République Algérienne Démocratique et Populaire

Ministère de l’Enseignement Supérieur

et de la Recherche Scientifique

Université Abou Bakr Belkaïd Tlemcen

Faculté de Technologie

Département de Génie Electrique

Spécialité : électronique
Module : NS471

Diode zener

Présenté par :

BENALI Nardjes

Sous la direction de :

Mme KEDDOURI Nadera

Année universitaire : 2020-2021

Introduction :
La diode fait partie des composants indispensables de l'électronique.
Nous la retrouvons dans toutes les applications mettant en oeuvre :
 une conversion alternative-continue -redresseur, détecteur crête,
etc...-,
 les circuits d'aide à la commutation -C.A.L.C-.
Il existe 2 grandes familles de diodes : les diodes à jonction et les
diodes zéner.
La diode fait partie des dipôles non linéaires, à l'opposé de la résistance, de l'inductance et du
condensateur. Ce dipôle se présente sous la forme d'un cylindre sur lequel la cathode est
symbolisée par un cercle de couleur, ce qui permet de repérer le sens de brochage. La diode
est donc un composant unidirectionnel, ce qui signifie que son comportement sera diffèrent en
fonction de la manière dont il sera inséré dans le circuit. P jonction N Contacts ohmiques
métalliques A Anode K Sens positif du courant Cathode sens direct i u A K Représentation
physique Symbole électrique Schématiquement la jonction pn résulte de la mise en contact de
deux cristaux semi-conducteurs dopés n et p. La continuité du réseau cristallin doit-être
assurée au niveau de la jonction, en pratique il s'agit du même cristal dont on fait varier la
densité de donneurs et d'accepteurs par diverses méthodes : – diffusion ou implantation
ionique d'impuretés, – croissance épitaxiale de couches à dopage différent. Au passage de le
jonction le changement de densité globale d'impuretés Nd-Na se fait suivant une loi qui
dépend de la technologie de fabrication. L'interprétation théorique utilise des modèles simples
variation brutale entre 2 zones à dopage constant, variation linéaire, exponentielle etc...
Lorsque l'on met en contact les 2 zones il apparaît une différence de potentiel appelée tension
de diffusion

Principe :
Une diode est le contact de deux types de semi-conducteurs, l'un de type P et l'autre de type
N. Soumise à une tension inverse, elle conduit un courant inverse très faible, que l'on
considère nul dans la pratique. L'énergie des bandes de valence des atomes dans le matériau de
type P ont souvent un recoupement avec les bandes de conductions du matériau de type N. Si
la jonction P-N d'une diode est fortement dopée, la zone de charge d'espace est très mince et des
électrons peuvent traverser la jonction dans la bande d'énergie commune par l'effet tunnel.
Ainsi, la diode soumise à une tension inverse peut conduire un courant par l'effet tunnel 2. La
tension d'apparition de l'effet tunnel est très faible si le dopage est très grand. Cet effet dépend
du niveau de dopage et de la tension inverse.
D'autre part, lorsque la tension inverse devient suffisamment grande, le champ
électrique interne à la jonction P-N est tel que certaines charges électriques minoritaires très
énergétiques génèrent de nouvelles charges électriques par processus d' ionisation par chocs2. Il
y a augmentation du courant inverse par effet d'avalanche, et destruction de la diode si cet effet
n'est pas limité par dispositif de limitation de courant en série. La diode peut ainsi laisser
passer un courant important en inverse.
Ces deux mécanismes de conduction en tension inverse peuvent coexister pour des valeurs
intermédiaires de tension Uz. Par exemple, la diode silicium de tension Uz de 5,6 volts est
souvent utilisée car l'effet tunnel et le processus d'ionisation par chocs ont une dépendance
contraire avec la température. Ainsi dans ce cas, la tension Uz reste constante à 5,6 V pour une
gamme de température assez étendue, servant ainsi de référence de tension.

De la diode conventionnelle à la diode zener :

Plus fortement dopée que les diodes conventionnelles,
un champ électrique relativement faible devient déjà
suffisamment intense pour que les liaisons de covalence
s'affaiblissent et se rompent. Les porteurs de charges
(des éléments de dopage) ainsi libérés sont assez
nombreux pour que le courant augmente brutalement et
pour que la tension aux bornes de la diode ne varie
pratiquement pas. C’est ce qui est appelé l’effet zener.

