Dédicace
Aucune dédicace ne pourrait assez exprimer ma gratitude et mon profond respect pour toutes les
personnes qui m’ont entouré. Avec grande joie, je dédie ce modeste travail :
A ceux qui ont vécu avec moi tout ce temps instant par instant ;
A nos généreux formateurs qui n’ont pas ménagé aucun effort à notre compte ;
réalisation de ce travail.
Remerciements
Ce travail n’est jamais une œuvre individuelle, il est le fruit de nombreuses expériences,
rencontres et collaborations. Avant tous, je remercie ALLAH le tout puissant de m’avoir
donné le courage et la patience pour réaliser ce travail malgré toutes les difficultés
rencontrées. Aussi, je voudrais exprimer toute ma gratitude à l’ensemble des personnes
qui ont participé de près ou de loin à ce travail, qui ont croisé ma route, en m’accordant
le temps, l'écoute, les conseils, l’expérience et parfois le réconfort, qui m’auront permis
à leur manière de progresser, avancer, mûrir, apprendre et à mieux me découvrir.
Mes remerciements vont aussi à tous mes professeurs, enseignants et à tous les membres
du corps professoral du département de Physique de la Faculté des Sciences et Techniques
de Beni Mellal : Mr M. MABROUKI responsable de la filière I.E.TEL, Mr L. OUFNI
chef du département Physique et tous les professeurs de notre licence
Mr E. AGOURIANE, Mr A. LARACH, Mr A. SALHI, Mr O. ABOULALA et Mr A.
LIBA ; d’ailleurs tous les professeurs du DEUST Génie électrique-Génie mécanique.
Vous pouvez avoir le sentiment du devoir accompli envers moi. Vous avez une fois de
plus réussi à faire d’un simple bachelier, un électronicien professionnel.
Votre compétence, votre abnégation dans l’enseignement et votre détermination de
promouvoir l’excellence de vos étudiants restera à jamais dans nos mémoires.
Je ne manquerais pas non plus de remercier les honorables membres du jury d’avoir
accepté d’évaluer cette soutenance, et de me faire part de leurs remarques surement
pertinentes qui contribueront, sans nul doute, au perfectionnement du présent travail.
Merci également à tous les membres de ma famille dans son intégralité, à mes amis et à
toutes les personnes qui me sont chères.
Table de matière
Dedicace .................................................................................................................................2
Remerciements .......................................................................................................................3
Table de matière .....................................................................................................................4
Symboles et abreviations ........................................................................................................6
Chapitre 1 ...............................................................................................................................9
Introduction .....................................................................................................................10
I. La conversion statique d’énergie électrique .................................................................10
I.1. Définition ...............................................................................................................10
I.2. Les convertisseurs statiques d’énergie electrique..................................................11
I.3. Les Redresseurs - Rectifiers ..................................................................................12
Redressement monophasé non commandé............................................................ 13
Redressement monophasé commandé................................................................... 13
I.4. Les Hacheurs - Choppers.......................................................................................14
I.5. Les Onduleurs – Inverter .......................................................................................15
Exemple d’un onduleur à commande : Modulation de Largeur D'impulsion ....... 16
I.6. Les Gradateurs - Dimmers.....................................................................................17
II. La notion de réversibilité..........................................................................................19
Réversibilité des convertisseurs............................................................................19
Réversibilité des sources ......................................................................................19
III. Les Composants constituant les convertisseurs .......................................................20
Diodes .........................................................................................................................22
Transistors Bipolaire (BJT) ........................................................................................23
Thyristors à extinction par la gâchette (GTO) ...........................................................24
Transistors a effet de champs (Mosfet).......................................................................25
Transistors Bipolaires A Grille Isolée (IGBT) ...........................................................25
Thyristor commandé par Mos (MCT) ........................................................................26
Critères de choix des composants de puissance .........................................................27
Protections des composants semi-conducteurs ...........................................................28
Protection contre les surintensités ........................................................................ 28
Protection contre dV/dt et d𝑖/dt ............................................................................ 28
Protection thermique ............................................................................................ 28
Chapitre 2 .............................................................................................................................29
Introduction .....................................................................................................................30
I. Structure du gradateur monophasé .............................................................................31
II. Thyristor (SCR) .........................................................................................................31
II.1. Constitution du thyristor ....................................................................................32
II.2. Schéma electrique equivalent simplifié ..............................................................32
Chapitre 3 .............................................................................................................................46
Introduction .....................................................................................................................47
I. Présentation des logiciels relatives a la partie 1 .......................................................47
I.1. Présentation Matlab ...............................................................................................47
I.2. Présentation de Simulink ..................................................................................48
I.3. Présentation de Simscape ..................................................................................48
II. Conception et simulation des gradateurs par Simulink ............................................48
II.1. Simulation d’un gradateur monophasé a angle de phase ..................................49
II.2. Simulation d’un gradateur monophasé a train d’ondes .....................................55
III. Conception et simulation de gradateur par proteus ..................................................56
II.1. Présentation du logiciel Proteus .......................................................................56
III.2 Cahier des charges ...........................................................................................56
III.3. Conception de la partie de puissance ................................................................57
III.4. Conception de la partie de commande ............................................................58
IV. Conception du gradateur a angle de phase .............................................................62
Calcul théorique ...................................................................................................63
Tests de simulations .............................................................................................64
Débit sur charge inductive ...................................................................................64
Schéma electrique du montage sur la platine d’essais .........................................64
Conception du modèle imprimé (ARES - PCB Layout) .....................................65
V. Conception du gradateur a train d’ondes .................................................................66
Tests du circuit .....................................................................................................68
Optimisation du circuit ........................................................................................69
Principe et fonctionnement ...................................................................................70
Conception du modèle imprimé (ARES - PCB Layout) .....................................71
Conclusion ...........................................................................................................................71
Conclusion generale .............................................................................................................72
References bibliographiques ................................................................................................73
Symboles et abréviations
Abréviations/Symboles Notions
AC Courant alternatif
DC Courant continue
D Diode
A Anode
K Cathode
VAK ou 𝑖AK respectivement la tension aux bornes du
XAk
s.c et le courant y traversant
F=cos φ Le facteur de puissance
Th Thyristor
R Résistance
L Inductance
G Gâchette du thyristor
Ve Tension d’entrée
Vs Tension de sortie
Vm La valeur maximale de la tension
V 2 , Veff ou VRMS La valeur efficace
<V> ou Vmoy La valeur moyenne
𝑖G Courant de la gâchette du thyristor ou du triac
𝑖L Courant traversant l’inductance
VL Tension aux bornes de l’inductance
T La Période
Introduction Générale
Quelle merveilleuse invention que celle de l'énergie électrique !
