une alternance : elle ne permet 2 = u2 ( t )
Donc U eff
pas de mettre en évidence une éventuelle composante continue du
signal. u2 ( t )
u2 ( t )
U eff = ------------- = antilog log  -------------
U eff  U eff 
■ Usage et précision

Ce type d’appareil présente les avantages d’une grande facilité U eff = antilog 2 log ( u ( t ) ) – log ( U eff )
d’emploi et d’un faible coût. En revanche sa sensibilité est médiocre Nota : antilog = fonction exponentielle,
(quelques pour-cent). En métrologie basse fréquence (BF), on le ren- log = fonction logarithme népérien.
contre essentiellement dans les mesures de valeur de crête en La tension à mesurer est tout d’abord appliquée à un étage de
moyenne et haute tension et en particulier dans certains diélectri- conditionnement composé de diviseurs résistifs et d’un amplifica-
mètres. teur de gamme permettant d’obtenir un niveau compatible avec

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RX
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___________________________________________________________________________________________________ MESURE DES TENSIONS ALTERNATIVES

u (t ) Convertisseur Convertisseur us (t ) = Ueff


Valeur absolue +
2 log -- antilog

Convertisseur
log

a diagramme


+

R/2 3
– 2 Q3 –
1 + +
– R
+
Rf
– us (t)
u (t) Amplificateur 4 +
de gamme Q1 Q2

Q4

b schéma

Figure 6 – Exemple de convertisseur log/antilog

celui de l’entrée du convertisseur log/antilog (figure 6). Un courant Des appareils comme le Fluke 8502A ou le Fluke 8505A utilisent
proportionnel au signal redressé (cf. paragraphe 2.1.1) est fourni au ce type de convertisseurs qui existent également sous la forme de
niveau du nœud « 1 » à un double convertisseur logarithmique qui composants électroniques comme l’AD637.
permet d’obtenir au nœud « 2 » une tension proportionnelle à Avec ce type de convertisseurs, les caractéristiques en tempéra-
2 log ( u ( t ) ) . Un autre convertisseur logarithmique fournit au ture et la dérive des transistors constituent une source d’incertitude
niveau du nœud « 4 » une tension proportionnelle à log(Ueff). Le non négligeable. Pour ce faire, Datron a développé un principe de
transistor Q3 voit alors une différence de potentiel entre sa base et mesure dans lequel le gain du convertisseur log/antilog est mesuré
à chaque cycle de mesure, ainsi que détaillé ci-après.
son émetteur égale à 2 log ( u ( t ) ) – log ( U eff ) et fournit par consé-
quent un courant proportionnel à l’exponentielle de cette tension ■ Principe de mesure du convertisseur Datron
soit antilog [ 2 log ( u ( t ) ) – log ( U eff ) ] . La tension de sortie issue de Ce système utilise comme référence un élément qui à partir d’une
tension continue appliquée à son entrée synthétise un signal alter-
l’intégrateur est par conséquent proportionnelle à natif sinusoïdal. Son schéma de principe est présenté en figure 7.
antilog [ 2 log ( u ( t ) ) – log ( U eff ) ] et donc à la valeur efficace du La fermeture des commutateurs suivant la séquence
signal appliqué à l’entrée. Cette tension continue est enfin numéri- A,B,C,B,A,D,E,F,E,D à intervalles réguliers et la sélection rigoureuse
sée puis transmise à l’afficheur numérique. des rapports de résistances permettent d’obtenir une quasi-sinu-
soïde de fréquence 1 kHz.
■ Précision Le cycle de mesure complet est schématisé sur la figure 8 et se
Les précisions obtenues sur un an sont de l’ordre de 0,1 à 1 % décompose en trois étapes :
pour un facteur de crête pouvant être égal à 7 à pleine échelle : cela ● S1, S3 et S5 fermés, S2 et S4 ouverts. Le signal alternatif est
signifie que la valeur de crête d’un signal déformé mesuré peut être appliqué à l’entrée du convertisseur log/antilog et la tension de sor-
jusqu’à 7 fois supérieure à sa valeur efficace, si celle-ci est égale au tie U1 est d’une part numérisée puis stockée en mémoire, et d’autre
calibre de l’appareil. Plus le facteur de crête est important, plus les part retenue dans la capacité d’un échantillonneur-bloqueur
erreurs de conversion logarithmique introduites par les résistances (cf. paragraphe 2.7). Cette tension est une estimation de la valeur
d’émetteur sont importantes. En général pour une tension d’entrée efficace du signal appliqué à l’entrée.
de valeur efficace Uentrée plus petite que la valeur du calibre Ucalibre, ● S2 et S4 fermés, S1, S3 et S5 ouverts. La tension continue U2
la valeur admissible du facteur de crête Fc s’écrit : stockée dans la capacité est à son tour numérisée. Elle représente
précisément la tension qui sera appliquée à l’entrée du convertis-
U calibre seur log/antilog lors de la prochaine étape.
F c = 7 ------------------
- ● S2 et S3 fermés, S1, S4 et S5 ouverts. La tension continue U2
U entrée stockée dans la capacité est maintenant appliquée au générateur
d’onde quasi-sinusoïdale décrit précédemment et la tension en sor-
La bande passante de ces appareils s’étend généralement de tie de celui-ci appliquée au convertisseur log/antilog. La tension
20 Hz à 50 kHz, et la valeur de leur impédance d’entrée peut s’élever continue U3 en sortie de ce dernier est alors numérisée puis stockée
jusqu’à 10 MΩ en parallèle avec 100 pF. en mémoire.

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RY
SP
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Applications des MEMS


à la métrologie électrique

par Antti MANNINEN


Groupe Manager de Métrologie électrique au Centre de Métrologie et d’Accréditation
(MIKES), Espoo, Finland
Anu KÄRKKÄINEN
Chercheur expert à VTT Technical Research Centre of Finland, Espoo, Finland
Nadine PESONEN
Chercheur à VTT Technical Research Centre of Finland
Aarne OJA
Directeur de recherches à VTT Technical Research Centre of Finland
et Heikki SEPPÄ
Professeur de recherches à VTT Technical Research Centre of Finland

1. Contexte ..................................................................................................... R 1 002 – 2


2. Principes des microsystèmes utilisés en métrologie électrique ..... — 3
2.1 Composants microsystèmes ...................................................................... — 3
2.2 Principe de fonctionnement........................................................................ — 4
3. Applications au courant continu et aux basses fréquences ....... — 5
3.1 Référence de tension continue .................................................................. — 5
3.2 Référence de tension alternative................................................................ — 6
3.3 Convertisseur valeur efficace vraie-continu (RMS-DC) ........................... — 8
4. Détecteurs de puissance hautes fréquences .................................. — 8
4.1 Conception ................................................................................................... — 9
4.2 Dispositifs testés expérimentalement ....................................................... — 10
5. Microsystèmes oscillateurs de référence ......................................... — 11
6. Conclusion ................................................................................................. — 11
Références bibliographiques ......................................................................... — 12

es microsystèmes (en anglais « microelectromechanical systems MEMS »)


L peuvent offrir une alternative compétitive aux technologies classiques, pour
les mesures électriques de précision. Le présent dossier fait le point sur les tra-
vaux effectués récemment dans le développement de solutions microsystèmes
en métrologie électrique. Les références de tension, les convertisseurs tension
efficace – continue (RMS-DC), les détecteurs de puissance hautes fréquences et
les oscillateurs de référence sont étudiés. Le principe de fonctionnement de ces
composants repose sur l’équilibre entre les forces électriques et les forces méca-
niques de rappel dans les structures micro-usinées en silicium. Dans les voltmè-
tres à tension efficace (RMS) et les convertisseurs RMS-DC, la relation
quadratique qui lie la tension à la force entre les électrodes d’un condensateur à
armatures mobiles est mise à profit ; le fonctionnement de la référence de ten-
sion à base de MEMS est fondé sur le phénomène de pull-in d’un condensateur
à armatures mobiles.
Les avantages des dispositifs utilisant des microsystèmes par rapport aux
p。イオエゥッョ@Z@ェオゥョ@RPPW

solutions plus classiques sont les petites dimensions, la faible consommation

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est strictement interdite. – © Editions T.I. R 1 002 − 1

SQ
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rQPPR

APPLICATIONS DES MEMS À LA MÉTROLOGIE ÉLECTRIQUE ____________________________________________________________________________________

d’énergie, le coût réduit de production de masse, la stabilité et le moindre bruit


en 1/f. Les variations causées par les effets de charge électrostatique se sont
révélées être un problème essentiel. Ce problème n’a pas encore été complète-
ment résolu dans les applications en courant continu, mais peut être évité en uti-
lisant un actionnement en courant alternatif et en compensant les potentiels
continus internes du composant. De cette manière, une référence de tension
alternative ayant une stabilité relative inférieure à 2 ⋅ 10–6 pour une période de
mesure de trois semaines a été réalisée. Une bien meilleure stabilité a été
démontrée avec un oscillateur de référence à base de microsystèmes : aucun
changement de la fréquence de résonance n’a été observé à un niveau d’incerti-
tude relative de 10–8 dans une mesure conduite pendant plus d’un mois.
Des composants à base de microsystèmes ont aussi été développés pour des
mesures de puissance radiofréquences et micro-ondes, jusqu’à des fréquences
d’environ 40 GHz. À l’inverse des détecteurs de puissance (wattmètres) hautes
fréquences classiques, qui mesurent la puissance absorbée, les dispositifs
microsystèmes mesurent la puissance transmise à travers le détecteur.
Ce texte a été traduit de l’anglais par Anne-Marie GAULIER.

1. Contexte tension de pull-in (pull-in voltage) qui ne dépend que des propriétés
du matériau et de la géométrie du composant, et peut ainsi être uti-
lisée comme référence stable de tension.
L’importance des microsystèmes, ou MEMS, n’est plus à démontrer.
Exemple : une voiture moderne contient de 20 à 40 accéléromètres Aperçu historique
et autres capteurs à base de MEMS.
En dehors de l’industrie automobile et des transports, les applica- Les potentialités des microsystèmes en métrologie électrique
tions principales des microsystèmes se trouvent dans les télécom- ont été résumées par Seppä et al. [1] et par Wolffenbuttel et van
munications, le secteur médical et les biotechnologies, Mullen [2]. La première application proposée, en métrologie
l’environnement, etc. Les têtes de lecture-écriture des disques durs, électrique, d’un microsystème à structure de condensateur à
les têtes d’imprimantes à jet d’encre, les accéléromètres et les cap- armatures mobiles a été le convertisseur RMS-DC, dont le prin-
teurs de pression sont des applications grand public bien connues. cipe de fonctionnement a été publié en 1995 [3]. Plus tard, un
principe semblable a été proposé pour des mesures de puis-
Dans ce dossier, nous étudions les applications des compo- sance RF et micro-ondes [1]. L’application de la tension de pull-
sants microsystèmes micro-usinés pour des mesures électri- in d’un condensateur à armatures mobiles en tant que référence
ques de précision, ou, plus spécifiquement, pour la métrologie de tension continue ou alternative a été proposée pour la pre-
électrique. mière fois en 1998 [4].
Les microsystèmes à électrodes mobiles présentent un grand
Les composants MEMS sont caractérisés par leurs petites dimen- potentiel pour la métrologie électrique et l’instrumentation,
sions (leurs dimensions caractéristiques vont de 1 µm à 1 mm), leur mais il faudra encore beaucoup de travaux de recherches avant
coût réduit, leur faible consommation d’énergie, leur fiabilité et leur que des appareils ou des étalons soient disponibles commercia-
intégrabilité dans un composant électronique. lement. Cependant, le fonctionnement de nombreux dispositifs
a déjà été démontré. Parmi ceux-ci, se trouvent les convertis-
Citons, comme produits types à base de microsystèmes, des seurs RMS-DC fabriqués par les techniques de micro-usinage de
actionneurs mécaniques, des capteurs et autres dispositifs, de surface [5] et de volume [6]. Un convertisseur RMS-DC fabriqué
dimensions microscopiques et fabriqués par les technologies des par un procédé silicium sur isolant (SOI silicon on insulator) est
circuits intégrés. Le principe de fonctionnement de ces composants présenté dans la référence [7]. Les premiers résultats expéri-
est fondé sur différents phénomènes physiques faisant intervenir les mentaux employant une tension de pull-in comme tension de
propriétés mécaniques ou thermiques des structures micro- référence ont été publiés en 2001 [1], [8] et [9]. Entre l’automne
usinées ; les composants comprennent souvent un circuit micro- 2001 et le printemps 2005, plusieurs instituts et sociétés euro-
électronique intégré. péens (VTT, MIKES, VTI Technologies en Finlande, Twente Uni-
Les applications métrologiques étudiées dans ce dossier sont fon- versity et NMI-VSL aux Pays-Bas, PTB en Allemagne, Fluke PM
dées sur des composants qui ont, en principe, une structure assimi- en Grande-Bretagne) ont développé des dispositifs microsys-
lable à des condensateurs à armatures (ou plaques) mobiles, tels tèmes pour la métrologie électrique dans le cadre du projet
que les accéléromètres ou les capteurs de pression à base de EMMA (Electromechanical Microcomponents for Precision
MEMS. Les composants utilisent des micropoutres mobiles micro- Applications) de collaboration européenne, coordonné par VTT
usinées, des membranes ou des micropoutres cantilevers. Quand (Centre de recherches techniques de Finlande). Les résultats
on applique une tension continue ou alternative à un condensateur essentiels de ce projet ont été la fabrication et la conception de
à armatures mobiles, l’équilibre entre les forces électriques et méca- détecteurs de puissance micro-ondes à base de MEMS jusqu’à
niques donne lieu à deux propriétés qui rendent ce composant utili- des fréquences d’environ 40 GHz [10], [11], ainsi que le dévelop-
sable en métrologie électrique. D’une part, la force électrique est pement d’une référence de tension alternative avec une stabilité
proportionnelle au carré de la tension appliquée, ce qui signifie que de 2 ppm (parties par million) pour une période de mesure de
le composant peut être utilisé comme une référence de tension 3 semaines [12], [13].
« efficace vraie » (true RMS root mean square) ou comme convertis- Ce dossier est essentiellement basé sur les résultats du projet
seur de tension alternative-continue. D’autre part, la tension aux EMMA.
bornes du composant présente un maximum caractéristique, appelé

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SR
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____________________________________________________________________________________ APPLICATIONS DES MEMS À LA MÉTROLOGIE ÉLECTRIQUE

2. Principes
des microsystèmes utilisés
en métrologie électrique a plaquette b substrat
(qui contient la plaque mobile (avec l’électrode fixe
métallique du condensateur) en métal)

2.1 Composants microsystèmes

2.1.1 Technologies de fabrication

La micromécanique sur silicium est traditionnellement divisée en c assemblages de la plaquette sur d fabrication de la paire assemblée
deux catégories : le micro-usinage de surface (surface micromachi- le substrat (wafer bonding) après enlèvement de la couche de
ning) et le micro-usinage de volume (bulk micromachining) [14]. Le silicium monocristallin et de la
procédé silicium sur isolant (SOI silicon on insulator) se situe entre couche d´oxyde de silicium par
les deux, du point de vue de l’épaisseur des structures et de la réso- gravure, la surface du composant
lution latérale. Le procédé non conventionnel de micro-usinage de est métallisée, un masque de
surface LIGA (Litographie Galvanoformung und Abformung) n’est gravure est insolé et les
pas abordé ici. structures sont obtenues par
gravure ICP
Le micro-usinage de volume est surtout utilisé pour produire des
dispositifs à grande masse sismique qui trouvent des applications, Si Métal SiO2
par exemple, pour des accéléromètres de haute précision et de fai-
bles accélérations (faibles g). Souvent l’épaisseur entière du wafer Figure 1 – Étapes de fabrication d’un composant silicium sur isolant
(plaquette ou galette), typiquement de 0,4 mm, est utilisée pour [15]
fabriquer la micropoutre mobile ou le cantilever. La cavité est
ensuite formée par assemblage de cette plaquette avec une autre
plaquette de silicium ou de verre (wafer bonding). Le micro-usinage
de volume est fondé sur la gravure d’un monocristal de silicium soit
chimiquement (gravure par voie humide), soit par des techniques de x F = kx
gravure par plasma ou de gravure ionique réactive (RIE Reactive Ion U=V
Etching). F = Fel
Le micro-usinage de surface est une technologie mature, généra- d–x
lement utilisée pour fabriquer des capteurs de pression, des accélé-
romètres pour les fortes accélérations, etc. Les dispositifs sont U=0
constitués d’un film fin déposé à la surface d’une plaquette de sili-
cium ou d’un autre substrat, qui se comporte simplement comme a principe de la structure
un support pour la structure. Les matériaux les plus utilisés sont le
silicium polycristallin déposé en phase vapeur à basse pression
(LPCVD low-pressure chemical vapour deposited) en tant que maté-
riau structurel, et le dioxyde de silicium pour la couche sacrificielle. Si
L’épaisseur des couches polycristallines LPCVD est typiquement de Verre
quelques micromètres. Les avantages essentiels du micro-usinage
de surface sont la simplicité du procédé et l’utilisation de méthodes Poutre
de fabrication CMOS standard. Les difficultés essentielles sont le Si Cantilever
contrôle de la contrainte interne du film de polysilicium ainsi que (dopé au B)
des variations de cette contrainte le long de la direction de crois- Cgap Oxyde
sance. De plus, la planéité et des problèmes de striction sont cou- V
rants dans le micro-usinage de surface. AlCu
Cpar Verre
Avec le procédé silicium sur isolant (SOI), on utilise une plaquette
de silicium sur isolant, composée de deux couches de silicium Si
monocristallin entourant une couche d’oxyde de silicium. La couche
d’oxyde, relativement fine (1 à 2 µm), peut être utilisée comme arrêt b microsystème accéléromètre conçu et fabriqué
de gravure, couche isolante ou couche sacrificielle. On peut ainsi par VTI Technologies Ltd [16]
réaliser des structures de silicium relativement épaisses, avec des
hauteurs bien définies pouvant aller d’environ 100 nm à 1 mm. La
contrainte interne dans les plaquettes SOI est faible. La figure 1
montre les phases de fabrication d’un composant SOI destiné à ser-
vir de référence de tension.
Si

2.1.2 Structure du condensateur à armatures


mobiles

La figure 2a montre le principe d’un condensateur micro-usiné à


armature mobile utilisé en métrologie électrique. Il est composé de c composant SOI type bascule développé par V TT pour
deux électrodes, dont l’une est suspendue par un ressort : c’est par des applications en référence de tension [17]
exemple une micropoutre de silicium ayant la compliance voulue
déterminée par sa géométrie. Une tension V appliquée aux bornes Figure 2 – Condensateur microsystème à armature mobile

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Diviseurs de tension ou de courant

par Nissim ELNÉKAVÉ


Ancien Chef de Service au Laboratoire Central des Industries Électriques

1. Présentation générale............................................................................. R 1 005 - 2


1.1 Théorème de Helmholtz. Dualité des réducteurs de tension et de courant — 2
1.2 Réseaux diviseurs élémentaires................................................................. — 2
2. Diviseurs résistifs de tension ............................................................... — 3
2.1 Propriétés. Effet de la charge...................................................................... — 3
2.2 Linéarité du diviseur résistif en fonction de la charge ............................. — 3
2.3 Construction des diviseurs résistifs ........................................................... — 4
2.3.1 Constitution de quelques chaînes potentiométriques..................... — 4
2.3.2 Chaînes auto-étalonnables ................................................................ — 5
2.3.3 Disposition série-parallèle de résistances égales. Conductances
de répartition. Jonctions équilibrées ................................................ — 5
2.3.4 Exemples de projet............................................................................. — 6
2.3.5 Importance des résistances de fuite. Diviseurs baignant dans un
liquide isolant...................................................................................... — 7
2.4 Diviseur de Kelvin et Varley ........................................................................ — 8
2.4.1 Propriétés et constitution................................................................... — 8
2.4.2 Réseau équivalent au diviseur de Kelvin et Varley .......................... — 8
2.4.3 Diviseur à décades shuntées ............................................................. — 10
2.5 Utilisation des diviseurs résistifs en courant alternatif ............................ — 10
3. Diviseurs inductifs de tension ............................................................. — 11
3.1 Étude préliminaire ....................................................................................... — 11
3.2 Diviseur inductif comme autotransformateur........................................... — 12
3.3 Transformateurs étagés .............................................................................. — 13
3.4 Admittances parasites et erreurs du diviseur inductif.............................. — 14
4. Vérification et étalonnage..................................................................... — 15
4.1 Diviseurs résistifs auto-étalonnables (courant continu)........................... — 15
4.2 Diviseurs de Kelvin et Varley résistifs (courant continu).......................... — 16
4.3 Étalonnage d’une décade d’un diviseur inductif....................................... — 16
Références bibliographiques ......................................................................... — 17

es diviseurs de tension (ou de courant) sont des réducteurs calibrés qui


L permettent la mesure de valeurs élevées de ces grandeurs (100 V à 300 kV
pour les tensions) à l’aide de dispositifs métrologiques conçus pour des valeurs
plus faibles.
Leurs utilisations s’étendent du courant continu au courant alternatif (sinusoï-
dal ou non) et aux courants impulsionnels (ondes de choc, régimes transi-
toires). Seuls les diviseurs pour courant continu et alternatif seront traités dans
cet article.
p。イオエゥッョ@Z@ェ。ョカゥ・イ@QYXW

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SU
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DIVISEURS DE TENSION OU DE COURANT ___________________________________________________________________________________________________

1. Présentation générale
1.1 Théorème de Helmholtz.
Dualité des réducteurs de tension
et de courant
Considérons un réseau passif linéaire accessible à partir de n
bornes. Soient deux de ses états successifs définis par les poten-
tiels et les courants de bornes (figure 1), un astérisque distinguant
le deuxième état du premier. Le théorème de Helmholtz (dit de
réciprocité) s’exprime alors par la relation :
n n
Figure 1 – Théorème de Helmholtz
∑ Up I *
p = ∑ U*
p Ip (1)
p=1 p=1

D’autre part, la loi de Kirchhoff appliquée à l’ensemble du réseau


traité comme un nœud de courant conduit à la relation :
n n

∑ Ip = ∑ I*
p = 0
p=1 p=1

d’où l’on tire :


n–1
In = – ∑ Ip
p=1
n–1
I*
n = – ∑ I*
p
p=1

et, par substitution dans la relation (1):


n–1 n–1

∑ ( Up – Un ) I *
p = ∑ ( U *p – U *n ) I p
p=1 p=1

Cette dernière expression traduit la relation de Helmholtz lorsque


l’une des bornes (la n ième dans notre cas) a été choisie comme
potentiel de référence, entraînant l’annulation des nièmes termes des
sommes.
Considérons maintenant un réseau à trois bornes, pour lequel il
convient d’écrire : Figure 2 – Dualité des diviseurs de tension et de courant

( U 1 – U 3 ) I *1 + ( U 2 – U 3 ) I *2 = ( U *1 – U *3 ) I 1 + ( U *2 – U *3 ) I 2 (2)
Faisons en sorte que, dans le premier état, la borne 2 soit isolée 1.2 Réseaux diviseurs élémentaires
du réseau extérieur :
I2 = 0
Les réseaux diviseurs les plus communs sont représentés sur la
puis, dans le deuxième état, que la borne 1 soit reliée extérieurement figure 3.
à la borne 3 par un court circuit :
Les diviseurs résistifs (figure 3a ), formés essentiellement de
U *1 – U *3 = 0 deux résistances en série R 1 et R 2 , sont utilisés en continu, en
alternatif et même en régime impulsionnel.
La relation (2) devient : Les diviseurs capacitifs (figure 3b ), formés de deux capacités C 1
( U 1 – U 3 ) I *1 + ( U 2 – U 3 ) I *2 = 0 et C 2 en série, inutilisables pour des courants continus, sont d’un
usage courant en alternatif (mesure des moyennes tensions de 1 à
d’où l’on tire : 10 kV – ou des hautes tensions de 10 kV à 3 MV) ou en régime
impulsionnel.
U2 – U3 I *1
- = – ---------
--------------------- Les diviseurs inductifs à noyau ferromagnétique (figure 3c ),
U1 – U3 I *2 dont le schéma de base est un autotransformateur, le rapport étant
déterminé par le nombre de spires des enroulements N 1 et N 2 ,
Le premier membre ci-dessus exprime le rapport du diviseur de sont utilisés en courant alternatif sinusoïdal pour des fréquences
tension ayant comme bornes d’entrée 1 et 3 et comme bornes de basses (50 à 3 000 Hz) ou moyennes (3 à 30 kHz).
sortie 2 et 3 (figure 2). Le deuxième membre donne le rapport du
diviseur de courant, les bornes d’entrée ou d’injection étant cette On notera que, pour tous les diviseurs mentionnés, le rapport
fois 2 et 3 et les bornes de sortie 1 et 3. La dualité des deux cas a = Us /Ue ne dépend que d’un seul paramètre (R 2 , C 2 , N 2) si la
s’exprime ici par l’égalité des rapports de courant et de tension somme des deux paramètres concernés est maintenue constante
(au signe près), pour un même réseau interne. (R 1 + R 2 = R 0 , C 1 + C 2 = C 0 , N 1 + N 2 = N 0 suivant le cas).

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__________________________________________________________________________________________________ DIVISEURS DE TENSION OU DE COURANT

Figure 3 – Réseaux diviseurs élémentaires

2. Diviseurs résistifs d’entrée Ue . L’erreur de charge dans ces dernières conditions a pour
valeur :
de tension εU s
ε 0 = -----------
a 2 (1 – a)/k
- = εa = – ----------------------------------------
Ue 1 + a (1 – a)/k
2.1 Propriétés. Effet de la charge Sa valeur absolue maximale est obtenue lorsque :

Sous leur forme élémentaire, les diviseurs résistifs de tension a ( 1 – a )2


3a – 2 = ---------------------------
possèdent : k
— une résistance d’entrée R 0 = R 1 + R 2 que nous supposerons
équation dont la solution approchée est :
constante ;
— un rapport de réduction a = R 2 /R 0 .
Le schéma équivalent déduit du théorème de Thévenin est
constitué par une source de force électromotrice aU (U étant la ten-
2
冢 1
a = ----- 1 + ----------
3
1
- – ----------------
33 k 35 k 2 冣
sion réellement appliquée au diviseur) et de résistance interne : lorsque k est suffisamment grand.
R 1 R 2 /(R 1 + R 2) En se limitant au premier terme, on voit que l’erreur maximale
de charge est de l’ordre de :
Cette résistance interne s’exprime également par aR 1 et
a (1 – a )R 0 . La résistance interne est maximale pour a = 1/2 et vaut 4
ε 0 max ≈ -----------
27k
-
alors R 0 /4.
L’effet d’une charge R = kR 0 en parallèle sur R 2 se traduit par : Ainsi, pour limiter cette erreur à 10–5, on est conduit à prendre :
— une résistance d’entrée modifiée :
4 × 10 5
R2R a2
k > ---------------------
27
≈ 1,5 × 10 4
R 0′ = R 1 + -------------------
- = R 0 – -------------- R 0
R2+R a+k

— un nouveau rapport de réduction :


a
2.2 Linéarité du diviseur résistif
a ′ = ------------------------------------
a (1 – a) (3) en fonction de la charge
1 + ------------------------
k
L’écart de linéarité est alors défini comme a ’ – a. Soit ∆a ’ l’accroissement réel du rapport du diviseur correspon-
dant à l’accroissement théorique ∆a. L’indice de linéarité s’exprime
L’erreur relative portant sur le rapport est : par :
a (1 – a)/k ∆a ′
ε = ( a ′ – a )/a = – ------------------------------------ e = ----------- – 1
a (1 – a) ∆a
1 + ------------------------
k
La linéarité est parfaite lorsque cet indice est nul quel que soit a.
Sa valeur absolue |ε| est maximale pour a = 1/2 et vaut : Pour un diviseur dont le rapport varie d’une manière continue,
l’indice de linéarité peut s’exprimer à partir de variations infinitési-
1 males du rapport a. Considérons un diviseur parfaitement linéaire
ε max = -------------------
4k+1 à vide : lorsqu’il est chargé, l’indice de linéarité se calcule en par-
tant de l’expression (3) du rapport donnée dans le paragraphe 2.1
Il arrive fréquemment que l’on préfère ramener l’erreur du diviseur
précédent :
non à la tension de sortie Us comme ci-dessus, mais à la tension
a
a ′ = ------------------------------------
a (1 – a)
1 + ------------------------
k

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DIVISEURS DE TENSION OU DE COURANT ___________________________________________________________________________________________________

qui conduit à : limite, le diviseur peut se prêter à un auto-étalonnage lorsque


toutes les résistances de la chaîne peuvent être mesurées à partir
(3 a – 2) a a2 (1 – a )2 de l’une d’entre elles, prise comme unité.
---------------------------- – ------------------------------
da ′ k k2 La figure 4 représente quelques chaînes de résistances fournis-
e = ----------- – 1 = -------------------------------------------------------------------
-
da a (1 – a) 2 sant des rapports intéressants : multidécimal (figure 4a ), binaire
1 + ------------------------
k (figure 4b ), en progression métrologique 1-2-5-10 (figure 4c ), en
progression pratique 1-2-3-5-10 (figure 4d ).
Lorsque k est suffisamment élevé :
(3 a – 2) a
e ≈ ----------------------------
k

Dans ces conditions, on constate que l’indice de linéarité


s’annule pour a = 2/3. Ses valeurs extrêmes sont – 1/3 k pour
a = 1/3 et 1/k pour a = 1.
Pour un diviseur à plots, où la variation de rapport s’opère par
bonds constants, il convient de remplacer les accroissements infi-
nitésimaux par des différences finies.
Exemple : calcul pour l’indice de linéarité induit par la charge dans
un diviseur décimal entre les plots 5 et 4 de celui-ci :
a5 0,5 k
a 5′ = --------------------------------------------------
- = -----------------------
1 + [ a 5 ( 1 – a 5 )/k ] k + 0,25
0,4 k
a 4′ = -----------------------
k + 0,24

d’où l’on tire :


0,29 0,06
– ------------- – ------------ -
a 5′ – a 4′ k k2 0,3
e = ------------------------ – 1 = -------------------------------------------
0,49 0,06
≈– ----------
a5–a4 k
1 + ------------- + ------------ -
k k2

Dans le cas étudié et pour maintenir l’indice de linéarité inférieur


à 10– 4, il convient de prendre k > 3 × 103.