Pour d’autres diodes zener, il est possible que sous

l'action du champ électrique interne, les porteurs de charges minoritaires (du silicium) de la
zone isolante acquièrent une énergie telle qu'il puisse y avoir ionisation par choc, et, par effet
d'avalanche, le courant croît extrêmement vite. La tension aux bornes de la diode ne varie
pratiquement pas non plus. C’est ce qui est appelé effet d’avalanche.

La caractéristique tension-courant IZ = f (UZ) d’une diode zener

résume ces phénomènes :

Dans le sens direct :    (positif à l'anode)

La diode zener se comporte comme une diode conventionnelle.

UZ  0,6V et le courant maximum direct dépend du circuit externe à

la diode.

Dans le sens inverse :    (positif à la cathode)

La diode présente une résistance très petite dès que la tension de claquage, ou tension zener,
pour laquelle elle est construite est atteinte.

La diode est dans ce cas en conduction inverse, et il est impératif de limiter le courant par une
résistance en série avec la diode, par exemple.

Dans ce cas, UZ  UZ NOM.

Nous pouvons également établir la valeur de la résistance interne que la diode présente au
circuit. Nous parlons de résistance interne dynamique, qui se calcule selon la formule ci-
dessous et qui est de valeur généralement très petite :
Retenons encore que si la tension inverse redescend en dessous de la valeur zener, la diode se
bloque à nouveau.

Valeurs pratiques des tensions zener

En pratique, pour les diodes dont la tension zener dépasse 10V, seul l'effet d'avalanche est
possible. Ce qui à pour conséquence que la caractéristique de la diode est moins franche (la
pente est plus grande), et le coefficient de température est positif.

Les diodes dont la tension zener est inférieure à 5V ont une jonction très mince et seul l'effet
zener peut avoir lieu, ce qui entraîne que la caractéristique de la diode est très raide et, de
plus, ces diodes ont un coefficient de température négatif.

Entre 5V et 10V, les deux effets peuvent se combiner, et la caractéristique est la plus raide
ainsi que le coefficient de température qui peut être proche de zéro. Ce qui signifie que les
diodes zener prévues pour un fonctionnement inverse compris entre 5V et 10V seront utilisées
pour un fonctionnement très stable.

Selon l'extrait d'un data-book, nous constatons qu'il est possible de rencontrer divers symboles
pour la diode zener. Nous retiendrons pour notre part le symbole normalisé CEI représenté ci-
dessus.

Principales caractéristiques des diodes zener :

La caractéristique essentielle est la tension de zener, mais il existe un
certain nombre de caractéristiques limites qu'il est indispensable de
connaître pour utiliser ces diodes.

 LE COURANT INVERSE MAXIMAL OU COURANT

DE ZENER (lr ou IZ) :
 Le schéma théorique de montage d'une diode zener est donné par la figure 11-2. On voit
que le courant inverse n'est limité que par la résistance équivalente du circuit externe R,. Le
fabricant donne aussi pour chaque type de diode une zone de fonctionnement autorisé (fig.
11-3) dans laquelle on peut admettre un courant inverse transitoire très court. La valeur de
crête des transitoires est beaucoup plus élevée que l'intensité continue admissible en
présence de RS. Fig. 1 – Courbes théoriques et pratiques d’une diode zéner Fig. 2 – Montage
théorique d’une diode 2

 LE COURANT DIRECT MAXIMAL (IFM) :

Il est utile de connaître le courant direct maximal (IFM) dans le cas où la diode est utilisée
dans le sens passant.

 LA TEMPERATURE MAXIMALE DE LA JONCTION (Tj max) :

Comme il s'agit de diodes au silicium, cette température est généralement fixée à 150°C ou
à 175°C. Les diodes de puissance doivent être montées sur un radiateur pour améliorer leur
refroidissement et leur permettre une puissance dissipée plus importante. 2.4. - LA
PUISSANCE TOTALE La puissance totale que peut dissiper la jonction (Pc) se calcule selon la
formule: Pc = TJ max - Tamb / Rth. La résistance thermique totale (Rth) comprend la somme
des résistances thermiques: KJ-fb+ Kfb-r+ Kr-amb exprimées en °C/W et tient compte
évidemment de l'efficacité du radiateur éventuel.

