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Les céramiques diélectriques et leurs applications

1. Introduction

Le sujet du chapitre précédent concernait les céramiques conductrices et semiconductrices, c’est-à-dire les
céramiques possédant des porteurs de charges mobiles. Ici, on va traiter des céramiques qui contiennent
principalement des porteurs de charges liés ou une très faible quantité de charges mobiles. Ces matériaux
ont une bande d’énergie interdite large. Ils sont isolants et peuvent être employés comme isolateurs.

Tous les porteurs de charges réagissent au champ électrique : S’ils sont mobiles, le champ provoque leur
mouvement dans la direction du champ (ou dans le sens opposé, ceci dépendant du signe de la charge), et
s’ils sont liés, le champ provoque l’apparition de dipôles. Les dipôles sont formés à cause du léger
déplacement des charges positives dans la direction du champ, et de celui des charges négatives dans le
sens opposé au champ électrique.

Cette polarisation a une importante conséquence : Pour contrebalancer la polarisation, la surface du


matériau proche du côté positif du dipôle accumule des charges négatives et la surface proche du côté
négatif du dipôle accumule des charges positives. Ainsi, le stockage des charges est possible, ce qui signifie
que l’on crée un condensateur. Les condensateurs sont des composants importants dans la plupart des
circuits électriques.

L’importance de la polarisation sous l’influence d’un champ électrique varie d’un isolant à un autre. C’est une
propriété spécifique du matériau. La polarisation de certains matériaux est proportionnellement linéaire au
champ appliqué, alors que d’autres matériaux possèdent une réponse non-linéaire. Les premiers sont
nommés diélectriques linéaires et les seconds nommés diélectriques non-linéaires.

En premier lieu, nous verrons les propriétés les plus importantes des diélectriques : la permittivité
diélectrique, la perte diélectrique et la résistance au claquage des matériaux diélectriques, et nous
étudierons des exemples importants d’applications pour les diélectriques linéaires. Ensuite, les diélectriques
non-linéaires seront abordés, en soulignant brièvement l’origine de ce comportement, les matériaux typiques
et les applications importantes.

2. Propriétés électriques des matériaux diélectriques

2.1 Permittivité diélectrique

Quand une tension est appliquée sur deux plaques parallèles métalliques, avec du vide entre ces deux
plaques, des charges s’accumulent à la surface ; on forme ainsi un condensateur à vide (Figure 1a). Le
rapport entre la tension appliquée (V) et les charges accumulées (Q0) est la capacité (C0) de ce
condensateur à vide [Farad = C/V].
Les charges accumulées augmentent linéairement avec la surface des plaques, et inversement avec la
distance entre ces plaques, voir équation (1). Le facteur de proportionnalité est nommé permittivité
diélectrique du vide !o et vaut 8.85 10-12 F/m.

A
Q0 = C0V = !0V = A!0E (1)
t
La charge totale sur la surface divisée par la surface donne la densité de charge, ou le déplacement
2
diélectrique D [C/m ].

Q0
D0 = = !0E 2
[C/m ]
A
Quand un isolant est inséré entre les plaques métalliques, l’isolant se polarise sous l’influence du champ
appliqué, et des dipôles apparaissent dans l’isolant. Pour compenser ces dipôles, des charges additionnelles
s’accumulent à la surface des plaques (Figure 1b). Les charges qui s’accumulent en premier sur les
plaques, (Q0), sont nommées charges libres ; ces nouvelles charges, dues à la polarisation du matériau
diélectrique, sont nommées charges liées (Qb), sachant qu’elles sont liées aux dipôles dans le matériau

1
diélectrique. Le rapport entre les charges accumulées avec l’isolant et celles sans l’isolant est nommé la
permittivité diélectrique relative (k ou parfois !r) de l’isolant. La permittivité de l’isolant est notée ! est égale
à k!o en [F/m].

A
+
V
-
t E

Q0 = C0 V

C0 = !0 A/t Q = k C0 V

Figure 1: Les charges s’accumulent sur deux plaques métalliques séparées : (a) vide entre les plaques (b) matériau
diélectrique entre les plaques.

La capacité du condensateur avec le diélectrique est donc : C = kC0 = k!0 A/t [F].
La charge due aux charges liées, divisée par la surface des plaques correspond à la polarisation (P) dans le
matériau, ou à la densité de dipôles. Tout est résumé dans l’équation (2).

Qtot Q0 Q
D = = k!0E = + b = !0E + P (2)
A A A
De l’équation (2), la relation entre la polarisation et le champ appliqué peut aussi être présentée sous une
autre forme, l’équation (3)

P = !0 (k "1)E ou P = #!0E (3)

" représente la susceptibilité diélectrique du matériau.


De l’équation (3), on constate que la permittivité (où « constante ») diélectrique et la susceptibilité expriment
la facilité avec laquelle un matériau devient polarisé sous un champ électrique externe appliqué.

2.2 Pertes diélectriques

Quand une tension sinusoïdale est appliquée sur un condensateur fait d’un matériau diélectrique idéal, la
polarisation est en phase avec la tension appliquée. Toutefois, dans chaque matériau réel, il y a de la
‘friction’, des mécanismes de dissipation d’énergie et la polarisation est décalée d’un certain angle par
rapport à la tension appliquée. La nature des mécanismes de pertes d’énergie sera discutée plus tard. Si le
champ sinusoïdal appliqué est exprimé comme dans l’équation (4), (voir annexe I) le déplacement sera
exprimé comme dans l’équation (5), et la permittivité diélectrique, qui est le rapport entre les deux, sera
exprimée dans l’équation (6)

E = E0ei!t (4)

D = D0ei (!t"# ) (5)

2
D0 "i#
! = e (6)
E0

On constate que la permittivité diélectrique d’un matériau non idéal est un nombre complexe (7). Le rapport
entre la partie imaginaire de la permittivité diélectrique et sa partie réelle est nommée l’angle de perte, ou
tg#:

! = !" # i!"" (7)

"!! k !!
= = tg# (8)
"! k!
La permittivité diélectrique relative (« constante diélectrique ») et la tangente de l’angle de pertes de certains
diélectriques à 100 kHz sont donnés dans le tableau 1.

Tableau 1: Permittivité diélectrique relative et tangente de pertes de certains matériaux à 100 kHz.

k tg #
Polypropylène 2.1 0.00025
Verre SiO2 pur 4.0 0.0002
Verre sodo-calcique 4-6 0.01
Porcelaine haute tension 5.5-7.5 0.0002-0.004
Al2O3 (99.96%) 9.4 0.0002
MgO 9.83 0.0003
TiO2 110 0.002
*BaTiO3 1000 0.02

Remarque : Les valeurs données sont indicatives sachant qu’elles dépendent de la pureté et de la
microstructure des céramiques. *BaTiO3 est un diélectrique nonlinéaire et sera exposé dans la section 4 de
ce chapitre.