2.3 Construction des diviseurs résistifs


2.3.1 Constitution de quelques chaînes
potentiométriques
De nombreuses chaînes potentiométriques conviennent pour
réaliser des diviseurs résistifs.
■ Le potentiomètre bobiné à curseur est une forme courante. Il est
à piste droite ou circulaire, ce qui détermine le mouvement du
curseur et le mode de graduation (linéaire ou angulaire).
La résolution de ce type de potentiomètre est limitée par le nombre
possible de spires : un potentiomètre de 5 000 spires a, au mieux,
une résolution de 2 × 10–4. De plus, la précision peut être affectée
par le fait que le curseur se trouve en contact avec plusieurs spires
consécutives, et que la finesse de graduation de l’échelle soit
insuffisante.
L’utilisation de ce type de diviseur est donc limitée aux applica-
tions pour lesquelles l’erreur de rapport ramenée à la tension
d’entrée peut atteindre sans inconvénient 10–3.
■ Les diviseurs à rapports constants sont les plus courants en
métrologie électrique. Le fait que l’on se limite à un petit nombre de
rapports permet de les réaliser avec des résistances fixes, à haute
stabilité et à faible variation thermique, reliées d’une manière
permanente (soudure).
On choisit généralement des matériaux à très faible coefficient
de température et à haute résistivité, tels que le manganin (résis-
tivité 40 × 10–8 Ω · m) ou le Karma (résistivité 133 × 10–8 Ω · m).
La conception de ce type de diviseurs est assujettie à des
considérations visant, d’une part, à réaliser le plus grand nombre
de rapports utiles et, d’autre part, à en faciliter l’étalonnage. À la Figure 4 – Diviseurs résistifs usuels

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R 1 005 − 4 © Techniques de l’Ingénieur, traité Mesures et Contrôle

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Mesures d’intensité
de courant électrique
par André POLETAEFF
Ingénieur diplômé du Conservatoire national des arts et métiers (CNAM)
Ingénieur chargé d’études et de recherches en métrologie basses fréquences au
Laboratoire national de métrologie et d’essais (LNE)

1. Généralités ....................................................................................... R 1 015v2 – 2


1.1 Paramètres mesurables ...................................................................... — 3
1.1.1 Valeur crête .............................................................................. — 3
1.1.2 Valeur moyenne ....................................................................... — 3
1.1.3 Valeur moyenne après redressement ..................................... — 3
1.1.4 Valeur efficace .......................................................................... — 3
1.1.5 Paramètres liés à la forme du courant.................................... — 3
1.1.6 Cas particulier d’un courant sinusoı̈dal .................................. — 3
1.2 Courants non sinusoı̈daux ................................................................. — 3
1.2.1 Spectre d’un courant périodique non sinusoı̈dal ................... — 3
1.2.2 Influence des harmoniques ..................................................... — 4
1.2.3 Influence de la présence d’harmoniques sur les mesures ..... — 4
2. Appareils de mesure....................................................................... — 5
2.1 Ampèremètres analogiques ............................................................... — 5
2.1.1 Introduction aux appareils analogiques ................................. — 5
2.1.2 Appareils magnétoélectriques ................................................ — 5
2.1.3 Appareils ferromagnétiques .................................................... — 5
2.1.4 Appareils électrodynamiques et ferrodynamiques ................ — 5
2.1.5 Appareils thermiques .............................................................. — 6
2.2 Ampèremètres numériques ............................................................... — 6
2.2.1 Caractéristiques des appareils numériques ............................ — 6
2.2.2 Appareils numériques à traitement analogique du signal ..... — 7
2.2.3 Mesure par échantillonnage et traitement numérique
du signal .................................................................................. — 7
2.3 Critères de choix ................................................................................ — 9
3. Shunts et transformateurs de courant ....................................... — 9
3.1 Shunts................................................................................................. — 9
3.1.1 Généralités ............................................................................... — 9
3.1.2 Shunts pour forts courants ..................................................... — 9
3.1.3 Connexions entre les prises de potentiel et l’appareil
de mesure ................................................................................ — 9
3.1.4 Limitation en fréquence .......................................................... — 10
3.2 Transformateurs de courant .............................................................. — 10
3.2.1 Généralités ............................................................................... — 10
3.2.2 Principe de fonctionnement .................................................... — 10
3.2.3 Charge et classes de précision ................................................ — 11
3.2.4 Précautions à observer ............................................................ — 11
4. Traçabilité des mesures de courant ............................................ — 11
4.1 Traçabilité au Système international d’unités (SI) ............................ — 11
4.1.1 Traçabilité en courant continu ................................................ — 11
4.1.2 Traçabilité en courant alternatif .............................................. — 11
4.2 Étalonnage d’un ampèremètre par rapport à un convertisseur
thermique étalon ................................................................................ — 13
4.3 Étalonnage d’un ampèremètre à partir de la mesure de la tension
développée aux bornes d’une résistance étalon............................... — 14
4.3.1 Principe .................................................................................... — 14
4.3.2 Précautions à prendre lors de mesures en courant alternatif — 14
5. Conclusion........................................................................................ — 14
p。イオエゥッョ@Z@、←」・ュ「イ・@RPQQ

Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. R 1 015v2

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MESURES D’INTENSITÉ DE COURANT ÉLECTRIQUE –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

ne grande variété d’appareils destinés à la mesure d’intensité de courant


U électrique sont proposés sur le marché. Diverses méthodes de mesure
peuvent par ailleurs être mises en œuvre à cette fin. Le choix du matériel à
utiliser ainsi que celui de la méthode la plus appropriée sont déterminés par
le type de mesure qu’on désire effectuer et par l’usage qu’on souhaite faire de
l’information ainsi obtenue. En effet, l’approche est différente selon qu’il s’agit
de tests de fonctionnement ou de contrôle de conformité à un cahier des char-
ges ou à une norme, de mesures en laboratoire, de mesures ponctuelles ou
répétitives effectuées au moyen d’un banc automatisé, de mesures de forts cou-
rants ou de faibles intensités de courant, réalisées en régime continu, à basse
fréquence ou à fréquence plus élevée.
Dans le cas de courant alternatifs, la nature du paramètre à mesurer (valeur
efficace, valeur moyenne après redressement…) est aussi un élément détermi-
nant dans le choix de l’appareil notamment lorsqu’il s’agit de signaux affectés
de distorsion. La problématique liée à la forme du signal fait l’objet du
paragraphe 1.
Les principaux types d’ampèremètres existants sont présentés au para-
graphe 2 avec, pour chacun, une description de leur principe de fonctionnement
ainsi que leurs principales spécifications. Une large place est accordée aux
appareils numériques qui, du fait des progrès incessants réalisés dans le
domaine de l’électronique, ont envahi le marché au détriment des appareils
analogiques. En effet, les performances des composants et des systèmes autour
desquels ils sont construits, le large éventail des fonctions qu’ils réalisent, leur
robustesse ainsi que leur prix de plus en plus attractif ont rendu leur emploi
quasi universel. Certains d’entre eux offrent la possibilité d’échantillonner le
signal, permettant une analyse mathématique de celui-ci et donnant ainsi
accès à toutes ses caractéristiques.
Le paragraphe 3 est consacré aux shunts et aux transformateurs de courant
souvent associés aux ampèremètres, indispensables pour la mesure de cou-
rants d’intensité élevée. Leur utilisation implique en effet de prendre certaines
précautions, tant pour garantir la qualité des mesures que pour assurer la sécu-
rité de l’opérateur et des matériels.
Enfin le fonctionnement de la plupart des entreprises est maintenant soumis à
des systèmes d’assurance de la qualité, obligeant notamment celles dont l’acti-
vité nécessite l’emploi d’appareils de mesure à garantir leur traçabilité au Sys-
tème international d’unités (SI). La traçabilité des appareils de mesure de cou-
rant fait l’objet du paragraphe 4. Le principe du raccordement des courants
continus mis en œuvre au niveau des laboratoires nationaux de métrologie y
est succinctement décrit. Une large place est ensuite consacrée à la transposi-
tion thermique qui constitue actuellement le moyen le plus précis pour le rac-
cordement des grandeurs alternatives (courant et tension) aux grandeurs conti-
nues correspondantes. La description des principes de deux méthodes
classiques d’étalonnage d’ampèremètres, l’une basée sur la transposition ther-
mique et l’autre faisant appel à une résistance et à un voltmètre étalons, com-
plète cet article.

1. Généralités est parfaitement définie. Un courant alternatif est, quant à lui,


un courant dont la valeur varie à chaque instant et dont le sens
change lui aussi au cours du temps. Il est cependant périodique,
c’est-à-dire qu’il reprend des valeurs identiques à des intervalles
de temps réguliers. Cette dernière propriété fait qu’il existe des
Les intensités de courant auxquelles on s’intéresse dans cet paramètres, demeurant constants dans le temps, et qui peuvent
article peuvent être soit continues soit alternatives. Par courant caractériser un tel courant en terme d’amplitude. Ce sont ces
continu, on entend un courant dont la valeur reste constante au paramètres qui font l’objet de mesures. Précisons par ailleurs
cours du temps, ou dont les variations sont négligeables pen- qu’un courant alternatif, en plus d’être périodique, a la propriété
dant le temps de la mesure. Dans ce cas, la grandeur à mesurer d’être de valeur moyenne nulle.

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– MESURES D’INTENSITÉ DE COURANT ÉLECTRIQUE

2,5

Intensité instantanée
1.1 Paramètres mesurables 2
Valeur de crête positive
1.1.1 Valeur crête 1,5
Les valeurs crêtes d’un courant électrique sont celles que prend 1
ce courant lorsqu’il passe par ses extremums. Il existe une valeur Valeur moyenne
crête positive et une valeur crête négative qui sont généralement 0,5
distinctes l’une de l’autre (voir figure 1). La différence entre les 0
deux crêtes est appelée « valeur crête à crête ». 0 0,5 1 1,5 2
– 0,5
1.1.2 Valeur moyenne Valeur de crête négative
–1
La valeur moyenne d’un courant électrique est, par définition, la
– 1,5 Temps
moyenne de toutes les valeurs que prend ce courant au cours
d’une période. Autrement dit, elle satisfait à la relation :
Figure 1 – Valeur crête d’un courant alternatif
1
⋅ i (t ) ⋅ dt
T T∫
imoy =
2,5

Intensité instantanée
Valeur moyenne
où T représente la période du courant et i (t) son intensité à l’instant après redressement
2
t. La valeur moyenne est encore souvent appelée « composante
continue ». Signal redressé
1,5

1.1.3 Valeur moyenne après redressement 1


La valeur moyenne après redressement d’un courant électrique 0,5
est égale à sa valeur moyenne obtenue après qu’il a été redressé.
Elle est donc reliée à la valeur instantanée par la relation : 0
0 0,5 1 1,5 2
– 0,5
1
imr = ⋅ ∫ i (t ) ⋅ dt Valeur moyenne
Signal original
T T –1
(du signal original)
– 1,5 Temps
Les notions de « valeur moyenne » et de « valeur moyenne après
redressement » sont illustrées sur la figure 2.
Figure 2 – Valeur moyenne et valeur moyenne après redressement
1.1.4 Valeur efficace d’un courant alternatif

C’est le paramètre auquel on s’intéresse le plus souvent car il est


directement lié aux effets énergétiques produits par le courant élec- 2Imax Imax
imr = et i eff = ≅ 0,707 × Imax
trique. En effet, la valeur efficace d’un courant alternatif est définie π 2
comme étant égale à la valeur d’un courant continu qui produirait
des effets énergétiques identiques. Partant de cette définition, on
Par ailleurs, les facteurs de forme et de crête sont alors respecti-
démontre aisément la relation :
vement égaux à :
1
⋅ i 2 (t ) ⋅ dt
T T∫
i eff = π
Kf =
2× 2
1.1.5 Paramètres liés à la forme du courant
et
À partir des paramètres énumérés ci-dessus, tous liés à l’inten-
sité du courant électrique, on définit deux autres paramètres liés à K cr = 2 ≅ 1, 414
sa forme, indépendamment du niveau d’intensité :
– le facteur de forme Kf, comme étant le rapport de la valeur effi-
i eff 1.2 Courants non sinusoı̈daux
cace à la valeur moyenne après redressement, soit K f = ;
imr
– le facteur de crête Kcr, comme étant le rapport de la valeur crête 1.2.1 Spectre d’un courant périodique non
i
à la valeur efficace, soit K cr = cr .
sinusoı̈dal
i eff
D’après le théorème de Fourier, toute fonction périodique peut
1.1.6 Cas particulier d’un courant sinusoı̈dal s’exprimer comme une somme de sinusoı̈des pures appelées
« composantes harmoniques ». Ainsi, tout courant alternatif de fré-
Dans le cas particulier d’un courant purement sinusoı̈dal, les quence f1 peut s’écrire sous la forme :
valeurs de crête positive et négative sont égales (en valeur absolue)
et généralement notées Imax. Un tel courant a ainsi pour expression : i (t ) = I0 + I1 ⋅ sin (2π ⋅ f1 ⋅ t + φ1) + ∑ In ⋅ sin (2π ⋅ n ⋅ f1 ⋅ t + φn )
n >1
i (t ) = Imax ⋅ sin (2π ⋅ f ⋅ t + φ )
où I0 est la composante continue, égale à la valeur moyenne de i (t),
où f = 1T est sa fréquence et f la phase à l’origine. En appliquant I1 est l’amplitude (ou valeur crête) de la composante fondamentale,
les relations de définition données aux paragraphes 1.1.2 à 1.1.4, f1 sa phase, In l’amplitude de la composante harmonique de rang n
on montre que pour un tel courant imoy = 0 : et fn sa phase.

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MESURES D’INTENSITÉ DE COURANT ÉLECTRIQUE –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

L’écart par rapport à une sinusoı̈de pure est « caractérisé » par le


facteur de distorsion harmonique. Celui-ci est généralement défini 1,5

Intensité instantanée
comme étant le rapport de la valeur efficace du résidu
1
∑ In ⋅ sin (2π ⋅ n ⋅ f1 ⋅ t + φn ) à la valeur efficace de la composante fon-
n >1
0,5
damentale, soit :

∑ In2 0
n >1 0 0,005 0,01 0,015 0,02 0,025
K =
I1 – 0,5

Le taux de distorsion, exprimé en %, est égal au facteur de distor- –1


sion multiplié par 100.
– 1,5
1.2.2 Influence des harmoniques Temps
Signal Composante fondamentale
1.2.2.1 Influence des harmoniques sur la valeur efficace
Harmonique de rang 3 (phase = 0 rd)
La valeur efficace Ieff d’un courant en fonction des valeurs effica-
ces I1 de la composante fondamentale et I2,…, In des harmoniques, 1,5

Intensité instantanée
est donnée par :

∑ In2 1

Ieff = ∑ In2 = I12 + ∑ In2 = I1 ⋅ 1 + n >I12 = I1 ⋅ 1 + K 2 . 0,5


n⭓1 n >1 1

0
Cette relation montre que l’influence des harmoniques sur la 0 0,005 0,01 0,015 0,02 0,025
valeur efficace s’exprime uniquement en fonction du facteur de dis-
– 0,5
torsion harmonique indépendamment des valeurs efficaces indivi-
duelles de chacun des harmoniques et de leurs phases.
–1
Dans le cas de facteurs de distorsion faibles, on peut utiliser pour
les applications numériques une relation approchée plus simple. En
– 1,5
effet, un développement limité à l’ordre 2 de l’expression ci-dessus Temps
donne : Signal Composante fondamentale
⎛ 1 ⎞
Ieff ≅ I1 ⋅ ⎜ 1 + ⋅ K 2 ⎟ . Harmonique de rang 3 (phase = 0,785 rd)
⎝ 2 ⎠
2
Ainsi un facteur de distorsion de 5 % augmente la valeur efficace
2 1,5
d’environ K soit 0,13 %.
2
1
1.2.2.2 Influence des harmoniques sur la valeur crête
0,5
L’influence des harmoniques sur la valeur crête dépend de
l’amplitude et de la phase de chacun d’eux. De plus la crête positive 0
et la crête négative sont généralement affectées de façons différen- 0 0,005 0,01 0,015 0,02 0,025
tes. À titre d’exemple, l’influence d’un harmonique d’ordre 3 pour – 0,5

un déphasage nul, un déphasage de π (0,785 rd) et un déphasage –1


4
de π 2 (1,571 rd) est illustrée sur la figure 3. La valeur maximale que – 1,5
peut avoir l’influence d’un harmonique sur la valeur de crête du
signal est égale à l’amplitude de cet harmonique. –2
Signal Composante fondamentale
1.2.2.3 Influence des harmoniques sur la valeur moyenne
après redressement Harmonique de rang 3 (phase = 1,571 rd)

L’influence des harmoniques sur la valeur moyenne après redres-


sement est assez complexe. En effet, elle dépend non seulement de Figure 3 – Influence d’un harmonique d’ordre 3 sur la valeur crête
pour trois valeurs différentes du déphasage
leur amplitude et de leur phase mais également de leur rang. Elle
est notamment sensiblement plus élevée dans le cas d’harmoni-
ques impairs que pour les harmoniques pairs s’ils sont d’amplitu- 1.2.3 Influence de la présence d’harmoniques
des équivalentes. On admet en général que lorsque les composan- sur les mesures
tes harmoniques sont assez faibles pour que le signal résultant
n’ait qu’un seul passage par zéro par alternance, la valeur relative Les ampèremètres disponibles sur le marché sont le plus souvent
maximale de l’influence sur la valeur moyenne après redressement gradués en valeurs efficaces. Cependant, selon leur principe de fonc-
2
1 ⎛I ⎞ tionnement, ils peuvent être sensibles à d’autres paramètres, sou-
d’un harmonique pair de rang k est de ⋅ ⎜ k ⎟ (influence du vent la valeur moyenne après redressement. La conversion d’un
2 ⎝ I1 ⎠
paramètre à l’autre est alors effectuée au niveau de l’appareil de
second ordre). Dans les mêmes conditions, l’influence maximale mesure lui-même au moyen des relations liant ces paramètres
1 I entre eux et établies dans le cas particulier de courants sinusoı̈daux.
d’un harmonique impair de rang k est ⋅ k (influence du premier
k I1 La présence d’harmoniques dans le signal mesuré introduit alors
ordre). une erreur systématique. Il faut donc, lorsqu’on utilise un appareil

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Puissance en courant continu


et en courant alternatif

par Jean-René EVAN


Responsable assurance qualité – ENERDIS

1. Expression de la puissance électrique ............................................... R 1 025 – 2


1.1 Puissance en régime continu...................................................................... — 2
1.2 Puissance en régime sinusoïdal ................................................................. — 2
1.2.1 Puissance instantanée ........................................................................ — 2
1.2.2 Puissance active.................................................................................. — 2
1.2.3 Puissance réactive .............................................................................. — 2
1.2.4 Puissance apparente .......................................................................... — 3
1.2.5 Relations entre les puissances active, réactive et apparente.......... — 3
1.2.6 Définition de la puissance pour des formes d’onde particulières .. — 3
2. Mesure des puissances électriques .................................................... — 3
2.1 Mesure des puissances actives .................................................................. — 3
2.1.1 Mesure sur un réseau monophasé ................................................... — 3
2.1.2 Mesure sur un réseau triphasé non équilibré à 4 fils ...................... — 3
2.1.3 Mesure sur un réseau triphasé équilibré à 4 fils.............................. — 4
2.1.4 Mesure sur un réseau triphasé non équilibré à 3 fils ...................... — 4
2.1.5 Mesure sur un réseau triphasé équilibré à 3 fils.............................. — 5
2.2 Mesure des puissances réactives............................................................... — 5
2.2.1 Mesure sur réseau monophasé......................................................... — 5
2.2.2 Mesure sur réseau triphasé équilibré à 3 fils ................................... — 5
2.2.3 Mesure sur réseau triphasé à 3 fils non équilibré en courants....... — 5
3. Appareils de mesure de puissance électrique ................................. — 6
3.1 Principe du multiplieur numérique ............................................................ — 6
3.1.1 Élaboration de la puissance active.................................................... — 6
3.1.2 Élaboration de la puissance réactive ................................................ — 6
3.2 Méthode de mesure .................................................................................... — 7
3.2.1 Puissance active.................................................................................. — 7
3.2.2 Puissance réactive .............................................................................. — 7
3.3 Réalisation pratique..................................................................................... — 7
3.4 Avantages des wattmètres numériques .................................................... — 7
3.5 Perspectives d’évolution des wattmètres .................................................. — 8
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. R 1 025

e présent article traite principalement de la mesure des puissances électri-


L ques, en courant continu d’une part, pour des courants et tensions sinusoï-
daux de fréquence comprise entre quelques hertz et quelques kilohertz d’autre
part, fréquences que l’on rencontre généralement dans la pratique industrielle.
Les très faibles puissances (inférieures à 0,1 W) nécessitent des techniques et
des précautions particulières et ne sont pas traitées ici.
Sur un réseau électrique, il est très utile de connaître les consommations
p。イオエゥッョ@Z@、←」・ュ「イ・@RPPS

instantanées pour adapter la production aux besoins et, si nécessaire, diminuer


la charge imposée aux centrales en procédant à des délestages.

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PUISSANCE EN COURANT CONTINU ET ALTERNATIF __________________________________________________________________________________________

De même, les mesures de puissance sont nécessaires lors des essais de


machines et, dans l’industrie, pour contrôler la puissance absorbée par des
moteurs (laminoirs, groupe de ventilation, etc.).
Un autre problème est celui de la mesure de la puissance intégrée dans le
temps, c’est-à-dire de l’énergie consommée par les différents abonnés. Ce der-
nier problème est étudié dans les articles Comptage d’électricité. Compteurs à
courant alternatif [D 4 952] et Comptage d’électricité. Ensembles de comptage
[D 4 953] dans le traité Génie électrique.

1. Expression de la puissance Avec la convention utilisée, à l’instant t, le récepteur reçoit de la


puissance donc P > 0.
électrique ■ Pour un régime sinusoïdal permanent, la définition précédente
est toujours valable, mais il faut tenir compte de l’élément nouveau
que constitue le déphasage ϕ du courant par rapport à la tension.
1.1 Puissance en régime continu Soit :

u = U 2 cos ω t
La puissance P consommée dans une charge Z est égale au pro-
duit de la tension U aux bornes de cette charge par l’intensité I du la tension aux bornes du récepteur
courant qui la traverse (figure 1) :
et i = I 2 cos ( ω t – ϕ )
P = UI le courant qui traverse ce récepteur,

avec U tension exprimée en volts (V), avec U valeur efficace de la tension,


I intensité du courant continu exprimée en I valeur efficace du courant,
ampères (A), ω pulsation proportionnelle à la fréquence f.
P puissance consommée exprimée en watts (W).
P est la puissance échangée entre le générateur G et la charge Z. Par convention, le déphasage ϕ est compté positivement
quand le courant est en retard par rapport à la tension.

1.2 Puissance en régime sinusoïdal La puissance instantanée p dissipée dans le récepteur a pour
expression :

1.2.1 Puissance instantanée p = ui


d’où p = 2UI cos ωt cos (ωt − ϕ)
■ À un instant donné, la puissance instantanée p consommée par
un récepteur R est égale au produit de la tension instantanée u aux p = UI[cos ϕ + cos (2ωt − ϕ)]
bornes du récepteur par l’intensité instantanée i du courant qui le
soit : p = UI cos ϕ + UI cos (2ωt − ϕ)
traverse (figure 2) :
Le deuxième terme de cette dernière expression de p a une fré-
p = ui
quence double de celle de la tension d’alimentation et une valeur
Cette relation est vraie pour un régime quelconque. moyenne nulle.
On l’appelle puissance fluctuante, car elle est tantôt positive, tan-
tôt négative.
Ampèremètre
I
1.2.2 Puissance active
Générateur U Charge
Voltmètre La puissance active, qui est la valeur moyenne de la puissance
instantanée p = ui, est définie par :
P = UI cos ϕ
Figure 1 – Puissance consommée dans une charge
Cette puissance active a pour unité le watt et se mesure au moyen
d’un wattmètre.
I

1.2.3 Puissance réactive


Générateur U Récepteur
On définit également une puissance réactive Q :
Figure 2 – Puissance instantanée consommée par un récepteur Q = UI sin ϕ

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Mesure des hautes tensions

par Alain LEFÈVRE


Ingénieur Civil Électricien Mécanicien, Université de Liège
et Jean-Marie POTEL
Ingénieur Technicien Institut Gramme, Liège
revu et complété par François BERNOT
Ingénieur supélec
Supélec
Professeur des Universités à l’École d’Ingénieurs de Tours

1. Principe des mesures.............................................................................. R 1 035 – 2


1.1 Transmission de la mesure ......................................................................... — 2
1.2 Perturbations................................................................................................ — 3
2. Mesure de la haute tension avec diviseur de tension
et oscilloscope.......................................................................................... — 5
2.1 Circuit de mesure et propriétés .................................................................. — 5
2.2 Diviseur résistif ............................................................................................ — 6
2.3 Diviseur capacitif ......................................................................................... — 8
3. Mesure des tensions continues et alternatives par diviseurs
résistifs ....................................................................................................... — 8
3.1 Mesure en tension ....................................................................................... — 8
3.2 Mesure en courant....................................................................................... — 9
4. Essais divers .............................................................................................. — 10
4.1 Mesure des tensions continues, tensions de choc et tensions
de crête par spintermètre............................................................................ — 10
4.2 Mesure des tensions de crête..................................................................... — 10
4.3 Diviseur à capacité variable........................................................................ — 11
4.4 Essai diélectrique des diviseurs ................................................................. — 12
5. Générateurs haute tension.................................................................... — 12
5.1 Générateur d’essais..................................................................................... — 12
5.2 Générateur de radiologie ............................................................................ — 14
Références bibliographiques ............................................................. — 15

et article est consacré aux mesures des hautes tensions continues, alternati-
C ves et transitoires.
La mesure de tensions de l’ordre de quelques kilovolts à quelques centaines de
kilovolts relève des mêmes techniques que celles employées pour la mesure des
tensions rencontrées couramment en électronique et en électrotechnique, et les
appareils de mesure proprement dits sont identiques : oscilloscopes et voltmètres.
Des différences fondamentales existent néanmoins au niveau de la mise en
œuvre.
• Tout d’abord, dès que l’on dépasse le seuil des quelques kilovolts, la tension
sort de la gamme de mesure des instruments. Il est donc nécessaire d’utiliser
des réducteurs de tension, dont le but est de supporter à leurs bornes la plus
grande partie de la tension appliquée, tout en présentant à l’appareil de mesure
p。イオエゥッョ@Z@、←」・ュ「イ・@RPPS

un signal utilisable.

