République Algérienne Démocratique et Populaire

Ministère de l’Enseignement Supérieur

et de la Recherche Scientifique

Université Abou Bakr Belkaïd Tlemcen

Faculté de Technologie

Département de Génie Electrique

Spécialité : électronique
Module : NS472

transistor MOSFET a appauvrissement canal P

Présenté par :

BENALI Nardjes

Sous la direction de :

Mme RAHOU Fatima Zohra

Année universitaire : 2020-2021

Généralités :
Le transistor à effet de champ MOSFET (Metal Oxyde Semi Conducter) est différent du JFET
par le fait que la grille est isolée du canal. On l'appelle toujours un FET de porte isolée. Il
existe deux types de transistors MOS:
 Le MOS à appauvrissement ou déplétion
 Le MOS à enrichissement.
Le transistor MOSFET:
Les transistors MOSFET sont les composants les plus souvent utilisés aujourd'hui. La
première description du transistor IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor) a
commencé en 1926 (Lilienfield). La première fabrication a été réalisé en 1960 (Kaghn et
Attala). Dans ce type de transistor (MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor), la grille est isolée du canal par une couche de dioxyde de silicium (SiO2).
Le transistor MOSFET possède 4 électrodes : la Source (Source) S: point de départ des
porteurs, le Drain (Drain) D : point de collecte des porteurs, la Grille (Gate) G et le Substrat
(Body) B sont les électrodes de la capacité MOS Utilisé pour contrôler le nombre de porteurs
présents dans le canal. Très souvent les électrodes de source et de substrat sont connectées
électriquement. On retrouve alors un composant à 3 électrodes où le courant entre le Drain et
la source IDS est contrôlé par une tension entre la grille et la source (potentiel de la source =
potentiel du substrat): VGS.
L'intensité du courant circulant entre la source et le drain est généralement contrôlée par la
tension entre la grille et le substrat. Les deux types de base de MOSFET sont le MOSFET à
appauvrissement de canal dits (Déplétion mode) D-MOSFET, et les MOSFET à
enrichissement de canal dits (Enhancement mode) E-MOSFET Dans chaque type de
MOSFET, on peut distinguer le MOSFET canal N (le courant provient du déplacement
d'électrons) et le MOSFET canal P (le courant provient du déplacement de trous). Dans un
MOSFET, le type de canal (N ou P) ne correspond pas nécessairement au type de semi-
conducteur sous la grille.

MOSFET à appauvrissement (ou MOS à restriction) :

En l'absence de tension de grille VGS un courant circule entre le drain et la source, celui-ci
n'est limité que par la résistance ohmique du canal. Si la grille est portée à un potentiel négatif
par rapport à la source (pour les MOSFET canal N), la tension négative repousse les électrons,
il se forme à son voisinage une zone appauvrie en porteurs et les électrons en provenance de
la source sont repoussés lorsqu'ils arrivent à hauteur de cette zone. Plus la tension est négative
et plus la grille exerce une répulsion sur les électrons. On dit que le canal s'appauvri et on
parle alors de MOSFET à appauvrissement.
Pour un MOSFET à canal P, une tension positive appliquée à la grille par rapport à la source
rétrécira le chemin de conduction.
Régime d'appauvrissement:
La grille est portée à un potentiel négatif. Cette polarisation de la grille permet de réduire le
passage des électrons circulant de la source au drain (le canal). Plus la grille est négative. Ce
fonctionnement de MOS est similaire à celui de JFET.

MOSFET Canal-P :
Le transistor MOSFET à canal P doit pointer
vers le côté avec le potentiel le plus élevé,
c'est-à-dire la source (la tête de la flèche doit
être du côté avec le potentiel le plus élevé).
Le transistor MOSFET fonctionne avec une
tension Vgs négative : pour activer le
transistor, la tension Vgs doit être négative.
Plus la tension Vgs est négative, plus le
MOSFET est passant et plus le courant
circulant dans le drain est fort (l'interrupteur
est complètement fermé). Dans le cas inverse
quand la tension Vgs s’approche de zéro, il
devient un interrupteur à circuit ouvert. A
mesure que la tension Vgs augmente, le
courant circulant dans le drain deviendra de
plus en plus faible.
Peut-on alimenter une led qui consomme 10mA sous 2V avec un transistor
MOSFET qui accepte un courant de 14A ?