2.3 Mécanismes de polarisation

Dans la section 2.1, la polarisation du matériau diélectrique, soumis à un champ électrique, a été supposée
comme étant à l’origine du comportement diélectrique, et la susceptibilité diélectrique a été définie par le
rapport entre le champ appliqué et la polarisation résultante (Equation (3)). A présent, nous allons discuter
de l’origine microscopique de la polarisation.

Le matériau est polarisé si les centres positifs et négatifs des charges Q ne coïncident plus, et sont séparés
l’un de l’autre d’une distance d. Le dipôle ainsi créé vaut !=Qd [Cm]. La polarisation, qui a été définie
précédemment comme le rapport des charges liées par unité de surface, peut aussi être définie comme la
2 -3
densité de dipôles dans le matériau, ou P=N! [C/m |, où N est la concentration de dipôles [m ].

Le champ que chaque dipôle ressent n’est pas uniquement le champ électrique extérieur E appliqué, mais
également le champ qui est exercé sur ce dipôle par les dipôles qui l’entourent. On le nomme ‘’champ local’’
ou E’ et il est relié d’une manière complexe (que l’on ne présentera pas ici) au champ extérieur et à la
structure cristalline du matériau. Il est possible maintenant de relier le dipôle ! au champ local E’ en
définissant la polarisabilité $ [m C/V] du matériau, comme :
2

!= $ E’ (9)

3
La polarisabilité est une mesure de l’importance de la polarisation du matériau sous un champ extérieur
appliqué. De cette façon, la relation entre la permittivité diélectrique, qui est une propriété macroscopique
facilement mesurable, et la polarisabilité dans le matériau peut être déterminée en combinant (3) et (9) :

P = !0 (k "1)E = Nµ = N#E $ (10)

Il y a quatre types de mécanismes majeurs dans un matériau qui peuvent conduire à la création de moments
dipolaires et donc à la polarisation : polarisation électronique, polarisation ionique, polarisation d’orientation
et polarisation par charges d’espace. Ceci est illustré schématiquement dans la Figure 2.

champ E

Polarisation électronique ($e):, présente dans tous les


15
matériaux, jusqu'à la fréquence visible (10 Hz)
polarisation électronique

Polarisation ionique ($i): importante dans les


polarisation ionique matériaux où la liaison ionique est significative,
11 13
(<10 -10 Hz).

Polarisation dipolaire (ou d'orientation) ($d): présente


polarisation par
orientation des dipôles
dans les matériaux où des moments dipolaires
9 10
permanents existents (<10 -10 Hz).

Polarisation des charges d’espace (ou d'interface)


($s),dans les matériaux possédant des interfaces, ou
des impuretés (< 1kHz).
polarisation par
charges d’espace

Figure 2 : Illustration schématique des mécanismes


de polarisation

• Sous l’influence d’un champ externe appliqué, les électrons négatifs seront légèrement déplacés par
rapport au noyau positif. Ainsi, des dipôles sont créés. La relation entre le champ électrique appliqué et le
moment dipolaire créé donne la polarisabilité électronique ($ e) du matériau. Sachant que les électrons sont
très légers, ils vont répondre en phase au champ électrique jusqu’à de très hautes fréquences, même au-
15 16
delà du domaine visible (10 Hz). A environ 10 Hz, qui est la fréquence naturelle de vibration des
électrons autour du noyau, un phénomène de résonance va intervenir. Au-dessus de cette fréquence, le
nuage d’électrons ne suivra plus le champ alternatif, et la polarisation électronique ne contribuera pas à la
permittivité.
• Dans les matériaux ioniques, les ions chargés négativement et positivement vont bouger dans des
directions opposées sous l’application d’un champ électrique externe. Le moment dipolaire résultant
représente la polarisabilité ionique ($ i) du matériau. Ce type de polarisation va intervenir jusqu’à la région
11 14
des infrarouges 10 - 10 Hz. A ces fréquences, un phénomène de résonance va intervenir à cause de la
vibration naturelle des ions dans le cristal. Les ions ne répondent plus à un champ alternatif d’une fréquence
plus élevée.
• Certains matériaux, l’eau par exemple, possèdent des dipôles permanents qui existent même en l’absence
d’un champ électrique extérieur. Un champ électrique externe peut provoquer la rotation de ces dipôles pour
les aligner avec le champ. La capacité des dipôles permanents d’êtres alignés est reliée à la polarisabilité
dipolaire et d’orientation ($ d) des matériaux. Comme le temps d’alignement du dipôle permanent est lent
9 10
(habituellement aux alentours de 10 - 10 Hz), la polarisabilité dipolaire va contribuer à l’ensemble de la
polarisabilité seulement jusqu’au domaine des micro-ondes. A une fréquence légèrement supérieure, les
dipôles seront en retard par rapport au champ électrique et seront finalement incapables de répondre. Ce
phénomène est nommé mécanisme de relaxation.
• Dans les diélectriques réels, spécialement dans les verres et les céramiques, il y a des charges libres,
habituellement associées à des impuretés, ou causées par un désordre structurel, ou reliées à la

4
microstructure, comme les joints de grains. Ces charges libres peuvent suivre un champ externe qui oscille.
La polarisation ainsi créée est reliée à la polarisation par charges d’espace ($ s). Ce phénomène persiste
seulement à basse fréquence, jusqu’à environ 1 kHz, et la relaxation va intervenir au-delà de cette
fréquence.
De la description précédente, on déduit que la polarisabilité totale ($tot), et avec elle la polarisation du
matériau et sa permittivité diélectrique, sont la somme des contributions des différents mécanismes de
polarisation (10).

$tot = $e +$i +$d +$s (11)

2.4 Dépendance de la permittivité complexe par rapport à la fréquence et la température.

Comme on l’a vu plus haut, les différentes polarisabilités sont actives dans plusieurs domaines de
fréquence. Alors que la polarisabilité par charge d’espace contribue à la permittivité seulement à basses
fréquences, les dipôles ioniques vont suivre le champ extérieur jusqu’aux fréquences infrarouges, et ainsi de
suite. Par conséquent la permittivité du matériau dépend de la fréquence.

Cependant vers la fréquence pour laquelle la réorientation des dipôles commence à être déphasée par
rapport au champ externe, de la dissipation va intervenir induisant une augmentation de la tangente de
perte. De manière similaire, entre la fréquence de résonance et d’anti-résonance des mécanismes de
polarisation (ionique et électronique), la dissipation d’énergie va augmenter la tangente de perte. Ainsi, la
tangente de perte est aussi dépendante de la fréquence. La Figure 3 décrit ce phénomène.