Qui saurait, pourrait s'en passer aujourd'hui ? Elle est là, omniprésente dans notre vie,
presque dans chacun de nos actes, presque dans toute situation. Pour beaucoup, cela se résume
à une prise, un dispositif de commande, la répartir, la distribuer, l'amener jusqu'au récepteur le
plus éloigné dans des conditions économiques optimales, en respectant les contraintes exigées
par la sécurité, et en satisfaisant des exigences de disponibilité, de fiabilité et de qualité.
Pour se faire, le développement des composants électroniques capables de tenir des courants et
des tensions de plus en plus élevés, ne cesse de s’accélérer.
Une nouvelle façon de gérer l’énergie électrique, s’est développée depuis cinquante ans. On la
dénomme « Electronique de puissance ».
Des applications liées à ce domaine sont dues au développement des thyristors et des transistors
spécifiques, dits « transistors de puissance » dans les années 1970.
Grâce aux progrès d’innovation sur ces composants et sur leur mise en œuvre, l’électronique
de puissance a pris une importance considérable dans tout le domaine de l’électricité
industrielle. La recherche dans ce domaine, considère plusieurs aspects, notamment les
topologies des convertisseurs, les structures et les performances des interrupteurs de puissance
et ainsi que les techniques de commande.
D’autre part, l’évolution de l’électronique de puissance et l’apparition des circuits intégrés, ont
permis d’élaborer des systèmes de commande, en vue de contrôler leurs puissances et
permettant ainsi d’avoir des performances répondant au mieux aux besoins industriels. Les
signaux de commande, générés moyennant des circuits intégrés ou des montages à base
d’amplificateurs opérationnels, pour piloter les convertisseurs statiques.
C’est dans ce cadre que se situe mon projet de fin d’études intitulé « Étude de la commande
d’un gradateur monophasé ». Ce projet a pour objectif de de mettre en œuvre les compétences
acquises durant ces trois années, pour la conception et la simulation d’un système de commande
d’un convertisseur AC-AC appelé gradateur, pour non seulement effectuer des travaux
pratiques, mais également afin de piloter les différents dispositifs disponibles autour de nous
tels que les variateurs de la luminosité d’une lampe ou de la vitesse pour un moteur à courant
alternatif.
Ce travail est une description complète des différentes tâches accomplies durant la période de
ce projet de fin d’études. Ces activités de recherches couvrent les problématiques principales de
la conversion d’énergie électrique et reposent sur la combinaison d’approches théoriques et
expérimentales autour de la notion de puissance. Dans ce mémoire, je décris les principales
parties de ce travail, en divisant ce mémoire en trois parties :
- Le premier chapitre et consacré à une présentation générale des convertisseurs statiques et leurs
principes de fonctionnements.
On finit ce rapport par une conclusion générale récapitulative des différentes phases de ce
travail, signalant les côtés bénéfiques du projet et énonçant les perspectives du travail
élaboré.
Chapitre 1
• Redresseurs
• Hacheurs
• Onduleurs
• Gradateurs monophasés
• Réversibilité
Introduction
Source de
Circuit de puissance Récepteur
puissance
I.1. Définition
1
T T
• Source de tension continue caractérisée par sa valeur moyenne Vmoy = V (t )dt =V .
a. Le gradateur.
b. Le Cycloconvertisseur.
Cycloconvertisseur
Cycloconvertisseur
Pratiquement, on rencontre les redresseurs dans les variateurs de vitesse pour moteurs à courant
continu, dans les chargeurs de batteries, les postes de soudure ou encore comme étage d’entrée
d’un onduleur autonome…etc. Les redresseurs peuvent être classés en deux grandes familles :
• Les redresseurs non commandés, qui sont à base de diodes. Ils fournissent une tension
redressée à valeur moyenne constante.
• Les redresseurs commandés, qui sont à base de thyristors et diodes. Ils délivrent une tension
redressée à valeur moyenne ajustable.
