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Rappel sur les Semi-conducteurs, conducteurs et Isolants

Si l’on classe les éléments chimiques solides à la température


ambiante en fonction de leurs résistivités, on constate qu’il se place
dans leurs grande majorités en deux groupes.
Isolant
[ 1011 ≤ ρ ≤ 1019 ] Ω Cm
Conducteur
[ 1.5 10-6 ≤ ρ ≤ 10-4 ] Ω Cm
Semi-conducteur Quelques éléments ont une résistivité
intermédiaires. Pour cette raison ils ont le nom de semi-conducteur
[ 10-3 ≤ ρ ≤ 106 ] Ω Cm
Par leurs propriétés électriques, les matériaux peuvent être
classés en trois groupes: les conducteurs, les semi-conducteurs et les
isolants.
1- Conducteurs
Un conducteur est un matériau qui conduit aisément le
courant électrique. Les meilleurs conducteurs sont des matériaux
constitués d’un seul élément comme le cuivre, l’argent, l’or et
l’aluminium, ces éléments étant caractérisés par un seul électron de
valence faiblement lié à l’atome. Ces électrons de valence peu
retenus peuvent facilement se détacher de leur atomes
2- Isolants
Un isolant est un matériau qui ne conduit pas le courant
électrique sous des conditions normales. La plupart des bons
isolants sont des matériaux composés de plusieurs éléments,
contrairement aux conducteurs. Les électrons de valence sont
solidement rattachés aux atomes, laissant très peu d’électrons
libres de se déplacer dans un isolant.
3- Semi-conducteurs
Un semi-conducteur est un matériau se situant entre le
conducteur et l’isolant. Un semi-conducteur à l’état pur
(intrinsèque ) n’est pas un bon conducteur ni un bon isolant. Les
éléments uniques les plus utilisés pour les semi-conducteurs sont le
Silicium, le Germanium et le carbone.
Des éléments composés tels l’Arséniure de gallium sont
aussi couramment pour les semi-conducteurs. Les semi-
conducteurs à élément unique se caractérisent par des atomes à
quatre électrons de valence

4- Bandes d’énergie

La couche de valence d’un atome représente une bande


d’un certain niveau énergétique et que les électrons de valence sont
confinés à cette bande. Lorsqu’un un électron acquiert assez
d’énergie additionnelle d’une source externe, il peut quitter la
couche de valence, devenir un électron libre et exister dans ce que
l’on désigne comme étant la bande de conduction.
En terme d’énergie, la différence entre la bande de valence et la
bande de conduction est appelée un écart énergétique.

Energie Bande de conduction


Ecart énergétique

Isolant

Bande de valence
0
Un semi-conducteur possède un écart énergétique plus
restreint, permettant à quelques électrons de sauter vers la bande de
conduction et devenir des électrons libres

Energie

Bande de conduction

Semi-conducteur
Ecart énergétique

Bande de valence

0
Energie

Conducteur Bande de conduction


Chevauchement
Bande de valence

0
Energie Paire électron -trou

Electron libre
Bande de conduction

Apport énergétique externe

Bande de valence Trou

Création d’une paire électron-trou dans un


atome excité de silicium .Un électron dans
0 la bande de conduction est un électron libre.
SC à gap direct et indirect

Gap direct

Gap indirect
ni concentration des porteurs intrinsèques, ne dépend que de la température pas de Ef
Loi d’action de masse
Semiconducteur intrinsèque

N : densité d’états énergétiques correspond à la place disponible


pour les porteurs de charge dans chaque bande correspondante

Densité des porteurs


N

Applications pratiques limités


Exp
Rappels
Conductivité :
La conductivité est un paramètre qui indique la faculté de
conduction de courant électrique d’un matériau, plus elle est
grande , plus le matériau est un bon conducteur de courant.
Pour un semi-conducteur elle s’exprime en fonction des densités
de porteurs et de leurs mobilités.

 =q ( nn + pp )
n : Mobilité pour les électrons
p : Mobilité pour les trous
n:densité des porteurs pour les électrons
p:densité des porteurs pour les trous
Mobilité
La mobilité est un paramètre qui rend compte de l’inertie du
réseau cristallin ou des frottements qu’exerce ce réseau sur les
électrons et sur les trous. C’est une constante pour un matériau donné
à une température donnée.