Une discussion à propos de la dépendance de la permittivité complexe par rapport à la température sort du
cadre de ce cours. On peut cependant noter que chaque mécanisme de polarisation dépend dans une
certaine mesure de la température. Par exemple, la dépendance face à la température de la polarisation par
charge d’espace est évidente, sachant que le mouvement des charges libres dans les matériaux
diélectriques se fait par des sauts d’un site possible (site d’une lacune) à un autre, et la facilité de ce
mouvement dépend exponentiellenement de la température.

!’ Charges relaxations
d’espace résonances
dipolaire

Conduction ionique
DC électronique

!’’

104 108 1012 1016 Fréquences Hz

Figure 3 : Le spectre diélectrique schématique. Noter que seule la polarisation électronique existe dans tous les
matériaux. Les autres mécanismes de polarisation qui contribuent à la permittivité diélectrique des matériaux dépendent
de la structure et de la microstructure.

2.5 Court-circuit et dégradation diélectrique

Si un champ électrique suffisemment élevé est appliqué, tous les matériaux vont subir un court-circuit
électrique. Pour chaque matériau (dépendant de la composition, de la structure, de la microstructure et de
paramètres extérieurs tels que l’humidité), il existe un certain seuil, au-delà duquel le matériau ne sera plus
un isolant, mais permettra le passage du courant et un court-circuit électrique va se produire. Le champ
électrique minimal qui cause ce phénomène est défini comme la rigidité diélectrique (ou champ de claquage)

5
du matériau. La rigidité diélectrique est importante pour les isolants, et pour les condensateurs haute
tension. Quelques exemples de rigidités diélectriques de divers matériaux sont donnés dans le Tableau 2.

Tableau 2: Rigidité diélectrique de certaines céramiques


Matériau Forme Epaisseur Température Résistance au
8
claquage (10
V/m)
Al2O3 film anodisé 6000 Å 25°C 1.5
Alumine porcelaine Céramique/ verre 0.63 cm 25°C 0.15
Porcelaine basse Céramique/ verre 0.63 cm 25°C 0.03
tension
SiO2 Verre 0.005 cm 20°C 6.6
BaTiO3 Cristal 0.02 cm 0°C 0.040
BaTiO3 Céramique 0.02 cm 25°C 0.117

Il y a trois types importants de claquage diélectrique : intrinsèque, thermique et claquage par décharge.
Quand le champ électrique est assez élevé pour accélérer les porteurs libres existants à un point tel qu’ils
excitent, par des collisions, des ions du réseau, créant de plus en plus de porteurs libres dans un effet
d’avalanche, un claquage électrique intrinsèque (accompagné souvent de ruptures mécaniques) va
8
intervenir. Le champ typique pour lequel une rupture intrinsèque intervient est de 1 à 10 10 V/m. Il
commence à un point dans le matériau où la concentration locale du champ est très grande, par exemple
proche des microfissures ou des inclusions d’impuretés. A cause de cela, il est évident que la qualité des
céramiques et les paramètres environnementaux vont avoir une très forte influence sur la valeur du champ
de claquage intrinsèque : la porosité, les inhomogénéités et la température vont influencer le seuil de
claquage intrinsèque. Comme dans le cas de la résistance mécanique des céramiques, la valeur théorique
du champ de claquage intrinsèque est bien plus haute que la valeur réelle. De plus, les couches minces en
céramiques possèdent un champ de claquage intrinsèque plus élevé par rapport aux éléments épais, parce
que, dans ces derniers, la probabilité d’avoir un défaut est plus grande.
6
A des fréquences plus hautes (>10 Hz), et en raison de l’augmentation des pertes diélectriques proche de
la fréquence de relaxation, l’échantillon s’échauffe. Ce chauffage par effet Joule, couplé à la faible
conductibilité thermique dans les céramiques isolantes, augmente la conductibilité électronique du matériau,
augmentant ainsi les pertes, jusqu’à ce que le claquage se fasse. Des claquages thermiques typiques vont
6
intervenir vers 10 V/m. Ce phénomène est influencé aussi bien par les défauts de la microstructure que par
la haute température.

Le claquage par décharge est important, spécialement dans les matériaux poreux. Le gaz (ou l’humidité) à
l’intérieur des pores tend à s’ioniser avant que le solide se rompe, ce qui cause à son tour des dégâts en
surface, qui vont ensuite accélérer le claquage.

La rigidité diélectrique globale (résistance au claquage) des céramiques est complexe, et dépend de
nombreux paramètres liés au matériau et à l’environnement : la composition, la porosité, la qualité de
surface des composants (une surface irrégulière va provoquer une distribution inhomogène du champ
électrique), la température et l’humidité influencent toutes la force diélectrique. En conséquence, des
céramiques d’une haute densité, sans défauts, qui ne sont pas exposées à une forte humidité auront de
meilleures performances.

La dégradation électrique est un autre phénomène important pour les céramiques isolantes. La dégradation
électrique est la diminution de la résistivité d’un matériau après application d’un champ électrique continu
DC durant une période prolongée. Cela peut se passer à température ambiante même dans le cas de très
faibles champs appliqués si l’échantillon est exposé à une forte humidité. Plus souvent, ce phénomène
intervient quand un champ DC est accompagné d’une haute température. L’origine de ces phénomènes est
complexe, un exemple étant une redistribution inhomogène des lacunes et d’autres défauts de la structure
dans le matériau. Après ceci, le claquage diélectrique est réduit substantiellement. Toutefois, inversement
au claquage diélectrique qui est un processus irréversible, la dégradation électrique peut être réparée en
effectuant un recuit du matériau sous températures modérées.

3. Applications particulières des diélectriques linéaires

6
Les matériaux diélectriques sont utilisés dans de nombreuses applications, comme celles décrites dans le
Tableau 3. Les applications les plus importantes sont les condensateurs et les isolants. Ces applications
sont décrites ci-dessous de manière plus détaillée.
3.1 Isolants électriques

Des applications importantes des céramiques isolantes sont les isolateurs pour des lignes à haute tension,
pour les bougies dans les moteurs électriques et dans les disjoncteurs de circuit et les interrupteurs. Alors
que les isolateurs des fils électriques de basse tension sont faits en polymère, qui sont plus facilement mis
en œuvre pour de longs câbles, les isolateurs pour haute tension sont faits en céramique, à cause de leur
meilleure imperméabilité à l’humidité, leur meilleure protection mécanique et leur résistance supérieure aux
hautes températures.