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MESURE DES HAUTES TENSIONS _________________________________________________________________________________________________________

• Ensuite, tout phénomène haute tension est de nature à comporter des


composantes spectrales dans le domaine des hautes fréquences. Les compo-
santes haute fréquence apparaissent soit de façon prévisible, comme c’est le cas
lors de l’application d’ondes de choc d’essai, soit de manière accidentelle, en cas
de claquage d’un isolant. Il convient que les circuits de mesure forment un
ensemble adapté à la mesure des phénomènes haute fréquence.
• Enfin, la mesure d’une tension suppose, dans la plupart des cas, que les élec-
trodes entre lesquelles on mesure soient apparentes ; et dans le cas où ces élec-
trodes sont portées à des potentiels élevés vis-à-vis de la terre, des mesures de
sécurité sont à mettre en œuvre afin de protéger les personnes se situant à
proximité.
Les applications de la mesure en haute tension se décomposent en deux gran-
des parties : la mesure pour contrôler le bon fonctionnement d’une installation
(poste de distribution électrique…) et celle appliquée à des appareils embarqués
(générateurs de rayons X, générateurs micro-ondes…). Si dans le premier cas il
est possible d’utiliser du matériel sophistiqué et onéreux, en revanche dans le
second cas, le constructeur doit souvent se tourner vers des solutions rustiques,
telles que les diviseurs résistifs associés à des filtres RC.
Cet article commence par une analyse de la chaîne de mesure traditionnelle
avec ses diviseurs, ses câbles de transmission et l’influence des parasites. Ces
principes sont alors appliqués à la mesure des phénomènes transitoires à
l’oscilloscope, avec diviseurs résistifs et capacitifs. Suit la mesure des valeurs
moyennes et efficaces, à l’aide d’appareils à cadre ou numériques, puis les
mesures de tension crête et de choc et les essais diélectriques.
Les principes de mesure de la haute tension d’un générateur d’essai et d’un géné-
rateur de radiologie sont étudiés.

1. Principe des mesures du pied du diviseur, si ce blindage est possible. Du côté oscilloscope,
le blindage du câble est en général directement mis au châssis de
l’appareil par le fait même de l’utilisation de connecteurs BNC.
Nota : BNC : standard des connecteurs utilisés avec câbles coaxiaux. Le corps extérieur
1.1 Transmission de la mesure du connecteur est mis à la masse par la prise femelle de l’oscilloscope. Le blindage du
câble est soudé sur le corps du connecteur. Se reporter à l’article Connectique [E 3 930],
réf. [2] dans le traité Électronique.
Dans le domaine de la haute tension, on mesure la tension entre La transmission d’un signal haute fréquence par câble coaxial se
une électrode mise au potentiel de la terre et une électrode à poten- situe dans le contexte de la propagation des ondes électromagnétiques
tiel élevé. Pour protéger le personnel et le matériel, l’oscilloscope dans les lignes électriques. On entend par là qu’elle est soumise aux
est placé à une distance suffisante de l’électrode haute tension, phénomènes apparaissant dans les processus de propagation, et
alors que le réducteur de tension se trouve nécessairement à proxi- notamment au phénomène de réflexion. On montre en effet qu’une
mité de celle-ci. ligne est caractérisée par son impédance caractéristique, et qu’une
Il faut donc utiliser un câble de liaison pour transmettre le signal onde se propageant sur cette ligne se réfléchit chaque fois que l’impé-
de mesure du pied du réducteur de mesure vers l’oscilloscope. Le dance rencontrée est différente de cette impédance caractéristique.
signal de mesure est un signal à faible énergie, qui est de nature à
La figure 3 nous permet d’analyser la situation : on peut considé-
être considérablement perturbé par les composantes haute fré-
rer le signal de mesure comme un générateur de tension V, d’impé-
quence du signal haute tension.
dance interne ZB. La tension V se propage dans le câble
La figure 1 montre comment la haute tension influe sur le câble d’impédance caractéristique Z. À l’oscilloscope, la tension V est
de liaison. reçue, mais aussi réfléchie vers le pied du diviseur à cause de la dis-
— D’une part, le courant haute tension I venant de la source G continuité d’impédance (Zi est de l’ordre de 1 MΩ, alors que l’impé-
(générateur d’ondes haute fréquence, ou générateur virtuel repré- dance caractéristique Z des câbles coaxiaux courants se situe entre
sentant les phénomènes survenant lors d’un claquage) rayonne un 50 Ω et quelques centaines d’ohms).
champ magnétique qui induit un courant Ii dans la boucle de Le signal se réfléchit de même sur le pied du diviseur et ainsi de
mesure. Ce courant induit peut avoir un ordre de grandeur compa- suite jusqu’à ce que la tension présentée à l’entrée de l’oscilloscope
rable à celui du courant de mesure Im, donné par : constitue en fait la superposition de plusieurs ondes indésirables
V (phénomène des réflexions multiples).
I m = ------B-
Zi Quand la mesure porte sur des tensions basse fréquence (tension
continue ou à fréquence industrielle), les réflexions multiples ne sont
étant donné que le courant Im est en général très faible, en raison de pas gênantes. Il en va tout autrement si l’on veut mesurer des ten-
la valeur élevée de l’impédance d’entrée de l’oscilloscope Zi. sions d’ondes normalisées, type 1,2-50 (temps de montée 1,2 µs ;
— D’autre part, les capacités parasites Cp viennent se mettre en temps de queue 50 µs). Le système de mesure devra être prévu en
parallèle sur l’impédance de la tête de diviseur ZH, introduisant des conséquence ; il sera adapté, de façon à supprimer les réflexions, ce
courants capacitifs de nature à fausser également la mesure. qui revient à présenter aux ondes de propagation une impédance
Pour éviter ces deux effets, la méthode la plus simple et la plus effi- sensiblement égale à l’impédance du câble de transmission. On peut
cace consiste à utiliser un câble coaxial, comme le montre la figure 2. effectuer l’adaptation à l’entrée ou à la sortie du câble, en utilisant un
Du côté mesure, le blindage du câble est relié à la terre et au blindage adaptateur spécial.

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_________________________________________________________________________________________________________ MESURE DES HAUTES TENSIONS

I
Z
ZB Z Zi
Cp Cp Cp G VH
CH,ZH

Ii Im

CB, ZB VB Zi Osc

Ii Figure 4 – Adaptation parallèle

Cp capacités parasites VB tension au pied du diviseur


G générateur haute tension ZB impédance basse tension Z
Ii courant induit ZH impédance haute tension
Im courant de mesure , sens du champ magnétique Z
Osc oscilloscope Zi impédance d'entrée de ZB Zi
l'oscilloscope

Figure 1 – Influence de la haute tension sur le câble de liaison

I
Figure 5 – Adaptation série

Cp Cp
ZH
• Dans le cas de la figure 4, l’adaptation à la sortie du câble est une
adaptation parallèle, étant donné qu’un oscilloscope présente une
impédance d’entrée élevée.
• Dans le cas de la figure 5, l’adaptation est réalisée en série à
ZB l’entrée du câble, cette méthode étant possible seulement dans le
cas où :
Zi Osc
ZB << Z

ce qui est rencontré dans le cas de diviseurs capacitifs sollicités par


des tensions haute fréquence.
Cp capacité parasite ZH impédance haute tension Exemple : pour fixer les idées, on peut prendre comme ordre de
Osc oscilloscope Zi impédance d'entrée de l'oscilloscope grandeur (figure 1) :
ZB impédance basse tension
f = 1 MHz
V H = 100 kV
Figure 2 – Liaison par câble coaxial
V B = 100 V
C H = 100 pF
C B = 100 nF
1 1
Z B = ----------- = --------------------------------------------- ≈ ± 1 Ω .
ω CB 6,28 × 10 × 10
6 –7

Z
ZB Zi L’adaptation série pour un câble 50 Ω est indiquée.
Il faudra noter que l’adaptation d’impédance atténue le signal, ce
dont il faut tenir compte.
V

1.2 Perturbations
V signal de mesure
ZB impédance du pied du diviseur
Z impédance caractéristique du câble 1.2.1 Origine des perturbations
Zi impédance d'entrée de l'appareil de mesure
On vient de voir comment le câble de transmission peut être
influencé par l’environnement haute tension. Cette source de pertur-
Figure 3 – Éléments de la chaîne de transmission bations n’est pas unique. La source haute tension et la chaîne de

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Mesure de déphasages
par André POLETAEFF
Ingénieur du Conservatoire national des arts et métiers (CNAM)
Chargé d’études et de recherches en métrologie basses fréquences au Laboratoire
national de métrologie et d’essais (LNE)

1. Définitions et remarques préliminaires...................................... R 1 045v2 – 2


1.1 Définitions .......................................................................................... — 2
1.2 Cas des signaux déformés ................................................................. — 2
1.3 Cas des signaux bruités ..................................................................... — 3
1.4 Cas des signaux de fréquence très élevée ........................................ — 3
2. Méthodes basées sur l’utilisation d’un oscilloscope
analogique ........................................................................................ — 4
2.1 Méthode utilisant un oscilloscope à double trace ............................ — 4
2.2 Méthode de l’ellipse de Lissajou ....................................................... — 4
2.3 Méthode basée sur l’utilisation d’un oscilloscope à entrée
différentielle ....................................................................................... — 5
2.4 Méthodes de zéro ............................................................................... — 6
3. Phasemètres électrodynamiques................................................. — 6
4. Phasemètres analogiques à bascules ......................................... — 7
4.1 Phasemètres à bascule bistable ........................................................ — 7
4.2 Phasemètres à bascules JK ............................................................... — 7
5. Phasemètres numériques .............................................................. — 9
5.1 Phasemètres numériques basés sur la mesure du décalage
temporel entre les signaux ................................................................ — 9
5.2 Phasemètres numériques à échantillonnage .................................... — 12
6. Mesure de déphasage de signaux très bruités : utilisation
d’un détecteur synchrone ............................................................. — 15
6.1 Principe de la détection synchrone ................................................... — 15
6.2 Exemple de phasemètre basé sur la détection synchrone ............... — 16
7. Déphaseurs et générateurs de signaux déphasés .................... — 17
7.1 Déphaseurs ......................................................................................... — 17
7.2 Générateurs de signaux déphasés .................................................... — 17
7.3 Validation de générateurs ou de mesureurs de signaux déphasés . — 19
8. Conclusion........................................................................................ — 21
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. R 1 045v2

e besoin de connaı̂tre le déphasage entre deux phénomènes peut apparaı̂tre


L dès que ceux-ci présentent un caractère de périodicité dans le temps. Cette
notion de déphasage est donc très générale et peut faire l’objet de mesures
dans des domaines de la physique aussi variés que l’électricité, l’électronique,
l’optique, la mécanique, l’acoustique… pour n’en citer que quelques-uns. Les
méthodes utilisées pour étudier ou mesurer ces déphasages sont généralement
spécifiques au domaine concerné. Néanmoins, il est souvent possible de trans-
former, au moyen de capteurs appropriés, des signaux de nature quelconque
en signaux électriques. Dans ce cas, le problème est ramené à une mesure de
déphasage entre signaux électriques.
Le présent article se limite strictement aux mesures de déphasage dans le
domaine électrique. La notion de déphasage y est précisée ainsi que les condi-
tions auxquelles doivent satisfaire les signaux pour qu’une telle mesure ait un
sens.
p。イオエゥッョ@Z@ェオゥョ@RPQT

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MESURE DE DÉPHASAGES ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Les méthodes les plus anciennes sont basées essentiellement sur des procé-
dés purement analogiques. L’oscilloscope, notamment, est un outil parfaite-
ment bien adapté lorsque les incertitudes recherchées restent de l’ordre de
quelques degrés. Les procédés de mesure sont en effet très simples et un tel
matériel est disponible dans la plupart des laboratoires.
Les méthodes numériques ont ensuite fait progressivement leur apparition.
Les premières applications aux mesures de déphasage étaient basées sur le
comptage d’impulsions. Avec le développement des composants électroniques
tels les échantillonneurs bloqueurs et les convertisseurs analogique-numérique
et numérique-analogique, et surtout avec l’accroissement rapide de leurs per-
formances, les méthodes par échantillonnage sont actuellement de plus en plus
utilisées. Celles-ci rendent possible l’acquisition des signaux au moyen d’équi-
pements standard (voltmètres numériques à échantillonnage équipés d’une
interface informatique), puis l’accès à l’information recherchée au moyen d’un
logiciel de traitement des données acquises spécifique à l’application.
Des méthodes, aussi bien analogiques que numériques, peuvent par ailleurs
être utilisées pour la mesure de déphasage entre signaux dans un environne-
ment très bruité. Celles-ci font généralement appel à des techniques de détec-
tion synchrone.
Enfin, des méthodes de déphasage et de génération de signaux déphasés,
avec les moyens de validation associés, sont présentés dans cet article.

que définie au paragraphe précédent, et a fortiori la notion de


1. Définitions et remarques déphasage, perdent alors leur sens.
préliminaires Toutefois, par analogie avec les signaux sinusoı̈daux, on dit par
abus de langage que deux signaux périodiques de forme quel-
conque mais identique, de période T, et décalés l’un par rapport à
1.1 Définitions l’autre d’un intervalle de temps t0 sont déphasés l’un par rapport à
l’autre, et la valeur Dj de ce déphasage est alors donnée par :
Soit un signal sinusoı̈dal s (t) de pulsation w (w = 2.p.f, f dési-
gnant la fréquence du signal) et d’amplitude A. Un tel signal est t0
Δϕ = 2.π.
décrit par l’expression : T
s (t ) = A.sin (ω.t + ϕ )
Dans la pratique, on est souvent confronté à des signaux de for-
mes légèrement différentes. Par exemple, lorsqu’on s’intéresse à
où j est appelé « phase à l’origine du signal ».
l’influence d’un circuit électronique tel un amplificateur ou un atté-
À la différence de l’amplitude et de la fréquence, la phase ainsi nuateur, etc., le signal recueilli à la sortie peut être déformé par rap-
définie n’est pas un paramètre intrinsèque caractéristique du port à celui qui est appliqué à l’entrée. Les différentes composantes
signal, mais dépend de l’instant choisi comme origine des temps. harmoniques du signal d’entrée peuvent en effet se trouver ampli-
Considérons maintenant un second signal sinusoı̈dal de même fiées/atténuées et déphasées de façons différentes selon leur fré-
fréquence que nous noterons : quence dans le signal de sortie, ce qui se traduit par une déforma-
tion du signal. La façon dont on mesure le décalage temporel entre
s1 (t ) = A1.sin (ω.t + ϕ1)
les deux signaux (passage par zéro, passage par la crête positive
ou négative…) et de façon plus générale la méthode de mesure
Si j 1, comme j, est lié au choix de l’origine des temps, la diffé- du déphasage employée peuvent alors conduire à des résultats
rence j 1 - j, appelée « avance de phase du signal s1 (t) sur s (t) »,
plus ou moins différents. Ceci est illustré sur la figure 1. On y voit
en est quant à elle totalement indépendante et caractérise le déca-
un signal s1 (t) composé d’un terme fondamental d’amplitude 1 et
lage temporel entre les deux signaux.
d’un harmonique de rang 2 en phase d’amplitude 0,45 représentant
Cette différence est nulle lorsqu’il n’y a pas de décalage entre les le signal d’entrée et un signal s2 (t) constitué d’une composante
signaux (signaux en phase) et croı̂t proportionnellement à ce déca- fondamentale d’amplitude 0,9 déphasée de p/6 par rapport au pre-
lage (signaux déphasés) pour prendre la valeur 2.p lorsque celui-ci mier signal et d’un harmonique de rang 2 d’amplitude 0,25
atteint la valeur d’une période des signaux considérés. déphasé de 3p/4 représentant le signal de sortie. On voit clairement
que l’intervalle de temps t01 séparant les passages par zéro des
1.2 Cas des signaux déformés fronts descendants est sensiblement inférieur à l’intervalle de
temps t02 séparant les passages par zéro des fronts montants.
Nous entendons par « signal déformé » tout signal périodique Pour que la notion de déphasage conserve son sens, il est donc
qui n’est pas parfaitement sinusoı̈dal et ne pouvant donc pas être nécessaire de bien s’assurer que la déformation d’un signal par
représenté par une fonction sinusoı̈dale. La notion de phase telle rapport à l’autre reste négligeable.

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– MESURE DE DÉPHASAGES

1,5 E1.E0
.cos[(ω – ω0).t +(φ1– φ0)]
E1 sin(ω.t + φ1) 2
t01 Multiplieur Filtre passe-bas
1 t02 E0 sin(ω0.t + φ0)

0,5 E2 sin(ω.t + φ2) Multiplieur Filtre passe-bas


E2.E0
.cos[(ω – ω0).t +(φ2 – φ0)]
Tension

2
0
0 0,005 0,01 0,015 0,02 0,025 0,03 0,035

-0,5

(ω – ω0) (ω + ω0) (ω – ω0)


-1

Figure 3 – Principe de la transposition hétérodyne


-1,5
Temps (ms)

s1(t) s2(t)
« noyé » dans le bruit. On fait alors généralement appel à des
méthodes basées sur la détection synchrone (voir paragraphe 6).

Figure 1 – Mesure de déphasage entre signaux déformés


1.4 Cas des signaux de fréquence très
1,5
élevée
Les techniques de mesure de déphasage décrites dans cet article
1 sont limitées à des fréquences ne dépassant pas quelques centai-
t01
nes de kHz. Il existe néanmoins une méthode dite « hétérodyne »
couramment utilisée pour rendre possible l’emploi de ces mêmes
0,5 techniques jusqu’à des fréquences pouvant atteindre quelques
GHz. Elle consiste à transposer le domaine de la mesure entre 0 et
Tension

100 kHz environ. Cette transposition est effectuée à l’aide d’un


0
0 0,005 0,01 0,015 0,02 0,025 0,03 0,035 signal auxiliaire e0 (t) = E0 sin (w0.t + j 0) délivré par un générateur
haute fréquence. La figure 3 donne une illustration de cette
-0,5 méthode.
Soit donc à mesurer le déphasage entre deux signaux e1 (t) =
-1 E1.sin (w.t + j 1) et e2 (t) = E2.sin (w.t + j 2) de fréquence élevée
t02 ω
f = . Dans un premier temps on multiplie les signaux e1 (t) et
2.π
-1,5 ω
Temps (ms) e2 (t) par le signal e0 (t) de fréquence f0 = 0 voisine de f. Ce dernier
2.π
s1(t) s2(t) Vmoy s2(t) est délivré par l’oscillateur local du détecteur hétérodyne utilisé à
cette fin, et dont la fréquence peut être ajustée à la valeur f0 voulue.
Figure 2 – Décalage entre les passages par zéro introduit On obtient alors deux signaux s1 (t) et s2 (t) tels que :
par la présence d’une composante continue sur l’un des signaux
s1 (t ) = e1 (t ) .e0 (t ) = E1.E0 .sin (ω.t + ϕ1) .sin (ω0 .t + ϕ0 )
Dans le cas contraire, il importe de bien préciser l’information
pertinente qu’il s’agit de recueillir et mettre en œuvre la méthode =
E1.E0
2
{
. cos ⎡⎣(ω − ω0 ) .t + (ϕ1 − ϕ0 )⎤⎦ − cos ⎡⎣(ω + ω0 ) .t + (ϕ1 + ϕ0 )⎤⎦ }
de mesure appropriée.
s2 (t ) = e2 (t ) .e0 (t )
Remarquons par ailleurs que le passage par zéro utilisé dans un
certain nombre de techniques de mesure de déphasage pour accé- =
E2 .E0
2
{
. cos ⎡⎣(ω − ω0 ) .t + (ϕ2 − ϕ0 )⎤⎦ − cos ⎡⎣(ω + ω0 ) .t + (ϕ2 + ϕ0 )⎤⎦ }
der au décalage temporel entre les signaux n’est un critère perti-
nent que si ceux-ci ont tous deux une valeur moyenne nulle. Les On filtre ensuite ces deux signaux au moyen de filtres passe-bas
signaux s1 (t) et s2 (t) de la figure 2 ne diffèrent que par leurs de façon à ne conserver que leurs composantes basse fréquence.
niveaux et ne présentent entre eux aucun déphasage. On constate Soient donc s′1 (t) et s′2 (t) les signaux obtenus après filtrage des
d’ailleurs que les passages par les extrémums sont simultanés signaux s1 (t) et s2 (t) :
pour les deux signaux. Mais alors que la valeur moyenne de s1 (t)
est nulle, celle de s2 (t) ne l’est pas. C’est la raison pour laquelle E1.E0
les passages par zéro ont lieu à des instants différents et le déca- s '1 (t ) = .cos ⎡⎣(ω − ω0 ) .t + (ϕ1 − ϕ0 )⎤⎦
2
lage t01 observé entre les passages des fronts descendants diffère
E .E
du décalage t02 observé entre les passages des fronts montants. s '2 (t ) = 2 0 .cos ⎡⎣(ω − ω0 ) .t + (ϕ2 − ϕ0 )⎤⎦
2
Le déphasage entre les signaux basse fréquence s′1 (t) et s′2 (t),
1.3 Cas des signaux bruités égal à j 2 - j 1, est identique à celui entre les signaux haute fré-
Il arrive souvent qu’un bruit se superpose au signal utile et per- quence s1 (t) et s2 (t). Ce dernier peut ainsi être mesuré au moyen
turbe les mesures. Les moyens à mettre en œuvre pour s’en affran- de dispositifs basse fréquence.
chir au mieux dépendent des caractéristiques (niveau, composition Pour fixer les idées, si la fréquence des signaux e1 (t) et e2 (t) est
spectrale) de ce bruit qui peuvent être très variées. Cependant, si ce de 100 MHz, on peut fixer la fréquence du signal e0 (t) à 99,9 MHz.
niveau dépasse un certain seuil, le signal utile peut se trouver La mesure du déphasage se fait alors à 100 kHz.

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MESURE DE DÉPHASAGES ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

2. Méthodes basées 2.2 Méthode de l’ellipse de Lissajou


sur l’utilisation d’un 2.2.1 Principe de la méthode
oscilloscope analogique Dans cette méthode, l’une des tensions, V1 (t), est envoyée sur le
système de déviation horizontale du spot, l’autre, V2 (t), sur le sys-
tème de déviation verticale. Les tensions étant sinusoı̈dales, la
déviation du spot en fonction du temps est décrite par les
équations :
2.1 Méthode utilisant un oscilloscope – sur l’axe horizontal :
à double trace
X (t ) = X 0 ⋅ sin (ω ⋅ t + φ1)
Les tensions e1 (t) et e2 (t) dont on mesure la différence de phase
sont appliquées aux deux entrées de l’oscilloscope. Il faut au préa- – sur l’axe vertical :
lable ajuster l’offset de chaque voie sur les calibres utilisés de façon
à ce qu’en l’absence de signal les deux traces se trouvent superpo- Y (t ) = Y0 ⋅ sin (ω ⋅ t + φ2 )
sées sur la ligne horizontale du quadrillage de l’écran qui va repré-
senter le zéro. Une fois les signaux appliqués, on repère sur cette X0 et Y0 sont proportionnels aux amplitudes des deux tensions,
ligne leur période T et le décalage t0 d’un des signaux par rapport f1 et f2 représentent leurs phases à l’origine.
à l’autre (voir figure 4). Le déphasage q, exprimé en degrés entre Les équations ci-dessus sont celles d’une ellipse centrée en O. La
les deux signaux, est alors donné par : forme et l’inclinaison de cette ellipse dépendent du déphasage
entre les deux tensions. La figure 5 montre les formes obtenues
t0 pour un déphasage de p/4 et pour un déphasage nul.
θ= × 360
T La valeur t0 de t pour laquelle X (t) = 0 est telle que w.t0 + f1 = ± k.p .
L’ellipse coupe donc l’axe vertical en deux points A et A′ dont les
Il est utile de s’assurer que le déphasage propre des deux voies ordonnées sont données par
est le même. Il suffit pour cela de vérifier la parfaite coı̈ncidence Y (t 0 ) = Y0 .sin (ω.t 0 + φ2 ) = Y0 .sin (φ2 − φ1 ± k .π ) = ± Y0 . sin (φ2 − φ1) . La
des deux traces lorsqu’on applique le même signal sur les deux longueur du segment AA′ est ainsi donnée par
entrées. Si un décalage est observé, il suffit de le prendre en AA' = 2.Y0 . sin (φ2 − φ1) . Or on a par ailleurs BB′ = 2.Y0. On en déduit
compte en le retranchant de l’intervalle de temps t0 obtenu lors de
la relation donnant le déphasage sin (φ2 − φ1) = AA ' /BB'.
la mesure.
Certains oscilloscopes offrent la possibilité de placer un réticule
Par ailleurs, pour une meilleure appréciation des passages par
gradué devant l’écran. L’échelle verticale du réticule est graduée
zéro des signaux, on règle généralement les gains de chacune des
directement en valeurs de déphasage, la hauteur OB étant prise
voies afin que l’amplitude de ceux-ci occupe toute la dynamique
comme référence. Il suffit de centrer l’ellipse et d’ajuster le gain de
permise par l’écran. De même, pour apprécier au mieux le rapport l’amplificateur de la voie verticale de façon à amener l’ellipse à être
t0/T, il est conseillé de régler la vitesse de balayage du spot et tangente aux lignes de repère ab et gd (voir figure 5a). Le point
d’ajuster la position de l’axe horizontal de façon à ce qu’un front d’intersection de l’ellipse avec l’axe vertical ainsi gradué donne
montant d’un des deux signaux passe par zéro au niveau de l’inter- alors directement la valeur du déphasage.
section de la première ligne verticale du quadrillage de l’écran avec
cet axe et le front montant suivant au niveau de l’intersection de la 2.2.2 Limites de la méthode
dernière.
Cette méthode s’applique uniquement à des mesures sur des
Cette méthode évalue, sans indécision, une différence de phase tensions purement sinusoı̈dales. Un taux de distorsion de quelques
entre - 180 et + 180 . La précision de lecture de t0 étant cependant pour-cent peut conduire à des erreurs importantes sur la lecture du
assez faible, les erreurs sur le déphasage peuvent atteindre la déphasage. Ceci est illustré sur la figure 6 qui compare les figures
dizaine de degrés. de Lissajou obtenues pour des signaux distordus et des signaux
sinusoı̈daux purs présentant entre eux des déphasages identiques.
Elle ne permet de mesurer que des déphasages compris entre 0
et 180 . Pour un déphasage nul, la figure obtenue est celle d’un
1,5

T 1,5 1,5
1
e1(t) e2(t) a B b
1 1
0,5 A
0,5 0,5

0 0 0
0 0,5 1 1,5 2 -1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5 -1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5

-0,5 -0,5 -0,5


A’
-1 g -1
d B’
-1
-1,5 -1,5
t0
-1,5 a déphasage = p/4 b déphasage = 0

Figure 5 – Figures de Lissajou obtenues pour deux valeurs différentes


Figure 4 – Mesure de phase à l’aide d’un oscilloscope à double trace de déphasage

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– MESURE DE DÉPHASAGES

1,5 e1(t) = A1.sin(w.t + f1) k

+ k.A1.sin(w.t + f1) – A2.sin(w.t + f2)


e2(t) = A2.sin(w.t + f2) -
1

Figure 7 – Amplificateur différentiel représentant l’étage d’entrée


de l’oscilloscope
0,5
laquelle le diviseur résistif peut être ajusté pour rendre S0 minimal.
Cette valeur minimale S0.min de S0 est donnée par :

0 S0,min = A2 . sin (φ2 − φ1)


-1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5
La procédure de mesure est donc la suivante : une fois les
-0,5 signaux e1 (t) et e2 (t) appliqués, on règle dans un premier temps le
diviseur résistif de manière à rendre le signal s (t) minimal et on
relève cette valeur minimale S0.min ainsi que le rapport k correspon-
dant. Dans un second temps, on amène le rapport du diviseur résis-
-1 tif à zéro, ce qui permet de mesurer l’amplitude A2 du signal e2 (t).
Le déphasage entre les signaux e1 (t) et e2 (t) est alors donné par :

⎛S ⎞
φ2 − φ1 = Arc sin ⎜ 0,min ⎟
-1,5 ⎝ A2 ⎠

Figure 6 – Figures de Lissajou obtenues pour des signaux affectés


d’un facteur de distorsion de 10 % (trait bleu) et des signaux
Cette méthode se prête bien à des mesures de déphasages très
sinusoı̈daux purs (trait discontinu) présentant entre eux un même faibles grâce à la possibilité d’accroı̂tre le gain de l’oscilloscope
déphasage égal à p/4 afin d’augmenter la résolution.

segment de droite incliné de 45 vers la droite. Lorsque le dépha- Application numérique : pour un déphasage de 1 et en prenant
sage croı̂t, la figure prend la forme d’une ellipse toujours inclinée A2 = 1 V, l’amplitude S0.min du signal observé lorsque le diviseur résis-
vers la droite, puis celle d’un cercle lorsque celui-ci atteint 90 , tif est correctement réglé est donnée par S0.min = sin1 = 17,45 mV,
ensuite à nouveau celle d’une ellipse inclinée cette fois-ci vers la ce qui conduit à une amplitude crête à crête de 34,90 mV et corres-
gauche et finalement celle d’un segment de droite incliné vers la pond à une hauteur d’image de 3,49 cm si on choisit une sensibilité
gauche lorsque celui-ci prend la valeur de 180 . Si l’on continue à de 10 mV/cm de l’oscilloscope.
augmenter le déphasage, la figure obtenue reprend de nouveau
progressivement les mêmes formes pour redevenir un segment
de droite incliné vers la droite pour un déphasage de 360 . Lors- Cependant, pour les déphasages voisins de 90 l’erreur peut
qu’on change le signe du déphasage, la figure garde les mêmes devenir significative.
caractéristiques apparentes.
Comme pour la méthode décrite précédemment, la méthode de Application numérique : en conservant A2 = 1 V, un déphasage de
l’ellipse de Lissajou conduit à des erreurs de l’ordre de 5 à 10 . 90 conduit à un signal observé d’amplitude S0.min = sin 90 = 1 V cor-
respondant à une hauteur d’image crête à crête de 10 cm, avec une sen-
sibilité de 0,2 V/cm. Un déphasage de 80 conduirait dans les mêmes
conditions à une hauteur d’image égale à 2.sin 80 /0,2 = 9,85 cm. Un
2.3 Méthode basée sur l’utilisation d’un écart de 10 autour de 90 se traduit donc par un écart de seulement
oscilloscope à entrée différentielle 1,5 mm sur l’image observée. La méthode est ainsi très sensible lors-
qu’elle est utilisée pour la mesure de faibles déphasages, alors que
Le principe de cette méthode est donné sur la figure 7. L’amplifi- pour des déphasages voisins de la quadrature, sa sensibilité est dégra-
cateur différentiel qui constitue l’étage d’entrée de l’oscilloscope dée de façon très significative.
donne sur l’écran une sinusoı̈de s (t) décrite par :

s (t ) = k .A1.sin (ω.t + φ1) − A2 .sin (ω.t + φ2 ) Comme la précédente, cette méthode n’est applicable qu’avec
des signaux purement sinusoı̈daux. Un taux de distorsion de quel-
où k est le rapport du diviseur résistif. ques pour-cent conduit aussitôt à des erreurs de mesure
Le signal s (t) peut encore se mettre sous la forme : importantes.
À défaut de l’oscilloscope différentiel, on peut utiliser un voltmè-
s (t ) = (k .A1.cos φ1 − A2 .cos φ2 ) .sin (ω.t ) + (k .A1.sin φ1 − A2 .sin φ2 ) . cos (ω.t )
tre différentiel ou encore un oscilloscope asymétrique précédé d’un
amplificateur différentiel. Cet amplificateur peut être réalisé à l’aide
dont l’amplitude S0 est donnée par :
d’un seul amplificateur opérationnel (figure 8). Ce montage simple
possède certains inconvénients, notamment celui de présenter des
S0 = A12 .k 2 − 2.A1.A2 .cos (φ2 − φ1) .k + A22
impédances d’entrée finies et inégales sur les deux voies. Un mon-
tage plus élaboré est présenté dans la figure 9. Entre autres avan-
Lorsque k varie, S0 passe par un minimum qui correspond à la
tages, ses entrées sont à haute impédance et son gain est réglable
∂S0 (k ) A
valeur de k qui satisfait à = 0 soit k = 2 .cos (φ2 − φ1). Si par la seule résistance R4. Étant donné le bas prix des amplifica-
∂k A1 teurs intégrés actuels, l’inconvénient du nombre élevé de circuits
A2 ≤ A1, il existe toujours une valeur de k (inférieure à l’unité) à utilisés est largement compensé par ses performances.

