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Circuit intégré

composant électronique, basé sur un semi-conducteur,


reproduisant une, ou plusieurs, fonction(s) électronique(s)
plus ou moins complexe(s)

Le circuit intégré (CI), aussi appelé puce électronique, est un composant électronique, basé sur un semi-conducteur, reproduisant une, ou
plusieurs, fonction(s) électronique(s) plus ou moins complexe(s), intégrant souvent plusieurs types de composants électroniques de base
dans un volume réduit (sur une petite plaque), rendant le circuit facile à mettre en œuvre[1].

Circuit intégré

Type Composant électronique, circuit électronique

Caractéristiques
Matériaux Silicium, arséniure de gallium, dopant (en), aluminium, cuivre

Composé de Die, Boîtier de circuit intégré (en)

Invention
Date 1958

Il existe une très grande variété de ces composants divisés en deux grandes catégories : analogique et numérique.

Historique

En 1958, l’Américain Jack Kilby invente le premier circuit intégré[2], jetant ainsi les bases du matériel informatique moderne. Jack Kilby, qui
venait de rejoindre la compagnie, a fait cette découverte alors que ses collègues profitaient de vacances organisées par Texas
Instruments. À l'époque, Kilby avait tout simplement relié entre eux différents transistors en les câblant à la main. Il ne faudra par la suite
que quelques mois pour passer du stade de prototype à la production de masse de puces en silicium contenant plusieurs transistors. Ces
ensembles de transistors interconnectés en circuits microscopiques dans un même bloc, permettaient la réalisation de mémoires, ainsi
que d’unités logiques et arithmétiques. Ce concept révolutionnaire concentrait dans un volume incroyablement réduit, un maximum de
fonctions logiques, auxquelles l'extérieur accédait à travers des connexions réparties à la périphérie du circuit[3]. Le brevet est finalement
accordé à Texas Instrument en 1964[4]. Cette découverte a valu à Kilby un prix Nobel de physique en 2000, alors que ce dernier siégeait
toujours au directoire de Texas Instruments et détenait plus de 60 brevets à son nom[5].
Premières utilisations

Le programme de missiles balistiques Minuteman II a été essentiel au développement économique de l'industrie du circuit intégré[6]. C'est
le premier objet produit en série qui intégrait un ordinateur conçu à partir de ceux-ci (le D-37C d'Autonetics), il a d'ailleurs été le seul
consommateur de ce type d'ordinateur de 1962 à 1967. L'ordinateur comprenait des circuits fabriqués par Texas Instruments de types DTL
et DL. Le seul autre ordinateur qui a fait appel à cette technologie est celui destiné à contrôler les missions Apollo, ordinateur qui avait des
contraintes semblables du point de vue de la masse et de la fiabilité.

Circuit intégré analogique

Les circuits intégrés analogiques les plus simples peuvent être de simples transistors encapsulés les uns à côté des autres sans liaison
entre eux, jusqu'à des assemblages complexes pouvant réunir toutes les fonctions requises pour le fonctionnement d'un appareil dont il
est le seul composant[7].

Les amplificateurs opérationnels sont des représentants de moyenne complexité de cette grande famille où l'on retrouve aussi des
composants réservés à l'électronique haute fréquence et de télécommunication. De nombreuses applications analogiques sont à base
d'amplificateurs opérationnels.

Circuit intégré numérique

Les circuits intégrés numériques les plus simples sont des portes logiques (et, ou et non), les plus complexes sont les microprocesseurs et
les plus denses sont les mémoires. On trouve de nombreux circuits intégrés dédiés à des applications spécifiques (ou ASIC pour
Application-specific integrated circuit), notamment pour le traitement du signal (traitement d'image, compression vidéo…) on parle alors de
processeur de signal numérique (ou DSP pour Digital Signal Processor). Une famille importante de circuits intégrés est celle des
composants de logique programmable (FPGA, CPLD). Ces composants sont amenés à remplacer les portes logiques simples en raison de
leur grande densité d'intégration.

Composition

Le boîtier

Circuits intégrés boîtier DIP.

Un microcontrôleur boîtier DIP.