Tableau 3: Applications des matériaux diélectriques linéaires


Application Materiaux (Exemples)
Isolant électrique Porcelaine, Al2O3
Substrat pour circuits hybrides Al2O3, AlN
Encapsulation des circuits hybrides Verre
Résonateurs et filtres diélectriques micro-ondes Ba(Mg1/3Ta2/3)O3
Condensateurs SiO2 , Al2O3, ,Si3N4
Domaine UV, IR, et MW SiO2 , Al2O3

Les propriétés électriques les plus importantes requises pour un isolant sont une haute résistivité et une
rigidité diélectrique élevée pour résister à la fois aux tensions AC et DC. Il y a une autre condition importante
à remplir : la puissance dissipée à travers les isolants doit être minimale.

Quand une tension alternative est appliquée sur un diélectrique non idéal, des pertes sont produites et il y a
une puissance dissipée dans le matériau qui peut s‘exprimer comme : (voir annexe II)
E 02 E2
P= ! #"" = ! 0 #" tg$ 3
[W/m ]
2 2
où % = 2 " f (s )
-1

De l’équation (12), pour de faibles pertes de puissance, on a besoin d’un faible k’’. Par ailleurs, k” = k’ tg#, et
ainsi, un bon isolant pour les hautes fréquences et/ou les hautes tensions doit avoir une faible permittivité
diélectrique et une faible tangente de perte. De plus, les isolants doivent avoir une bonne résistance à la
dégradation électrique, une bonne résistance mécanique, et une haute densité pour éviter l’absorption
d’humidité si l’application se situe dans un environnement humide. Une bonne résistance aux chocs
thermiques est aussi requise, sachant que la chaleur peut être générée localement par effet Joule. Pour les
isolants de grande taille, les porcelaines riches en alumine et en magnésium, pauvres en sodium et en
potassium sont employées.

3.2 Substrats pour circuits intégrés et électronique à haute fréquence

Le rôle des substrats dans les circuits intégrés et l’électronique de haute fréquence est de produire des
logements pour les puces, supporter les connections entre les différents éléments et faciliter la dissipation
de chaleur des composants. Le substrat porte les puces, les résistances, les condensateurs, les
conducteurs métalliques et les connecteurs. Les substrats doivent être de bon isolateurs (faible permittivité
diélectrique, faibles pertes diélectriques et haute résistivité). De plus, ils doivent avoir une haute conductivité
thermique, dans le but de dissiper la chaleur qui peut être générée durant le fonctionnement, être résistants
au niveau mécanique et facilement polissables (pour permettre l’impression de fines lignes conductrices).
Une permittivité diélectrique très faible est requise pour les circuits à haute fréquence, sachant que, dans ce
cas, les ondes électromagnétiques se propagent dans des matériaux diélectriques, et la vitesse de la
propagation du signal est inversement proportionnelle à la racine carrée de la permittivité diélectrique. Une
autre propriété préférable est un coefficient d’expansion thermique similaire à celui du silicium, qui permet
d’éviter la fissuration des puces lors de changements de la température durant la fabrication et l’utilisation.

7
Le Tableau 4 montre des propriétés de certains matériaux. L’alumine est largement employée en tant que
matériau de base. AlN est employée pour les applications à hautes fréquences et haute puissance, à cause
de sa permittivité diélectrique relativement basse, de sa haute conductivité thermique et de son coefficient
d’expansion thermique proche de celui du silicium Si.
Tableau 4: Propriétés de certains matériaux utilisés en tant que substrats électroniques Source: U. Chowdhry and A.
Sleight, Ann. Rev. Mat. Sci. 17,323-340 (1987)
Dilatation
Permittivité Conductibilité
thermique
Matériau Diélectrique Relative thermique
(10-6/C°)
k (W/mK)
Alumine (Al2O3) 9.6 7.8 50
Mullite (Al6Si2O13) 6.6 5.5 4
Glucine (BeO) 6.9 9.0 370
Nitrure d'Aluminium (AlN) 8.8 4.5 320
Silice (SiO2) 3.8 0.6 2
Cordiérite 5.5 1.5 2
(Mg2Al4Si5O18)
Nitrure de Silicium 6.0 3.0 33
(Si3N4)
Carbure de Silicium 4.0 3.7 490
(SiC)
Diamant (C) 5.7 1.5 2000
Silicium (Si) 12 3.5 130
Polyimide 3.5 35 0.2
(nC23H12N2O4)

Les céramiques frittées à basse température (LTCC pour Low Temperature Cofired Ceramics) sont un
exemple de la réduction de taille et d’une amélioration des fonctionnalités gagnée dans le domaine des
RF/micro-ondes depuis quelques années. LTCC il s’agit de modules de multi-chips basées sur des
multicouches incluant des composants passifs et des interconnections denses, réduisant la surface occupée
par les circuits intégrés à micro-ondes monolithiques (MIMCs). Les LTCCs sont faits de couches de
céramiques en bande, contenants souvent une phase vitreuse, qui sont frittées à une relativement basse
température d’environ 900°C. Cette basse température permet l’emploi de conducteurs convenables tels
que l’argent et l’or. Les inducteurs, les condensateurs, les résistances et autres composants passifs sont
intégrés entre les couches. Des modules avancés contiennent des couches frittées ensembles de différentes
compositions, et ayant des propriétés différentes telles que faible et haute permittivité (Figure 4).

Underfill

Printed resistor
SMD
Si-chip (flip-chip)

!r " 6

!r " 60

!r " 6

Burried resistor RF filter structure RF decoupling Vias


capacitors

Figure 4: Modules LTCC avancés (Propriété de W.Wersing, Siemens)

8
Condensateurs

Les condensateurs sont d’importants ‘’building blocks’’ de nombreux circuits électriques. Ils sont employés
en tant que filtres bloquants les signaux AC de différentes parties des circuits, et sont aussi employés en
tant qu’éléments de stockage d’énergie. Les diélectriques pour condensateurs doivent avoir des faibles
pertes. En outre, ils doivent posséder une bonne stabilité en température et en fréquence et une rigidité
diélectrique élevée. Une haute permittivité diélectrique est importante, mais n’est pas le paramètre le plus
important. Le polystyrène possède une constante diélectrique de seulement 2,6 ; cependant il s’agit d’un
matériau extrêmement important pour les condensateurs en raison de sa stabilité en fréquence ainsi que ses
faibles pertes. Sachant que la capacité est directement reliée à la permittivité diélectrique et à la surface du
condensateur, mais inversement proportionnel à son épaisseur (C=kA/t), un film de 10 microns d’épaisseur
possède la même capacité qu’un condensateur épais de 1mm avec une permittivité diélectrique valant 2600
sur une même surface. Ainsi, les condensateurs à base de films polymériques occupent environ 30% du
marché total des condensateurs. Les condensateurs électrolytiques en aluminium emploient un film mince
d’oxyde d’aluminium qui se forme sur une feuille mince d’aluminium. Les condensateurs électrolytiques à
base de tantale sont stables en température et possèdent une haute fiabilité et sont ainsi fortement
employés dans les systèmes militaires et les télécommunications.