 LA RESISTANCE OU L'IMPEDANCE DYNAMIQUE (rD) :

Ce n'est pas une caractéristique limite dont le dépassement risque de détruire la jonction.
C'est une caractéristique primordiale pour la détermination de l'efficacité du circuit de
régulation. La résistance ou l'impédance dynamique est l'expression de la pente de la
caractéristique inverse ∆V / ∆I. Ce n'est pas une valeur fixe, elle dépend du point de
fonctionnement, donc, du niveau du courant IR. Elle diminue à mesure que le courant
augmente jusqu'à atteindre un palier. Pour un même niveau de courant de zener,
l'impédance dynamique varie d'une diode à l'autre en fonction de la tension de zener. Elle
part d'un niveau élevé à tension basse (3,3 V), diminue rapidement, passe par une valeur
minimale entre 6 et 9 V et remonte ensuite rapidement. Donc, pour une tension donnée, la
résistance dynamique diminue à courant croissant jusqu'à une certaine valeur. A un niveau
de courant donné, il existe une tension pour laquelle la valeur de la résistance dynamique
devient minimale. Le facteur de régulation F est le quotient de la variation relative du
courant par la variation relative de la tension. rD R V/ I V I/ F = ∆ ∆ = R = V / I est la résistance
qu'il faut disposer en série avec la batterie équivalente pour représenter la caractéristique
inverse de la diode; rD est la résistance dynamique. On peut avoir des valeurs de F atteignant
1000. On se contente d'un facteur 100 pour de larges variations.

 LE COEFFICIENT DE TEMPERATURE :

La tension de zener est un phénomène physique stable. Cependant cette tension est
donnée à un niveau de courant précis et dépend de ce niveau. Elle augmente lorsque le
courant de zener augmente. La tension de zener varie également en fonction de la
température, cette variation peut être positive ou négative. La tension de zener décroît
lorsque la température augmente pour les diodes de tensions inférieures à 5 V. Elle croît, au
contraire, pour les diodes de tensions supérieures à 7 V. Entre 5 et 7 V, on trouve des diodes
présentant un coefficient de température nul ou très faible. Le coefficient de température ou
coefficient de variation de tension de zener en fonction de la température est donné, soit en
pourcentage de la tension de zener par degré celsius, soit encore en mV / °C. Pour
compenser les diodes zener à coefficient de température positif, on peut disposer en série
une diode à jonction au silicium ordinaire qui possède un coefficient négatif.

 LE BRUIT DES DIODES ZENER :

Il est provoqué par de faibles, mais brusques variations de la tension de zener. Cet effet est
dû probablement à des microplasmas ou à des imperfections de la jonction. En principe, le
bruit maximal se situe au voisinage du coude de la caractéristique dans la région de zener. Il
est en moyenne de 4 µV. Il est dans tous les cas inférieur à 10 µV.

 LA CAPACITE DES DIODES ZENER :

Comme toutes les jonctions, les diodes zener ont une capacité propre qui dépend de la
tension inverse, donc de l'épaisseur de la zone désertée. Certains types présentent jusqu'à
800 pF pour 2 V inverses (fig. 3). La capacité, pour un certain type de diode et pour une
même tension inverse, diminue lorsque la tension zener augmente. Outre cette capacité
propre, les diodes zener ont généralement une faible capacité parasite (inférieure à 10 pF)
due aux connexions. On peut utiliser les diodes zener comme diodes à capacité variable. On
choisit les diodes dont la tension de zener se situe vers 7 V, en raison de leur faible
impédance dynamique relative.

Ce dernier point nous amène à considérer la diode zener selon la même technique
d'approximation utilisée pour les diodes conventionnelles:

Diode zener idéale:

La diode zener est à considérer comme un générateur de tension fixe, à la valeur zener
nominale, avec une résistance interne nulle.
Deuxième approximation:

La diode zener est considérée comme stabilisatrice de tension, mais avec une très légère
variation de tension à ces bornes.