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Appareils de contrôle de la sécurité


électrique

par André LECONTE


Ingénieur de l’École supérieure d’électricité
Ancien Directeur des études, société Chauvin-Arnoux
et Bernard KANTOROWSKI
Chef de projet au bureau d’études, société Chauvin-Arnoux

1. Dangers présentés par les courants électriques............................. R 1 040 – 2


2. Ohmmètres de mesure des résistances d’isolement ..................... — 4
3. Ohmmètres de mesure des continuités............................................. — 9
4. Mesure des résistances de terre.......................................................... — 11
5. Mesure des résistances de boucle ...................................................... — 14
6. Appareils de contrôle des tenues diélectriques.............................. — 16
7. Appareils de mesure des courants de fuite...................................... — 18
8. Contrôleurs permanents d’isolement pour réseaux IT.................. — 20
9. Testeurs multifonctions ......................................................................... — 21
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. R 1 040

e présent document ne traite pas les appareils de surveillance des micro-


L coupures et des fluctuations de la tension distribuée par le secteur. Le
lecteur pourra se reporter aux articles des Techniques de l’Ingénieur [4] à [7].
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1. Dangers présentés par considérer comme non dangereuses que les tensions inférieures à
25 V.
les courants électriques
1.3 Dispositifs mis en œuvre contre
1.1 Effets physiologiques du courant les risques présentés par les courants
électrique électriques

Les effets physiologiques du courant électrique sont décrits dans


la norme CEI 479 en fonction du courant cheminant dans le corps 1.3.1 Protection vis-à-vis des contacts directs
humain et sont classés comme suit, pour les courants à fréquence
industrielle :
Les dispositions de sécurité à prendre dépendent du type et du
• seuil de perception : 0,5 mA ;
mode de distribution de la tension.
• seuil de « non-lâcher » : environ 10 mA ;
• seuil de fibrillation ventriculaire : il dépend largement du temps ■ Réseaux très basse tension
de passage du courant, avec les ordres de grandeur suivants :
— 30 ms : 500 mA ; Il s’agit de réseaux distribuant des tensions inférieures à 50 V,
donc pouvant être considérées comme non dangereuses et pour
— 50 ms : 300 mA ;
lesquelles une protection vis-à-vis des contacts directs n’est pas exi-
— 1 s : 30 mA. gée. Toutefois, ces tensions sont généralement obtenues à partir de
Il faudrait y ajouter un coefficient de pondération fonction du che- tensions plus élevées au moyen d’un transformateur abaisseur. Ce
min emprunté par le courant à travers le corps et désigné par facteur dernier devra mettre en œuvre les dispositifs d’isolement et d’écran-
de courant de cœur. Ainsi, un courant de 200 mA de main à main, a tage définis dans la norme NF EN 61558-2-6, afin d’interdire toute
le même effet qu’un courant de 80 mA main gauche-pieds. possibilité de liaison accidentelle entre le secondaire très basse ten-
Par ailleurs, les effets indiqués ci-dessus diminuent avec la fré- sion et le primaire.
quence et, au-dessus de 30 kHz, ainsi qu’en courant continu, les
effets de brûlure deviennent prépondérants (à partir de I = 0,5 A). ■ Réseaux de distribution basse tension à neutre isolé (formule
dite IT)

Ces réseaux n’ayant pas de point commun avec la terre et les


1.2 Passage du courant électrique masses qui leur sont naturellement raccordées (sinon à travers une
dans le corps humain impédance notable), leur mise en contact accidentelle avec une per-
sonne ou un objet reliés à la terre ne provoquera pas le passage
d’un courant dangereux. Cette formule n’est pas utilisée dans les
■ Le passage du courant électrique dans le corps humain nécessite réseaux de distribution publique, mais exclusivement dans ceux
un double contact avec deux éléments présentant entre eux une d’établissements industriels ou commerciaux qui souhaitent éviter
certaine différence de potentiel. une disjonction en cas d’un défaut à la terre d’un des conducteurs
actifs de cette distribution. Toutefois, un tel défaut rend l’installation
L’un d’eux est généralement une masse telle qu’un sol conducteur potentiellement dangereuse et doit être immédiatement signalé.
ou une surface métallique constituée par un tuyau, un radiateur, C’est le rôle des contrôleurs permanents d’isolement (cf. § 8).
etc., généralement au potentiel du sol.
L’autre peut être un conducteur sous tension, également désigné ■ Réseaux de distribution basse tension à neutre mis à la terre
partie active. Il s’agit alors d’un contact direct. Ce peut être aussi (formule dite TT)
une surface métallique mise accidentellement sous tension à la
suite du défaut d’un isolant ou d’une déformation. On parle dans ce C’est le cas général des réseaux de distribution en basse tension,
cas d’un contact indirect. c’est-à-dire comprise entre 50 et 1 000 V, comme représenté, dans le
Dans les deux cas, le courant généré est le quotient de la diffé- cas du triphasé, figure 1.
rence de potentiel par l’impédance du corps humain. Cette dernière
comporte essentiellement deux termes :
— l’impédance interne Zi après suppression de la peau sous les
parties en contact ;
Transformateur
— et l’impédance de la peau Zp (entre 50 et 100 V, l’impédance de de tension
la peau décroît rapidement). Phase 1
Phase 2
■ Dans le document CEI 990 : « Méthodes de mesure du courant de Phase 3
contact et du courant dans le conducteur de protection », on trouve Neutre
la définition d’un circuit destiné à simuler l’impédance du corps (éventuellement
humain, associé à un réseau de mesure simulant l’évolution de la non distribué)
réponse du corps humain en fonction de la fréquence (cf. § 1.3.4).
Récepteur Récepteur
Aux fréquences industrielles (50 et 60 Hz), cette impédance a pour Terre du poste Rn
valeur 2 000 Ω au-dessus de 50 V et croît rapidement au-dessous.
En partant de cet ordre de grandeur, il est admis que les tensions
inférieures à 50 V, correspondant à un courant inférieur à 25 mA, Terre locale Rm
sont non dangereuses pour les locaux d’habitation, les locaux
industriels et commerciaux non mouillés. Dans le cas contraire,
cette tension est abaissée à 25 V et la tendance actuelle est de ne Figure 1 – Réseau de distribution TT

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La sécurité vis-à-vis des contacts directs est assurée par l’isole- 1.3.3 Utilité des dispositifs de coupure à courant
ment des parties actives soit au moyen de matériaux isolants, soit différentiel
en respectant des distances suffisantes.
La qualité de l’isolation sera vérifiée au moyen d’un mégohmmè- L’emploi de disjoncteurs différentiels, prenant en compte unique-
tre en s’assurant que, dans les conditions définies par les normes, la ment le courant s’écoulant entre le ou les conducteurs actifs et la
résistance d’isolement reste supérieure aux valeurs prescrites. terre, indépendamment du courant de service normal, a permis
Le contrôle de l’isolement doit être complété par celui de la tenue d’abaisser considérablement le seuil de déclenchement des disposi-
aux surtensions susceptibles d’être rencontrées dans l’installation tifs de protection en cas de défaut et donc de relever le seuil admis-
concernée. Cette exigence s’applique notamment aux matériels sible pour les valeurs des résistances de terre. Ainsi, en utilisant un
divers destinés à être exploités au moyen du courant délivré par les disjoncteur différentiel de seuil I∆n = 0,3 A et en limitant la montée
réseaux de distribution. en tension des masses à 25 V, il suffira de ne pas dépasser 25/
0,3 = 83 Ω pour la résistance de la terre locale.
En fonction du niveau des surtensions transitoires dont elles ris-
quent d’être le siège, les installations électriques sont classées en Encore faudra-t-il s’assurer du fonctionnement correct du disjonc-
quatre catégories définies dans la norme CEI 664 : « Coordination teur différentiel au moyen d’appareils spécialement conçus pour
de l’isolement » et reprises dans la norme CEI 364. À titre d’illustra- cette fonction (cf. § 7).
tion, nous avons extrait de cette dernière le tableau 1.
(0)
1.3.4 Matériel électrique raccordé au réseau basse
tension
Tableau 1 – Classement des installations électriques
(CEI 664) Pour les équipements électriques, il existe deux modes de protec-
tion contre les contacts indirects, correspondant à deux classes de
Niveaux présumés des surtensions matériel.
Réseau
transitoires
■ classe I concerne des matériels comportant une enveloppe exté-
Triphasé Monophasé Catégorie I Catégorie II Catégorie III rieure métallique, cette dernière étant raccordée au conducteur de
(V) (V) (kV) (kV) (kV) sécurité de l’installation à laquelle se trouve branché ce matériel et,
de là, à la terre des masses ; ces appareils doivent donc comporter,
120-240 0,8 1,5 2,5 outre les conducteurs assurant leur alimentation, un conducteur
230/400 - 1,5 2,5 4 supplémentaire de masse.
400/690 - 2,5 4 6 ■ classe II correspond, le plus souvent, à des appareils dont l’enve-
1 000 - 4 6 8 loppe est isolante ; leurs masses conductrices éventuelles ne sont
pas raccordées à un conducteur de liaison à la terre ; la sécurité est
acquise par un double isolement ou un isolement renforcé corres-
pondant à des tenues diélectriques nettement plus élevées que cel-
Pour s’assurer de la tenue aux surtensions prescrite par les nor- les requises par l’isolation de base ou isolation fonctionnelle.
mes particulières, les installations et les matériels électriques doi-
Ainsi, pour un appareil dont la tension de service serait de 300 V
vent être testés au moyen d’appareils d’essais diélectriques
et fonctionnerait sur une installation de catégorie de surtension III,
générant lesdites tensions.
la tenue diélectrique passerait de 2 200 V pour l’isolation de base à
3 700 V pour l’isolation renforcée.
1.3.2 Protection vis-à-vis des contacts indirects Lorsque de tels matériels comportent des parties conductrices
accessibles, il convient de s’assurer que, par suite de l’existence
La sécurité vis-à-vis des contacts indirects est obtenue par la d’une liaison capacitive interne avec une partie active, ces dites par-
liaison entre elles de toutes les parties conductrices accessibles ties conductrices ne risquent pas de provoquer le passage d’un cou-
(masses), afin d’assurer leur équipotentialité. Cette disposition est rant dangereux lors d’un contact avec le corps humain.
complétée par le raccordement de l’ensemble de ce réseau équipo- Pour ce faire, on utilise le circuit de mesure de la figure 2 défini
tentiel à une terre locale unique pour une installation donnée. notamment dans la norme CEI 990. Le courant à considérer est
En cas d’un défaut entre une partie active et une masse, il s’écoule U
mesuré à partir de la relation : I = ---------- .
un courant dans la boucle constituée par le fil de phase concerné, le 500
transformateur de tension du poste de distribution et les deux prises
de terre dont les résistances respectives Rn et Rm sont placées en
série (figure 1). La terre du poste bénéficiant en général d’une faible
résistance, le courant de défaut dépendra essentiellement de la
valeur Rm de la résistance de la terre locale. Masse concernée
Pour que ce courant atteigne un niveau provoquant le déclen-
chement des dispositifs de protection existants sans que la tension
0,22 µF
des masses par rapport à la terre n’excède le seuil de sécurité admis 1 500 Ω
(soit généralement 50 V), il convient de fixer une limite supérieure à 10 kΩ
la valeur Rm de la terre locale. Pour s’en assurer, il sera nécessaire
d’en effectuer la mesure au moyen d’un ohmmètre spécialement U
0,022 µF
500 Ω Voltmètre
conçu à cet effet et généralement appelé contrôleur de terre. haute impédance
Cette mesure, dans le cas des réseaux TT, peut être approximati-
vement réalisée en condition de service en effectuant la mesure de
la résistance de la boucle constituée par les deux résistances Rn et
Rm sachant que la terre locale Rm est d’un ordre de grandeur supé-
rieure à Rn. Figure 2 – Circuit de mesure des courants de contact

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Ce circuit représente l’impédance conventionnelle du corps maintenance préventive. La norme citée prévoit des seuils de 1 MΩ
humain qui, partant de 2 000 Ω à 50 Hz, diminue progressivement pour les matériels de la classe I et de 7 MΩ pour ceux de la classe II.
quand la fréquence augmente. Le circuit RC qui pondère la réponse
du circuit de mesure a pour effet de tenir compte de l’influence de la
fréquence sur la sensation physiologique.
En conditions normales, le courant I ainsi mesuré ne doit pas 2.1 Caractéristiques fonctionnelles
dépasser 0,5 mA en valeur efficace pour un courant alternatif sinu- principales
soïdal et 2 mA pour un courant continu (suivant CEI 1010-1, § 6.312).
En conditions du premier défaut, ces limites sont portées respec-
tivement à 3,5 mA en valeur efficace en alternatif et 10 mA en cou- 2.1.1 Conditions de mesure prescrites
rant continu. par les normes
Pour les appareils portatifs de faible encombrement et de faible
puissance, on dispose d’un moyen direct d’éviter le passage d’un Les résistances d’isolement n’obéissent généralement pas à la loi
courant dangereux dans le corps humain en montant un interrup- d’Ohm. Elles doivent être mesurées sous une tension atteignant au
teur différentiel à haute sensibilité sur la ligne qui les alimente. Ces minimum celle à laquelle elles se trouvent soumises dans les condi-
appareils provoquent une coupure de l’alimentation pour un cou- tions d’exploitation du réseau ou de l’équipement concerné. On est
rant de fuite ne dépassant pas 30, 10 ou même 6 mA pour les plus toutefois amené à effectuer cette mesure en courant continu pour
sensibles, c’est-à-dire un courant inférieur, dans ce dernier cas, au éliminer l’effet de l’impédance capacitive, souvent du même ordre
seuil dit de non-lâcher. ou même inférieure à la résistance à mesurer.
Ces dispositifs sensibles sont malheureusement inutilisables Pour la partie d’une distribution basse tension en aval du dernier
pour des matériels de puissance plus élevée, en raison de la pré- organe de protection, les appareils d’utilisation étant déconnectés,
sence de fuites capacitives non équilibrées qui provoqueraient des les normes NF C 15-100 et VDE 0100, en accord l’une et l’autre avec
coupures intempestives. la norme internationale CEI 364, exigeaient que, sous leurs tensions
de service, le courant de fuite reste inférieur à 1 mA, soit une valeur
minimale de 1 000 Ω par volt. Pour plus de simplicité, les normes
citées définissent actuellement comme suit, les valeurs des tensions
1.4 Appareils de contrôle de la sécurité d’essai et les limites inférieures des résistances d’isolement
électrique mesurées sous lesdites tensions (tableau 2).
(0)
Pour s’assurer de l’efficacité des dispositions prises et du bon
fonctionnement des appareils mis en place pour garantir la sécurité Tableau 2 – Tensions d’essai et résistances d’isolement
des personnes et des biens vis-à-vis des risques électriques, on doit
en conclusion disposer des appareils suivants : Tensions nominales Tensions d’essai en Résistances
1. ohmmètres pour la mesure des résistances d’isolement suivant de l’installation courant continu d’isolement
NF EN 61557-2 ; (V) (V) (MΩ)
2. ohmmètres de vérification de la continuité des liaisons de < 50 250 ⭓ 0 ,25
masse suivant NF EN 61557-4 ;
de 50 à 500 500 ⭓ 0 ,5
3. ohmmètres de mesure de la résistance des prises de terre sui-
vant NF EN 61557-5 ; de 500 à 1 000 1 000 ⭓1

4. ohmmètres pour la mesure des résistances de boucle suivant


NF EN 61557-3 ;
5. appareils de contrôle des tenues diélectriques suivant 2.1.2 Procédés de mesure classiques
NF EN 60335-1 ;
6. appareils de contrôle des caractéristiques des disjoncteurs dif- Pour satisfaire aux prescriptions ci-dessus, un mégohmmètre
férentiels suivant NF EN 61557-6 ; destiné aux mesures des résistances d’isolement doit comporter
une source autonome susceptible de délivrer les tensions prescrites
7. contrôleurs permanents d’isolement pour les réseaux IT sui- sous un débit minimal de 1 mA. Elle est, en pratique, constituée
vant NF EN 61557-8 ; soit :
8. testeurs multifonctions comportant un indicateur d’ordre des — d’une magnéto entraînée par l’opérateur au moyen d’une
phases suivant NF EN 61557-7. manivelle ;
— d’un générateur électronique alimenté par une batterie incor-
porée.

2. Ohmmètres de mesure Dans le premier cas, la fém délivrée est plafonnée et stabilisée au
moyen d’un dispositif à débrayage centrifuge qui intervient généra-
des résistances lement quand la vitesse de rotation de la manivelle se situe entre
120 et 150 tr/min.
d’isolement Il s’agit généralement d’un petit alternateur à aimant tournant,
suivi d’un redresseur en pont de Graetz ou en doubleur de tension,
et d’un filtre limitant la composante alternative (figure 3).
Alors que le contrôle de la tenue diélectrique des matériels élec-
triques basse tension prescrit par la norme NF C 20-030 : Dans l’autre cas, un oscillateur à relaxation, suivi d’un transforma-
« Protection contre les chocs électriques », est réservé aux essais teur-élévateur de tension et d’un circuit de régulation, permet
des équipements neufs ou rénovés en raison de son caractère des- d’obtenir les niveaux de tension prescrits à partir de la basse tension
tructif, le suivi périodique des valeurs des résistances d’isolement de la batterie. Le schéma de principe d’une telle formule est repré-
durant leurs périodes d’exploitation constitue une des bases de leur senté, à titre indicatif figure 4.

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R MΩ
–L 10
⬁ 5 2 1 0,5 0,2 0,1 0,05 0

O
Figure 5 – Échelle typique d’un mégohmmètre
+T

Figure 3 – Mégohmmètre à magnéto mètre de tension d’essai nominale 500 V, la formule limite (1) cor-
respond à :

R = 250 kΩ
TR et

P
– U = 1,5 × 500 = 750 V.

T1
Avec un indicateur analogique ayant une réponse linéaire en cou-
rant, la forme de la graduation de l’échelle sera celle indiquée
C2
DZ U figure 5. Il est souhaitable de pouvoir apprécier des résistances
+ d’isolement supérieures à 10 MΩ, ce qui conduit à prévoir un second
calibre dans le rapport 10 avec le premier, soit une échelle s’éten-
C1 – dant de 0 à 100 MΩ avec le point 2,5 MΩ au centre de l’échelle.
T2
+
Exemple d’appareils :
+ — IMEG 500 N à magnéto (Chauvin-Arnoux) ;
— CA 6511 à piles (Chauvin-Arnoux).

Figure 4 – Oscillateur-élévateur de tension Avec des galvanomètres à réponse non linéaire ou des
quotientmètres présentant cette même caractéristique, on peut réa-
liser cette même étendue de mesure 0 à 100 MΩ sur un seul calibre.
Lors de la fermeture de l’interrupteur à poussoir P, le transistor T2
est saturé, ce qui assure la décharge du condensateur C1 et permet
l’auto-entretien des oscillations. Quand la tension de sortie U atteint 2.1.3 Utilité d’un circuit de garde
le niveau souhaité, la diode Zener DZ devient conductrice et tend à
bloquer le transistor T2. La contre-tension apparaissant alors aux
■ La mesure des résistances de valeurs élevées, notamment au-
bornes de C1 limite le courant injecté dans la base du transistor T1,
dessus de 100 MΩ, risquerait d’être notablement faussée par l’exis-
ce qui entraîne corrélativement une limitation du courant de magné-
tence d’une résistance de fuite Rf entre la borne de sortie L et la
tisation du transformateur TR et donc de la tension U. À noter que
borne T.
cette dernière est avantageusement obtenue à partir de la surten-
sion générée au secondaire lors de la coupure du courant primaire, Le circuit de garde (figure 6) a pour objet d’éviter que le courant
formule dite du fly-back qui permet de réduire le nombre de spires de fuite if ne parcoure le circuit de mesure figuré ici par un galvano-
du secondaire. mètre. Le câble raccordé à la sortie mesure − L sera un coaxial com-
portant un conducteur concentrique isolé relié au circuit de garde.
Les appareils alimentés par batterie doivent comporter un dispo- Cette gaine concentrique constitue par ailleurs un blindage électros-
sitif permettant de s’assurer que celle-ci est en état de faire fonction- tatique qui supprime les perturbations apportées à la mesure par
ner l’appareil correctement (NF EN 61557-1-43). La sortie positive effet capacitif (main de l’opérateur, en particulier). On notera que, en
des bornes de mesure est destinée à être raccordée à la terre des raison de la valeur relativement faible de la résistance R du circuit
masses et est repérée + T. La sortie négative, repérée − L, doit être de mesure, l’existence éventuelle d’une médiocre résistance d’isole-
reliée aux conducteurs de ligne, phases et neutre réunis entre eux et ment entre ligne et garde G (par exemple 100 MΩ) sera sans effet
déconnectés du réseau. sur la mesure.
La résistance R limite le courant débité en cas de court-circuit et
définit indirectement la tension U qui doit être délivrée par le géné- ■ Lors de la mesure de la résistance d’isolement intrinsèque d’un
rateur pour satisfaire aux conditions d’essai définies plus haut à par- câble coaxial, il est nécessaire d’éliminer les courants de fuite super-
tir de la relation : ficiels en réalisant (figure 7) un enroulement de quelques spires rac-
cordé à la borne de garde sur la gaine isolante du câble.

R + R is
U = ------------------ ⋅ V E (1)
R is

Galvanomètre
avec Ris résistance seuil d’isolement spécifiée (cf. R
tableau 2),
– –L
VE tension d’essai spécifiée. if
S G Rf Rx
Pour limiter la puissance débitée par le générateur en régime de + +T
court-circuit, on a intérêt à augmenter R, avec l’inconvénient d’aug-
menter simultanément la tension à vide U. La norme NF EN 61557-
2-42 prescrit de limiter le rapport U/VE à 1,5. Dans le cas d’un ohm- Figure 6 – Principe d’un circuit de garde

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Tresse Isolant U0
L
G
T
冮RC
V 1
· dt 冮RC
V 2
· dt

0
Figure 7 – Mesure de la résistance d’isolement d’un câble 0 N1T N2T Temps

C
R
– R –
U0
S Rx V1 ou V2 +

+
I = Ix + Iv Iv Ix

Circuit intégrateur
Figure 8 – Mégohmmètre alimenté par une source de courant
b

+T
i
kΩ
0 100 200 300 400 500 R
V1 Rx
+
0 0,5 1 2 5 10 20 50 ⬁
U –L
100
V2
MΩ –
R

Figure 9 – Graduation linéaire pour les résistances de 0 à 500 kΩ G


et hyperbolique pour les résistances de 0,5 à 100 MΩ
c

2.2 Évolution des procédés de mesure Figure 10 – Principe d’un mégohmmètre numérique à double rampe

2.2.1 Mégohmmètres à générateur de courant déviation en fin d’échelle pour une bonne qualité de l’isolement,
alors qu’elle était nulle dans la formule précédente.
constant
Exemple d’appareils exploitant ce procédé :
Les dispositifs d’alimentation comportant des convertisseurs — ISOVOC, alimenté par une batterie ;
électroniques donnent la possibilité de disposer d’une sortie — IMEG 500, alimenté par une magnéto.
régulée en courant et plafonnée en tension. (L’un et l’autre fabriqués par Chauvin-Arnoux).
Le courant constant I généré par la source S (figure 8) va se parta-
ger entre la résistance Rx à mesurer, soit Ix, et le courant Iv con- 2.2.2 Mégohmmètres à affichage numérique
sommé par le circuit voltmétrique de mesure ayant une résistance
interne R grande vis-à-vis de Rx.
Il est possible d’exploiter les possibilités offertes par les circuits
Dans ces conditions, on pourra par exemple mesurer la résistance intégrés convertisseurs analogique-numérique (CAN), largement
d’isolement seuil prescrite de 500 kΩ, sous le courant prescrit de utilisés dans les multimètres, pour remplacer le galvanomètre par
1 mA, sous une tension qui pourra être plafonnée à moins de 600 V, un afficheur numérique, généralement du type à cristaux liquides
soit à un niveau nettement inférieur à celui correspondant à la qui présente l’avantage d’une très faible consommation d’énergie.
formule (1), qui atteignait environ 750 V (cf. § 2.1.2). Avec un courant Le dispositif de mesure utilise le principe bien connu du convertis-
Iv relativement petit, par exemple 0,1 mA en fin d’échelle, la gradua- seur à intégration de tension à double rampe (figure 10).
tion de 0 à 500 kΩ sera sensiblement linéaire (figure 9), avec un cou-
rant constant généré de 1,1 mA. Les oscillations d’une base de temps incorporée, de fréquence
stable 1/T, sont appliquées à un compteur qui pilote un commuta-
Pour effectuer la mesure des résistances supérieures à 500 kΩ, on teur de tension à l’entrée d’un circuit intégrateur.
utilisera la même formule en réduisant le courant constant généré à
0,1 mA, en conservant 5 MΩ pour la résistance du dispositif de Pendant un temps défini par N1 oscillations de période T, une pre-
mesure. L’échelle obtenue sera alors de forme hyperbolique avec un mière tension V1 (tension à mesurer dans le cas des voltmètres
domaine s’étendant de 0,5 à 100 MΩ. Un avantage annexe de cette numériques) est appliquée à l’entrée d’un circuit intégrateur repré-
formule est que la mesure présente une sécurité positive avec une senté schématiquement figure 10 b. À l’issue de ce temps N1T, la

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Phénomènes parasites perturbant


les mesures
Règles pour générateurs et multimètres
par Radomir SOUCEK
Ingénieur CNAM en électronique et docteur ès sciences en métrologie et systèmes
physiques,
Consultant, ancien directeur qualité et responsable des laboratoires de métrologie
accrédités.