Pour insister sur le rôle fondamental joué par les condensateurs, on peut ajouter que l’élément de mémoire
le plus commun dans les ordinateurs se compose d’une structure possédant un transistor et un
condensateur. Cette mémoire, nommée DRAM (Dynamic random access memory) a été introduite en 1967.
Au fil des années, sa performance s’est considérablement améliorée et sa taille s’est réduite, mais approche
maintenant des limites de la technologie. L’épaisseur d’un condensateur stagne actuellement autour de
quelques nanomètres et la réduction de cette épaisseur provoquerait la perte de ses propriétés isolatrices à
cause du passage des électrons par effet tunnel. Le matériau employé jusqu’à présent est l’oxyde de
silicium, qui possède une faible permittivité diélectrique (4), mais couplée à une faible épaisseur, la capacité
est suffisante. Il y a quelques années, l’oxyde de silicium SiO2 a été remplacé par un alliage d’oxyde de
silicium et de nitrure de silicium (k=7). Actuellement, le Ta2O5 (k=25) est étudié pour remplacer le SiO2. Les
condensateurs en céramique possédant une haute permittivité diélectrique k (high-k en anglais) sont
intensément utilisés. Ils sont basés sur les diélectriques non-linéaires, que l’on discutera plus tard.

Annexe I : permittivité diélectrique complexe

E = E 0 sin(!t)
supposons :
D = D0 sin(!t " # ) et D0 = f (! ) E 0

D = f (! ) E 0 sin(!t)cos(# ) " f (! ) E 0 cos(!t)sin(# )


D = [% $ (! )sin(!t) " % $$ (! )cos(!t)] E 0
où % $ (! ) = f (! ) cos(# ), % $$ (! ) = f (! ) sin(# )

ou

D = D0ei (!t "# ) = f (! ) E 0ei (!t "# ) = f (! )e "i# E 0ei!t


D = %E, où % = f (! )(cos# " isin # ) = % $ " i% $$

% $$
tan # =
%$

9
Annexe II : perte de puissance

p = IV instantaneous power dissipation (Joule's law P = IV = I 2R)


V = V0ei!t " V0 sin(!t) imaginary part only
dQ d(CV ) A
I= = = ($ # % i$ ## ) i!ei!tV0
dt dt l
A
I = V0! [$ # cos(!t) + $ ## sin(!t)]
l
Power dissipation over one period :
1T 1 2A
T
P=
T0
& IVdt = ! V
T 0 l 0
& sin(!t)[$ # cos(!t) + $ ## sin(!t)]dt

1 A 'T T *
P = !V02 ) & sin(!t)$ # cos(!t)dt + & $ ## sin 2 (!t)dt ,
T l )( 0 0 ,+
1 A ' $ ##-T *
P = !V02 )0 +
T l ( 2- ,+
1
P = !$ ##E 02
2
(P = Re(I .V ) = Re(IV . ))

10
4. Diélectriques non-linéaires : les matériaux ferroélectriques

L’équation (3) de ce chapitre a montré une relation linéaire entre le champ électrique appliqué et la
polarisation. Si la polarisation d’un matériau change d’une manière non-linéaire en réponse à un champ
électrique appliqué, le matériau est considéré comme étant un diélectrique non-linéaire. Précédemment, la
polarisabilité d’orientation a été discutée comme un phénomène qui intervient dans les matériaux qui
possèdent des dipôles permanents. Sous l’influence d’un champ extérieur, les dipôles dans ces matériaux
vont se réorienter pour s’aligner avec la direction du champ.
Considérons maintenant un matériau qui possède un dipôle permanent, dans lequel l’orientation des dipôles
va être changée pour une autre orientation stable dès que le champ extérieur dépasse une valeur seuil. Un
tel matériau possède ainsi une réponse diélectrique non-linéaire.

Les matériaux diélectriques dans lesquels des dipôles permanents sont alignés dans des directions
spécifiques dans le réseau cristallin, qui peuvent être réorientés dans d’autres directions spécifiques par un
champ électrique, sont nommés matériaux ferroélectriques.

Par la suite, la ferroélectricité va être décrite d’une manière simplifiée, puis les propriétés et quelques
applications de ces matériaux vont être exposées.

4.1 Matériaux polaires

L’existence d’une polarisation spontanée suppose une asymétrie du cristal. Un matériau qui possède une
polarisation spontanée, un matériau polaire, posséde des dipôles : les centres de charges positives ne
coïncident pas avec les centres des charges négatives. Les structures polaires sont illustrées
schématiquement dans la Figure 5. Les matériaux polaires ne sont pas tous forcément ferroélectriques ; ce
sont seulement les matériaux polaires dans lesquels les dipôles possèdent plusieurs orientations stables, et
dans lesquels les dipôles peuvent passer d’un état stable à un autre par un champ électrique qui sont
ferroélectriques.

O2-
Anion B-1
E E E
H+ H+
Cation A+1
Un dipôle Une molécule polaire Un cristal polaire
Figure 5 : Structures polaires : Le concept des dipôles, une molécule polaire et un cristal polaire

4.2 Transition de phase ferroélectrique et matériaux ferroélectriques

Les matériaux ferroélectriques se transforment habituellement en un état ferroélectrique depuis une phase
paraélectrique (ou phase similaire) stable à haute température. Les céramiques ferroélectriques les plus
utiles possèdent une structure cubique de type pérovskite à haute température. Lors du refroidissement,
elles subissent une transition de phase en une structure polaire non-cubique. Cette température de transition
se nomme la température de Curie (Tc). La transition de phase se fait par un petit déplacement des ions de
leur position symétrique.

Près de la température de transition de phase, le réseau cristallin est très «mou» et peut être polarisé
fortement par un petit champ électrique. Par conséquent, autour de la transition de phase ferroélectrique,
ces pérovskites ferroélectriques possèdent une constante diélectrique très élevée (Figure 6).