Un redresseur non commandé, ne comporte que des diodes, c’est un convertisseur qui, à
partir d'une source de tension alternative alimente une charge sous une tension unidirectionnelle
de valeur moyenne constante :
4 3
Figure I.4 : Redressement monophasé double alternance en pont de Graetz – Charge résistive
Lorsque la tension Ve est positive (entre 0 et π ), les diodes D1 (potentiel d’anode le plus élevé)
et D3 (potentiel de cathode le plus bas) conduisent, alors la tension de sortie sera Vs=Ve .
A l’inverse, durant l’autre demi période (entre π et 2π) la tension d’entrée e est négative), les
diodes D2 et D4 conduisent, alors Vs = -Ve Les valeurs Vsmoy et Vseff valent :
2Vm Vm
Vsmoy = ;Vseff =
2
❖ Redressement monophasé commandé
Figure I.5 : Redressement commandé double alternance pour une charge inductive
Nous allons voir dans les parties prochaines que le thyristor est caractérisé par un courant de
gâchette. Cette caractéristique est mise à profit pour faire varier les grandeurs électriques de
sortie et ainsi régler les valeurs moyennes de la tension aux bornes de la charge et du courant la
traversant. En effet, on utilise des commandes électroniques introduisant un retard à l'amorçage
du thyristor. Cette capacité à faire varier les valeurs des grandeurs de sortie a donné le
qualificatif « commandé » à ce type de redresseur. On note Ψ l’angle d’amorçage,
Il correspond à un temps de retard à l’amorçage de référence d’un thyristor.
La valeur moyenne et la valeur efficace récupérées sont :
Vm Vm sin 2
Vsmoy = (1 + cos ) Vseff = 1− +
2 2
Elles sont maximales pour Ψ = 0°.
Parmi les convertisseurs DC-DC les plus populaires, on trouve le hacheur élévateur (BOOST),
dans lequel la tension de sortie Vs est supérieur à la tension d’entrée Ve. On trouve également
le hacheur abaisseur (BUCK) dans lequel la tension de sortie est inférieur à la tension d’entrée.
Le tableau ci-dessous représente quelques caractéristiques des différents types des hacheurs
Les onduleurs sont des dispositifs de l’électronique de puissance, qui assure la conversion
continue-alternative. On distingue les onduleurs de tension et les onduleurs de courant en
fonction de la source continue mais ce sont les onduleurs de tension qui sont les plus répandus
dans les systèmes industriels et dans toutes les gammes de puissance.
Le principe de base consiste à connecter, alternativement dans un sens puis dans l’autre, cette
source continue à une charge de manière à lui imposer une alimentation alternative.
Dans la pratique, ce type de convertisseur est aussi très utilisé, on trouve par exemple :
Un gradateur est un convertisseur qui fait la conversion CA-CA à fréquence fixe. Le rôle
de ce convertisseur est d’appliquer aux bornes du récepteur une tension alternative à
amplitude variable, à partir d’un courant alternatif sinusoïdal (source BTDM par exemple).
Par conséquent, un gradateur commande le niveau de la tension efficace aux bornes de la
charge. Parmi les principales applications de montage on trouve :
- Le chauffage industriel.
- L’éclairage (variation de la luminosité).
- Commande de vitesse pour moteur à induction (pompe, ventilateur)
La structure de base repose sur un interrupteur électronique capable de conduire dans les
deux sens à l'état passant et de supporter une tension également dans les deux sens à l'état
bloqué.
Interrupteur
Comme on a décrit précédemment on va focaliser notre étude sur ce type de convertisseur dans
le 2éme chapitre.
Th1
Th2
La détermination des réversibilités des sources d’entrée et de sortie est fondamentale, car elle
permet de déduire les caractéristiques des interrupteurs. On emploie le terme de réversibilité
pour qualifier l'aptitude de ces éléments à accepter une tension ou un courant positif ou négatif.
- Une source est dite réversible en tension si la tension à ses bornes peut changer le signe.
- Une source est dite réversible en courant si le courant qui la traverse peut s’inverser.
Par exemple, une batterie est un élément tension non réversible en tension mais réversible en
courant : la tension à ses bornes ne peut pas changer de sens, alors que le courant qui la traverse
peut changer de sens. L'induit d'une machine à courant continu est un dipôle inductif (c'est donc
un élément courant), il est réversible en tension et en courant.
L’électronique de puissance utilise des composants semi-conducteurs pour réaliser les fonctions
de commutation (interrupteurs fonctionnent par tous ou rien), chargées d’adapter les tensions
et les courants à partir d’un réseau de distribution, pour satisfaire les besoins de la charge à
alimenter. La performance recherchée dans l'élaboration du convertisseur est le rendement.
Le rendement maximum n’est obtenu qu’en utilisant des composants pas ou peu dissipatifs,
c’est-à-dire absorbant une puissance minimale (idéalement nulle).
1
T T
PCom = vCom (t ).iCom (t )dt
Cette puissance moyenne dissipée doit être nulle, pour qu’il ne présente aucune perte.
La 1ere classe comporte les interrupteurs électroniques. Pour une puissance nulle à chaque
instant, la tension VCom ou le courant 𝑖Com doit être nul. Le dipôle associé est l’interrupteur
parfait. En effet, un interrupteur parfait. ne dissipe aucune énergie (perte nulle) .
En pratique, les interrupteurs seront réalisés à partir de semi-conducteurs fonctionnant en
commutation. En électronique de puissance, ce sont les diodes, les thyristors, les triacs, les
GTOs et les transistors (bipolaires, MOS, IGBTs, etc.). Ils fonctionnent exclusivement en
régime de commutation.