1. Tension de mode série.................................................................... R 1 066 – 2


1.1 Réjection de mode série .................................................................... — 2
1.2 Réserve de linéarité ............................................................................ — 2
1.3 Sélectivité ........................................................................................... — 2
2. Tension de mode commun............................................................. — 2
3. Influence de la tension d’alimentation....................................... — 3
4. Influence des câbles de liaison .................................................... — 3
5. Appareils avec une borne à la masse.......................................... — 3
6. Appareils à entrée ou sortie flottante ........................................ — 4
7. Appareils munis d’une garde ........................................................ — 4
8. Exemples et retour d’expérience ................................................. — 7
8.1 Tension de mode série ....................................................................... — 7
8.2 Tension de mode commun ................................................................ — 7
8.3 Influence de la tension d’alimentation .............................................. — 8
8.4 Influence des câbles de liaison .......................................................... — 8
8.5 Appareils avec une borne à la masse................................................ — 8
8.6 Appareils à entrée ou sortie flottante ................................................ — 8
9. Conclusion........................................................................................ — 8
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. R 1 066

C et article s’appuie largement sur la publication traitant le sujet des pertur-


bations affectant les mesures, parue dans les Techniques de l’Ingénieur en
1979 [R 1 065], qui présente tous les aspects de la problématique.
Ceci étant dit, il faut spécifier que des compléments concernant l’application
des règles à l’usage des multimètres et des générateurs ont également été
publiés [2].
Or la technologie a évolué, et de nos jours les laboratoires de métrologie uti-
lisent en basse fréquence essentiellement des générateurs, des multimètres ou
des appareils à lecture directe. L’usage des ponts de mesure assemblés par le
métrologue a quasiment disparu.
De nombreux retours d’expériences ont montré que, dans une proportion non
négligeable, les précautions nécessaires pour éviter la perturbation des mesu-
res ne sont pas prises. Cet article a pour objet de sensibiliser les métrologues à
cette problématique afin de réduire l’influence des perturbations.
p。イオエゥッョ@Z@、←」・ュ「イ・@RPQR

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est strictement interdite. – © Editions T.I. R 1 066 – 1

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PHÉNOMÈNES PARASITES PERTURBANT LES MESURES ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

1. Tension de mode série 1.3 Sélectivité


La sélectivité est l’aptitude du récepteur à courant alternatif à
réduire l’influence d’une composante sinusoı̈dale parasite qui ne
Il est d’usage, en métrologie, d’appeler toute tension parasite dépasse pas la réserve de linéarité.
apparaissant aux bornes d’utilisation d’un appareil la « tension de
mode série ». La figure 1 illustre le cas d’un générateur G avec trois
sources parasites s1, s2 et s3. Ces quatre sources ne produisent pas
des signaux de même fréquence. De ce fait, l’impédance de sortie
ᐆ s (ω ) prend une valeur différente pour chaque signal parasite. 2. Tension de mode commun
Les appareils de petite taille munis d’une alimentation à décou-
page présentent souvent des tensions de mode série impulsionnel-
les à spectre étendu et aux fréquences élevées.
Nous distinguons sur la figure 1 les électrodes B, M et H que
nous représentons schématiquement sur la figure 2. La borne
1.1 Réjection de mode série basse est désignée par B, la borne M est la masse et la borne H
est la borne haute. La tension de mode commun ᒂmc est, dans ce
Pour un mesureur à courant continu la réjection de mode série cas, définie comme étant la tension VMB.
caractérise l’aptitude à ne pas être influencé par un signal alternatif
Il est nécessaire de prendre garde au fait que cette définition
superposé. Elle est donnée par le facteur de réjection Fs :
n’est pas celle habituellement utilisée en électricité où la tension
Scc Vmc est définie par :
Fs =
V VMB + VMH
Vmc =
où Scc est la valeur crête à crête de la tension de mode série et V est 2
la variation de l’indication de l’appareil due à la perturbation par la
tension de mode série. La valeur de ce facteur est en général fonc- Ce qui permet d’écrire :
tion de la fréquence et est exprimée en dB : VMB = Vmc − VBH / 2
Fs (dB) = 20 log Fs VMH = Vmc + VBH / 2

Une telle définition ne permettrait pas de séparer la tension para-


1.2 Réserve de linéarité site VMB de la tension fonctionnelle VBH.
La capacité des récepteurs à courant alternatif à continuer de Pour un mesureur, la réjection de mode commun caractérise
fonctionner sans défaut en présence des signaux non fonctionnels l’aptitude à ne pas être influencé par la tension de mode commun.
est donnée par le facteur F de la réserve de linéarité : La tension de mode commun peut être composée d’une tension
continue, du fondamental du signal mesuré et de ses harmoniques,
C
F = des résidus de l’alimentation à découpage, du signal à la fréquence
Cal du réseau d’alimentation et de ses harmoniques, des émissions
captées, par exemple France Inter….
où C est la valeur crête maximale admissible du parasite pour un
calibre Cal donné. Le facteur de réjection de mode commun Fmc est défini par :

Soit par exemple 60 dB la valeur du facteur de linéarité et 2 V la mcc


Fmc =
valeur crête du parasite. Dans ce cas, le calibre minimal pouvant V
être utilisé est égal à :
où mcc est la valeur crête à crête de la tension de mode commun et
2V 2V V est la variation de l’indication de l’appareil due à la présence de
Cal = = 60 = 2 mV
F la tension de mode commun. Les notices d’emploi des appareils
10 20 donnent en général ce facteur exprimé en dB :

Fmc (dB) = 20 log Fmc

VBH

ᐆ(w) H
B H

G M
VMB VMH

s1 s2 s3
B

Figure 1 – Sources de mode série Figure 2 – Système à trois électrodes

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– PHÉNOMÈNES PARASITES PERTURBANT LES MESURES

3. Influence de la tension ᑣm =
ᐂm ⎛
= ᑣ ⎜1+
ᐆ ⎝
j Mω ⎞
ᐆ ⎠
⎟ , c’est-à-dire que nous commettons une
d’alimentation erreur relative égale à
j Mω
. Nous pouvons diminuer, sinon élimi-

ner, l’inductance mutuelle en torsadant la liaison d’amenée du cou-
rant et en prenant un câble coaxial pour la prise de tension.
Le circuit d’alimentation peut produire plusieurs effets sur des
signaux générés ou mesurés. Les sources d’alimentation les plus En courant continu, nous rencontrons surtout des influences de
courantes sont le réseau électrique à la fréquence de 50 Hz et les forces électromotrices, de faibles courants induits par frottement
piles ou les batteries. Les appareils alimentés par pile, lorsqu’ils et l’influence de courants de fuites. Les boucles ouvertes peuvent
ne disposent pas de transformation de tension par découpage, également recueillir des tensions induites dont l’influence dépen-
sont de loin ceux qu’il faut préférer dans le cas où un doute sur dra de la réjection du mode série du récepteur. Dans la mesure du
un effet possible d’alimentation par le réseau doit être levé. Mal- possible, si cela ne produit pas des résistances de fuite prohibiti-
heureusement ces appareils ne disposent pas souvent de la puis- ves, nous prendrons pour des liaisons métrologiques des câbles
sance et de l’autonomie suffisantes. Il est de pratique courante, coaxiaux et nous torsaderons les liaisons non coaxiales.
pour les appareils disposant d’une alimentation mixte, d’effectuer
un essai préliminaire sur batterie puis de connecter le réseau d’ali-
mentation en vérifiant que le résultat reste inchangé.
Les appareils alimentés par le réseau 50 Hz produisent des ten- 5. Appareils avec une borne
sions de mode commun et de mode série. Ces tensions peuvent
comporter des composantes continues, alternatives et impulsion-
à la masse
nelles de spectres plus ou moins larges. L’utilisateur doit s’assurer
que les effets de ces signaux sont négligeables par rapport au
résultat escompté. Nous verrons plus loin dans cet article que les La figure 4 représente un appareil avec une borne à la masse. Si
effets de la tension de mode commun peuvent être sinon éliminés, l’alimentation est effectuée à partir du réseau, la masse M est géné-
du moins affaiblis, par l’utilisation convenable de la garde. ralement portée au potentiel de la terre par l’intermédiaire du cor-
Les effets de la tension de mode série peuvent être diminués par don secteur.
un filtrage adéquat, souvent incorporé dans les récepteurs. La Les problèmes d’utilisation de ces appareils proviennent des
mesure des tensions aux fréquences du signal fonctionnel proches effets suivants :
de celle du parasite constitue souvent un véritable casse-tête, d’au-
tant plus grand lorsque les deux fréquences sont égales. L’estima- & Mise à la terre du montage de mesure en plusieurs points. Du
tion de l’effet indésirable peut être fournie soit par des mesures aux fait que le montage est déjà mis à la terre par l’appareil, il peut
fréquences proches en observant l’incidence du glissement de la apparaı̂tre un courant de circulation provoqué soit par une légère
phase, soit, si cela est impossible, en changeant la phase du circuit différence de potentiel entre le point B et la terre, soit par induction
alimentation. d’un champ électromagnétique. L’illustration de ce cas peut être par
Un autre effet du circuit d’alimentation peut être produit par des exemple la liaison entre les bornes B du générateur et du mesureur
couplages magnétiques ou capacitifs entre le circuit de mesure et de la figure 4.
les câbles d’alimentation. Les précautions élémentaires consistent
à éloigner ces câbles et de s’assurer que le chemin d’aller et de
retour du courant d’alimentation ne produit pas une boucle qui
ᐂp
pourrait émettre un champ magnétique. Il est également recom-
mandé de ne pas utiliser la terre ramenée par ces cordons, mais
une terre unique exempte de tout signal parasite.

ᐂsh ᐆ
ᐂm

4. Influence des câbles


de liaison M

Nous avons déjà vu l’influence des câbles d’alimentation en éner-


gie dans le chapitre précédent. Nous examinerons dans ce chapitre Figure 3 – Mesure de courant à l’aide d’un shunt
les influences des câbles de liaisons fonctionnelles.
Le premier exemple qui vient à l’esprit est celui comportant deux
circuits : le premier circuit est parcouru par un fort courant alors Émetteur E Récepteur R
que le second recueille une faible tension. Une illustration de ce
cas est offerte par la mesure du courant alternatif à l’aide d’un
shunt (figure 3). ᐆs H H
ᐆe
Le courant ᑣ produit une tension ᐂ sh aux bornes du shunt d’im- E M M R
pédance ᐆ telle que ᐂ sh = ᐆᑣ mais également une tension parasite B B
ᐂ p due à l’inductance mutuelle M dans la boucle de prise de ten-
sion. Cette tension est égale à ᐂ p = jMωᑣ de sorte que la valeur
mesurée ᑣ m du courant est égale à : Figure 4 – Appareils avec une borne à la masse

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Mesure des composants


électroniques
Partie 1 : méthodes et précautions
par Patrick POULICHET
ESIEE
Gilles AMENDOLA
ESIEE
Christophe DELABIE
ESIEE
et Yves BLANCHARD
ESIEE

1. Moyens et méthodes de mesure .......................................................... R 1 078v2 - 2


1.1 Mesure de tension ....................................................................................... — 2
1.2 Mesure d’intensités de courant .................................................................. — 3
1.3 Mesure du temps, des fréquences et des intervalles de temps ............... — 3
1.4 Mesure d’impédances (R, L, C) ................................................................... — 4
1.5 Mesures des paramètres des quadripôles ................................................. — 6
2. Précautions de mesures ......................................................................... — 8
2.1 Niveau de tension appliqué ........................................................................ — 8
2.2 Choix de la gamme de mesure ................................................................... — 8
2.3 Temps de mesure, moyennage et filtrage de la mesure .......................... — 8
2.4 Utilisation de la garde.................................................................................. — 8
2.5 Modes de connexion au composant à mesurer ........................................ — 9
2.6 Calibration et compensation ....................................................................... — 9
2.7 Mesure sous pointes.................................................................................... — 11
2.8 Mesure de résistance de composants ........................................................ — 12
2.9 Mesure de résistances de contact .............................................................. — 12
3. Mesures des bruits ................................................................................... — 12
3.1 Puissance, densité spectrale de puissance, facteur de bruit .................... — 12
3.2 Bruit de phase : définitions et méthodes de mesure ................................ — 14
3.3 Mesure du bruit électrique des résistances ajustables
et des potentiomètres .................................................................................. — 14
4. Mesures de la compatibilité électromagnétique ............................. — 14
4.1 Mesures en conduction ............................................................................... — 14
4.2 Mesures en rayonné .................................................................................... — 15
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. R 1 078v2

es performances des appareils électroniques ont fait des progrès


L considérables ces dernières années : en termes de miniaturisation, de
communication, de consommation... Bien sûr, ce gain en performances est
étroitement lié à l’amélioration des caractéristiques des composants
électroniques. La vérification de ces caractéristiques peut être très délicate et
elle dépend beaucoup du type de composant à tester.
p。イオエゥッョ@Z@、←」・ュ「イ・@RPPX

La mesure est indispensable, à plus d’un titre :


– elle permet la définition des caractéristJ ues et de la fonctionnalité ;
– elle est nécessaire à la mise au point des procédés de fabrication ;

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MESURE DES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES ____________________________________________________________________________________________

– elle garantit la qualité d’une production en faisant apparaître les dérives


des caractéristiques du produit à chaque étape de celle-ci ;
– elle assure le suivi de qualité, aussi bien du côté du fabricant que de l’uti-
lisateur, et facilite l’instauration d’un climat de confiance entre client et
fournisseur.
Pour réaliser les mesures des composants, il existe beaucoup d’appareils de
mesure qui peuvent être complexes à utiliser. Il importe dans un premier
temps de choisir l’appareil adéquat. Il importe également de respecter les pré-
cautions de mesures, car si elles ne sont pas respectées, cela se traduira par
des erreurs de mesure.
■ Dans le premier paragraphe, nous décrivons les moyens et les méthodes de
mesure que sont les mesures de tension et courant, les mesures du temps et
de la fréquence et les différents principes utilisés par les appareils pour la
mesure d’impédances.
■ Dans le deuxième paragraphe, nous décrivons les précautions de mesures à
prendre pour réaliser des mesures fiables. Celles-ci sont très importantes et
elles concernent le mode de connexion de l’appareil de mesure, la description
des phases de calibration et de compensation, les mesures sous pointes.
■ Le troisième et le quatrième paragraphes décrivent respectivement la
mesure des bruits et la mesure de la compatibilité électromagnétique.
■ Les dossiers suivants [R 1 079] et [R 1 080] seront consacrés à la mesure des
composants passifs, puis des composants actifs.
Ce texte est la nouvelle édition de l’article Mesure des composants électroni-
ques, rédigé en 1993 par Jean-Claude Gourdon et Paul Prodhomme, dont il
reprend quelques extraits.

1. Moyens et méthodes Rs
de mesure
Us V U
1.1 Mesure de tension
L’un des points les plus importants pour les mesures de gran- Source
deurs électriques est l’incertitude des appareils de mesure eux-
mêmes. Ces appareils sont sensibles à la température et au temps.
Figure 1 – Erreur liée à une mesure de tension
L’application de coefficients de température (× 0,01 % par degré,
par exemple) et un étalonnage périodique permettent de limiter
l’incertitude.
Dans le cas de mesure de f aibles tensions (< 10 mV), d’autres
paramètres peuvent affecter la précision de la mesure :
1.1.1 Mesure de tension avec un voltmètre
– la tension d’erreur générée par les effets thermoélectriques liés
Un voltmètre perturbe la mesure de la tension par la présence à l’utilisation de métaux différents ;
de son impédance interne Ri . D’après la figure 1, la valeur de la – la tension d’erreur générée par l’induction des champs
tension U mesurée est donnée par : magnétiques ;
– la tension d’erreur générée par les boucles de masse.
Ri
U = Us
Ri + R s Pour la mesure des fortes tensions, sont parfois utilisées des
sondes de tensions différentielles isolées ou non.
avec Us (en V) tension de source,
Ri (en Ω) résistance interne du voltmètre, 1.1.2 Mesure de tension en transitoire
Rs (en Ω) résistance de la source.
Pour la mesure de tension avec une vitesse de variation impor-
Si Ri >> Rs alors U ≈ Us et l’erreur relative systématique est sen- tante, il est couramment utilisé une sonde de tension passive (voir
Rs figure 2) ou active. La sonde de tension est destinée à compenser
siblement égale à : − . les erreurs introduites par l’impédance d’entrée de l’oscilloscope et
Ri
par le câble de mesure. La capacité ajustable est réglée pour
Exemple compenser les déformations du signal lors d’une mesure sur un
Ainsi pour Rs = 100 kΩ et Ri = 10 MΩ,c
ette erreur est de – 1 %. signal en transitoire.

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____________________________________________________________________________________________ MESURE DES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES

donné). Cette précision est nécessaire notamment pour le système


de positionnement GPS (Global Positioning System) ainsi que
pour les réseaux de communications mobiles.
Les horloges atomiques de laboratoire à atomes froids
Sonde
constituent une référence locale de temps ; elles affichent une sta-
t bilité pouvant être extrêmement grande, de l’ordre de 10–16
(1 seconde en 300 millions d’années).

Oscilloscope 1.3.2 Mesure des fréquences


La mesure des fréquences s’effectue avec un compteur. La
Figure 2 – Sonde passive d’oscilloscope
fréquence d’un signal étant définie comme le nombre de périodes
par unité de temps (avec t en secondes), il suffit de compter le
nombre de périodes ou d’événements particuliers contenus dans
1.2 Mesure d’intensités de courant le signal d’entrée pendant une durée ΔT connue, définie par la
base de temps (cf. figure 3).
La valeur de l’intensité du courant mesurée par un ampèremètre L’architecture des différents compteurs adopte toujours plu-
est de la forme : sieurs sous-ensembles électroniques qui sont : une base de temps
U s − U charge (oscillateur à quartz) délivrant des impulsions régulièrement espa-
I= cées, une porte logique de validation, un compteur numérique et
Rs un système d’affichage.
avec Us (en V) tension de source, Le système de mise en forme en entrée permet de sélectionner
l’événement particulier signe du passage d’une période (déclen-
Ucharge tension créée par la résistance interne RM du
chement sur niveaux, front, etc.) et délivre, en entrée de la porte
système de mesure,
principale, des impulsions propres à être comptées. La porte de
Rs (en Ω) résistance de la source. validation dirige ces impulsions vers le compteur pendant l’inter-
valle ΔT.
Exemple
La précision de la base de temps détermine la précision de la
La tension de ch arge Ucharge d’un ampèremètre peut être
mesure. La plupart des compteurs permettent l’adjonction d’une
comprise, selon le cas, entre 0,2 mV et 200 mV. Pour un couple
base de temps extérieure sur laquelle la base de temps interne se
tension de source Us et résistance de source Rs égales respecti-
synchronise en phase.
vement à 0,7 V et 10 kΩ, l’erreur systématique va de 0,03 % à 29 %.
Le diviseur permet de choisir l’étendue du temps de comptage
La mesure des courants utilise un des principes suivants : ΔT tandis que la bascule flip-flop valide cet intervalle au niveau de
– shunt de mesure ; la porte principale.
– capteur basé sur la mesure des inductions magnétiques ;
– capteur à compensation de flux ;
1.3.3 Mesure des hautes fréquences
– capteur ou tore de Rogowski ;
– transformateur de courant ; Actuellement, l’état de l’art en électronique numérique autorise
– capteur à champ moyen nul. la construction de compteurs avec une fréquence maximale
Suivant la valeur du courant mesuré, sa fréquence, l’exactitude d’entrée de 1 GHz. Les techniques de transposition de fréquences
requise, le coût et l’isolation ou non, il est utilisé un principe de permettent la mesure de fréquence jusqu’à 40 GHz ; quatre tech-
mesure particulier. Pour en savoir plus, on pourra consulter niques sont utilisables :
l’article [D 3 085]. • Division de la fréquence d’entrée. Elle permet la mesure de
signaux jusqu’à 2 GHz.

1.3 Mesure du temps, des fréquences • Conversion hétérodyne. Le signal est multiplié par un autre
signal de fréquence moyenne f ′, ce qui fait apparaître un
et des intervalles de temps signal de battement de fréquence f-f ′ que l’on mesure effecti-
vement. Elle permet la mesure de signaux jusqu’à 20 GHz.
1.3.1 Mesure du temps
• Utilisation d’un oscillateur de transfert. Un oscillateur annexe
Les systèmes de télécommunications ont besoin d’être synchro- à plus basse fréquence f ′ est verrouillé en phase avec le
nisés et ils utilisent des horloges atomiques qui ont une précision signal d’entrée dont la fréquence est divisée par un nombre
de ± 5 picosecondes par rapport à UTC (temps universel coor- entier n. La fréquence mesurée est celle de l’oscillateur

Porte de validation
Signal de Mise en
& Compteur Affichage
fréquence f forme

Base de
temps Diviseur Flip/Flop

Figure 3 – Schéma synthétique d’un compteur configuré en fréquencemètre

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MESURE DES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES ____________________________________________________________________________________________

Mise en
Signal 1
forme

Porte de
& Compteur Affichage
commande

Mise en
Signal 2
forme

Base de
temps Diviseur

Figure 4 – Schéma synthétique d’un compteur configuré pour la mesure d’intervalles

annexe. L’appareil restitue la fréquence du signal d’entrée en


multipliant par n :
Z1 Zx
f = nf ′
• Conversion hétérodyne harmonique. C’est une technique D
hybride des deux méthodes précédentes. La fréquence de
l’oscillateur annexe est traitée par la technique hétérodyne. Z2 Z3
Elle permet des mesures jusqu’à 40 GHz.
Ces méthodes présentent chacune leurs avantages et inconvé-
nients, notamment en ce qui concerne le temps de mesure, la pré-
cision, la sensibilité, la dynamique de mesure, la tolérance au bruit
et aux variations de fréquences et d’amplitudes. Oscillateur
Nota : sur ce sujet, le lecteur pourra se référer à [1].
Figure 5 – Schéma de principe de la méthode du pont
1.3.4 Mesure d’intervalles de temps
La durée écoulée entre deux signaux se mesure elle aussi avec que la fréquence, le niveau du signal appliqué, la gamme de
un compteur, mais configuré différemment (cf. figure 4). Le mesure, la précision demandée et la facilité de mise en œuvre.
compteur utilise alors deux signaux d’entrée : le premier signal Aucune méthode ne répond de manière satisfaisante à l’ensemble
déclenche le compteur, tandis que le deuxième arrête le compteur. de ces critères, aussi notre choix devra tenir compte de
La caractéristique la plus importante d’un compteur d’intervalle compromis et sera guidé par la précision de la mesure désirée.
est sa résolution. Le compteur additionnant un nombre entier de Nous allons présenter ci-après les cinq principales méthodes
périodes issues de la base de temps, la résolution est naturel- couramment utilisées pour la mesure d’impédances à des
lement limitée par la valeur minimale de la période de la base de fréquences d’oscillateurs inférieures à 1 GHz. Les principales carac-
temps. Une base de temps de 10 MHz permettra par exemple une téristiques de ces principes de mesures seront résumées dans le
résolution de 100 ns. tableau 1.
Certains appareils permettent, en multipliant la fréquence de la Nota : pour en savoir plus sur les méthodes de mesures appliquées en radiofré-
base de temps, d’améliorer la résolution jusqu’à 10 ns et même quences, on pourra consulter la référence [2] en [Doc. R 1 078v2] (dossier [R 1 135] des
Techniques de l’Ingénieur).
1 ns avec une base de temps à 1 GHz. Cependant, l’électronique
associée devient difficile à mettre en œuvre.
Une façon plus commune d’améliorer la résolution est d’interpo- 1.4.1 Méthode du pont
ler la durée entre la dernière impulsion et l’arrivée du signal 2 avec C’est une méthode (figure 5) qui est utilisée pour la détermination
un module supplémentaire ; de façon à ne pas être limité par un d’une impédance lorsque les trois autres sont connues. La précision
nombre entier de périodes. de la détermination est très bonne (0,1 %) et la plage de fréquence
La résolution des compteurs les plus performants avoisine 10 ps de la mesure s’étend du continu à 300 MHz. Le principe consiste à
grâce à ce principe, tandis que la picoseconde est l’ordre de assurer l’équilibre du pont et alors il ne circule aucun courant à tra-
grandeur du plus petit intervalle de temps pouvant être mesuré vers le détecteur D. L’impédance Zx est alors donnée par :
actuellement.
Z1
Zx = Z3
Z2
1.4 Mesure d’impédances ( R, L, C)
avec Z1 , Z2 , Z3 et Zx (en Ω) impédances.
L’impédance est une caractéristique importante pour un
Nous pouvons, selon ce principe, utiliser les ponts de Wheats-
tone ou de Thomson (mesure de résistances R), de Ma@ell ou de
composant électronique. Un composant réel peut toujours être
représenté par une impédance complexe Z, composée d’une partie
Heaviside (mesure d’inductances L), de Wien ou de Nernst
réelle R et d’une partie imaginaire X. On écrira donc :
(mesure de capacités C), où les impédances Z1 , Z2 , Z3 sont
constituées, selon le cas, par des capacités, des inductances ou
Z = R + jX
des résistances.
De nombreuses méthodes peuvent être utilisées pour la mesure Il n’existe quasiment pas d’appareils commercialisés utilisant ce
d’impédances. Le choix de l’une d’elles dépend de facteurs tels principe.

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Mesure des composants


électroniques
Partie 2 : mesure des composants passifs
par Patrick POULICHET
ESIEE
Gilles AMENDOLA
ESIEE
Christophe DELABIE
ESIEE
et Yves BLANCHARD
ESIEE

1. Mesure des résistances .......................................................................... R 1 079 - 2


1.1 Mesure de coefficients de température ..................................................... — 2
1.2 Mesure de la résistance thermique des semi-conducteurs ...................... — 3
2. Mesure de condensateurs ...................................................................... — 3
2.1 Mesure de l’impédance de la capacité ....................................................... — 3
2.2 Mesure de la capacité .................................................................................. — 4
2.3 Mesure de la résistance d’isolement (RI ) .................................................. — 4
3. Mesure d’inductances ............................................................................. — 4
4. Mesure de transformateur ..................................................................... — 4
4.1 Méthode du Q-mètre ................................................................................... — 6
4.2 Méthode de l’analyseur de réseau ............................................................. — 6
4.3 Méthode du pont automatique ................................................................... — 6
4.4 Conclusion .................................................................................................... — 6
5. Mesure des grandeurs mécaniques ..................................................... — 6
5.1 Mesure sur les MEMS.................................................................................. — 7
5.2 Mesure sur les relais.................................................................................... — 8
5.2.1 Résistance de contact et pertes d’insertion ...................................... — 8
5.2.2 Temps d’établissement ...................................................................... — 8
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. R 1 078v2

e présent dossier fait suite au dossier [R 1 078v2] et traite des mesures sur
L les composants passifs.
La plupart des caractéristiques électriques des composants électroniques
dépendent de la fréquence à laquelle elles sont mesurées. Cette dépendance
est liée à l’existence d’éléments parasites de type inductance ou capacité.
Comme nous l’avons vu dans le dossier Mesures des composants électroni-
ques. Partie 1 [R 1 078v2], beaucoup de ces mesures peuvent se faire avec un
appareil capable de mesurer l’impédance : pont automatique, mesure I-V ou
RF I-V et analyseur de réseau. Ces appareils permettent, à partir d’un modèle
choisi par l’utilisateur, de déterminer les valeurs de résistance, capacités et
inductance collant le mieux à la mesure.
p。イオエゥッョ@Z@、←」・ュ「イ・@RPPX

Ce texte est la nouvelle édition de l’article Mesure des composants électroni-


ques, rédigé en 1993 par Jean-Claude GOURDON et Paul PRODHOMME, dont
sont repris quelques extraits.