Les circuits intégrés sont généralement protégés dans un boîtier en plastique (parfois céramique) rectangulaire, noirs. Les circuits intégrés
"classiques" sont équipés sur 2 côtés opposés de broches de connexion (appelées aussi pattes ou pins) permettant d'établir les
connexions électriques avec l'extérieur du boîtier. Ces composants sont brasés avec de l'étain, ("soudé" étant terme impropre) sur un
circuit imprimé, ou enfichés, à des fins de démontage, dans des supports eux-mêmes brasés sur un circuit imprimé. Avec les besoins de
miniaturisation, les broches ont été réduites à de simples surfaces de connexion directement à même le boîtier, permettant une un
montage en surface du circuit imprimé (boîtiers CMS).

Sur le boîtier peuvent être imprimés : le logo du fabricant, une référence qui permet d'identifier le composant, un code correspondant à des
variantes ou révisions, la date de fabrication (4 chiffres codés AASS : année et semaine). Les progrès de l'intégration sont tels que les
circuits intégrés peuvent devenir très petits. Leur taille ne dépend plus guère que de la capacité du boîtier à dissiper la chaleur produite par
effet Joule et, bien souvent du nombre, de la taille des broches de sortie du circuit ainsi que de leur espacement.

Différents types de boîtiers permettent d'adapter le circuit intégré à son environnement de destination.

Le format le plus ancien a pour nom Dual Inline Package (DIP ou DIL) qui se traduit sommairement par « boîtier avec deux lignes ».

La miniaturisation aidant, les circuits dits de surface ont fait leur apparition : le format SO.

Bien d'autres types existent :

Article détaillé : boîtier de circuit intégré.

Le Die

Un die de circuit intégré VLSI

Le die est la partie élémentaire, de forme rectangulaire, reproduite à l’identique à l’aide d’une matrice sur une tranche de silicium en cours
de fabrication. Il correspond à un circuit intégré qui sera ensuite découpé et que l’on appellera une puce avant qu’elle ne soit encapsulée
pour donner un circuit intégré complet, prêt à être monté sur une carte.

Le Die d'un circuit intégré comprend sous des formes miniaturisées principalement des transistors, des diodes, des résistances, des
condensateurs, plus rarement des inductances, car elles sont plus difficilement miniaturisables.

Article détaillé : Die (circuit intégré).

Échelle d'intégration

L'échelle d'intégration (en anglais scale integration) définit le nombre de portes logiques par boîtier :
Nom Signification Année de sortie Nombre de transistors[8] Nombre de portes logiques par boîtier[9]

SSI small-scale integration 1964 1 à 10 1 à 12

MSI medium-scale integration 1968 10 à 500 13 à 99

LSI large-scale integration 1971 500 à 20 000 100 à 9 999

VLSI very large-scale integration 1980 20 000 à 1 000 000 10 000 à 99 999

ULSI ultra large-scale integration 1984[10] 1 000 000 et plus 100 000 et plus

Ces distinctions ont peu à peu perdu de leur utilité avec la croissance exponentielle du nombre de portes. Aujourd'hui plusieurs centaines
de millions de transistors (plusieurs dizaines de millions de portes) représentent un chiffre normal (pour un microprocesseur ou un circuit
intégré graphique haut de gamme). Afin de parvenir à de tels niveaux d'intégrations, un flot de conception complexe est utilisé.

La technique de fabrication la plus courante

Des microprocesseurs sur la tranche de silicium (wafer) qui sert à leur fabrication.

La fabrication d'un circuit intégré est un procédé complexe dont la tendance est à se compliquer de plus en plus.

Le motif de base est le transistor, et ce sont ensuite les interconnexions métalliques entre les transistors qui réalisent la fonction
particulière du circuit.

L'aluminium est souvent employé dans ce but, mais une technologie plus performante permet l'emploi du cuivre, qui conduit mieux
l’électricité et la chaleur.

On utilise parfois du silicium polycristallin, également conducteur, notamment pour la grille du transistor.

Matière première

La matière première de base habituellement utilisée pour fabriquer les circuits intégrés est le silicium, néanmoins, d'autres matériaux sont
parfois employés, comme le germanium ou l'arséniure de gallium.