Dans cette classe des composants, il faut que le produit u(t).i(t) soit tantôt positif (énergie
emmagasinée), tantôt négatif (énergie restituée), en respectant la condition de PCom = 0 .
Les composants qui répondent à cette définition sont les composants réactifs tels que les
inductances et les condensateurs (Figure 16). Cette notion de puissance dissipée nulle peut être
extrapolée aux multipôles. Le transformateur parfait répond à ce critère et peut donc être utilisé
dans un convertisseur statique.
Dans cette partie, on va décrire les principales caractéristiques des composants de la 1ere classe.
En restant au niveau des généralités, on peut classer les semi-conducteurs de puissance actuels
selon trois groupes :
La catégorie des interrupteurs commandables inclut plusieurs types, parmi lesquels on cite :
❖ Diodes
Les diodes sont des dipôles non commandables (ni à la fermeture, ni à l’ouverture)
unidirectionnel, c'est à dire que le courant ne peut passer que dans un seul sens. La figure I.17
décrit le symbole de la diode et sa caractéristique statique :
Vd IM vd = v0 + rd .i
𝑖
V0 Vd
P ZCE N
Im
Fig. I.17 : Structure, symbole, caractéristiques réelle et idéale d’une diode à jonction PN.
Lorsque la diode est polarisée en direct, elle commence à conduire à partir d’une faible tension
de seuil Vseuil directe de l'ordre de 0.7V. Lorsque la diode est polarisée en inverse, seul un
faible courant de fuite négligeable (quelques mA) circule jusqu'à atteindre la tension
d'avalanche. En fonctionnement normal, la tension inverse ne doit pas atteindre la tension
d'avalanche. La figure ci-dessous décrit les différentes diodes de puissance existantes.
NTE5817 NTE5817
Anode
Dans l’électronique de puissance, on peut considérer la diode comme un interrupteur idéal car
la transition on et off s'effectue rapidement vis à vis des phénomènes transitoires relatifs aux
circuits de puissance. Elle est passante lorsque la tension Vd est positive et elle se bloque lorsque
son courant 𝑖d s’annule.
Avant tout dimensionnement en vue de choisir ce type des composants, on se base sur les
valeurs extrêmes de ces grandeurs :
- la tension inverse de VAK à l’état bloqué ;
- le courant moyen de 𝑖AK (<𝑖AK >) à l’état passant ;
Et par raison de sécurité, on applique un coefficient (de 1,2 à 2) à ces grandeurs.
Parmi les deux types, NPN et PNP, le transistor de puissance existe essentiellement dans la
troisième catégorie. Le transistor est un composant totalement commandé : à la fermeture et à
l’ouverture. La mise en conduction et le blocage sont commandés par l'intermédiaire du courant
de base. Il n’est pas réversible en courant, ne laissant passer que des courants de collecteur ic
positifs. Il n’est pas réversible en tension, n’acceptant que des tensions VCE positives lorsqu’il
est bloqué. On utilise essentiellement des transistors NPN.
Le transistor est à l'état on (état saturé) lorsque le courant de base est suffisamment fort.
Le transistor impose une tension VCE nulle tandis que le courant 𝑖c atteint une valeur limite dite
de saturation, 𝑖Csat. L’équivalent d’un interrupteur fermé.
Lorsque Ib est nul, le courant d'émetteur reste nul et la tension VCE s’égalise à la tension de la
source. L’équivalent d’un interrupteur ouvert. La structure d’un BJT NPN, son symbole et sa
caractéristique statique sont donné dans la figure I.19
Pour choix d’un transistor, on établit les chronogrammes de fonctionnement (VCE et 𝑖C), on
calcule les valeurs extrêmes :
• la tension VCE (à l’état bloqué) ;
• le courant max 𝑖C (à l’état saturé)
Le thyristor GTO est une évolution du thyristor classique puisqu'il peut être commandé à
l’ouverture, il s'amorce par la gâchette (avec VGK> 0) comme un thyristor ordinaire, un petit
courant de grille positif déclenche le GTO en mode de conduction, une fois la conduction
amorcée, elle se maintient, et également par une impulsion négative sur la gâchette, il peut être
bloqué. On applique donc une tension négative sur la gâchette (VGK<0) pour détourner le
courant. Cela consiste à détourner la quasi-totalité du courant d'anode dans la gâchette.
L'opération doit avoir une durée minimale pour assurer un blocage fiable. Le symbole du GTO
et ses caractéristiques statiques réelle et idéale sont décrites dans la figure suivante :
Ces thyristors à déclenchement de grille sont utilisés pour les commutations des fortes
puissances dans un certain nombre de domaines avec des tensions de 2500V, 4500V et 6000V
et des courants de centaines d’ampères, en particulier dans des variateurs à vitesse variable, des
onduleurs de puissance élevée et des zones similaires.
VGS
Le transistor bipolaire à grille isolée est l’association des deux transistors MOSFET et le BJT,
Le transistor bipolaire assure une chute de tension à l’état passant (VCE) plus faible que le MOS,
ainsi son pouvoir de commuter de forts courants. Par contre, c’est le MOS qui est plus
avantageux en raison de sa commande en tension, et ses fréquences de travail plus élevées.