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est strictement interdite. – © Editions T.I. R 1 079 – 1

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MESURE DES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES ____________________________________________________________________________________________

1. Mesure des résistances 1.1 Mesure de coefficients


de température
La mesure des résistances peut se réaliser à l’aide d’un
voltmètre et d’un ampèremètre. On utilise une méthode aval ou On désigne par coefficient de température la variation rela-
amont suivant la valeur de la résistance par rapport à celle du volt- tive d’un paramètre en fonction de la température. Souvent,
mètre et de l’ampèremètre. Des appareils de mesures automa- par extension, la variation absolue du paramètre lui-même sera
tiques permettent de mesurer la résistance et l’impédance de celle- désignée par « coefficient de température ».
ci en fonction de la fréquence.
La figure 1 présente l’allure de la variation de l’impédance des
résistances en fonction de la fréquence. Le principe général est le suivant (figure 2a ) : le composant est
placé dans un dispositif approprié (chambre climatique) permet-
Le comportement d’une résistance d’une inductance ou d’une
tant de faire varier la température ambiante et de mesurer le para-
capacité n’est idéal que sur une plage de fréquence donnée. Au-
mètre considéré à chaque température.
delà, les limitations de la technologie utilisée ou l’influence des
connexions limitent la fréquence d’utilisation. Des précautions doivent être prises afin que la liaison chambre
Les quatre méthodes décrites dans le tableau 1 permettent de climatique – appareil de mesure apporte une erreur acceptable.
mesurer simplement l’impédance des composants passifs sur une La stabilité de la température des spécimens doit être suffisante,
large plage de fréquence. Ils permettent de mesurer la partie réelle et la valeur absolue de cette température doit être connue avec
et la partie imaginaire, le module et la phase de l’impédance. une précision adéquate.

Lp R

Cp

Résistance idéale
R R
Résistance idéale

0 0
0 f 0 f
Cp capacité parasite Lp inductance des fils de connexion

a résistance de forte valeur (R > 10 M") b résistance de faible valeur (R < 10 ")

Figure 1 – Réponse en fréquence d’une résistance

Tableau 1 – Avantages et inconvénients des méthodes de mesure


de l’impédance des composants passifs
Gamme
Méthode Avantages Inconvénients
de fréquence
• Bonne précision (1 %) • Fréquence de mesure limitée Quelques 10 Hz
I-V
• Jusqu’à plus de 1 MΩ par le transformateur de courant à 100 MHz
• Plusieurs appareils pour couvrir
• Bonne précision (1 % typique)
I-V haute fréquence toute la bande de fréquence 100 kHz à 3 GHz
• Large plage de mesure de l’impédance
• Limité en valeur maximale d’impédance
• Large gamme de fréquence couverte • Calibration pouvant être à refaire
Analyseur • Bonne précision lorsque l’impédance si la mesure change 300 kHz
de réseau mesurée est proche de l’impédance • Faible gamme de valeur d’impédance à quelques GHz
caractéristique mesurable
• La plus large plage de mesure
de l’impédance Quelques 10 Hz
Pont automatique • Basse fréquence
• Meilleure des techniques de mesure à 100 MHz
de l’impédance en basse fréquence

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Mesure des composants électroniques


Partie 3 : mesure des composants actifs

par Patrick POULICHET


ESIEE
Gilles AMENDOLA
ESIEE
Christophe DELABIE
ESIEE
et Yves BLANCHARD
ESIEE

1 . Composants actifs discrets ................................................................... R 1 080v2 - 2


2 . Test des amplificateurs opérationnels et comparateurs .............. — 8
3 . Mesure du point de compression à 1 dB
et du point d’interception d’ordre 3 ................................................... — 10
4 . Convertisseur numérique-analogique (CNA)
et analogique-numérique (CAN) .......................................................... — 12
5 . Test des circuits intégrés numériques ............................................... — 21
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. R 1 078v2

ue les composants soient discrets (diodes, transistors) ou intégrés (logiques,


Q analogiques), leur contrôle comporte généralement trois étapes :
– la vérification des paramètres électriques statiques (tensions, intensité de
courant) définissant les caractéristiques d’interchangeabilité ;
– le contrôle fonctionnel vérifiant l’aptitude du composant à remplir sa
fonction ;
– la vérification des paramètres dynamiques garantissant le fonctionnement
du circuit à certaines fréquences ou dans certaines bandes de fréquence.
Ces étapes seront totalement ou partiellement suivies, selon la finalité du
contrôle, c’est-à-dire selon que l’on s’intéresse au contrôle de fabrication (test
des tranches de silicium, contrôle de sortie de fabrication ou d’entrée chez l’uti-
lisateur), au contrôle de qualité ou d’évaluation, ou au diagnostic de panne
(analyse de défaillance).
Ainsi, pour le contrôle de sortie, le temps de test sera un des éléments pré-
pondérants, alors que, pour le contrôle de qualité ou d’évaluation, la précision
des mesures sera l’élément primordial.
Nous allons dans la suite de ce dossier examiner, pour chaque famille de
semi-conducteurs, les mesures à effectuer, et les moyens à mettre en œuvre
pour les réaliser.
Ce texte est la nouvelle édition de l’article Mesure des composants électro-
niques, rédigé en 1993 par Jean-Claude Gourdon et Paul Prodhomme, dont
sont repris quelques extraits. Il fait suite aux articles [R 1 078v2] et [R 1 079] qui
traitent des méthodes générales de mesure des composants électroniques, et
des composants passifs.
p。イオエゥッョ@Z@ェオゥョ@RPPY

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MESURE DES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES ____________________________________________________________________________________________

1. Composants actifs discrets Amplificateur


I⇒V Écran

+
Les composants actifs « discrets » sont les composants élé- Rc
mentaires tels que diodes, transistors, thyristors, triacs...
encapsulés dans un boîtier permettant leur montage unitaire. –
+
Amplificateur
Les mesures de ces composants sont de deux types : H
– les mesures dites « statiques » elles permettent de relever ou
de tester leur caractéristique courant-tension (pour la diode) ou
courant-tension en fonction du courant base (pour les transistors
bipolaires) ;
– les mesures dynamiques : elles concernent les paramètres Voltage generator
« petits signaux » de ces dispositifs tels que résistance dynamique, Step generator
transconductances, paramètres h , paramètres S (cf. article
[R 1 078v2]).

Tension collecteur
1.1 Mesures des caractéristiques
statiques
L’équipement idéal pour le premier type de mesures est le
traceur de caractéristiques qui peut être analogique (de moins en
moins répandu) ou numérique.
Temps
Courant de base

1.1.1 Principe du traceur de caractéristique Ib max


analogique
Le principe de cet équipement est de produire les signaux
(tension, courant) pour commander le composant et tracer sur un
écran cathodique (ou oscilloscope) la ou les courbes I (V ) (par
exemple : courant de collecteur en fonction de la tension de Ib min Temps
collecteur pour un transistor bipolaire) pour plusieurs valeurs du
courant de base (transistor bipolaire) ou de la tension de grille
Figure 1 – Principe d’un traceur de caractéristiques et allure
(transistor JFET – junction field effect transistor – ou MOS – metal- du courant appliqué sur la base
oxide semiconductor ).
La figure 1 montre l’exemple de la caractérisation d’un transistor
bipolaire. Le générateur de tension produit un signal sinusoïdal 1.2 Diodes
« redressé » (dans le cas d’excursions positives). L’amplitude de
cette tension est réglable par calibre de quelques volts par carreau Tant que la tension inverse ne dépasse pas la tension de
à quelques centaines de volts par carreau. claquage VBR , la caractéristique statique de la diode représente
l’équation non linéaire de ce composant :
Le step generator permet de produire une série de valeurs de
courants (ou de tensions pour un transistor JFET ou un MOS)
 V − r I  
croissante de Ibmin à Ibmax . Id = Is exp  d s d  − 1
  n × ut  
L’amplificateur vertical fournit une tension proportionnelle au
courant (collecteur dans notre exemple), tandis que l’amplificateur kT
horizontal fournit une tension proportionnelle à la tension ut =
(collecteur dans notre exemple). Enfin, des résistances de limitation q
(de puissance) sont introduites dans le circuit (ici dans le collecteur) avec k constante de Boltzmann k =1,38 × 10–23J/K,
pour adapter la puissance délivrée à celle du transistor. Bien sûr, les
tensions et les courants appliqués peuvent être inversés suivant le T (en K) température,
type de composant ou de caractéristiques recherchées. q charge de l’électron q =1,6 × 10–19 C,
Ce type d’appareil est distribué, entre autres, par la société Is courant inverse en A,
Tektronix. Les modèles récents sont programmables. Vd différence de potentiel aux bornes de la diode,
rs (en Ω) résistance de connexion interne de la diode,
1.1.2 Traceur de caractéristique numérique n facteur d’idéalité compris entre 1 et 2.
Une autre approche consiste à utiliser un système de mesure Cette caractéristique (voir figure 2) comprend la zone directe
autour d’un ordinateur de type PC. Il existe des appareils – tels que (forward region ) dans laquelle la tension Vd est positive et la zone
les appareils de mesure I-V de Keithley – qui comportent les géné- inverse (backward region ) dans laquelle la tension Vd est négative.
rateurs (de tension et de courant) ainsi que la mesure (de tension De cette caractéristique on peut donc extraire le facteur d’idéalité
et de courant). Les mesures sont converties en numérique pour n, le courant inverse Is , la tension de claquage inverse et aussi la
être traitées par le PC. Un programme spécifique se charge de résistance interne rs (à ne pas confondre avec la résistance dyna-
gérer l’interface avec l’utilisateur. mique, voir paragraphe suivant).

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____________________________________________________________________________________________ MESURE DES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES

Id
Vd

t
I dId
=
rd dVd
Id
Is
Trr
Vd

VBR
0
IRR t

IR
Figure 2 – Caractéristique Id en fonction de V d de la diode

Figure 4 – Forme d’onde de la mesure de T rr

Diode en essai
Id
Modulateur
Voltmètre 1 kHz (10 %/z)
Vd alternatif
Générateur
I0 Résultat Iz

Diode en essai
Figure 3 – Principe de la mesure de T rr

Lorsque la tension aux bornes de la diode (en régime inverse)


atteint V BR alors on passe dans le régime d’avalanche et le courant
augmente brutalement. Ce phénomène est dû au fait que l’on Figure 5 – Principe de mesure de r ZT
atteint à ce stade le champ critique dans le silicium.
■ Les paramètres électriques communs à tous les types de diodes Les valeurs du paramètre Trr vont de quelques fractions de
sont : nanoseconde à quelques centaines de nanosecondes.
– la tension à l’état passant V F (forward voltage ) pour une inten- Parmi les caractéristiques dynamiques on retiendra principa-
sité de courant direct Id donnée ; lement la résistance dynamique au point de fonctionnement et
– l’intensité de courant inverse Is (reverse ) pour une tension aussi la capacité qui dépend de la tension de polarisation :
inverse donnée (Vd négative).
La valeur de la tension Vd peut varier de quelques centaines de Ad × C j0
millivolts pour les diodes de signal à quelques volts pour les Cd =
diodes de commutation. L’intensité du courant inverse Is varie de Vd
1+
quelques nanoampères à plusieurs milliampères. La mesure du Φd
paramètre VF s’effectue par une méthode 4 points (les fils d’ali-
mentation de puissance et les fils de mesure sont séparés). où Cj0 est la capacité surfacique de jonction à tension nulle en F/m2
Pour les diodes à technologie Schottky (jonction métal-silicium), (dépendant du procédé de fabrication), Ad la surface de la jonction,
la valeur vraie de VF de la diode est très faible. Φd le potentiel de Fermi dépendant du procédé de fabrication (typi-
quement 0,3 V) et Vd la différence de potentiel aux bornes de la
■ Deux autres paramètres importants, pour les diodes utilisées en diode.
commutation ou pour traiter des signaux rapides, sont le temps de Ce type de mesure peut être fait à l’aide d’un impédancemètre.
recouvrement inverse (Trr) et la valeur de la capacité de jonction. Ce type d’appareil permet en effet de fixer une tension ou un
Le temps de recouvrement est dû au temps nécessaire à évacuer courant de polarisation et d’effectuer ensuite une mesure autour
les charges stockées dans la jonction. On peut voir sur la figure 4 de ce point de fonctionnement.
que lorsque la diode passe brutalement de la polarisation directe à
la polarisation inverse, un courant inverse (très supérieur au La spécificité des diodes Zener nécessite la mesure de deux
courant Is) circule pendant un court instant (correspondant au paramètres supplémentaires, par rapport aux autres familles de
temps de recouvrement). diodes :
La méthode de mesure de Trr est donnée par la figure 3. – VZ : tension inverse continue dans la région de claquage
(Zener) ;
La forme d’onde du signal est donnée par la figure 4, les para- – rZT : résistance dynamique pour le courant inverse de mesure
mètres à définir pour cette mesure étant : dans la région de claquage.
– l’intensité du courant direct Id ;
La mesure de VZ s’effectue comme une mesure de la tension de
– l’intensité maximale du courant inverse spécifiée IR ;
claquage VBR , seul l’ordre de grandeur de la valeur du paramètre
– l’intensité du courant inverse de mesure (condition de mesure)
est différent : les valeurs varient de quelques volts à plus de 200 V.
IRR ;
– le temps de recouvrement inverse Trr , mesuré entre le passage Le principe de la mesure de rZT (figure 5) consiste à injecter le
à zéro du courant dans la diode et la valeur du courant IRR . courant continu IZ , puis à faire varier le courant de 10 % autour de

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MESURE DES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES ____________________________________________________________________________________________

la valeur de IZ à une fréquence à 1 kHz. On mesure ensuite la


valeur V AC de la tension alternative aux bornes de la diode Zener. I
La valeur de la résistance rZT est :

VAC D
rZT = C
0,1I z

1.3 Transistors
Les transistors peuvent être classés en quatre catégories :
B
– les transistors bipolaires petits signaux et de puissance ;
– les transistors MOS petits signaux et de puissance (MOS : A V
metal-oxide semiconductor ) ;
– les transistors à effet de champ à jonction (JFET : Junction Figure 6 – Courbe I =f (V ) d’un transistor bipolaire
Field Effect Transistor ) ;
– les transistors IGBT.
Pour chacune de ces classes, nous verrons les principaux para-
mètres à mesurer et les méthodes de mesure spécifiques qui sont
nécessaires. V+

1.3.1 Transistors bipolaires petits signaux Ipol Vce


Les paramètres principaux à mesurer se répartissent comme
suit :
– paramètres statiques : intensité de courant résiduel, tension de
claquage, tension de saturation ;
D2
– paramètres h : h11 , h12 , h21 , h22 ;
– paramètres dynamiques : capacité d’entrée et de sortie,
fréquence de transition, facteur de bruit. I⇒V
Les testeurs automatiques permettent de mesurer l’ensemble
des paramètres statiques.
Vmesure
Les valeurs des paramètres h et de la fréquence de transition
sont généralement calculées à partir des valeurs des paramètres S
mesurés par un analyseur de réseau. Les différentes capacités sont
mesurées à l’aide d’un pont automatique à une fréquence de Figure 7 – Montage de test
1 MHz, la jonction mesurée étant polarisée.
Pour la mesure du facteur de bruit on se référera à l’article
[R 1 078v2]. de réaliser la mesure en empruntant le chemin A, D et C. De plus,
cette voie permet à l’alimentation en tension de ne fournir que la
Nous allons revenir sur quelques mesures présentant des parti- tension de claquage V(BR)CEO et non la valeur crête de la tension
cularités. de claquage. Le montage de la figure 7 utilise une diode D2
■ Le rapport de transfert direct de courant, h21 , est mesuré diffé- connectée entre la base et la masse polarisant le composant en
remment selon la valeur du courant IC . Au-dessous de 100 mA, la base commune et permettant de réaliser la mesure du V(BR)CEO en
mesure se fait en continu, au-dessus la mesure se fait en impul- empruntant le chemin A, D, C.
sions de durée 300 µs et de rapport cyclique 2 %. La tension Vmesure est obtenue à la sortie d’un amplificateur
transimpédance présentant une masse virtuelle à son entrée. Cette
■ La mesure de la tension de claquage (VBR pour breakdown
tension est l’image du courant mesurée dans l’émetteur.
voltage ) collecteur-émetteur peut être effectuée avec la jonction
base connectée différemment. Quatre cas sont possibles :
– la base est laissée en l’air, le paramètre s’appelle alors 1.3.2 Transistors bipolaires de puissance
V(BR)CEO ;
– la base est mise au potentiel de l’émetteur, il s’agit alors du Il existe deux applications importantes pour les transistors de
V(BR)CES ; puissance, l’une est l’amplification linéaire, l’autre la commutation,
– la base est reliée à l’émetteur par une résistance, le paramètre en particulier dans le domaine de la conversion d’énergie. Pour les
devient V(BR)CER ; transistors de puissance à usage d’amplification, les paramètres
– la base est polarisée en inverse par une tension, il s’agit alors mesurés sont identiques à ceux des transistors petits signaux ; par
d’un V(BR)CEX . contre, pour les transistors de commutation, leur usage est celui
d’un commutateur et leurs caractéristiques se résument ainsi :
De nombreux transistors bipolaires présentent une résistance
négative qui perturbe la mesure des tensions de claquage. La – deux états stables :
figure 6 montre une courbe typique de la jonction collecteur- • l’état ouvert (ou état bloqué),
émetteur. Si nous voulons mesurer V(BR)CEO suivant une méthode
• l’état passant ;
classique, le chemin emprunté sera A, B, C, où C représente le point
de mesure. – deux états transitoires au passage d’un état à l’autre.
Le fait de rencontrer une zone de résistance négative va tendre à Les mesures caractérisant l’état ouvert et l’état passant seront
générer des oscillations qui fausseront la mesure, voire endomma- réalisées à l’aide d’un système de test tel que décrit précédem-
geront le composant. Il est donc intéressant d’éviter cette zone et ment pour les transistors petits signaux. Les seules contraintes

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Oscilloscope IC
RC
90 %
IB1 iC
K
VCE
IB VC
10 %
IB2 t
RB IB

VBB td ts t1
ton toff

IB1
K commutateur électronique rapide 90 %
RB résistance non inductive
RC résistance permettant de régler la valeur du courant 50 %
IB2 collecteur IC (intensité du courant inverse de base) 10 %
sera réglée par l’alimentation VBB tp t
La fréquence de fonctionnement du commutateur sera faible, géné-
ralement 520 Hz, le rapport cyclique sera faible (quelques pour-cent)
IB2

Figure 8 – Schéma de principe pour la mesure des temps


de commutation IC courant collecteur
td retard à la croissance
seront celles de la valeur de l’intensité du courant collecteur qui ton temps total d’établissement
peut atteindre 100 A et de la tension collecteur-émetteur qui ts retard à la décroissance
dépasse, dans certains cas, 700 V.
toff temps total de coupure
La mesure de la résistance thermique est faite suivant la tp durée de l’impulsion d’entrée
méthode décrite dans le dossier [R 1 079], § 1.2, les valeurs obte- IB1 intensité du courant direct de base
nues allant de 0,5 oC/W à plusieurs oC/W.
IB2 intensité du courant inverse de base
La mesure des temps de commutation définie à la figure 9 est
réalisée à partir de la figure 8.
Figure 9 – Mesure des temps de commutation d’un transistor
La mesure des grandeurs de la figure 9 s’obtient avec des bipolaire de puissance
sondes de courant actives. La fréquence de coupure haute des
sondes doit être suffisamment élevée pour ne pas déformer les
signaux. Pour les mesures de courants à très forte variation dI/dt ,
ces mesures pourront être perturbées par la circulation des
courants de mode commun entre la sonde et l’oscilloscope. Les
courants de mode commun pourront être réduit un tore de mode
commun sur le câble de liaison entre la sonde de courant et Drain
l’oscilloscope. VDS

VGS Source
1.3.3 Transistors MOS et MOSFET
VSB

IDS
Il existe 4 types de transistors MOS : à canal N, à canal P, et Zone Zone saturée
à enrichissement ou à appauvrissement. Pour les transistors à linéaire
enrichissement, il faut appliquer une tension pour faire circuler VGS 4
un courant. Pour les transistors à appauvrissement, en
l’absence de tension de commande, il circule un courant. VGS 3

VGS 2

1.3.3.1 Caractéristiques générales des transistors MOS VGS 1

VDS
Nous traitons ici le cas du transistor à canal N. Les deux
principaux régimes de fonctionnement du MOS sont les
régimes dit « linéaire » et « saturé » (voir figure 10). Figure 10 – Régimes de fonctionnement du MOS

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MESURE DES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES ____________________________________________________________________________________________

■ Intensité du courant drain-source IDS


Drain
La connexion de substrat est généralement reliée à la source
dans le cas des composants discrets. Les équations en grand
signal sont les suivantes : CGD
Grille CDS VDS
1 W
µ Cox (VGS − Vt) 2
IDS = VGS CGS
2 L′ (1)
En régime saturé : cas où VDS > VGS − Vt
Source
avec µ mobilité des électrons dans le canal,
C ox capacité de grille par unité de surface, Figure 11 – MOS de canal N avec ses capacités parasites
W largeur électrique du composant,
L ′ longueur du canal jusqu’au point de pincement,
Vt tension de seuil (seuil de conduction).
RD
W V2  ID
(VGS − Vt )VDS − DS 
IDS = µ C ox
(2)
L  2 
En régime linéaire : cas où VDS < VGS − Vt E

L longueur du canal (ou largeur de grille) qui en linéaire occupe


toute la distance entre le drain D et la source S. L′ et L sont prati- VGS VDS
quement égaux (en MOS canal long). En revanche, les variations
de L′ doivent être prises en compte dans le modèle petit signal.
■ Résistance de sortie en linéaire Rs
La résistance de sortie d’un transistor MOS en régime linéaire
est un paramètre très utile lorsqu’on utilise le transistor en inter-
rupteur. Le transistor est alors dans son régime linéaire puisque la QGS QGD VGS
tension drain-source VDS est faible (voire nulle) ; dans ce cas :

1
Rs =
W Vt
µ Cox (VGS − Vt)
L
pour VDS tendant vers 0.
t1 t2 t3 t4 t
1.3.3.2 Transistor MOSFET
VDS
Le transistor MOSFET peut être utilisé en régime linéaire ou en E
commutation. Il est employé dans beaucoup de convertisseurs de ID
puissance où il fonctionne alors en commutation. Pour des raisons
de performances, il est surtout employé un transistor MOSFET à
enrichissement et canal N. La figure 11 donne la représentation du
transistor MOS avec ses capacités parasites.
Les paramètres mesurés sur le transistor par les constructeurs
sont principalement les suivants : RDSon , VDSmax , IDSmax , la puis-
sance dissipée, CGS , CGD et CDS et la charge de la grille dans diffé- t
rentes conditions.
La mesure de la résistance RDSon s’obtient en mesurant la Figure 12 – Circuit de commande de grille et chronogrammes
de VGS , VDS et ID
tension VDS quand un courant de drain circule suivant une valeur
donnée. La mesure doit se faire pour une valeur de VGS supérieure
à 8 ou 10 V. Les trois capacités du MOS peuvent être mesurées au
pont automatique. On pourra polariser en continu le transistor comporte comme la capacité CGS . Passé VGSth , la tension VDS
MOS pour se placer dans des conditions réelles. On mesure alors décroît et la capacité vue de la grille devient égale à
les trois capacités suivantes vues de l’entrée et de la sortie : ∂V
CGS + CGD(1 + AV ) quand AV est − AV = DS . On parle d’effet
– capacité d’entrée Ciss (input capacitance ) = CGD + CGS ; ∂VGS
– capacité de transfert inverse Crss (reverse capacitance ) = CGD ; Miller. Considérons la charge de la grille en se référant au
– capacité de sortie Coss (output capacitance ) = CGD + CDS . comportement en commutation du MOS de la figure 12. Il est pra-
Comme ces capacités sont variables, on préfère donner les tique de considérer que la tension VGS va s’établir par l’intermé-
valeurs de charge de grille. diaire d’une source de courant appliqué sur la grille. Quand un
courant circule dans la grille, la tension VGS monte jusqu’à
Par exemple, C iss = 3 nF, C rss = 1,5 nF et C oss = 500 pF pour un atteindre Vt et alors le courant de drain commence à circuler.
MOSFET de type IRF 150. Durant la période t1 – t2 , CGS continue de se charger, la tension de
grille continue d’augmenter et le courant croît proportionnel-
En statique, le courant appliqué sur la grille est nul ; il n’en est lement. Au temps t2 , CGS est complètement chargée et le courant
pas de même en dynamique. À faible tension VGS , la grille se atteint sa valeur maximale ; la tension VDS commence alors à

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La nanoélectronique au service
de la métrologie de l’ampère
par Nicolas FELTIN
Ingénieur de recherche au LNE, Laboratoire national de métrologie et d’essais, Trappes
Responsable de mission amont en nanométrologie

et Xavier JEHL
Physicien au Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives,
centre de Grenoble

1. Place des nanodispositifs électroniques dans le futur


Système international d’unités .................................................... R 1 085 – 2
2. Principes de base des nanodispositifs monoélectroniques ... — 3
2.1 Énergie de charge et blocage de Coulomb ....................................... — 3
2.2 Nanodispositifs monoélectroniques en métrologie .......................... — 3
2.2.1 Dispositif métallique adiabatique à barrière fixe : la pompe
à électron ................................................................................. — 3
2.2.2 Dispositif non adiabatique ...................................................... — 5
2.2.3 Dispositifs hybrides normal/supraconducteur ........................ — 6
3. Performances métrologiques des dispositifs............................ — 7
3.1 Pompe classique en aluminium......................................................... — 8
3.2 Nanofil en GaAs ................................................................................. — 8
3.3 Nanodispositifs en silicium ............................................................... — 9
3.4 Tourniquets hybrides ......................................................................... — 9
4. Ponts de mesure.............................................................................. — 10
4.1 Montage avec une capacité, CdV/dt .................................................. — 10
4.2 Comparateur cryogénique de courant ............................................... — 10
4.3 Électromètres à nanodispositifs monoélectroniques........................ — 12
5. Le nanodispositif monoélectronique au cœur de la future
réforme du SI ................................................................................... — 12
5.1 Vers une définition quantique de l’ampère ....................................... — 12
5.2 Triangle métrologique ........................................................................ — 12
5.2.1 Principe .................................................................................... — 12
5.2.2 Montage pratique de la fermeture du triangle métrologie
par voix directe ........................................................................ — 15
5.3 Détermination de la charge élémentaire, e ....................................... — 16
5.3.1 Historique : l’expérience de Millikan et la méthode
par diffraction X ....................................................................... — 16
5.3.2 Valeur recommandée de e par CODATA ................................. — 17
5.3.3 Nouvelle détermination de e ................................................... — 17
6. Conclusion et perspectives........................................................... — 18
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. R 1 085

a maı̂trise des moyens de nanofabrication a permis aux physiciens d’élabo-


L rer des dispositifs électroniques capables de générer des courants quanti-
fiés. Les premières pompes à électrons étaient fondées sur l’effet tunnel mono-
électronique et étaient constituées de barrières tunnel fixes et d’ı̂lots
métalliques. Ces dispositifs ont ouvert la voie à l’électronique à un électron
mais ne peuvent générer que de très faibles courants ne dépassant pas 10 pA
(10-11 A). Depuis une décennie, de nouveaux nanodispositifs apparaissent. Ils
p。イオエゥッョ@Z@、←」・ュ「イ・@RPQQ

sont capables de pomper les électrons à des fréquences plus grandes, sont
plus simples à utiliser et peuvent être associés en parallèle. Ils peuvent ainsi

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LA NANOÉLECTRONIQUE AU SERVICE DE LA MÉTROLOGIE DE L’AMPÈRE ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

devenir des outils métrologiques avec des perspectives intéressantes pour la


métrologie de l’ampère. Nous présenterons dans cet article les nanodispositifs
électroniques qui semblent actuellement les plus prometteurs pour atteindre
cet objectif.
D’autre part, le monde de la métrologie se prépare pour de profondes modi-
fications du système d’unités (SI). L’ensemble des instituts nationaux de métro-
logie (INM) est en effet impliqué dans un projet historique qui vise à redéfinir
certaines unités de base à partir de valeurs fixées d’un nombre restreint de
constantes fondamentales. Ces constantes de la nature présentent des avanta-
ges considérables et conféreraient au futur système SI une base solide. En effet,
elles décrivent les propriétés universelles de la matière et de ses interactions, et
sont indépendantes de tout système référentiel considéré, ainsi que de sa posi-
tion dans l’espace et le temps. Dans ce contexte, l’utilisation de nanodispositifs
monoélectroniques permettrait de définir un ampère quantique où l’unité du
courant électrique serait directement reliée à la charge élémentaire, e.