Le silicium est employé depuis la découverte de l'effet transistor en 1947 par les chercheurs du Laboratoire Bell qui reçoivent le prix Nobel
de physique en 1956 pour cette découverte[4].

Le silicium est un semi-conducteur dans sa forme monocristalline. Ce matériau doit être pur à 99,99 %.

On fabrique d'abord un barreau cylindrique de silicium en le cristallisant très lentement. Ce barreau est ensuite découpé pour être utilisé
sous forme de galettes de 100 à 800 μm d'épaisseur et ayant jusqu'à 300 mm de diamètre, appelé wafer (galette, en anglais). Un wafer va
supporter de nombreux circuits intégrés.

La photolithogravure
Article détaillé : Photolithographie.

La photolithographie, désigne l'ensemble des opérations permettant de délimiter l'extension latérale des matériaux sur la surface d'un
substrat semi-conducteur, dont la structure est plus ou moins bidimensionnelle car basée sur l'empilement de couches à la surface d'une
plaquette de silicium. Les motifs deviendront par la suite les différentes zones actives des composants électroniques (exemple : contact,
drain...) ou les jonctions entre ces composants. Ce procédé est actuellement le plus répandu.
Étapes de fabrication

Le circuit intégré d'une puce Intel 8742

Le nombre d'étapes de la fabrication des circuits intégrés a crû considérablement depuis 20 ans. Il peut atteindre plusieurs dizaines pour
certaines productions spécialisées. Toutefois, on retrouve à peu près toujours la même série d'étapes :

Préparation de la couche : on expose le wafer à du dioxygène pur après chauffage pour fabriquer une couche d'oxyde (isolant) en
surface, ensuite le wafer est recouvert d'un vernis photosensible.

Transfert : on transfère le dessin du circuit à reproduire sur la surface photosensible à l'aide d'un masque, comme pour la peinture au
pochoir, en l'exposant aux ultraviolets, (ou aux rayons X, pour les gravures les plus fines). Le vernis non soumis aux rayonnements est
dissous grâce à un solvant spécifique.

Gravure : l'oxyde de silicium est protégé par le vernis aux endroits exposés aux ultraviolets. Un agent corrosif va creuser la couche
d'oxyde aux endroits non protégés.

Dopage : on dissout ensuite le vernis exposé avec un autre solvant, et des ions métalliques, appelés dopants, sont introduits dans le
silicium exposé là où l'oxyde a été creusé, afin de le rendre conducteur.

Couche suivante : l'opération est renouvelée pour créer les couches successives du circuit intégré ou du microprocesseur (jusqu'à 13).

On détermine la qualité de la gravure selon le plus petit motif qu'il est possible de graver, en l'occurrence la largeur de la grille du
transistor MOS.
En 2004, les gravures les plus fines en production sont de 0,13 μm (ou 130 nm) et 90 nm.

En 2006, les gravures les plus fines en production sont de 60 nm et 30 nm.

En 2015, les gravures les plus fines en production sont de 14 nm.

En 2018, les gravures les plus fines en production sont de 10 nm et 7 nm[11].

IBM a affirmé pouvoir graver en 5 nm, ce que l'on pourrait voir arriver en production en 2019/2020.

Phases finales

On dépose une pellicule métallique aux endroits où le circuit devra être en contact avec les broches de sortie.

Les circuits intégrés sont testés directement sur le wafer. Les puces défectueuses sont marquées (inking). Il s'agit de l’EWS.

Le wafer est finalement découpé au moyen d'une scie circulaire au diamant d'une épaisseur de 0,02 mm ou via un procédé de découpe
laser pour obtenir des die.

Les puces ainsi obtenues sont insérées dans un boîtier individuel de protection et reliées aux broches qui vont leur permettre de
communiquer avec l'extérieur.

Des tests de validation sévères et individuels sont alors entrepris pour qualifier les microprocesseurs, en fréquence et en température.
Chaque transistor peu être testé sur une dizaine de paramètres différents (tensions, courants, résistances, gains, capacités, temps de
commutation...) [4].