Sa résistance interne n'étant plus tout à fait nulle, la tension (inverse) aux bornes de la diode
varie légèrement.

Plus le courant qui la traverse est grand, plus la tension (inverse) à ses bornes augmente très
légèrement.

En technique de dépannage, il peut être suffisant de considérer la diode zener dans un circuit
comme une diode zener idéale.

Par contre, dans la conception et le calcul de circuits électroniques, il est souvent nécessaire
de prendre en compte la valeur de la résistance interne RIZ .

Utilisation :
On l'utilise comme référence de tension dans les alimentations stabilisées par exemple. Elle
permet également la protection en surtension, toutefois la diode Transil lui est largement
supérieure en puissance absorbable.
Les diodes Zener sont fréquemment utilisées pour réguler la tension dans un circuit.
Lorsqu'on la connecte en inverse en parallèle avec une source de tension variable, une diode
Zener devient conductrice lorsque la tension atteint la tension d'avalanche de la diode. Elle
maintient ensuite la tension à cette valeur.
Dans ce circuit, la résistance R est responsable de la chute de tension entre UIN et UOUT. La
valeur de R doit satisfaire deux conditions :

1. R doit être suffisamment petite pour que le courant qui passe dans D la maintienne en
mode d'avalanche. La valeur de ce courant est donnée dans la data sheet de D. Par
exemple, la diode Zener classique BZX79C5V63 (5,6 V / 0,5 W) possède un courant
inverse recommandé de 5 mA. Si le courant qui traverse D n'est pas suffisant,
alors UOUT n'est pas régulé, et vaut moins que la tension d'avalanche (ce comportement
est différent de celui des tubes régulateurs de tension pour lesquels la tension de sortie
serait supérieure à la tension nominale, et pourrait atteindre UIN). Lors du calcul de R, on
doit tenir compte du courant qui circule dans la charge externe connectée sur UOUT (qui
ne figure pas dans ce diagramme).
2. R doit être assez grande pour que le courant qui traverse D ne la détruise pas.
Une diode Zener est un régulateur shunt (shunt désigne la connexion en parallèle). En effet,
une partie du courant qui traverse la résistance est déviée dans la diode Zener, et le reste
traverse la charge. Ainsi on contrôle la tension que voit la charge en faisant passer une partie
du courant issu de la source dans la diode au lieu de la charge.

Les diodes zener sont utilisées principalement pour leur propriété de maintenir une tension
constante à leurs bornes :

Les circuits de stabilisation de tension ou "régulateur zener"

Ces circuits permettent d'obtenir une tension de sortie constante malgré une variation de la
consommation ou de la tension d'entrée.

Les circuits générateurs de tension de référence

Ces circuits permettent d'obtenir, à un endroit précis, une tension qui ne change pas et qui
devient une tension de référence, car elle reste fixe malgré une variation de plusieurs
phénomènes comme la température, la consommation de courant, ...

A4.6 Effet Zener, une jonction fortement dopée Nous savons qu'une jonction P-N ne laisse
passer le courant que dans un seul sens, en polarisation directe. Par contre, en polarisation
inverse, il ne circule pratiquement aucun courant tant que la tension inverse ne dépasse pas
une valeur limite, limite appelée tension de claquage UINV MAX. La tension inverse donne
naissance à un champ électrique à l’intérieur de la plaquette de silicium, et plus précisément
dans la zone isolante de la jonction. La quantité faible des éléments de dopage fait que la
jonction PN d’une diode conventionnelle supporte des champs électriques intenses
correspondants à des tensions inverses allant de plusieurs centaines de volts à plusieurs
milliers de volts. Si cette tension UINV MAX est dépassée, l’emballement thermique détruit
la diode dans la plupart des cas. C'est ce qui est appelé la zone de claquage. Par contre, les
diodes Zener ont été spécialement conçues et fabriquées de manière à pouvoir être utilisée
en polarisation inverse, dans la zone de claquage, notamment en modifiant les dimensions
de la jonction et surtout la quantité de dopage des zones P et N.