11
Constante diélectrique
très haute
(jusqu’à 50’000)
k

T
Figure 6 : Représentation schématique de la constante diélectrique de matériaux ferroélectriques proche de la
température de Curie

Deux des matériaux ferroélectriques les plus utilisés sont le titanate de baryum (BaTiO3) et le titanate de
plomb-zirconium (Pb(Zr0.5Ti0.5)O3), connu sous le nom de PZT. Leur température de Curie est égale
respectivement à 130°C et 370°C. En-dessous de la température de Curie, le BaTiO3 devient tétragonal, les
2
ions étants déplacés d’une telle manière qu’une polarisation spontanée de 0,26 !C/cm existe à température
ambiante dans une des directions de la maille. D’autres ferroélectriques utiles qui n’ont pas la structure
pérovskite, sont le LiNbO3 et le polymère PVF2 (polyvinildiène di-fluoride, (CH2F2)n).

A T > TCurie (120-130°C) : symétrie cubique avec un


4+
cation Ti centré.
4+
A T < TCurie : Ti occupe une position décentrée dans
une maille tétragonale.

! une polarisation spontanée dont la direction dépend


de la structure. Ici 6 positions à 90°.

Figure 7 . maille du BaTiO3

Figure 8: Phase cubique, et paraélectrique du BaTiO3 (gauche) et la phase ferroélectrique tétragonale (droite).

12
Déplacements en Å

Ba2+
0.06
0.03

Ti4+
O 2-
0.12

Figure 9 :Projection faciale de la maille tétragonale du BaTiO3 indiquant les nouvelles positions des ions.L’axe c est
vertical.

Sachant que les six directions le long des arêtes du cube du BaTiO3 dans sa phase paraélectrique sont
équivalentes, la polarisation peut se développer selon une de ces directions, avec la même probabilité pour
chaque direction. La manière selon laquelle la polarisation va être distribuée dans le cristal dépend
largement des conditions extérieures. Supposons que la polarisation se développe uniformément dans le
cristal : En conséquence, les charges de surface vont provoquer un champ de dépolarisation. Pour
minimiser l’énergie électrostatique dans ce champ, Figure 10 a, le cristal va se séparer en régions que l’on
nomme des domaines, avec des polarisations opposées. Les régions entre deux domaines adjacents sont
appelés parois de domaines (domain walls en anglais) et leur épaisseur est typiquement de l’ordre de 10-
100Å.
Supposons à présent qu’une partie du cristal est sujet à des contraintes, par exemple des contraintes en
compression dans sa phase paraélectrique, et est ensuite refroidit en-dessous de la température de
transition. A cause de l’axe a plus faible que l’axe c (différence d’environ 1%), la direction favorable au
niveau énergétique pour la polarisation (qui se développe le long de l’axe c) sera le long de la direction
perpendiculaire à la contrainte. Le cristal forme à nouveau des domaines, Figure 10 b et c.

La structure finale des parois de domaines du cristal peut être très complexe, dépendant des champs
extérieurs et des forces agissants sur le cristal lors du refroidissement après le passage par la température
de transition Tc. Pour obtenir un cristal mono-domaine (un seul domaine ou sans domaine), il doit
généralement être soumis, après sa croissance, à des champs électriques, et parfois mécaniques, dans des
conditions soigneusement contrôlées. Le fait que le cristal puisse être transformé d’une configuration en
multidomaines à une configuration monodomaine est une conséquence directe de la définition de la
ferroélectricité, à savoir que la direction spontanée de polarisation peut être changée sous l’action d’un
champ extérieur.

13
(a)
+ + + + + + - + - + -
+ + + + + + - + - + -
+ + + + + + - + - + -

E
Ps

- - - - -
- - - - -
- - - - -

paroi de domaine 180°


contrainte en compression
(b)

axe - a

Ps Ps
axe - c axe - a
Ps

axe - c

paroi de domaine 90°

(c)
En général, les
parois de domaine à
180° et à 90° sont
tous deux présents

Figure 10 : Illustration de la création de domaines et des parois de domaines dans le BaTiO3

180° 90° 180° 90°

c c c E

c
cas initial application
d’un champ électrique

180° 90°

application
d’une contrainte mécanique
Figure 11 : mouvement des parois de domaine sous l’influence d’un champ extérieur

La situation dans les céramiques est encore plus complexe. Lorsque la céramique est refroidie en-dessous
de la température de Curie Tc, des grains individuels adoptent des formes anisotropiques déterminées par
l’orientation des axes cristallographiques. Le changement de forme de chaque grain induit de grosses
contraintes sur les grains adjacents. Dans le but de minimiser l’énergie élastique totale, une structure
complexe de domaines se forme à l’intérieur de chaque grain, en ajustant sa forme à l’environnement
immédiat, Figure 12 a et b. Si les grains sont distribués de manière aléatoire, la contribution de la
polarisation de tous les domaines va s’annuler, ce qui donne une polarisation macroscopique nulle.
Toutefois, en raison de la nature modifiable de la polarisation, la structure des domaines peut être changée
(polarisation nette dans les grains réorientés) par un champ électrique extérieur provoquant une polarisation
macroscopique non nulle, qui persiste même une fois le champ électrique supprimé (Figure 12c). Ce
processus de polarisation de céramiques (ou monocristal, comme décrit au-dessus) par des champs
électriques extérieurs est appelé polarisation (‘’poling’’ en anglais). A l’opposé des céramiques
non–polarisées, qui montrent une symétrie centrosymétrique, les céramiques polarisées sont
non–centrosymétriques et polaires. On doit noter encore que c’est la possibilité de changer la direction de

14
polarisation ( propriété définissant la ferroélectricité) qui permet le ‘’poling’’. Si une céramique est faite d’un
matériau polaire, qui n’est pas ferroélectrique, le ‘’poling’’ n’est pas possible.

Les céramiques ferroélectriques sont habituellement polarisées à une température élevée, proche de Tc, où
les parois des domaines sont plus mobiles. Toutefois, la conductivité électrique devient plus élevée à haute
température et le champ de claquage devient plus faible. Ainsi, pour un ‘’poling’’ correct, il est nécessaire de
définir soigneusement le temps de ‘’poling’’, l’intensité du champ de ‘’poling’’ et la température. Des
conditions typiques pour le PZT sont des températures entre 100°C et 200°C, des champs entre 20 kV/cm et
100 kV/cm et des temps de polarisation entre quelques minutes et une demi-heure, dépendant du matériau.
A l’opposé des monocristaux, le ‘’poling’’ des céramiques n’est jamais complet à cause de la présence
nécessaire des domaines pour permettre la relaxation d’une partie de la déformation le long des grains.

T > Tc E=0 E

Après frittage : T > Tc A T < Tc Après polarisation

Figure 12: Céramiques ferroélectriques : a) Au-dessus de la température de Curie Tc. b) En-dessous de la température
de Curie. c) Après le ‘’poling’’.