Industrie

Article détaillé : Liste des principaux fabricants de semi-conducteurs au fil des ans.
Les 20 plus importants fabricants de circuits intégrés en 2011 et leur part de marché sont (fonderies exclues) :

Chiffre

d'affaires

Rang
Rang
Part de

Société Nationalité/localisation (Million


2011/2010
2011 2010 marché
de $

USD)

1 1 Intel Corporation(1) États-Unis 49 685 +23,0 % 15,9 %

2 2 Samsung Electronics Corée du Sud 29 242 +3,0 % 9,3 %

3 4 Texas Instruments(2) États-Unis 14 081 +8,4 % 4,5 %

4 3 Toshiba Semiconductors Japon 13 362 +2,7 % 4,3 %

5 5 Renesas Technology Japon 11 153 -6,2 % 3,6 %

6 9 Qualcomm(3) États-Unis 10 080 +39,9 % 3,2 %

7 7 STMicroelectronics France Italie 9 792 -5,4 % 3,1 %

8 6 Hynix Corée du Sud 8 911 -14,2 % 2,8 %

9 8 Micron Technology États-Unis 7 344 -17,3 % 2,3 %

10 10 Broadcom États-Unis 7 153 +7,0 % 2,3 %

11 12 Advanced Micro Devices États-Unis 6 483 +2,2 % 2,1 %

12 13 Infineon Technologies Allemagne 5 403 -14,5 % 1,7 %

13 14 Sony Japon 5 153 -1,4 % 1,6 %

14 16 Freescale Semiconductor États-Unis 4 465 +2,5 % 1,4 %

15 11 Elpida Memory Japon 3 854 -40,2 % 1,2 %

16 17 NXP Pays-Bas 3 838 -4,7 % 1,2 %

17 20 NVIDIA États-Unis 3 672 +14,9 % 1,2 %

18 18 Marvell Technology Group États-Unis 3 448 -4,4 % 1,1 %

19 26 ON Semiconductor(4) États-Unis 3 423 +49,4 % 1,1 %

20 15 Panasonic Corporation Japon 3 365 -32,0 % 1,1 %

Top 20 203 907 3,5 % 65,2 %

Toutes les autres entreprises 108 882 -1,1 % 34,8 %

TOTAL 312 789 1,9 % 100,0 %

Source : IHS iSuppli 2011 (http://www.isuppli.com/PublishingImages/Press%20Releases/2011-12-01_Market_Share_Table1.jpg)

Notes :

(1) Intel Corporation acquisition de la division sans fil de Infineon Technologies.

(2) Texas Instruments acquisition de National Semiconductor.

(3) Qualcomm acquisition de Atheros Communications.

(4) ON Semiconductor acquisition de Sanyo semiconductor division.

Les principales entreprises de production de circuits intégrés présentes en France sont :

Altis Semiconductor (Corbeil-Essonnes)

Atmel (Saint-Quentin-en-Yvelines, Saint-Egrève)

Freescale (Toulouse, Paris)

Ipdia (Caen)

LFoundry (Rousset, ex Atmel)

MHS Electronics (Nantes, ex Atmel) [1] (http://www.mhs-electronics.com)


NXP (Rennes, Sophia-Antipolis, Le Mans)

ON Semiconductor (Toulouse)

STMicroelectronics (Grenoble, Crolles, Tours, Rousset, Rennes, Paris)

Soitec (Bernin) Soitec n'est pas à proprement parler une entreprise de composants, elle produit le substrat en SOI qui permet la
fabrication de certains de ces composants.

Écologie

Il faut une quantité considérable de matière première pour fabriquer une puce électronique : le sac à dos écologique (qui représente la
quantité de matières premières nécessaires à la fabrication du produit) d'une puce électronique de 0,09 g est de 20 kg[12].