Un transistor hybride, commande MOS en tension et circuit de puissance bipolaire, permet de
meilleures performances : c’est le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
C'est un thyristor basé sur un double MOSFET. Cette structure permet d'associer les avantages
du transistor MOS (faible puissance de commande) et ceux du thyristor .
Le MCT est similaire en fonctionnement avec le thyristor GTO, mais il a une porte isolée
commandée en tension. Il a deux MOSFET dans son circuit équivalent. L'un est responsable de
l’amorçage et l'autre est responsable de blocage.
Une tension positive sur sa gâchette par rapport à la cathode fait tourner le thyristor à l'état
activé, une tension négative sur sa gâchette par rapport à l'anode transforme le thyristor à l'état
bloqué. La figure suivante représente le symbole du MCT et ses caractéristiques :
Anode 𝑖
PNP
N-MOS
Cathode
Une tension de grille positive (par rapport à la cathode) active la partie supérieure (MOSFET
canal N), permettant le courant de base de traverser le transistor supérieur (PNP), la paire de
transistors se verrouille et se met dans un état "passant", Cependant, si une tension négative est
appliquée sur sa gâchette (par rapport à l'anode, la même tension que la cathode à l'état
verrouillé), le MOSFET en bas s'allumera et lie entre la base du transistor inférieur (NPN) et
son émetteur lui forçant de couper. Une fois le transistor NPN est coupé, le transistor PNP
tombera aussi hors de conduction et le thyristor entier s'éteindra.
Si une tension nulle est appliquée sur la gâchette, aucun MOSFET ne s'allumera.
Par conséquent, la paire de transistors bipolaires restera dans le dernier état dans lequel elle se
trouvait, c'est le même rôle qu'un thyristor.
Le MCT admet des valeurs très élevées des variations de courant et tension sans dégâts ce qui
en fait un composant exploitable pour piloter des systèmes d'alimentation haute puissance.
La figure I.25 donne un aperçu des principaux domaines d'application des composants de
puissance. On constate que les MOSFET sous forme de composants discrets, en concurrence
avec les transistors, la part du lion dans les applications domestiques et automobiles, tandis que
les GTO sont réservés aux applications de traction et de redressement/commutation de
puissance. Les Triacs conservent encore plusieurs domaines comme les machines à laver et les
Thyristors sont réservés aux applications basse fréquence (HVDC par exemple) où ils jouent le
rôle d'un relais qui commute le courant dans une charge approprié. On entamera une étude
approfondie sur le fonctionnement de ces deux composants au 2eme chapitre.
La puissance (V.A)
La fréquence (Hz)
Les semi-conducteurs sont très sensibles aux variations brutales de tension et de courant qui
apparaissent lors des commutations. Contre les variations de courant, on utilise une inductance
(qui retarde le courant), tandis que le condensateur retarde la tension (RC Snubber).
• Protection thermique :
Chapitre 2
• Définition
• Structure du gradateur
• Conclusion
Introduction
Les circuits gradateurs ont pour rôle de convertir l’énergie électrique à partir d’une source
alternative de valeur efficace constante, vers une sortie de tension alternative réglable, afin
de varier la puissance fournie à la charge avec un gain inférieur ou égale à 1. Ce réglage agit
uniquement sur la valeur efficace de la tension aux bornes de charge tandis que la fréquence
reste fixe (la valeur efficace de la tension de sortie est comprise entre zéro et la valeur
efficace de la tension de la source).
Le gradateur tient une place très importante dans le domaine de l’éclairage par incandescence
avec ou sans halogène (Les lampes fluorescentes utilisent du plasma, et le plasma nécessite
une alimentation appropriée. Même pour les lampes à LED, on ne peut pas les attaquer
directement par un gradateur), et dans le domaine du chauffage électrique. Il est également
très utilisé pour le démarrage des moteurs asynchrones (afin d’éviter le risque de
détérioration des enroulements). Ses applications à la variation de vitesse sont assez
restreintes, souvent utilisés pour l’entraînement des ventilateurs, turbines ainsi que des
machines-outils électroportatives (ces machines possèdent les moteurs universels, un moteur
synchrone ou asynchrone nécessite un variateur qui joue sur la fréquence afin de varier la
vitesse).
- Gradateur à angle de phase : Utilisé pour la commande des moteurs asynchrones aussi pour
l’éclairage.
Pour chaque type de fonctionnement, on a besoin d’un interrupteur statique entre la charge
et l’alimentation. En variant l’angle d’amorçage pour le 1er type ou la durée de d’amorçage
pour le 2eme, on varie la valeur efficace de la tension de sortie, par conséquent on agit sur la
puissance fournie à la charge. Cet interrupteur doit permettre le passage du courant dans les
deux sens. Comme on a décrit au 1er chapitre, on utilise deux thyristors montés en tête-bêche
ou un triac pour les faibles puissances. Ils se caractérisent par leur ouverture commandée et
leur fermetures spontanée.
Après avoir présenté quelques notions sur le gradateur dans le 1er chapitre, si l’on souvient plus,
il est bon qu’on y retourne ici. La figure II.1 Donne le schéma de base décrit précédemment.
Pour obtenir un courant alternatif réglable, la technologie de l’électronique de puissance nous
permettrait d’utiliser deux thyristors montés tête-bêche, ces deux thyristors, Th1 et Th2 ouvrent
ou ferment la liaison source-récepteur.
