Serie1 TD SPA novembre 2021

Exercice1
On donne les caractéristiques des semi-conducteurs dans le tableau suivant :

Eg (eV) NC/cm3 NV/cm3

A s
1.43 4.7 1017 7 1018

G a

G e
0.66 1.04 1019 6 1018

S i
1.12 2.8 1019 1.04 1019

1. Pour chaque semi-conducteur, déterminer la concentration intrinsèque n i a 300 K

2. En déduire le semi-conducteur qui a la concentration la plus faible.

Exercice2 :

Le silicium est un semi-conducteur dont la densité atomique (nombre d’atomes par

unité de volume) est de 5,0 1022 atomes/cm3.

1_ Sachant qu’à 300K, la concentration intrinsèque est ni = 1,5. 1010 cm-3, quelle la
fraction d’atomes ionisés.
2_ Sachant que la variation de la densité effective d’état énergétique en fonction de
la température est donnée par :

Nc(cm-3)=3,0.1019 (T/300)3/2

Nv (cm-3)= 1019 (T/300)3/2

2-a_ quelle la largeur de la bande à T= 300K

2-b_ quelle est la largeur de la bande à T= 350k
3_.on considère trois cas

a) Cas 1 : Le silicium est dopé par 1015 atome de de Ga/ cm3.
b) Cas 2 : Le silicium est dopé par 1012 atome de de Sb/ cm3.
c) Cas 1 : Le silicium est dopé par 3. 1012 atome de d’In/ cm3

Pour chaque cas déterminer la concentration n des porteurs à 300K.Indiquer quel

type de semi-conducteur on (n- type ou p-type).

Avec N la constante de Boltzmann est égale à 6.02 1023/mole, k=8.62.10-5eV/K