Notes et références

1. integrated circuit (IC) https://www.jedec.org/standards- 8. Marc Dalmau, « Les microprocesseurs » (http://www.iutbayonn


documents/dictionary/terms/integrated-circuit-ic e.univ-pau.fr/~dalmau/documents/cours/archi/MICROPancie
n.pdf) [PDF], sur IUT de Bayonne
2. (en) Personnel de rédaction, « The Chip that Jack Built » (http://
www.ti.com/corp/docs/kilbyctr/jackbuilt.shtml) , Texas 9. Bulletin de la Societe fribourgeoise des sciences naturelles,
Instruments, 2010 (consulté le 29 juin 2010) Volumes 62 à 63, 1973 (lire en ligne (https://books.google.fr/boo
ks?id=ZbcsAQAAIAAJ&dq=ssi+msi+12+99+portes+lsi) )
3. Jean-Baptiste Waldner, Nano-informatique et Intelligence
Ambiante : Inventer l'Ordinateur du xxie siècle, Londres, Hermes 10. http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?
Science, 2007, 302 p. (ISBN 978-2-7462-1516-0), p. 37 tp=&arnumber=1484037&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.or
g%2Fstamp%2Fstamp.jsp%3Ftp%3D%26arnumber%3D148403
4. BUS, FRANCOIS FRANCIS., L'EPOQUE OU LES PUCES FONT
7
LEURS LOIS : histoire des semiconducteurs vecue de chez
texas... instruments., BOOKS ON DEMAND, 2020 11. « 10 nm, 7 nm, 5 nm : la finesse de gravure, enjeu du monde
(ISBN 2-322-25685-4 et 978-2-322-25685-3, mobile » (https://www.igen.fr/iphone/2018/05/10-nm-7-nm-5-n
OCLC 1225066813 (https://worldcat.org/oclc/1225066813&lang=fr) m-la-finesse-de-gravure-enjeu-du-monde-mobile-103886) , sur
) iGeneration (consulté le 8 septembre 2020).

5. (en) « for basic work on information and communication 12. Marine Fabre et Wiebke Winkler, Les Amis de la Terre / CNIID,
technology […] for his part in the invention of the integrated « L'obsolescence programmée, symbole de la société du
circuit » in Personnel de rédaction, « The Nobel Prize in Physics gaspillage, le cas des produits électriques et électroniques »,
2000 (http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/20 Rapport • Septembre 2010 (http://www.cniid.org/IMG/pdf/20100
00/)  », Fondation Nobel, 2010. Consulté le 28 juin 2010 9_rapport_OP_AdT_Cniid.pdf) , qui citent l'Institut de Wuppertal
pour le climat, l'environnement et l'énergie : « Infobrief
6. MacKenzie, Donald, Inventing Accuracy: A Historical Sociology of
Forschungsgruppe nachhaltiges Produzieren und Konsumieren »,
Missile Guidance. MIT Press, (1993) p=156
2008, p. 4
7. Jim Williams, Analog circuit design : Art, Science, and
Personalities, Newnes, 1991, 389 p. (ISBN 0-7506-9640-0, lire en
ligne (https://books.google.com/books?id=CFoEAP2lwLEC&pg=
PA238&dq=analog+circuit+design+difficulty) ), p. 238

« Even within companies producing both


analog and digital products… »

Voir aussi

Articles connexes
Analyse temporelle statique

Boîtier de circuit imprimé

Circuit imprimé

Circuit intégré monolithique hyperfréquence

Fabricant de composant électronique


Microcontrôleur

Microprocesseur

Puce sous-cutanée

Liens externes
Notices d'autorité :
Bibliothèque nationale de France (http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb11931204n) (données (http://data.bnf.fr/ark:/12148/cb11931204n) )
 · Bibliothèque du Congrès (http://id.loc.gov/authorities/sh85067117)  · Gemeinsame Normdatei (http://d-nb.info/gnd/4027242-4)  ·
Bibliothèque nationale de la Diète (http://id.ndl.go.jp/auth/ndlna/00572448)

Notices dans des dictionnaires ou encyclopédies généralistes :


Encyclopædia Britannica (https://www.britannica.com/technology/integrated-circuit)  ·
Encyclopædia Universalis (https://www.universalis.fr/encyclopedie/circuits-integres/)  ·
Encyclopedia of Modern Ukraine (http://esu.com.ua/search_articles.php?id=12380)  ·
Encyclopédie Treccani (http://www.treccani.it/enciclopedia/circuito-integrato)  ·
Gran Enciclopèdia Catalana (https://www.enciclopedia.cat/EC-GEC-0090691.xml)

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