Ce montage nous obligerait à avoir deux commandes de gâchette séparées, cependant l’emploi
d’un triac qui ne possède qu’une seule gâchette impose d’avoir qu’une seule commande, car
on peut dire que ces deux thyristors montés "tête-bêche" constituent un triac c’est l’occasion
d’étudier ces deux composants, leurs fonctionnements et leurs caractéristiques.
Le thyristor n’est rien d’autre qu’une diode commandée. C’est un dispositif semi-conducteur
constitué d’un monocristal de silicium comportant quatre couches principales semi-
conductrices mises en série P.N.P.N. Ces quatre couches forment trois jonctions. Une jonction
d’anode : JA, une jonction de cathode : JK et une jonction de commande : JC.
Les trois électrodes métalliques réalisent les liaisons vers l’extérieur. Il s’agit de l’anode : A,
en contact avec la couche P, de la cathode : K, en contact avec la couche N et de la gâchette :
G, en contact avec la couche P au milieu. La figure II.2 représente la structure du thyristor :
𝑖B2
Si l'on injecte un courant de gâchette, le courant base de T1 augmente donc aussi son gain,
le produit β1β2 atteint la valeur 1 et le courant 𝑖 tend vers l'infini, plus précisément il n'est plus
limité que par les composants extérieurs. Le thyristor est passant. Les deux transistors sont
saturés et la tension entre anode et cathode est celle d'une diode (de l'ordre du volt).
La charge
La source
- Pour Ve < VBO (VBO = 300v jusqu’à 500v pour le 2n2323) : 𝑖 ≈ 0 ⇒ VAK = − R. 𝑖 + Ve ≈ Ve .
La tension VBO pour laquelle le thyristor s'amorce sans courant de gâchette (le même
comportement que le dipôle « Diac » ) est appelée tension de retournement ou tension
d'amorçage à courant de gâchette nul (Breakover voltage en anglais), dans ce cas Ve < VB0 et
𝑖G =0 alors le thyristor se comporte comme un interrupteur ouvert, on dit qu'il est bloqué.
- Pour Ve VB0 (à éviter) : la tension d'anode augmente, et puisque le gain d'un transistor
augmente en effet avec sa tension collecteur émetteur, (effet Early ) le β accroît de façon que
le produit β1β2 atteigne 1. En arrivant à la tension limite VBO on aura VAK <<< Ve et 𝑖 ≈ Ve/R,
le thyristor se comporte comme un interrupteur fermé, on dit qu'il est amorcé. Le thyristor étant
amorcé, si on diminue la tension Ve, le thyristor reste conducteur jusqu'à une certaine valeur
du courant 𝑖 noté 𝑖H est appelé courant de maintien (Holding currrent en anglais), puis il se
bloque.
Le thyristor s'amorce pour tout Ve positif. Si l'on lâche l'interrupteur K (𝑖G = 0), le thyristor
reste conducteur. Pour se bloquer, il est nécessaire, soit de diminuer le courant 𝑖 en dessous de
la valeur 𝑖H, soit d'inverser la tension d'alimentation Ve (rendre négative) pendant un temps
supérieur au temps de désamorçage tq spécifié par le constructeur (15 à 100µs) pour que le
blocage soit irréversible. Si ce temps n’est pas respecté, le thyristor risque de se réamorcer
spontanément dès que VAK tend à redevenir positive (Commutation forcée).
La présence du courant de gâchette n'a aucune influence. Dans le cas pressent on aura le même
comportement que la diode.
– Pour Ve > VBR : étant que VBR (ou VRRM) est la tension de claquage, 𝑖 0 et VAK Ve. Le
thyristor est bloqué.
– Pour Ve VBR (à éviter) : le courant 𝑖 croit brusquement. Il est nécessaire de limiter le courant
𝑖 afin d’éviter d’endommager le thyristor. Il est alors en régime de claquage.
Au cours de ce fonctionnement, la conduction du thyristor est très mal contrôlée. Les pertes
sont importantes au sein du thyristor et pourraient entraîner la destruction de ce dernier.
Remarque : si la variation de tension VAK est trop rapide le thyristor peut se mettre en
conduction et cela même si la tension est inférieure à la tension de retournement. En effet le
composant possède une capacité dont le courant de charge 𝑖C = C.dV/dt peut déclencher la
conduction. Il existe donc un dV/dt à ne pas dépasser.
On peut alors conclure que le thyristor est bloqué si le courant 𝑖AK est nul (qu’elle que soit la
tension VAK<VBO). Si la tension VAK est positive, le thyristor est amorçable. L’amorçage du
thyristor est obtenu par un courant (impulsion) de gâchette iG positif et suffisant (quelques
dizaines de milliampères), une fois thyristor est déclenché, il se comporte comme une diode, la
tension entre l’anode et la cathode devient très faible, le courant n’est alors limité que par la
charge en série avec le thyristor. La figure II.5 illustre la caractéristique du thyristor.
On voit bien que la valeur de la tension de retournement est une fonction décroissante du
courant de gâchette et de la température.