4.4 Cycle d’hystérésis dans les matériaux ferroélectriques

La réponse en hystérèse de la polarisation au champ électrique est une autre conséquence directe de la
nature modifiable de la polarisation dans les ferroélectriques. Un cycle d’hystérésis typique pour un
monocristal est montrée sur la Figure 13. Les parties verticales sont dues à l’inversion de la polarisation
spontanée. Les parties quasiment horizontales correspondent à l’état de saturation, quand une inversion
complète est achevée (état de polarisation spontané, Ps) et le cristal devient un seul domaine. Ec
correspond au champ coercitif, le champ nécessaire au changement de la direction de polarisation, quand la
polarisation totale est nulle en raison de l’annulation des contributions des domaines orientés de manière
opposée. Dans les céramiques, la situation est encore plus complexe : la forme de la boucle et ses points
caractéristiques dépendent de la microstructure des céramiques, des défauts et ainsi de suite. La
polarisation en champ nulle est appelée polarisation rémanente (Pr) et est toujours plus faible que la
polarisation spontanée.

P (C/m )

0.3
Pr Ps

0.2

0.1
Ec E (MV/m)
0 0.1 0.2

Figure 13 : Cycle d’hystérésis pour un seul domaine d’un monocristal de BaTiO3

15
5. Applications des ferroélectriques

5.1 Condensateurs à haute permittivité diélectrique (high-k)

Le titanate de baryum est aujourd’hui le matériau ferroélectrique de loin le plus employé pour des
applications dans les condensateurs. A partir de la Figure 6, on peut cependant remarquer que la constante
diélectrique est fortement dépendante de la température autour de la température de Curie où elle est
maximale. Des efforts considérables ont été fait dans le passé pour déplacer la température de Curie vers la
température ambiante et pour élargir le pic de Curie, de façon à ce que le maximum de la capacité soit
distribuée sur un large domaine de températures. Ceci a pu être obtenu par des modifications de
composition du BaTiO3, ce qui est facilement faisable dans les céramiques.

Le point de Curie dans les oxydes ferroélectriques peut être ajusté sur une large gamme de températures
par l’ajout de certains additifs, Figure 14. On constate que parmis les cations divalents pouvant remplacer la
Barium, le plomb augmente le point de Curie et le strontium le diminue.

Les plus populaires au niveau commercial sont nommés Z5U, conçus pour les condensateurs avec la plus
haute efficacité volumique, et X7R, avec une meilleure stabilité en température. Les compositions
commerciales sont généralement des mélanges complexes préparés à partir de solutions solides binaires :
BaTiO3, SrTiO3, SrSnO3, CaZrO3 etc.

En conclusion, les avantages des céramiques ferroélectriques pour les condensateurs sont des coûts faibles
et une haute efficacité volumique. Elles possèdent également des pertes faibles et des champs de claquage
élevés. Les désavantages sont une stabilité pauvre en fréquence et en température, et une réponse
non–linéaire pour les champs électriques élevés.
Tc
a)
300 Pb

Ca
100
Sr

Zr
Sn
-100
0 5 10 15
substitution en %

20
X7R
Changement de capacité en %
en fonction de la température

-20

Z5U
-40

-60

-40 0! 40! 80! 120


Température (°C)

Figure 14: (a) Effet de divers cations sur le point de Curie du BaTiO3 (b) capacité relative de 2 diélectriques
commerciaux à base BaTiO3 en fonction de la température.

5.1.1 Condensateurs multicouches

Pour parvenir à une efficacité volumétrique maximale, des diélectriques très fins sont nécessaires. Toutefois,
on doit se rappeler que les céramiques minces avec de grandes surfaces sont fragiles. Une solution à ce
problème consiste à fabriquer des condensateurs multicouches, Figure 15. La préparation est faite par
coulage en bande (« tape casting » en anglais) de couches de céramiques, et impression (par sérigraphie)
(«screen printing» en anglais) des électrodes internes. L’épaisseur des couches individuelles est
typiquement de 20 microns, et les dimensions du condensateur peuvent être aussi petites que 1x1x1 mm.

17
Les couches empilées contiennent du plomb et sont encapsulées pour la protection électrique et mécanique.
La capacité peut aller de 1 pF à 300 !F.

t
électrodes

t1
Figure 15: condensateur multi-couches

Négligeant l’épaisseur des électrodes, l’épaisseur totale t du condensateur est égale à Nt1 où t1 est
l’épaisseur de chaque couche et N le nombre de couches. La capacité de chaque couche vaut

A
C1 = !0 k (15)
t1

Et pour N couches connectées en parallèle, la capacité totale vaut :

A A
C = NC1 = N!0 k = N 2!0 k (16)
t1 t
2
Ainsi, la capacité d’un condensateur multicouches composé de N couches est N fois plus grande que la
capacité d’un condensateur ayant la même épaisseur totale.

5.2 Mémoire ferroélectrique non volatile FERAMS

L’hystérèse ferroélectrique est employée pour le stockage d’informations digitales. Un matériau


ferroélectrique polarisé dans la direction positive, répond comme un condensateur à basse valeur à une
pulsation positive de tension. S’il est polarisé dans la direction négative, une tension positive dépassant le
champ coercitif Ec va résulter en une charge 2Q, correspondant au changement de la polarisation
spontanée de –P à +P. Ainsi, deux états, positif et négatif, peuvent être distingués par différentes charges
générées par une même pulsation. Il s’agit du principe de base pour le stockage en mémoire. Sachant que
la polarisation spontanée (ou rémanente) reste dans le matériau même si le champ extérieur est supprimé,
les matériaux ferroélectriques peuvent être employés pour le stockage en mémoire non volatile
(permanente).

Pr Read “0”
Caractéristiques requises
Prr“0”
Polarisation

Read “1” ! Matériau ferroélectrique


Pnv ! Les 2 états de polarisation = les états logiques binaires
! Déposés par sol gel, pulvérisation ou technique MOCVD
! Matériaux typiques: PZT: Pb(Zr,Ti)O3, SBT: SrBi2Ta2O9
! Températures de 500 à 800°C utilisées pour la fabrication
-Prr“1” ! Haute T, atmosphère oxydante ! électrodes résistant à
l’oxydation
-Pr ! Electrodes typiques : Pt, Ru, Ir, RuO2, IrO2, etc...