Cette idée est reprise par Max Planck en 1899 qui propose un
1. Place des nanodispositifs système similaire mais fondé, cette fois-ci, sur le triplet (G, c, h),
électroniques dans le futur constante gravitationnelle, vitesse de la lumière et constante de
Planck. Les trois unités fondamentales s’écrivent :
Système international d’unités lp =
G ⋅h
c3

La métrologie mondiale est à la veille d’une profonde mutation


avec le changement du système d’unités. Un grand chantier est en G ⋅h
tp =
cours qui aboutira à un système fondé sur un nombre restreint c5
( ł 5, probablement) de constantes fondamentales. Cette idée
n’est pas neuve et remonte à la fin du XIXe siècle. Deux éminents
scientifiques en sont les précurseurs. Le physicien George Stoney h ⋅c
mp =
tout d’abord oriente ses recherches vers la quantification de la G
charge électrique. Il introduira officiellement pour la première fois
en 1891 le terme d’« électron » pour décrire l’unité de charge élec- Planck insiste sur le caractère universel de son système d’unités
trique. Il va jusqu’à estimer la valeur de cette charge élémentaire. qui est indépendant de toute considération humaine.
Sa contribution à la recherche dans ce domaine va préparer la véri- Ces premières tentatives ont très vite avorté à cause de l’état de
table mise en évidence de la particule électrique par Thomson quel- l’instrumentation de l’époque qui ne permettait pas de déterminer
ques années plus tard. Il comprend très vite l’importance des cons- ces constantes avec une précision suffisante. Les physiciens du siè-
tantes de la physique et propose la première tentative de définition cle suivant ont fait évoluer les systèmes de mesures afin d’améliorer
d’un système d’unités à partir de constantes de la nature avec : les incertitudes liées à la détermination de ces constantes. Un saut
1) e, le minimum de quantité d’électricité. technologique sans précédent a été franchi au lendemain de la
Seconde Guerre mondiale avec le développement d’une instrumen-
2) c, la « vitesse de Maxwell », qui relie les unités électrostatiques tation de précision dédiée à la mesure des constantes atomiques.
(e.s.u.) aux unités électromagnétiques (e.m.u.), et qui, d’après la
théorie électromagnétique de la lumière, serait aussi la vitesse Dans sa version actuelle, le SI (11e CGPM, 1960) comporte sept uni-
maximale des corpuscules. tés de base (mètre, kilogramme, seconde, ampère, kelvin, candela,
mole). La définition des autres unités, appelées « unités dérivées »,
3) G, le « Newton de gravitation », correspondant à la constante découlent de ces sept unités de base. Mais, les définitions ont évolué
de gravitation. au fil des années. Un changement profond était devenu inéluctable.
Il construit un système universel d’unités fondé sur les constan- Cette intention de relier unités et constantes fondamentales est
tes précédentes et définit les unités de longueur, de temps et de en réalité une conséquence logique de la dématérialisation, entre-
masse comme suit : prise depuis trois décennies, des étalons fondamentaux représen-
tant certaines unités. Ces travaux ont été motivés par l’introduction
e G
ls = de la physique fondamentale dans le domaine de la métrologie
c2 (physique des lasers, atomes froids, effet Josephson, effet Hall
quantique…) et facilités par la mise en œuvre de nouvelles techno-
e G logies (laser femto-seconde, interférométrie atomique, peigne de
ts = fréquences, horloges optiques, SQUID et comparateur cryogénique
c3 de courants…) ([1] à [3]). Cette révolution a débuté avec l’unité de
temps, la seconde, aujourd’hui reliée à l’énergie de transition entre
e deux niveaux hyperfins de l’atome de césium, puis, avec la fixation
ms = de la vitesse de la lumière dans le vide, c0, permettant une redéfini-
G
tion du mètre à partir de la seconde.

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R 1 085 – 2 est strictement interdite. – © Editions T.I.

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– LA NANOÉLECTRONIQUE AU SERVICE DE LA MÉTROLOGIE DE L’AMPÈRE

Le réseau français de métrologie, piloté par le LNE (Laboratoire


Jonctions
national de métrologie et d’essais), a accompagné ces récents pro-
grès et consacré de nombreux efforts afin d’améliorer le système
d’unités en participant à la majorité des expériences clés qui contri-
bueront à l’adoption de ce futur SI. L’enjeu est de taille et le calen- Ilot
drier du Comité international des poids et mesures (CIPM) prévoit
que ce dernier jugera d’une possible redéfinition du kilogramme,
de l’ampère, du kelvin et de la mole en utilisant des valeurs fixées
de certaines constantes de la physique lors de la 24e Conférence
générale des poids et mesures (CGPM) en 2011 [4] [5].
Vg
Dans ce contexte, certains INM ont entrepris de mettre en œuvre
l’expérience de la balance du watt dont l’objectif est de dématériali-
ser le prototype international du kilogramme en reliant l’unité de a
masse à la constante de Planck, h [6]. Cette expérience est fondée Ids (pA)
sur l’équivalence entre puissance électrique et puissance mécanique, 100
et établit un lien entre unités électrique et mécanique au travers de h. 4,2 K
Dans le domaine de la métrologie électrique, la découverte puis e /Cg
la mise en œuvre des effets Josephson (EJ) et Hall quantique (EHQ) 10
ont permis d’élaborer des étalons primaires, respectivement, de 100 mK
tension et de résistance [R 905] [R 908] (voir § 5.2.1).
Parallèlement à ces travaux, des physiciens/métrologues ont 1
cherché à développer des sources synchronisées dans lesquelles
l’intensité du courant I est reliée à une fréquence, f, par l’intermé-
diaire de la relation I = N · e · f, avec N le nombre d’électrons trans- 0,1
férés par période. Avec un tel dispositif, appelé « nanodispositif
monoélectronique » (ou SET pour Single Electron Tunnelling), il
est possible d’imaginer une mise en œuvre pratique d’une défini-
2 000 2 050 2 100 2 150 2 200 2 250
tion quantique de l’ampère, où le courant électrique serait défini à
partir de la charge élémentaire, e. Vg(mV)
b
En outre, le développement de ces dispositifs a ouvert la voie
aux diverses expériences de triangle métrologique que nous détail- Figure 1 – a) représentation schématique d’un ı̂lot métallique dont
lons dans le paragraphe 5.2. L’objectif de cette expérience est l’état de charge est contrôlé par une électrode de grille, b) courant
d’approfondir nos connaissances sur les trois effets quantiques uti- drain-source en échelle logarithmique montrant les oscillations
lisés en électricité (EJ, SET, EHQ) afin de pouvoir définir, à terme, de Coulomb mesuré à deux températures
l’ensemble des unités électriques à partir de seulement deux cons-
charge de l’ı̂lot avec une tension Vg appliquée à une électrode de
tantes fondamentales : h et e. Enfin, une nouvelle détermination
grille (figure 1). Ce phénomène donne lieu aux phénomènes
directe de la charge élémentaire est proposée au paragraphe 5.3.3.
d’oscillations de Coulomb montrées en figure 1, où le dispositif
passe de l’état passant à bloquant de façon périodique en modi-
fiant la tension de grille. Dans l’état passant, les électrons traver-
2. Principes de base sent les barrières tunnel un à un de façon stochastique : l’intensité
du courant n’est pas quantifiée [R 910].
des nanodispositifs
monoélectroniques 2.2 Nanodispositifs monoélectroniques
en métrologie

2.1 Énergie de charge et blocage 2.2.1 Dispositif métallique adiabatique à barrière


de Coulomb fixe : la pompe à électron
Le premier nanodispositif capable de transférer de manière quasi
Au début des années 1980, les travaux de Fulton et Dolan [7] sur adiabatique les électrons un par un avec une fréquence ajustable,
des dispositifs à effet tunnel monoélectronique (SET) ont ouvert la fSET, fut réalisé au CEA de Saclay [9]. Dans un tel dispositif, appelé
voie à l’électronique à un électron. Les physiciens ont ainsi pu ima- « pompe à électron », le courant électrique généré est quantifié et
giner des nanodispositifs fondés sur le principe du blocage de Cou- peut être facilement exprimé par l’égalité suivante :
lomb et capables de générer ou de contrôler le passage des élec-
trons un à un à travers un circuit électrique [8]. I = e ⋅ fSET

Le phénomène de blocage de Coulomb apparaı̂t lorsqu’un Dans sa version simplifiée, la pompe à électron est constituée
morceau de circuit, appelé « ı̂lot », est électriquement isolé du de deux transistors SET en série ; la partie conductrice, en alu-
reste du circuit grâce à deux jonctions tunnel (figure 1) [R 910]. minium, entre deux jonctions définissant un ı̂lot. Chaque ı̂lot est
Tant que l’énergie des électrons est inférieure à l’énergie de couplé capacitivement à une électrode de grille. Le potentiel
Coulomb, Ec = e2/2CS (avec CS la capacité totale du transistor), électrique de deux ı̂lots métalliques est contrôlé par deux ten-
le flux d’électrons est bloqué et le courant est nul. Notons que sions de grilles Vg1 et Vg2 appliquées sur deux électrodes de
le contrôle de la température est nécessaire, avec T < Ec/kB. capacités Cg1 et Cg2 (typiquement de quelques aF) (figure 2).
Chaque jonction est caractérisée par une résistance RTi (avec
RTi > h/e2, typiquement sa valeur est de 50 à 100 kW) et une capa-
Le système peut être débloqué de deux manières : en appliquant cité CJi (150 à 200 aF). Dans la grande majorité des cas,
une tension de polarisation suffisante aux bornes du dispositifs ou RT1 ª RT2 ª RT3 et CJ1 ª CJ2 ª CJ3.
en modifiant l’énergie électrostatique et, par conséquent, l’état de

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LA NANOÉLECTRONIQUE AU SERVICE DE LA MÉTROLOGIE DE L’AMPÈRE ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

& Le fonctionnement de la pompe est étroitement lié à la topologie intervenir qu’en certains points (en rouge et bleu sur la figure 3),
du diagramme donné en figure 3 qui montre, dans le plan Vg1 ⊗ Vg2, appelés « points triples » car chacun d’eux appartient à trois domai-
les domaines des états stables (n1,n2), représentant le nombre de nes de stabilité ; partout ailleurs, la pompe se trouve dans un état
charges en excès sur le premier et le second ı̂lot. Les frontières bloqué. À l’intérieur d’un domaine de stabilité, une configuration
entre les domaines (lignes pleines) forment un réseau hexagonal unique (n1,n2) est possible.
typique en nid d’abeille. La conduction des électrons ne peut Ainsi, le principe de fonctionnement d’une pompe à électron est
représenté par la séquence schématisée en figure 4. Cette
RT1,CJ1 RT2,CJ2 RT3,CJ3 séquence est réalisée en tournant autour d’un point triple. À la fin
d’un cycle, trois domaines de stabilité voisins ont été traversés et
n1 n2 un unique électron a été transféré à travers la pompe.
En pratique, le transfert contrôlé d’électrons à travers la pompe
peut s’effectuer, sans appliquer de tension de polarisation, de la
Cg1 Cg2 manière suivante : deux signaux périodiques de même fréquence,
+
fSET, mais déphasés de F ª 90 sont ajoutés aux tensions continues
Vg Vg1 Vg2
appliquées aux électrodes de grille, Vg10 et Vg20, correspondant aux
– coordonnées du point triple autour duquel nous souhaitons tour-
ner. Les tensions Vg1 et Vg2 appliquées aux grilles s’écrivent :

Figure 2 – Pompe à trois jonctions


Vg1 = Vg10 + A cos (2πfSETt ) (1)

5
Vg2 = Vg20 + A cos (2πfSETt + Φ ) (2)
Vg2 (mV)
4 (1,1) Un déphasage de 90 donne lieu à l’apparition d’un courant
monoélectronique positif autour du point P (figure 3). Mais, en
3 (0,1)
ajoutant 180 au déphasage, le sens de rotation s’inverse dans
N l’espace des configurations, et ainsi les charges sont transférées
2 dans la direction opposée [11]. La géométrie du diagramme de sta-
bilité dépend de la valeur des capacités des jonctions et des grilles
1
et surtout du phénomène des capacités croisées (cross-talk) qui
décrit l’effet d’une électrode de grille sur l’ı̂lot adjacent. Ce phéno-
0 P
mène perturbateur peut être compensé au moyen d’un dispositif
–1 électronique adapté qui injecte une fraction de chaque signal sur
l’électrode voisine avec une polarité opposée [12].
–2 (– 1, 0)
(0,0)
& Cependant, plusieurs mécanismes peuvent venir perturber le
(1,0)
–3 fonctionnement de la pompe ou la quantification du courant mono-
électronique : I = e · fSET. L’ensemble des mécanismes d’erreur a été
–4 étudié en détail dans plusieurs publications ([9] [13] à [15]).
(0, – 1)
(– 1, – 1) Tout d’abord, durant le pompage des électrons, des charges
–5
contenues dans le substrat du nanodispositif peuvent se déplacer
–5 –4 –3 –2 –1 0 1 2 3 4 5 de manière stochastique induisant des modifications de l’état de
Vg1 (mV) charge des ı̂lots et modifiant ainsi le point de fonctionnement. Ce
I (pA)
– 1,200 phénomène est l’effet perturbateur prépondérant des pompes
– 0,8000 métalliques et empêche souvent un fonctionnement stable du dis-
– 0,4000
positif sur de longs temps de mesure (> 12 h).
0,4000 La fréquence (RTCJ)-1 correspond au taux de recharge de l’ı̂lot et
0,8000 donc limite la vitesse de pompage du dispositif. Par conséquent, la
1,200 fréquence de pompage doit toujours rester inférieure à cette réfé-
1,600 rence et pour des paramètres classiques de jonctions :
fSET << 50 GHz. D’autres phénomènes tels que des effets thermi-
ques, des expositions du nanodispositif à des photons d’énergies
Figure 3 – Diagramme de stabilité dans le plan Vg1⊗Vg2 montrant micro-ondes ou de transferts tunnel concomitants (co-tunnelling)
les configurations stables (n1,n2) du nombre d’électron en excès peuvent provoquer des erreurs de transferts mais peuvent être évi-
sur chaque ı̂lot [10]. Les mesures ont été effectuées à 50 mK tés en adaptant le montage expérimental. Ainsi, l’énergie

n1 = 0 n2 = 0 n1 = 1 n2 = 0 n1 = 0 n2 = 1 n1 = 0 n2 = 0

Vg1 Vg2 Vg1 Vg2 Vg1 Vg2 Vg1 Vg2

Figure 4 – Séquence des différentes configurations stables se produisant en tournant autour d’un point noté P

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– LA NANOÉLECTRONIQUE AU SERVICE DE LA MÉTROLOGIE DE L’AMPÈRE

thermique est minimisée en plaçant le nanodispositif au cœur d’un


réfrigérateur à dilution permettant de le maintenir à une tempéra-

Potentiel
ture inférieure à 30 mK. Le transfert de charge photoassisté est sup-
primé en installant des filtres sur le câblage de polarisation ([16]
à [18]). Enfin, le phénomène de co-tunnelling, est un effet quan- G1 >> G2
tique impliquant plusieurs transferts simultanés à travers plusieurs
jonctions. Il est fortement relié à la conception de la pompe et du
régime de fonctionnement. Par exemple, il peut être minimisé en
augmentant le nombre de jonctions du nanodispositif. Les calculs
de taux d’erreurs induit par les effets de fréquence, thermique et
de co-tunnelling sont disponibles en référence [13]. Il est ainsi faci-
lement démontrable qu’une pompe constituée de cinq jonctions ne G1 G2
peut théoriquement pas manquer plus de 10-8 électron par cycle si
elle est cadencée à une fréquence de 70 MHz. Comme nous le ver-
rons dans le paragraphe 3.1, la quantification de l’intensité du cou- Distance
rant disparaı̂t complètement au-dessus de 100 MHz.
Grille 1 Grille 2
2.2.2 Dispositif non adiabatique dc + ac dc
a entrée d’un électron
Dans les pompes décrites précédemment, le potentiel électrosta-
tique de chaque ı̂lot de Coulomb est contrôlé par une grille, il faut

Potentiel
donc a minima deux tensions de grilles, cohérentes mais dépha-
sées de façon contrôlée, pour la pompe la plus simple à trois jonc-
G1 << G2
tions. Ces pompes sont adiabatiques car le transfert d’électrons
d’un contact à l’autre est réalisé via des états de charges qui sont
quasi statiques. Elles peuvent donc, dans le principe, fonctionner
à une fréquence fSET arbitrairement basse, même si le courant
I = e · fSET alors produit est trop faible pour être détecté ou
utilisable.

G1 G2
Un autre type de dispositifs est apparu plus récemment, qui
n’a besoin que d’un seul ı̂lot et une seule tension de grille oscil-
lante pour fonctionner [19] [20]. Ces dispositifs sont en revanche Distance
non adiabatiques ; à fréquence trop faible, ils ne délivrent pas
de courant. Il s’agit par exemple de nanofil de silicium ou d’hé- Grille 1 Grille 2
térostructure GaAs. dc + ac dc
b sortie d’un électron

(On décrit ici le principe général de fonctionnement ; les perfor-


mances des dispositifs réalisés à ce jour sont indiquées dans les Figure 5 – Potentiel électrostatique au moment de l’entrée
et de la sortie d’un électron dans le dispositif
paragraphes 3.2 et 3.3.)
& Le fonctionnement est plus simple expérimentalement puis- figure 5. Le potentiel chimique m dans les réservoirs est fixé (cou-
qu’un seul signal alternatif est nécessaire. Il n’y a plus de dépha- leur noire), ces deux réservoirs sont au même potentiel (V12 = 0).
sage à maı̂triser à des fréquences jusqu’à quelques gigahertz, Le mécanisme de passage de l’électron pour entrer ou sortir du
mais aussi le couplage capacitif entre une grille et l’ı̂lot (cross-talk) puits de potentiel reste l’effet tunnel, on décrit donc les barrières en
n’est plus un effet parasite devant être compensé car il devient termes de barrières tunnel de largeurs G 1 pour l’entrée et G 2 pour la
nécessaire pour le pompage. L’idée est maintenant de créer une sortie. On doit donc supprimer le transport thermiquement activé
boı̂te quantique « dynamique » de telle façon qu’elle va toujours par-dessus la barrière, ce qui implique pour les dispositifs actuels
se remplir avec un électron par un réservoir (numéroté 1 par de travailler à basse température car les barrières réalisables ont
convention) et toujours se vider juste après par l’autre réservoir une hauteur de l’ordre de quelques meV.
(numéroté 2). Si on réussit à réaliser ce cycle on aura bien transféré
un électron d’un réservoir vers l’autre. & Un point très important dans ce système à un seul paramètre
Du point de vue théorique, le fonctionnement est en revanche un variable est que, même si on suppose que la grille 1 n’a aucune
peu plus complexe puisqu’on doit considérer des effets dynami- influence sur le potentiel de la grille 2 (qui reste constant), elle a
ques et non plus seulement des états de charges statiques. On nécessairement un effet sur G 2, du fait de l’évolution de l’énergie
doit également considérer tous les processus « inverses », c’est-à- du niveau localisé e dans le puits dynamique. Cet effet est visible
dire ayant lieu dans le « mauvais sens » (sortie par le réservoir 1, sur la figure 5 : l’augmentation massive de la barrière 1 provoque
entrée par le 2…). un rétrécissement du puits de potentiel et par conséquent une aug-
Comme pour les boı̂tes quantiques, l’idée est de générer dans un mentation de l’énergie de ce niveau. L’évolution de e est présentée
semi-conducteur un profil de potentiel avec une double bosse. On sur la figure 6 : il est nécessairement en phase avec l’excitation ac
utilise pour cela deux grilles sur une hétérostructure semi-conduc- sur la grille 1.
trice (GaAs par exemple) ou du silicium. Les tensions continues sur Du fait de l’évolution e(t) en phase avec Vac, on peut maintenant
ces grilles sont ajustées juste sous le seuil de conduction. On prédire qualitativement l’évolution de la seconde barrière G 2 :
obtient donc entre les grilles un ı̂lot artificiel isolé qui, s’il est suffi- même si le potentiel appliqué sur cette grille reste constant (pas
samment petit, ne peut contenir que quelques électrons. Dans la de couplage capacitif entre les grilles), G 2 va osciller pendant le
suite, par soucis de simplification, nous ne considérerons qu’un cycle de Vac, mais maintenant en opposition de phase avec G 1.
seul niveau. Supposons maintenant qu’on fait osciller le potentiel Cette évolution est illustrée dans la figure 7. On remarque la très
de la barrière d’entrée (« 1 »). La forme du potentiel (couleur grande dynamique des valeurs explorées pendant un cycle pour
grise) à deux moments importants du cycle est décrite dans la G 1, et celle plus faible pour G 2, car due seulement à l’évolution de

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Techniques de mesure de grandeurs


électriques adaptées
aux nanocircuits
par Brice GAUTIER
Professeur des Universités, Institut des Nanotechnologies de Lyon, Institut National des
Sciences Appliquées de Lyon, Université de Lyon, UMR CNRS 5270, Villeurbanne, FRANCE
Pascal CHRÉTIEN
Ingénieur de Recherche CNRS, Laboratoire de Génie électrique et électronique de Paris,
UMR 8507 CNRS-Centrale-Supélec, Universités Paris-Sud et UPMC, Université Paris-
Saclay, Gif-sur-Yvette, France
Khalifa AGUIR
Professeur des Universités, Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de
Provence (IM2NP), UMR CNRS 7334 Marseille, France
Frédéric HOUZÉ
Chercheur CNRS, Laboratoire de génie électrique et électronique de Paris, UMR 8507 CNRS-
Centrale-Supélec, Universités Paris-Sud et UPMC, Université Paris-Saclay, Gif-sur-Yvette, France
Olivier SCHNEEGANS
Chercheur CNRS, Laboratoire de génie électrique et électronique de Paris, UMR 8507 CNRS-
Centrale-Supélec, Universités Paris-Sud et UPMC, Université Paris-Saclay, Gif-sur-Yvette, France
Johannes HOFFMANN
Ingénieur, Institut fédéral de métrologie, METAS, Bern-Wabern, Suisse
Nicolas CHEVALIER
Ingénieur Chercheur, CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France
Łukasz BOROWIK
Ingénieur Chercheur, CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France
Dominique DERESMES
Ingénieur de recherche, IEMN (Institut d’Électronique, de Microélectronique et de
Nanotechnologie) UMR 8520, CNRS, Université de Lille, Villeneuve d’Ascq, France
Pierre GOURNAY
Physicien Principal, Bureau International des Poids et Mesures, Sèvres, France
Philippe MAILLOT
Responsable Qualité/Métrologie en Recherche et Développement, STMicroelectronics,
Centre Technologique, Rousset, France
et François PIQUEMAL
Ingénieur Chercheur, Laboratoire national de métrologie et d’essais, Trappes, France

1. Mesures de courant ........................................................................ R 1 084 – 3


1.1 Introduction ........................................................................................ — 3
1.2 C-AFM et TUNA .................................................................................. — 5
1.3 SSRM .................................................................................................. — 6
1.4 Résiscope ............................................................................................ — 7
1.5 Aspects métrologiques ...................................................................... — 8
2. Mesures de capacité....................................................................... — 10
2.1 Introduction ........................................................................................ — 10
2.2 Scanning Capacitance Microscopy .................................................... — 10
2.3 Scanning Microwave Microscopy (SMM) ......................................... — 14
2.4 Effets perturbateurs communs à la mesure de capacité .................. — 16
2.5 Spectroscopie d’impédance ............................................................... — 22
3. Mesures de force électrostatique................................................ — 23
3.1 Microscopie à force électrostatique (EFM) ........................................ — 23
3.2 Microscopie à sonde de Kelvin (KFM) ............................................... — 27
3.3 Aspects métrologiques liés aux techniques EFM et KFM ................. — 30
4. Perspectives métrologiques générales....................................... — 31
4.1 Mieux maı̂triser les incertitudes et améliorer la qualité
métrologique de la mesure à cette échelle ....................................... — 31
4.2 Compromis à trouver sur l’environnement de mesure .................... — 32
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4.3 Travail spécifique sur les pointes ...................................................... — 32


4.4 Travail important sur l’élaboration et la traçabilité d’étalons
de résistance et de capacité ............................................................... — 32

Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés R 1 084 – 1

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TECHNIQUES DE MESURE DE GRANDEURS ÉLECTRIQUES ADAPTÉES AUX NANOCIRCUITS ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

4.5 Rôle de la modélisation ..................................................................... — 33


4.6 Importance de la métrologie pour les aspects normatifs ................. — 33
5. Applications de ces techniques pour la caractérisation
des dispositifs nanostructurés ou nanosystèmes .................... — 34
5.1 Contexte industriel ............................................................................. — 34
5.2 Test de caractérisation de nanocomposants en milieu industriel .... — 34
6. Conclusion........................................................................................ — 36
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. R 1 084

es techniques de mesure décrites dans cet article relèvent de la micro-


L scopie en champ proche adaptée aux mesures locales de grandeurs électri-
ques à l’échelle nanométrique, communément appelée microscopie à sonde
locale électrique ou encore en anglais eSPM pour electrical Scanning Probe
Microscopy. Ces techniques mettent en œuvre un mécanisme de balayage
d’une pointe à proximité ou sur la surface d’un échantillon afin d’en obtenir,
simultanément ou non, l’image topographique et les propriétés physiques loca-
les à l’échelle nanométrique. Lorsque les pointes utilisées sont conductrices,
l’application d’une excitation électrique entre la pointe et la surface à imager
permet de mesurer des grandeurs locales telles que le courant et l’impédance
(résistance et capacité) ou encore le champ électrique et le potentiel de surface
via la mesure de gradients de force électrostatique.
Les techniques eSPM sont largement utilisées par l’industrie de la micro-
électronique au cours des étapes de recherche, développement et qualification
(test de défaillance) des nanocircuits et nanocomposants électroniques. Notam-
ment, elles permettent d’extraire des propriétés clés pour leur fonctionnement tel-
les que, par exemple, la distribution de la densité des porteurs de charge d’une
structure semi-conductrice, le profil bidimensionnel de la concentration de dopants
dans la région source-drain d’un transistor, le travail de sortie de différents grains
dans un film métallique ou une feuille de graphène, ou encore le courant de fuite
ou le champ électrique de claquage dans une couche diélectrique très fine.
Cependant, en dépit de progrès considérables réalisés lors des deux dernières
décennies, la microscopie à sonde locale électrique n’est pas encore admise
comme une véritable technique expérimentale quantitative par manque d’outils
métrologiques adaptés (étalons de références électriques, méthodes d’étalon-
nage, protocoles de mesure, modélisation multi-grandeur). En particulier,
l’influence sur les résultats de mesure de paramètres non suffisamment contrô-
lés, tels que l’usure du revêtement et la forme de la pointe, la nature du contact
pointe-échantillon, les grandeurs électriques parasites (capacité), les conditions
environnementales (humidité, température, contaminants, champs électri-
ques…) reste encore mal évaluée ou non comprise, et constitue un frein à l’éva-
luation d’incertitudes de mesure fiables indispensables pour l’établissement
d’une démarche métrologique correcte. Ainsi, encore aujourd’hui, dans la plu-
part des cas, l’incertitude des mesures excède les 100 %.
Le développement d’une telle démarche métrologique dédiée à la micro-
scopie à sonde locale doit permettre de supporter efficacement la miniaturisation
constante vers l’échelle nanométrique des briques élémentaires constituant les
circuits électroniques, et le développement de nouvelles technologies comme les
circuits intégrés multifonctionnels à trois dimensions, en offrant une analyse
quantitative fiable de leurs performances et une compréhension des mécanismes
physiques sur lesquels ils reposent. Ainsi, la microscopie à sonde locale électrique
répondra aux exigences de l’industrie des technologies de l’information et de la
communication (nanoélectronique, capteurs), en médecine (bio-capteurs, labora-
toires sur puces), dans le secteur de l’énergie (photovoltaı̈que, récupérateur
d’énergie) mais également aux attentes des comités de normalisation.
L’article décrit dans un premier temps les techniques employées pour les
mesures de courant (AFM et TUNA, SSRM, ResiScope) puis aborde les mesures
de capacité (SCM, SMM) et de gradients de force électrostatique (EFM, KFM).
Des prospectives pour le développement d’une métrologie dédiée à ces instru-
ments sont ensuite discutées, puis illustrées par quelques exemples d’applica-
tion des techniques eSPM pour la caractérisation de nanodispositifs.

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1. Mesures de courant Les mécanismes qui régissent ce phénomène peuvent se décrire


comme l’apparition dans la couche diélectrique d’un filament conduc-
teur (ou chemin de conduction) dont le diamètre n’excède pas quel-
ques nanomètres, qui, après s’être propagé d’une électrode à l’autre
dans une direction perpendiculaire à la surface, provoque l’apparition
1.1 Introduction de courants de fuite importants en court-circuitant la couche [1]
(figure 1). La compréhension des mécanismes régissant la forma-
tion, la cinétique et l’étendue spatiale de ce filament passe donc
1.1.1 Enjeux nécessairement par des mesures très locales.