Comme le thyristor est un composant de puissance, son boîtier est fabriqué de sorte à pouvoir
supporter et à dissiper une puissance importante tout en assurant les meilleures conditions de
refroidissement. Les thyristors existent en différentes boitiers : TO220, TO263, TO3, TO48,
RD91, ISOTOP, PRESS PACK... La figure ci-dessous décrit les différents thyristors existants
III. TRIAC :
Le Triac est équivalent à deux thyristors montés en opposition. Il n'existe qu’une seule gâchette
G et deux électrodes non identiques appelées A1 et A2 (pour Anode 1 et Anode 2) ou MT1 et
MT2 (pour Main Terminal 1 et Main Terminal 2), ces derniers assurent la conduction
principale. Il compose de 6 couches semi-conductrices comme indiqué dans la figure II.8 :
La commande d’un triac est plus simple puisqu’il comporte qu’une seule gâchette. Le triac
accepte aussi bien le courant iG positif que négatif. Ce composant, est pilotable par une seule
gâchette active dans des quadrants. Et bien ces quadrants correspondent aux polarités que l'on
peut avoir aux broches du composant. Il y en a quatre. Peu d'intensité suffise à amorcer le Triac,
(quelques dizaines milliampères), cette sensibilité varie selon le quadrant utilisé, ainsi que de
la qualité du composant. Une fois le Triac est amorcé, il repasse à l'état bloqué par diminution
de la valeur du courant sous le courant de maintien 𝑖H.
En polarisation inverse, le thyristor doit pouvoir supporter la tension maximale pour éviter
le claquage (généralement destructif). Cependant le Triac est autoprotégé puisqu'il s'amorce
dans les deux sens, il possède une caractéristique symétrie par rapport à l'origine. La figure II.9
représente sa caractéristique est ses quadrants de fonctionnement possibles :
Dans ce qui suit, on choisit le mode 1 et le mode 2 pour le fonctionnement des montages.
Le gradateur est inséré entre la source Ve et la charge R (figure II.10). On suppose que la
source de tension est sinusoïdale et d'impédance interne nulle, Les Thyristors sont supposés
parfaits, c'est à dire leur impédance lors d’amorçage est nulle et lors du blocage est infinie.
Les formes d’ondes des différents signaux sont indiquées à la figure II.11 à la page ci-contre.
Pour faciliter les calculs, on utilise la variable θ = ωt, pour une tension du secteur
Ve(t) = Vm . sin θ , la valeur efficace de la tension Vs(t) et du courant aux bornes de la charge
est définie par :
π π
1 1 1
Vseff =
π (Vm.sin(θ)) 2 .dθ et i eff =
R π (Vm.sin(θ)) 2 .dθ
Ψ sin(2Ψ) Vm Ψ sin(2Ψ)
Vseff = Vm . 1- + i eff = . 1- +
π 2π R π 2π
Figure II.11 Allure de la tension et du courant aux bornes de la charge purement résistive
Ψ sin(2Ψ)
On pose α = 1- + et on désigne par i0 la valeur du courant absorbé en absence du
π 2π
gradateur (Veeff/R=Vm/ 2 R), on peut définir le facteur de puissance F de ce convertisseur par :
P Rieff 2
= =α
P0 Ri0 2
La figure II.12 représente les caractéristiques α ( ) et α ( ) en fonction de Ψ :
Puisque le courant 𝑖 comprend des harmoniques (n’est pas une sinusoïde pure), ces
harmoniques ont des rangs impairs, en développant celui-ci en série de Fourier, on peut écrire:
i = ( A1 . sin θ + B1 . cos θ ) + ( A3 . sin 3.θ + B3 . cos 3.θ) + ... + ( A 2k+1 . sin (2k+1).θ)+ B2k+1 . cos (2k+1)θ ) + ...
π π
2 2
Avec A 2k+1 = i . sin(2k+1)θ dθ et B2k+1 = i . cos(2k+1)θ dθ
πΨ πΨ
π π
2 Vm
A2k+1 = et B2k+1 = 2 Vm .sinθ . cos(2k+1)θ dθ
π Ψ R
.sinθ . sin(2k+1)θ dθ
πΨ R
π π
2 Vm 2 Vm
π 2R Ψ π 2R Ψ
A2k+1 = . . (cos 2kθ - cos (2k+2)θ) dθ et B2k+1 = . . (sin 2(k+1)θ - sin 2kθ) dθ
Dans ce cas, le fonctionnement dépend de la nature des signaux de commande appliqués aux
gâchettes, avec une impulsion de courte durée, si le thyristor Th1 est le premier à recevoir une
impulsion, il entre en conduction.
Pour 𝜃 = π + Ψ l’impulsion envoyée sur la gâchette du thyristor Th2 trouve ce composant avec
une tension anodique nulle et même négative (chute de tension aux bornes de Th1 passant).
Elle est donc sans effet. Quand la tension aux bornes de Th2 devient positive, il n’y a plus de
courant gâchette. Le montage fonctionne alors en redresseur commandé simple alternance.