Diffusion
Mouvement d’un ensemble de particule dans un milieu, sous
l’action de différence concentration, température… etc.

Résistivité
La résistivité est l’inverse de la conductivité, c’est un paramètre qui
indique le pouvoir isolant du matériau. Plus la résistivité est élevé plus
le matériau est isolant.
Relation d’ENSTEIN

D
UT = µ
UT = 25.85 mV # 26 mV à 300°K

D : Constante de diffusion
UT :Potentiel thermodynamique

KT
UT = q

K: Constante de Boltzmann
T: Température ambiante
q:charge d’électricité
Exemple de coefficient de diffusion pour certains matériaux:

Germanium:

Dn : 90 cm²/s pour les électrons

Dp : 44 cm²/s pour les trous

Silicium

Dn : 31 cm²/s pour les électrons

Dn : 13 cm²/s pour les trous


1- Définition:
- On appelle jonction P N, un monocristal semiconducteur
dans lequel existent deux régions dopées avec des impuretés de
signe contraires de densité NA côté P, et ND côté N séparées par
une surface plane.
- Une diode est une valve électronique qui ne permet le
passage du courant que dans un seul sens.

Jonction Contact métallique

N
P NA
NA
Fig.7 a
Anode i Cathode

A C

VAC = VA-VC
Fig.7 b

Le terme jonction PN, au sens large généralement,


désigne la zone de charge spatiale qui s’étend de part et
d’autre de la jonction métallurgique. La jonction
métallurgique est la surface de transition entre une région
P et une région N.
Le terme jonction PN, au sens large généralement, désigne la
zone de charge spatiale qui s’étend de part et d’autre de la jonction
métallurgique. La jonction métallurgique est la surface de transition
entre une région P et une région N.
2- Polarisation directe : Pour polariser une jonction PN, il suffit
d’appliquer une tension continue externe à travers cette jonction. Le
potentiel de l’anode doit être relié à la borne plus ( +) de
l’alimentation et la cathode doit être connectée à la borne moins ( – )
de l’alimentation comme l’indique la figure 7 c.
La polarisation directe est la condition qui permet le passage
du courant à travers la jonction PN. La résistance R limite le courant
direct Id à une valeur qui n’endommagera pas la structure de la
jonction .
Contacts ohmiques

N P

Id
R +
-

Va Fig.7 c
3- Polarisation de la jonction en sens inverse
La jonction est polarisée en sens inverse si le
pôle négatif de la source
P N

I inverse

R +
-

Fig.8
Va
Va est relié à la région P et le pôle positif de la source Va est
relié à la région N comme l’indique la figure.8
Champ électrique résultant
P N
+ -
- - - + +
+
Trou
+ Electron
+ -
- - - + +
+ -
- - - + + +
+ -
- - - + +
+

Zône neutre
Zône neutre
Zônes de charge d’éspace
La polarisation inverse est la condition dans laquelle
le courant ne traverse pas la jonction PN. Il faut aussi noter
que la région d’appauvrissement ( zones de charge d’espace)
est beaucoup plus large qu’en polarisation directe ou en
condition d’équilibre.
Le fonctionnement d’une jonction en polarisation
inverse est illustré à a figure 8. Puisque les charges
contraires s’attirent, la borne positive de la source << tire >>
les électrons libres, qui sont les porteurs majoritaires dans la
région N, loin de la jonction PN.
A mesure que les électrons affluent vers la borne
positive de la source, des ions positifs additionnels sont
créés, ce qui élargit la région d’appauvrissement et diminue
le nombre de porteurs majoritaires. Dans la région P, les
électrons près de la borne négative de la source entrent tels
des électrons de valence, se déplaçant de trou en trou à
travers la région d’appauvrissement ou se crée des ions
négatifs additionnels. Cette situation élargit la région
d’appauvrissement et diminue le nombre de porteurs
majoritaires.

4-Diagrammes énergétiques des polarisations directe et inverse

Les figures 9 (a, b et c ) illustrent les diagrammes


énergétiques à l’équilibre , en polarisation inverse et directe
Energie
Jonction PN
Bande de conduction

EF
A l’équilibre

Bande de valence

Région P Région N
Zone de charge d’espace
Zone de dépletion

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