1.1.1.1 Structure MOS et claquage diélectrique Les mêmes études impliquant des mesures de courant locales
peuvent être mises en œuvre pour mieux comprendre certains
La mesure des propriétés de transport des nano-objets (nano- types nouveaux de mémoires non volatiles appelées mémoires
cristaux, nanofils, couches extrêmement minces, etc.) est d’une résistives (RRAM pour Resistive Random Access Memories). Dans
importance cruciale autant dans le domaine de la physique fonda- ce cas, l’apparition – cette fois réversible – d’un chemin conducteur
mentale, pour la compréhension de la physique à cette échelle, que permet de faire basculer la couche d’un état de forte résistivité à un
pour les nombreuses applications qui en découlent. état de faible résistivité par l’application d’une tension adaptée
(quelques volts typiquement). Les mécanismes entraı̂nant la forma-
Par exemple, les composants électroniques reposent en grande tion de ce chemin sont divers (effets thermiques, électrochimiques,
partie sur la structure Métal-Oxyde-Semi-conducteur (MOS) électrostatiques… [2]). Ce phénomène de commutation de résis-
(figure 1), dans laquelle source et drain sont des semi-conducteurs tance est maintenant mis à profit pour obtenir des mémoires élec-
de type opposé au substrat. Lors de l’application d’une tension sur troniques à très forte densité d’intégration. D’autres types de
la grille, un canal conducteur, constitué de porteurs minoritaires, mémoires non volatiles peuvent nécessiter des mesures similaires :
est créé ou détruit sous l’oxyde diélectrique, permettant ou interdi- mémoires RAM impliquant des matériaux ferroélectriques ([3], [4]),
sant le passage du courant entre la source et le drain. Canal et mémoires EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only
grille sont séparés par un isolant électrique dont le rôle est de Memory) qui impliquent la capture de charges dans une couche
créer une capacité dont la valeur conditionne la quantité de cou- isolante, etc.
rant entre la source et le drain. Si l’oxyde de grille perd son carac-
tère isolant, la structure entière devient inutile. Dans ce contexte,
obtenir des informations sur les fuites en courant des structures 1.1.1.2 Mesure de dopants dans les semi-conducteurs
MOS est une donnée indispensable à la caractérisation des
composants. La mise au point des composants électroniques dépend égale-
Or, le claquage diélectrique, qui est à l’origine de la défaillance ment d’une autre donnée cruciale : le taux de dopage des maté-
des transistors en fonctionnement, est un phénomène extrême- riaux semi-conducteurs. Si historiquement ce taux a été mesuré
ment local. Il se produit lorsqu’une tension est appliquée aux bor- de manière très fine par des techniques de spectrométrie ionique
nes d’une couche (très mince dans le contexte des transistors, de (Secondary Ion Mass Spectrometry – SIMS), le besoin d’obtenir
l’ordre de quelques nanomètres) d’oxyde isolant électrique. À partir la concentration de porteurs de charges en deux dimensions
d’une certaine valeur de champ appliqué (le champ de claquage), la avec au moins la même résolution spatiale que le SIMS a fait
couche diélectrique perd son caractère isolant et devient conduc- émerger des techniques basées sur la mesure de courant (Scan-
trice, laissant alors passer une grande quantité de courant pour la ning Spreading Resistance Microscopy – SSRM, § 1.3), ou de
même tension appliquée. La capacité est alors irrémédiablement capacité (Scanning Capacitance Microscopy – SCM § 2.2, Scan-
détruite. ning Microwave Microscopy – SMM, § 2.3). Ces mesures doivent

V V

Grille : métal Grille : métal


Chemin de
Oxyde conduction
diélectrique

Source Drain Source Drain

Substrat Substrat

a structure MOS non endommagée b apparition d’un filament de conduction dans l’oxyde
de grille suite au claquage diélectrique causé par l’application
d’une tension V trop importante sur la grille, et provoquant
la destruction de la structure

Figure 1 – Structure MOS simple : l’application de la tension V fait apparaı̂tre ou disparaı̂tre un canal de conduction entre la source
et le drain

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faire face à des contraintes extrêmement importantes en termes Les mesures de courant peuvent être opérées dans une très large
de résolution (de l’ordre du nanomètre), de sensibilité, mais plage de valeurs allant de quelques dizaines de femtoampères à
aussi de reproductibilité et de fiabilité. Ces contraintes sont quelques milliampères. Selon la technique mise en œuvre, un
fixées et mises à jour par l’International Technology Roadmap même dispositif permet d’accéder, dans ces limites, à une gamme
for Semiconductors (ITRS). allant de 3 à 10 ordres de grandeur.

1.1.1.3 Caractérisation électrique d’interconnexions 1.1.3 Difficultés spécifiques à la mesure locale


ou de revêtements de contact intégrant des nano-
objets Pour le même système étudié, et à densité de courant constante,
Les techniques de raccordement électrique doivent également les mesures locales peuvent conduire à des courants très faibles en
être adaptées à des tailles de composants de plus en plus rédui- comparaison des mesures effectuées sur des électrodes de taille
tes. Parmi les nouveaux matériaux envisagés pour ce type d’ap- millimétrique (le rapport des surfaces peut être de 1 à 108 entre la
plication, les nano-objets à base de carbone sont particulière- pointe AFM de 30 nm de rayon et une électrode carrée de
ment étudiés. Ainsi des tapis de nanotubes de carbone alignés 500 micromètres de côté, ceci sans même préjuger de la taille
verticalement ont été développés pour réaliser des vias d’inter- réelle du contact électrique, qui peut être bien plus faible et sur
connexion en microélectronique et l’imagerie de résistance locale laquelle nous reviendrons plus loin). L’aspect local sera donc sou-
s’est avérée particulièrement utile pour leur optimisation [5]. De vent handicapé par une relative faiblesse du signal obtenu. Certains
même des revêtements à base de feuillets de graphène immobi- phénomènes impliquant très peu de courant à l’échelle macro-
lisés sur des wafers dorés par le biais d’un film auto-adhésif scopique seront donc relégués dans le bruit si on les étudie à
organique ultramince ont été caractérisés par AFM simultané- l’échelle locale.
ment en résistance locale et en friction locale et ont montré un Une difficulté inhérente à la mesure de courant par AFM tient
débouché potentiel pour des applications en connectique ultime donc principalement à l’extrême petitesse de la surface de contact
de nanodispositifs [6]. entre la pointe et l’échantillon. En effet, lorsqu’on pose une pointe
Ces quelques exemples choisis parmi d’autres permettent de dont le rayon terminal est de l’ordre de la trentaine de nanomè-
bien situer l’enjeu à la fois fondamental et économique qui tres sur une surface dont la rugosité peut varier entre quelques
sous-tend le développement des mesures électriques à l’échelle fractions de nanomètres et quelques centaines de nanomètres
locale. crête à crête, il devient difficile de prévoir l’aire exacte et la nature
du contact qui en résulte. L’aire impliquée est dans tous les cas
très petite.
1.1.2 Dispositif expérimental De plus, la forme de la pointe implique l’existence au niveau
du contact d’un champ électrique beaucoup plus intense que ce
Obtenir des mesures de courant par l’intermédiaire d’un que peut laisser prévoir une géométrie simple de type condensa-
microscope à force atomique est probablement la mesure élec- teur plan-plan. Il en résulte de possibles effets indésirables liés
trique la plus simple à réaliser avec cet appareil. Dans toutes les aux champs intenses tels que des phénomènes de claquage.
techniques qui seront présentées dans les paragraphes suivants, Par ailleurs, la taille extrêmement réduite de l’aire du contact
on retrouvera le même principe élémentaire : utiliser la pointe pointe/échantillon peut donner lieu à des densités de courant
(rendue conductrice) de l’AFM comme une nano-électrode supé- très importantes. Ces problématiques seront abordées au § 1.5.
rieure, appliquer une tension entre l’arrière de l’échantillon et la Par exemple, l’effet Joule peut alors entrer en ligne de compte,
pointe, puis mesurer le courant correspondant (figure 2). Ce qui la chaleur produite par le passage du courant ayant à sa disposi-
distinguera ensuite les différentes techniques les unes des tion un volume très faible pour se dissiper, et conduire à des
autres, ainsi que leurs domaines d’application, seront les caracté- transformations locales du matériau de l’échantillon, voire des
ristiques de l’électronique de mesure de courant : étendue de nanosoudures ! Tous ces phénomènes doivent être pris en
mesure et sensibilité, amplification linéaire ou logarithmique compte si on veut prévoir, simuler ou interpréter les mesures de
notamment. courant à cette échelle.

Log(R)
RÉSISTANCE
12
I

11

A
10
R = Vpol / I

Vpol
9

8
0 2µm

Figure 2 – Schéma de principe de l’AFM en mode conducteur

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1.2 C-AFM et TUNA que l’utilisation d’oxygène atomique pendant la croissance joue
un rôle non négligeable sur la tension de seuil d’injection de cou-
Dans sa forme la plus simple, la mesure de courant par AFM rant. Cette amélioration est attribuée principalement à une meil-
prend le nom générique de Conductive AFM (C-AFM). Cette déno- leure incorporation de l’oxygène dans la couche pendant la crois-
mination est parfois remplacée par un terme mis en circulation sance, la rendant plus stœchiométrique (les lacunes d’oxygène
par un des principaux constructeurs de microscopes : Tunneling sont en grande partie responsables des courants de fuite dans
AFM soit TUNA. Si, dans les deux cas, la mesure s’effectue au ce cas précis).
moyen d’un amplificateur linéaire, la gamme de courant visée
n’est pas tout à fait la même : le mode TUNA s’entend principa- Il faut préciser ici que dans le cas où une accumulation de char-
lement pour les très faibles courants (de 60fA jusqu’à 100pA ges est possible (ou dans le cas d’une polarisation diélectrique), le
environ), tandis que le mode C-AFM, plus générique, peut se mode TUNA mesure éventuellement un courant de déplacement
décliner sous différentes gammes de courant allant jusqu’au
micro-ampère.
& Exemples d’utilisation 0,00 µm 0,20 0,40 0,60 0,80
Le mode situé dans la gamme la plus sensible (donc jusqu’à 1,0 pA
0,00
60 fA environ au minimum) est particulièrement intéressant pour
la mesure des courants de fuite dans les oxydes déposés sur subs-
trat semi-conducteur, par exemple les oxydes de grille dans les
structures MOS qui constituent la brique de base de la microélec- 0,20
tronique. Comme il a déjà été évoqué, le claquage diélectrique est
un phénomène extrêmement local (filaments conducteurs dont le
diamètre peut être de quelques nanomètres) : le mode C-AFM
constitue donc le mode idéal pour l’étudier puisqu’il permet avec
0,40
le même outil de venir se positionner avec une précision nanomé-
trique (grâce à la sensibilité des déplacements piézoélectriques qui
gouvernent le mouvement de la pointe), puis d’appliquer la tension
de stress électrique avant de mesurer le courant correspondant, le
tout sur une surface de taille nanométrique. 0,60

À partir de là, deux modes distincts sont envisageables :


– le premier consiste à balayer la surface de l’échantillon en
appliquant une tension constante et à mesurer le courant corres- 0,80
pondant en chaque point. On obtient ainsi une cartographie des
courants de fuite ; −9,0 pA
– le second consiste à arrêter la pointe sur une position d’intérêt
puis à appliquer une rampe de tension de manière à obtenir une
caractéristique Intensité – Tension (I-V) dont on peut espérer tirer
les mécanismes de transport (une relation linéaire indiquant par Figure 3 – Cartographie des « points chauds » sur une surface
de couche mince de LaAlO3 obtenue par le mode TUNA
exemple un comportement ohmique).
de l’AFM [7]
Un exemple de ces deux modes de mesure est donné sur les
figures 3 et 4. L’échantillon correspondant est une couche très
mince (3,2 nm) de Lanthanate d’Aluminium (LaAlO3) obtenue par
Épitaxie à Jet Moléculaire (Molecular Beam Epitaxy – MBE) sur
un substrat de silicium [7]. La figure 3 montre un exemple de 100
carto-graphie obtenue par le mode dit TUNA alors qu’une tension
de - 7,2 V est appliquée sur l’électrode arrière de l’échantillon, la
pointe étant connectée à la masse. Dans ce cas, les zones som-
bres de forme circulaire visibles sur la cartographie correspon-
dent aux endroits où le courant passant à travers l’échantillon 10
est le plus fort (quelques pA), alors que dans les zones claires
ne passe pratiquement aucun courant pour la même tension
I(pA)

appliquée.
Nota : Le code de couleur dépend du sens de polarisation de la structure. Pointe à la
masse, les courants mesurés sont négatifs et les zones où passent un courant important 1
apparaissent en sombre. Si la tension appliquée est positive, le courant change de sens
et les zones fuiteuses apparaissent en clair.

La figure 4 compare deux échantillons de LaAlO3 de même


épaisseur obtenus avec des procédés d’élaboration différents 0,1
(sans entrer dans les détails, c’est l’atmosphère présente au-des-
sus de la surface pendant la croissance qui diffère, oxygène ato-
mique dans un premier cas et oxygène moléculaire dans le −1 0 1 2 3 4 5 6 7
second [7]). Les caractéristiques Intensité – Tension obtenues V(V)
par le mode TUNA permettent de comparer statistiquement les
tensions à partir desquelles le courant peut passer à travers L’axe des tensions représente la valeur absolue de la tension appliquée
l’échantillon. On prend ici une valeur de seuil arbitraire à 1 pA et
on relève la tension nécessaire pour qu’un courant de cette
amplitude passe à travers la structure. Chaque courbe de la Figure 4 – Exemple de caractéristiques I-V obtenues
figure 4 correspond à la moyenne de 16 ensembles de points sur deux échantillons de couche mince de LaAlO3 élaborés
obtenus pour chaque condition expérimentale. On en conclut par deux procédés différents [8]

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proportionnel à la capacité totale C de la structure échantillon – atteinte en profondeur, donc dans la direction perpendiculaire à la
pointe – levier – porte pointe. Ce courant s’exprime par : surface).
∂V ∂C Historiquement, pour obtenir un profil de dopants dans un semi-
ID = C +V conducteur, c’est la résistance dite d’étalement (spreading) RS qui
∂t ∂t
était originellement mesurée par une pointe de taille macro-
Dans le cas de fortes capacités parasites, sur lesquelles nous scopique balayant une surface préalablement biseautée afin d’accé-
reviendrons, et pour des rampes de tension de l’ordre du volt der aux couches situées sous la surface (voir figure 5, centre). Cette
par seconde, le courant de déplacement peut atteindre plusieurs résistance RS résulte de la configuration particulière des lignes de
centaines de femtoampères, nettement mesurables sur les cour- courant qui « s’étalent » dans le matériau après le resserrement
bes I-V obtenues sur des isolants électriques, et limitant la valeur (appelé « constriction ») imposé au niveau du contact pointe/échan-
du plus faible courant de conduction mesurable. Il faut donc dans tillon (voir figure 5 gauche). Directement proportionnelle à la résis-
la mesure du possible utiliser des rampes de tension lentes et tivité (voir § 1.3.2), elle permet d’obtenir un profil en une seule
diminuer autant que possible la capacité parasite si l’on veut dimension. Cette technique ancienne a été intégralement transpo-
accéder à de très faibles courants. Les courbes montrées sur la sée à l’échelle nanométrique en remplaçant la pointe macro-
figure 4 corrigent par soustraction ce courant de déplacement scopique par celle beaucoup plus fine d’un microscope à force
constant pour ne garder que la composante de courant de atomique.
conduction.
Dans les conditions où au moins cinq décades de concentrations
doivent être accessibles sur une seule image, ce qui implique de
couvrir une aussi large gamme de résistivité, il est nécessaire de
1.3 SSRM remplacer l’amplificateur linéaire utilisé lors de la mesure de
courant de type TUNA ou C-AFM par un amplificateur logarith-
mique capable de délivrer une mesure sur un plus grand nombre
1.3.1 Principe de fonctionnement de décades sans changement de calibre. La mesure du courant cor-
respondant à une tension continue appliquée entre la pointe et
l’échantillon est donc dans ce cas, et dans l’idéal, inversement pro-
1.3.1.1 Besoins spécifiques de la mesure SSRM portionnelle à la résistance d’étalement RS de la portion de maté-
riau balayée par les lignes de champ électrique qui s’établissent
Dans le contexte de la mesure de courant, la cartographie de
entre la pointe et l’électrode inférieure.
dopants par Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM)
prend un rôle à part car elle possède des contraintes spécifiques.
En effet, les besoins en termes de détection des dopants pour l’in- 1.3.1.2 Cas particulier du silicium : transition de phase
dustrie de la microélectronique sont draconiens : sous contrainte
– gamme de détection comprise au minimum entre
Le mode SSRM est essentiellement utilisé pour obtenir une
1014 atomes.cm-3 et 1021 atomes.cm-3, voire plus ;
mesure de la concentration de dopants dans les matériaux semi-
– résolution spatiale réellement nanométrique ; conducteurs. Initialement, cette mesure s’opérait exclusivement
– sensibilité de détection la plus grande possible afin de pouvoir dans le silicium, dopé au bore (dopage de type p), au phosphore
détecter les plus petites variations de dopage possibles ; ou à l’arsenic (dopage de type n). Or, le silicium étant par nature
– exactitude de quelques pourcents sur les grandeurs un matériau peu conducteur, il s’avère nécessaire d’utiliser sa pro-
mesurées. priété de changement de phase sous contrainte mécanique pour
parvenir à une mesure présentant un meilleur rapport signal sur
Ces contraintes sont dans une certaine limite remplies par l’ana- bruit. Le silicium passe en effet dans une phase dite b-étain lors-
lyse par spectrométrie de masse des ions secondaires (SIMS) dont qu’une contrainte uni-axiale lui est appliquée (voir par exemple [9]),
le principal défaut est cependant de ne fournir une information laquelle est métallique et non plus semi-conductrice. Pour obtenir
qu’en une seule dimension (la résolution nanométrique étant cette contrainte, on applique une force considérable avec la pointe

Substrat Silicium

Figure 5 – Gauche : Forme schématique des lignes de champ électrique lors de la mesure par SSRM. Centre : principe du biseautage
des échantillons pour accéder à la mesure de la concentration de dopants en profondeur. Droite : Vue obtenue au microscope optique
d’un échantillon de silicium biseauté de manière à amplifier les épaisseurs des couches d’un facteur 50

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AFM, force qui, rapportée à la très faible surface de contact mise en on utilise une relation modifiée entre la résistance d’étalement et la
jeu, correspond à des pressions gigantesques, pouvant dépasser le résistivité :
gigapascal. Ceci n’est possible qu’avec des pointes spécifiques
montées sur des leviers de très grande raideur, typiquement C
RS = ρ
40 N/m, et revêtues d’un matériau qui permette à la pointe à la a
fois de rester conductrice et de supporter de pareilles contraintes.
À cet égard, le développement de revêtements de diamant polycris- où C est un facteur correctif correspondant à l’influence de régions
tallin très fortement dopé a joué un rôle déterminant [10]. Ce type plus ou moins conductrices au voisinage de la pointe.
de dépôt est néanmoins relativement épais ; en conséquence, le Par ailleurs, des phénomènes plus complexes comme l’existence
rayon de courbure final de la pointe recouverte de diamant dopé d’états de surface ou la présence de contamination sont décrits par
peut facilement dépasser une centaine de nanomètres. Obtenir certains auteurs par l’ajout d’un terme additionnel Radd (dit parfois
une image topographique de bonne qualité sera donc rendu très de barrière) permettant l’ajustement du modèle à partir d’échantil-
difficile non seulement à cause des efforts de cisaillement impor- lons de référence.
tants associés au balayage en contact à de tels niveaux de force
(et de fait, la surface est possiblement physiquement dégradée, Toutefois, l’approche théorique de Maxwell, qui repose sur l’utili-
creusée à chaque passage de la pointe), mais aussi à cause de son sation de la forme locale de la loi d’Ohm, n’est valable que pour
rayon de courbure très large. Il semble possible cependant, dans une taille de contact (le rayon a) supérieure au libre parcours
certains cas, que le caractère polycristallin du revêtement autorise moyen des porteurs de charge. Concrètement, dans le cas qui
à imager seulement (et par chance) avec une protubérance de ce nous intéresse (contact pointe diamant/silicium dopé soumis à
revêtement, restituant une résolution quasi-normale lors de l’ima- une force de quelques micronewtons), ceci n’est réalisé que pour
gerie, c’est du moins ce que certains fabricants de pointes affirment des taux de dopage supérieurs à 1018 atomes.cm-3. En toute
officiellement (voir la sonde Nanosensors™ DT-NCHR du construc- rigueur, lorsque la dimension du contact est inférieure au libre par-
teur NanoAndMore). La cartographie électrique, quant à elle, est cours moyen des porteurs, le cadre théorique approprié est celui
généralement beaucoup mieux résolue que l’imagerie topo- du régime dit balistique. Le modèle le plus souvent utilisé pour
graphique, car liée à la taille extrêmement réduite de la « poche » exprimer la résistance est alors celui de Sharvin :
de matériau transformé en phase b-étain sous l’apex de la pointe. À
noter que la résistance intrinsèque des sondes revêtues diamant 4 ρλ
RS =
(typiquement quelques kiloohms), en série avec la résistance d’éta- 3πa 2
lement RS, peut devenir limitante pour la mesure sur des zones très
fortement dopées (> 1020 atomes.cm-3). Par la suite, des pointes en où l désigne le libre parcours moyen des porteurs considérés.
diamant monocristallin sont apparues, plus fines, mais encore On notera que l’on conserve une proportionnalité de RS à la
résistivité.
extrêmement chères [11].
Dans le cadre habituel de la validité de la loi d’Ohm locale, la
L’application de la SSRM à des matériaux différents du sili-
résistivité r est liée à la concentration de porteurs de charges du
cium, typiquement les alliages silicium-germanium et les III-V
matériau par la relation simple suivante :
(arséniure de gallium GaAs, par exemple), rend cette transition
de phase improbable et oblige à reconsidérer les conditions 1
d’imagerie par SSRM sur ces matériaux. Néanmoins, la tech- ρ=
nique a été utilisée avec succès sur l’oxyde de zinc par (
e µnn + µp p )
exemple [12].
où e désigne la charge élémentaire, n et p sont les concentrations
de porteurs de charges de type n (électrons) et p (trous) respective-
1.3.2 Quelques éléments de physique associés ment, et mn et mp sont les mobilités de ces porteurs (en m2.V-1.s-1).
à la SSRM Dans la plupart des cas pratiques, pour une zone donnée, la
concentration en porteurs négatifs est négligeable devant la
concentration en porteurs positifs ou l’inverse (zones de type p ou
Les mesures SSRM sur silicium peuvent bénéficier d’une forme
n, mais pas les deux en même temps), ce qui simplifie encore la
de quantification, une fois éliminées toutes les sources de non-
relation.
reproductibilité et de non-répétabilité (voir § 4.1).
On remarque que la relation linéaire entre la résistance de Max-
Les conditions expérimentales mises en œuvre en SSRM visent
well Rs et la résistivité est soumise à deux constantes, ce qui empê-
à faire en sorte que le terme prédominant de la résistance mesu-
chera d’un point de vue pratique toute quantification directe du
rée (déduite du courant mesuré pour une tension continue appli-
signal. Celui-ci devra être évalué par comparaison avec un étalon
quée donnée) corresponde à la résistance d’étalement dans
de référence (semi-quantification). D’un point de vue plus général,
l’échantillon.
le calcul théorique de la résistance d’étalement nécessite de
D’un point de vue théorique, le modèle le plus couramment uti- connaı̂tre la répartition exacte des lignes de courant, laquelle
lisé pour exprimer cette résistance d’étalement est dû à Maxwell dépend essentiellement de la géométrie du contact. Dans le cas
[13], qui a décrit le phénomène de constriction des lignes de cou- de pointes AFM dont la géométrie n’est pas maı̂trisée ni initiale-
rant au niveau d’un passage étroit entre deux conducteurs. Selon ment ni au cours du temps, cette donnée est très difficile à appré-
ce modèle, la résistance d’étalement RS côté échantillon (silicium) hender. Elle dépend également de la distribution des différentes
s’écrit : zones dopées au voisinage du contact, dont on n’a que la descrip-
tion idéale visée lors de l’élaboration de l’échantillon, l’imagerie
ρ SSRM devant justement aider à la caractériser !
RS =
4a
où a désigne le rayon du contact supposé circulaire entre la pointe 1.4 Résiscope
et l’échantillon, et r la résistivité de l’échantillon supposé
homogène. Le développement du Résiscope a été motivé par le besoin de
réaliser des cartographies de résistance locale sur une plage de
D’un point de vue réel, la pointe n’étant pas idéalement sphé- valeurs extrêmement large (de l’ordre de 10 décades), et dans des
rique, et l’échantillon étant généralement hétérogène (juxtaposition conditions de contact mécanique les moins agressives possibles
de zones présentant différents types et concentrations de dopage), pour les échantillons. En effet, le domaine d’application initialement

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visé était l’étude des revêtements pour contacts électriques, qui rédhibitoire de la résistance causant la défaillance d’une fonction
peuvent être de natures très diverses : dépôts métalliques (éventuel- du véhicule. La cartographie présentée correspond à « l’autopsie »
lement protégés par un film organique), polymères conducteurs, d’une trace d’usure pour un stade de détérioration déjà bien
matériaux composites associant un polymère et des nano-objets avancé : on voit sur un plan purement qualitatif que seule une
carbonés, etc. La caractérisation fine de ces revêtements à l’issue petite partie de la trace est encore bien conductrice. Par couplage
d’essais simulant leur utilisation conduit généralement à observer avec des analyses par spectroscopie d’électrons XPS-AES, on peut
d’énormes variations de résistance locale entre des zones restées ensuite identifier auxquels composés chimiques présents en sur-
bien conductrices et d’autres devenues quasi-isolantes. Pour répon- face correspondent les différents niveaux de résistance révélés par
dre à ce cahier des charges particulièrement exigeant, une tech- l’imagerie Résiscope ; ainsi les zones les plus isolantes s’avèrent
nique spécifique de compression de dynamique en temps réel a composées d’oxyde d’étain, tandis que les ı̂lots les plus conduc-
été élaborée, associée à un protocole de calibrage à la fois simple teurs sont associés au cuivre fraı̂chement mis à nu du substrat ou
et précis [14]. Cette solution permet notamment d’obtenir, par rap- à des intermétalliques étain-cuivre. En répétant ce type d’investiga-
port à un montage comportant un amplificateur logarithmique, une tion pour différents degrés d’usure, on est en mesure de proposer
dynamique accrue de plusieurs ordres de grandeur (11 décades de un scénario phénoménologique de la dégradation du revêtement.
résistance accessibles), avec une meilleure résolution sur la mesure Enfin, à partir de modèles analytiques adaptés au contact mis en
de très faibles courants ; ainsi, dans le cas d’échantillons de silicium œuvre dans le connecteur, il est possible de faire une exploitation
avec différents niveaux de dopage, des mesures couvrant toute la quantitative de ce type d’images pour remonter aux valeurs de
plage de résistivité sont possibles avec des niveaux de force bien résistance de contact macroscopique [15].
moindres qu’en SSRM (typiquement 10 fois plus faibles, soit quel-
ques centaines de nN). Dans ces conditions de mise en œuvre net-
tement moins sévères, d’autres types de pointes conductrices peu- 1.5 Aspects métrologiques
vent être utilisées (revêtements de Pt, PtIr, PtSi).
La figure 6, emblématique de la finalité première de la technique,
1.5.1 Influence des contacts
est issue d’une étude sur la dégradation de revêtements étamés
utilisés pour la connectique automobile. Il s’agissait de caractériser 1.5.1.1 Maı̂trise des résistances de contact
l’usure par le phénomène dit de fretting qui survient lorsqu’un Les mesures de courant sont tributaires des conditions de
environnement vibratoire engendre des micro-déplacements rela- contact car la seule information disponible est le courant obtenu
tifs des éléments mâles et femelles du connecteur, dégradant pro- pour une tension donnée, ce qui suppose un contact ohmique si
gressivement le revêtement jusqu’à provoquer une augmentation l’on veut remonter à une résistance électrique. Or, la chaı̂ne de

TOPOGRAPHIE RÉSISTANCE

0 150 µm

102 Ω 1012 Ω

Figure 6 – Cartographies simultanées de topographie et de résistance locale par AFM – Résiscope sur un élément de contact en cuivre étamé tel
qu’utilisé pour la connectique automobile. La trace d’usure observée résulte d’un essai de cyclage en vibrations. L’image électrique révèle
qu’à ce stade de dégradation déjà avancé, peu de zones bien conductrices subsistent et qu’elles sont essentiellement situées en périphérie
de l’aire de contact

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