Voltage
Figure 16 : Boucle d’hysterèse ferroélectrique
montrant les 2 états logiques d’une FERAM

18
En principe, le FERAM (Ferroelectric non volatile Random Access Memory) pourrait éliminer l’emploi d’un
disque dur dans les ordinateurs et est un composant très attractif ; toutefois, pour le moment, les puces à
haute densité ne sont pas encore disponibles et la technologie n’est pas encore assez avancée. SAMSUNG
développe maintenant des puces 16MB (2001) D’un autre côté, les FERAMS ont déjà pénétré le marché des
cartes magnétiques : Cartes de transport, cartes d’identité et d’autres applications SoC (‘’System on Chip’’)
emploient déjà ce type de mémoire. L’avantage principal des FERAMS en comparaison avec les autres
mémoires vives est le temps de réponse rapide (20-30 nanosecondes), la basse tension nécessaire pour lire
et écrire (<3V) et la réalisation relativement simple pour le design et la fabrication.

D’autres composants micro-électronique qui sont en voie de développement sont les transistors
ferroélectriques, et des nouveaux composants pour les communications via micro-ondes : tels que les
varactors pour hautes fréquences et les filtres passe-bande ajustables. La description et la discussion de
ces applications sort du cadre de ce cours.

6 L’effet pyroélectrique et ses applications

Quand un matériau qui possède une polarisation spontanée est sujet à des changements de température,
sa polarisation va changer, produisant des charges à la surface. Le coefficient pyroélectrique est défini
comme la dérivée de la polarisation par rapport à la température.

p = dP/dT (18)

Il en découle que tous les monocristaux ferroélectriques et les céramiques polarisées sont pyroélectriques.
Selon la Figure 17 et l’équation (18), les matériaux ferroélectriques montrent un coefficient pyroélectrique
élevé dans la région de Tc. Toutefois, si le matériau doit être utilisé près de Tc, où p change très
rapidement, sa température doit être maintenue constante pour un emploi stable. Pour cette raison, les
matériaux ferroélectriques sont employés à température ambiante où le coefficient pyroélectrique est
significativement plus faible, mais relativement stable en fonction de la température. Des matériaux
pyroélectriques sélectionnés sont montrés dans le Tableau 5. Noter que les pyroélectriques non-
ferroélectriques possèdent un coefficient pyroélectrique plus bas.

Ferroélectrique Para-
électrique
Ps

dPs/dT

Température Tc

Figure 17 : Dépendance en température de la polarisation spontanée et coeffient pyroélectrique pour un ferroélectrique


typique.

Tableau 5 : Matériaux pyroélectriques


Materiau Sont-ils Coeff. pyroélectrique à 20°C
-5 2
ferroelectriques ? 10 C/(m K)
LiTaO3 single crystal yes 19
Ba0.27Sr0.73Nb2O6 single crystal yes 55
Modified Pb(Zr,Ti)O3 yes 38
Polyviniledene chloride yes 2.7
ZnS no 0.03

Les matériaux pyroélectriques sont principalement employés pour la détection de radiations infrarouges
(chaleur). En principe, les matériaux pyroélectriques peuvent détecter des changements de température
-6
aussi faibles que 10 °C. Dans les appareils techniques, la résolution technique est autour de 0,1 °C, ce qui
est suffisant pour des applications peu coûteuses et ne demandant pas de grandes résolutions. C’est un à

19
deux ordres de grandeur plus faible que la résolution des détecteurs infrarouges semi-conducteurs
(photoconducteurs) tel que le CdHgTe. L’avantage significatif des appareils pyroélectriques est qu’ils
peuvent être employés à température ambiante, alors que les détecteurs semi-conducteurs nécessitent un
grand refroidissement.

Applications des matériaux pyroélectriques

Les matériaux pyroélectriques vont réagir à des changements de température (changement de la radiation
infrarouge), voir équation (18). Ainsi, ils peuvent être employés pour détecter un objet qui bouge possédant
une température différente de l’environnement, ou un objet statique qui change de température. Pour la
détection de sources statiques avec une température constante, il est nécessaire d’interrompre la radiation
émise d’une manière périodique (mode on-off). Ceci est habituellement accomplit en plaçant un disque
rotatif qui est divisé en plusieurs secteurs en avant du détecteur, et qui agit comme un rupteur de radiation.

Pour la plupart des applications, les éléments pyroélectriques employés sont très petits, généralement sous
la forme de petites plaques (30!m) et de 1mm de côté. Les matériaux pyroélectriques sont employés pour la
radiométrie, comme contrôleur de polluants, alarme contre les intrus, imagerie thermique et pour la vision de
nuit.

Une application typique est celle de l’imagerie thermique. La radiation infrarouge émise de la source est
collectée par un élément pyroélectrique de large surface, ou par un dispositif composé de plusieurs
éléments. Les dispositifs sont généralement fait de céramiques ferroélectriques et peut contenir 100X100
éléments. La radiation émise de la source est coupée et focalisée, en employant des lentilles en germanium
Ge, sur les éléments couverts d’une couche absorbante qui agit comme une électrode. Le courant
pyroélectrique induit est amplifié et travaillé électroniquement pour produire une image télévision qui
corresponde aux radiations infrarouges de la source originale.

Comme contrôleur de polluants, l’élément pyroélectrique est exposé à des radiations infrarouges qui passent
à travers un gaz contenant les polluants qui doivent être identifiés, Figure 18 . Un filtre avec une bande
passante étroite est placée devant le détecteur. La bande passante du filtre correspond à la longueur d’onde
à laquelle un polluant absorbe fortement. La source est activée, et si le signal est petit, il indique que le
polluant est présent dans le gaz. Le résultat est ccomparé à celui obtenu avec un autre filtre correspondant à
une longueur d’onde où le polluant n’absorbe pas. Le signal devient maintenant fort, confirmant le premier
résultat. L’amélioration de la réponse nécessite la réduction de la capacité thermique du détecteur, ce qui
favorise l’utilisation de fines couches de pyroélectriques sur de fines membranes (silicium micro-usiné), ou
des couches pyroélectriques suspendues à des ponts (surface en silicium micro-usiné).

Gaz avec polluants Détecteur


pyroélectrique
Source
infrarouge
Filtre à bande
Chopper
passante étroite

Figure 18 : Contrôleur de polluants

En employant le silicium comme substrat pour les dispositifs pyroélectriques, une intégration totale des
capteurs avec des préamplificateurs et des éléments de lecture électronique peuvent être fabriqués. Des
dispositifs de capteurs composés de films minces pyroélectriques incluent notamment le dispositif plan focal
IR pour une imagerie IR non-refroidi, fabriqués par Raytheon, Siemens, and GEC-Marconi. Un dispositif IR
composé de 64 éléments linéaires pour les spectromètres des gaz a été développé à l’EPFL.

20
Figure 19 : spectromètre pour les gaz (structure linéaire du dispositif) qui emploie un film pyroélectrique mince sur le
silicium micro-usiné. Développé au LC-EPFL.

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