Le thyristor Th1 devient passant à partir de l’angle 𝜃 = Ψ , le courant 𝑖 peut être trouvé à
partir de :
R
di Vm − (t - )
L + Ri =Vm . sinθ i = ish + isp = . sin(θ - ) + A.e L
dt Z
-Ψ
Vm −
tan ( )
)
à θ(t) = , i = 0 i = sin(θ - ) + sin( - Ψ).e
Z
L’angle 𝛽, lorsque le courant 𝑖 s’annule, peut être trouvé à partir de la condition donnée par :
-Ψ
− )
tan ( )
sin( - ) = sin(Ψ - ).e
Une fois l’angle 𝛽 est connu, l’angle de conduction du thyristor 𝑇h1 peut être trouvé: 𝛿 = 𝛽 - Ψ
Cette fois ci la tension efficace aux bornes de la charge et le courant efficace de sortie valent :
β
1 Vm sin 2 − sin 2
Vseff = (Vm . sinθ)²dθ = −+
Ψ 2. 2
1 2( − )
− + ( sin 2( − ) − sin 2( − )) + tan + tan .sin ²( − ). 1 − e tan +
1
β
Veeff 1 2
ieff =
Ψ (i(θ))²dθ =
Z
tan ² 1 2( − )
tan 1
4 sin( − ) sin( − ) + cos( − ) e − sin( − ) + cos( − )
1 + tan ²
tan tan
Il s’agit d’un gradateur monophasé, utilisé principalement pour des charges résistives (pour
le chauffage ou pour systèmes ayant des inerties thermiques importantes), il fonctionne en
interrupteur statique. Alimenté sous une tension sinusoïdale de valeur efficace constante et de
période Te, il fournit à la charge des salves de tension de manière à faire varier la valeur efficace
de la tension aux bornes de cette charge. Contrairement au gradateur précèdent ce type travaille
sur N périodes du réseau, sa période de fonctionnement est Ts tel que :
Ts = N . Te
Dans ce type de gradateur, le signal envoyé sur l’entrée de commande du gradateur est de type
TOR (tout ou rien). Le Thyristor Th1 et le Thyristor Th2 sont amorcés de manière continue
pendant le temps Ton (la durée de conduction), et ils sont ensuite bloqués jusqu’à la fin de la
période de modulation Ts. On définit alors son rapport cyclique de fonctionnement par :
n . Te n Ton Toff
α= = = = 1−
N . Te N Ts Ts
N et n sont des nombres entiers, qui représentent respectivement le nombre de sinusoïdes
modulantes, et le nombre de sinusoïdes commandée à la conduction, en variant son rapport
cyclique de façon discrète entre 0 et 1, on varie de la puissance moyenne fournie à la charge.
La figure II.15 illustre les formes d’ondes du gradateur à train d’ondes avec Te = 20ms :
Fig. II.15 : La charge reçoit 3 sinusoïdes toutes les 100 ms, le temps de conduction est de 60 ms.
On amorce les thyristors Th1, et Th2 de façon cyclique afin que ce gradateur soit conducteur
pendant un nombre entier n de périodes de la source, et bloqué pendant (N – n) périodes. La
période totale du fonctionnement est 2π.N/𝜔. Le thyristor Th1 est débloqué pour
𝜃 = 0, 2π, ... , (n-l).2π, et Th2 pour 𝜃 = π, 3π , ... , (2n - 1).π .
Quand le gradateur est passant, c'est-à-dire pendant 2.n.π, donc on a :
Vs = Ve = Vm . sin 𝜃 = R.𝑖
Vm.sinθ
Et i=
R
Quand le gradateur est bloqué, c'est-à-dire pendant 2.π (N - n), on a :
Dans ces conditions, la valeur efficace du courant absorbé 𝑖eff par le montage, varie de 0, pour
n égal 0, à son maximum Veeff / R que l’on désigne par 𝑖0, pour n égal N. On calcule Vs, 𝑖eff et
la puissance moyenne P par :
1 − cos 2
Ton 2 2.π.n
1 Vm
Vs eff =
Ts (Vm . sin ωt)² dt
0
=
2.π.N
0
2
dθ = Veeff .
α.Ts 2.π.n
1 − cos 2θ Veeff .
2
1 Vm Vm
ieff =
Ts
0
(
R
. sin ωt)² dt =
2.π.N.R²
0
2
dθ =
R
α.Ts 2.π.n
1 (Vm . sin ωt)² 1 (Vm . sin θ)² (Veeff )²
P =
Ts
0
R
dt =
2.π.N
0
R
dθ =
R
.α
Le courant est bien périodique, il comporte aussi des harmoniques qui peuvent être de rangs
pairs ou impairs. La période de ce phénomène est équivalant à 2.π.N (le variable c’est θ) , ce qui donne
pour la pulsation la plus basse contenue dans ce signal :
2 1
ωN = =
2 .N N
On peut déduire les valeurs efficaces des harmoniques en décomposant 𝑖 en série de Fourier :
+
kθ kθ
i(t ) = 0 + Aik . sin + Bik . sin
k =1 N N
2 . n
2 kθ
Aik =
2π.N i.sin
N
dθ
Aik ² + Bik ²
ik −eff =
0
Avec 2 . n
2 kθ 2
Bik =
2π.N 0
i. cos
N
dθ
2π.n 2π.n
1 Vm kθ 1 Vm kθ
=
π.N
0
R
sin θ . sin
N
dθ et =
π.N 0
R
sin θ . cos
N
dθ
2π.n
Vm k Vm k
2π.n
1 k 1 k
Aik =
π.N
0
2.R
cos (1- ) − cos (1+ ) . θ dθ et Bik =
N N π.N
0
2.R
sin (1+ ) +sin (1- ) . θ dθ
N N
Après intégration et simplification dans le cas où k est différent de N, on obtient :
− 2 . i0 . N
Aik = sin 2 k
(N² − k²) 2 . i0 . N
ik −eff = sin 2 k
2 . i0 . N . N² − k²
Bik = (1 − cos 2 k )
(N² − k²)
De la même manière on peut aussi déterminer les Avk et les Bvk formant les valeurs Vsk-eff :
−Vm . N
Av k = sin 2 k
(N² − k²) 2 . