Université Paul Sabatier-FSI Session 1- 28/11/2017

MASTER 1 EEA-SME

MODELISATION DES COMPOSANTS

Durée 1 h – documents autorisés

Diode à Jonction PN
1h documents autorisés

On considère une Jonction PN aux régions courtes, réalisée avec du GaAs (Arséniure de
Gallium).
Ses caractéristiques à 300K sont :
Aire de la Jonction : A = 2.10-4 cm 2
Concentration intrinsèque: n i = 2.10 6 cm-3
Unité thermodynamique : UT = kT/q = 26 mV
Charge élémentaire : q =1,6.10 –19 C

Note : La question 2 peut être traitée indépendamment de la question 1.

Région P Région N
Dopage (cm-3) N A= 10 16 N D =10 18
Epaisseur (cm) W P=10-4 (1µm) W N=10-4 (1µm)
Cte de diffusion des minoritaires Dn=60 Dp=10
(cm2/s)

Les conditions de polarisation directe correspondent au régime usuel de faible injection.

1) Calculer les valeurs Isn(P) et Isp (N) des courants inverses de saturation relatifs aux
électrons et aux trous respectivement, que vaut Is ?
2) L’intensité I est successivement de I1=10mA, I2=50mA et I3=100mA. Pour chacune
de ces intensités calculer en posant : Is = 8.10 – 21 A
2.a) les tensions nécessaires correspondantes V1, V2, V3.
2.b) les conductances dynamique en régime sinusoïdal de petits signaux
3) Le temps de transit à considérer est supposé égal à : t n(P) = 8.10 –11 s
3.a) Ecrire l’expression de la pulsation de coupure wc en fonction de g, Cs et CT.
En déduire la relation donnant 1/wc en fonction de t n(P), I, CT et UT.
4) La capacité de transition CT est de 10- 11F (10pF). Calculer la fréquence de coupure
Fc pour les deux intensités I1=10mA et I3=100mA, conclure.
 MODELISATION DES COMPOSANTS
Durée 1 h – documents autorisés

Diode à Jonction PN
1h documents autorisés

On considère une Jonction PN aux régions courtes, réalisée avec du GaAs (Arséniure de
Gallium).
Ses caractéristiques à 300K sont :
Aire de la Jonction : A = 2.10-4 cm 2
Concentration intrinsèque: n i = 2.10 6 cm-3
Unité thermodynamique : UT = kT/q = 26 mV
Charge élémentaire : q =1,6.10 –19 C

Note : La question 2 peut être traitée indépendamment de la question 1.

Région P Région N
Dopage (cm-3) N A= 10 16 N D =10 18
Epaisseur (cm) W P=10-4 (1µm) W N=10-4 (1µm)
Cte de diffusion des minoritaires Dn=60 Dp=10
(cm2/s)

Les conditions de polarisation directe correspondent au régime usuel de faible injection.

1) Calculer les valeurs Isn(P) et Isp (N) des courants inverses de saturation relatifs aux
électrons et aux trous respectivement, que vaut Is ?
2) L’intensité I est successivement de I1=10mA, I2=50mA et I3=100mA. Pour chacune
de ces intensités calculer en posant : Is = 10 – 20 A
2.a) les tensions nécessaires correspondantes V1, V2, V3.
2.b) les conductances dynamique en régime sinusoidal de petits signaux
3) Le temps de transit à considérer est supposé égal à : t n(P) = 8.10 –12 s
3.a) Ecrire l’expression de la pulsation de coupure wc en fonction de g, Cs et CT.
En déduire la relation donnant 1/wc en fonction de t n(P), I, CT et UT.
4) La capacité de transition CT est de 10- 11F (10pF). Calculer la fréquence de coupure
Fc pour les deux intensités I1=10mA et I3=100mA, conclure quant à l’effet de
valeurs supérieures d’intensités.