Plus fortement dopée que les diodes conventionnelles, un champ électrique relativement
faible devient déjà suffisamment intense pour que les liaisons de covalence s'affaiblissent et
se rompent. Les porteurs de charges (des éléments de dopage) ainsi libérés sont assez
nombreux pour que le courant augmente brutalement et pour que la tension aux bornes de
la diode ne varie pratiquement plus. C’est ce qui est appelé l’effet Zener. Pour d’autres
diodes Zener, il est possible que sous l'action du champ électrique interne, les porteurs de
charges minoritaires (du silicium) de la zone isolante acquièrent une énergie telle qu'il puisse
y avoir ionisation par choc, et, par effet d'avalanche, le courant croît extrêmement vite et la
tension aux bornes de la diode ne varie pratiquement plus. C’est ce qui est appelé effet
d’avalanche

En pratique, pour les diodes dont la tension zener dépasse 10V, seul l'effet d'avalanche est
possible. Ce qui à pour conséquence que la caractéristique de la diode est moins franche (la
pente est plus grande), et le coefficient de température est positif. Les diodes dont la tension
Zener est inférieure à 5V ont une jonction très mince et seul l'effet Zener peut avoir lieu, ce
qui entraîne que la caractéristique de la diode est très raide et, de plus, ces diodes ont un
coefficient de température négatif. Entre 5V et 10V, les deux effets peuvent se combiner, et
la caractéristique est la plus raide ainsi que le coefficient de température qui peut être
proche de zéro. Ce qui signifie que les diodes Zener prévues pour un fonctionnement inverse
compris entre 5V et 10V seront utilisées pour un fonctionnement très stable.

Conclusion :
Les applications des diodes zener sont très nombreuses; elles se rapportent aux grandes
catégories suivantes:
- Effet de régulation; - Tension constante servant de référence; - Effet de seuil et écrêtage; -
Capacité de la jonction. 3.1. - EFFET DE REGULATION Un des plus importants est la
réalisation d'alimentations stabilisées. Le schéma le plus simple est donné sur la figure 4.
Lorsque la tension aux bornes d'entrée croît et dépasse la tension de zener, le courant dans
la diode augmente, mais la tension de sortie reste constante et de la valeur de la tension de
zener de la diode choisie. Si la résistance en série est faible, le courant dans la diode devient
rapidement important et nécessite l'emploi d'une diode de puissance coûteuse montée sur
un radiateur, c'est pourquoi ce schéma est peu employé. La diode zener remplace le second
condensateur de filtre. Soit (fig. 4) une diode zener de 6,2 V, alimentée par une source de 9
V et de 0,6 Ω de résistance interne, à travers une résistance série de 10 Ω. On obtient en
sortie une tension de 6,2 V, entre 0 et 200 mA. Le facteur de stabilisation est de 50/1. Le
ronflement et l'ondulation de la source sont atténués dans ces mêmes proportions. La diode
filtre mieux la sortie qu'un condensateur de 1000 µF. 3.2. - EFFET DE SEUIL, ECRETEUR On
utilise les diodes zener dans un grand nombre de montages tels que: - Limiteurs de
«volume» à la sortie des amplificateurs basse fréquence, en particulier dans les émetteurs; -
Protection des appareils de mesure à cadre; - Appareils de mesure à échelle dilatée; -
Temporisateurs et relais à seuil de tension; - Relais à minimum et à maximum, disjoncteurs; -
Temporisateurs de relais; - Ecrêteurs pour protéger les éléments de montage contre les
surtensions. En utilisant deux diodes montées têtebêche, on peut réaliser un écrêteur à
double alternance; - Enfin, on peut protéger un transistor contre les surtensions transitoires
au moyen d'une diode zéner montée en parallèle sur le transistor.

Références bibliographiques
 SMAJ530 & SMAJ550 datasheet, Vishay 
 « Les diodes Zener » [archive], Les composantes électroniques, sur Technique
électronique, 2000 
 BZX79C5V6 data sheet, Fairchild Semiconductor 
 http://www.est-usmba.ac.ma/benbrahim/ENSA/TP/TP-diode.pdf
 https://f2school.com/wp-content/uploads/2020/01/diode3.pdf