La réponse est oui, « qui peu le plus peu le moins …», prenons un MOSFET type IRF9530N
et le datasheet de ce composant électronique.
La ligne des abscisses (ligne horizontale) indique un courant min de 100mA, pour une tension
Vgs min de -4,5V. Nous voilà bien embêté puisque le courant absorbé par la led est de
10mA….
Pour de faibles niveaux de la tension VDS, la caractéristique de sortie est linéaire : le
transistor se comporte comme une résistance (R DS on).Sachant que le courant est très
inférieur à 100mA, il suffit de regarder dans le datasheet, si le constructeur précise une
résistance Rds(on), et bien la réponse est oui comme le montre le datasheet ci-dessous.

Remarque : 
Quelque fois dans les catalogues constructeur (Datasheet), nous pouvons trouver pour des
faibles courant Id une courbe qui représente Rds(on) en fonction du courant id.
Pour obtenir la chute de tension de tension Vds, il suffit de faire
Vds=Iled*Rds(on)=0,010*0,2=0,002V, Soit 2mV. En effet avec un courant d’une dizaine de
mA, la chute de tension est vraiment faible . Il en résulte que pour une tension Vgs de -4,5V
et un courant de 10mA, le transistor IRF95030N est 100% passant et sa chute de tension Vds
est nul. Avec le montage ci-dessous, nous pouvons alimenter cette petite led qui consomme
tous juste 10mA, et une tension Vgs =-4,5V.

Fonctionnement :
Les transistors à effet de champ sont utilisés pour contrôler un "grand" courant drain-source
IDS en utilisant la tension de commande grille-source UGS.
Le canal dopé (P ou N) entre le drain et la source est polarisé en inverse à travers la jonction
PN entre la grille et la source et rendu +/-. Il s'agit d'une commande en tension car la grille n'a
pratiquement pas besoin de courant.
Spécifications Types :
Puissance maximale PFET MAX. [W]
Caractéristique de transfert IDS = f (UGS)
Tension Drain - Source maximale UDS MAX. [V]
Courant Drain - Source maximal IDS MAX. [A]
Le courant de grille est pratiquement nul
Technologie :
De nos jours, tous les transistors sont à base de silicium. D'autre part, les mêmes boîtiers
peuvent contenir des transistors ou d'autres composants. Rien ne peut les distinguer.
Le contact mécanique avec le châssis de l'équipement est très important pour le
refroidissement, et doit être réalisé avec soin.

Utilisations :
Petits signaux : Utilisés pour l'amplification en radio et vidéo fréquences. Egalement pour la
commande et commutation.
 Grands signaux : Présents dans les montages finaux (amplis de puissance) et dans les
alimentations en interrupteurs de puissance.
Méthodes de contrôle :
Les J-FET ne supportent pas les ohmmètres à aiguilles. Les MOS-FET ont un caractère
sensible aux décharges électrostatiques.
La mesure des principales caractéristiques tensions - courants est réalisable, mais nécessite un
grand nombre de manipulations.
Conclusion :
La structure du MOSFET Canal-P est similaire à celle d'un FET classique, mais le canal est
très mince. Par contre, la grille est constituée par une métallisation déposée sur une mince
couche de silice (qui est un excellent isolant) d’une épaisseur de 0,1 à 0,2 microns.
Nous retrouvons les mêmes caractéristiques que celles du FET classique pour VGS négative.
Pour VGS < 0, on trouve une caractéristique identique à celle que l'on a rencontrée pour un
effet de champ classique. Cependant, cette fois, la grille étant isolée peut être rendue positive
sans générer de courant de grille. On élargira le canal et, par suite, on augmentera le courant.
La commande pourra donc être positive ou négative. Pour VGS < 0, on aura un pincement du
canal, donc appauvrissement. Pour VGS > 0, on aura élargissement du canal, donc
enrichissement.
Références bibliographiques :
 https://www.epsic.ch/cours/electronique/techn99/elnthcomp/CMPTHFET.html
 https://www.mongosukulu.com/index.php/contenu/genie-electrique4/electronique/710-le
transistor-mosfets
 https://fr.wikibooks.org/wiki/%C3%89lectronique/Les_transistors_
%C3%A0_effet_de_chamc
 https://studylibfr.com/doc/1974697/les-transistor-%C3%A0-effet-de-champs
 https://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor_%C3%A0_effet_de_champ