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Année scolaire

LYCEE MANGIN Le transistor bipolaire


BTSSE 1

Qu’est ce qu’un transistor bipolaire ?


C’est une source de courant commandée en courant.
Un transistor sert à amplifier le courant, dans ce cas il fonctionne en régime linéaire.
Un transistor peut être utilisé comme un interrupteur commandé, on dit alors qu’il fonctionne en
commutation.
Il existe en composant discret, ou intégré dans des CI.

On distingue deux types de transistors bipolaire :


- Transistor bipolaire NPN
- Transistor bipolaire PNP

Conventions :
C C
iC iC
iB iB
B NPN vCE B PNP vEC

vBE vEB
E E

Réseau de caractéristiques et polarisation :


Le fonctionnement du transistor se résume à l’aide de son réseau de caractéristiques : (pour un NPN)
- La caractéristique d’entrée : iB = f(vBE)
- La caractéristique de transfert : iC = f (iB) à vCE constante
- La caractéristique de sortie : vCE = f (iC) à iB constant

(vEC pour le PNP)

vBE (vEB pour le PNP)

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Schéma équivalent pour les petites variations autour du point de repos.

C C
B

B rbe 1 VCE
VBE βib h22
en petits signaux
E v
souvent négligé
E

Schéma équivalent en haute fréquence, modèle de GIACOLLETTO

B' C
C
B

B 1
VBE Cbc h22 VCE
Cbe
en petits signaux v
E haute fréquence E
βi b E

Fonctionnement :
Si IB = 0A, le transistor est bloqué.
Si IB > Ibsat , le transistor est saturé (passant),VCE = VCEsat =0.4V
Si le transistor est en régime linéaire, IB< Ibsat et on a : IC = β IB

Applications
En amplification aussi bien en petits signaux (emmetteurs communs en classe A) qu’en amplification de
puissance (étages push pull en classe B).
En commutation.

Avantage et inconvéniens :
Résistance d’entrée relativement faible.
Peuvent fonctionner à des fréquences très élevées.
Durée de vie importante.

Paramètres d’un transistor bipolaire


VCEMax : Tension collecteur-émetteur maxi, ou tension de claquage. Au delà de cette tension, le courant de
collecteur IC croît très rapidement s'il n'est pas limité à l'extérieur du transistor.
ICMax : Courant de collecteur maxi. A partir de cette valeur, le gain en courant va fortement chuter et le
transistor risque d'être détruit.
hFE (ß) : Gain en courant (paramètre essentiel en amplification).
PTotMax : Puissance maxi que le transistor pourra dissiper, donnée par la formule: VCE x Ic. Attention, un
transistor, ça chauffe!
VCESat : Tension de saturation (utile en commutation).

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Le transistor en amplification :

Récapitulatif (pour un NPN):

Etat Bloqué Régime linéaire Passant ou saturé


ou amplification

Ib Ib = 0 Ib < Ibsat = ICSAT Ib ≥ Ibsat = ICSAT


β β
e
n
t
r Vbe Vbe ≤ 0 Vbe = 0.6 V Vbe = Vbesat = 0.8 V
é
e Tension de Tension de seuil d’une Pour un transistor au
s claquage inverse diode conductrice silicium

IC IC = 0 IC = β Ib IC < β Ib
(qq nA en réalité)
Ne pas dépasser le Ne pas dépasser le
s courant ICmax courant ICmax
o
r Vce Vce > 0 0 < Vce < Vcc Vce = Vcesat = 0.2 V
t
i Vce est imposé par le Vce est imposé par la (transistor au silicium)
e
s
reste du montage. résistance du collecteur,
le courant Ib et le β du C interrupteur
C
Ne pas transistor. quasi fermé
dépasser Vcemax
E E

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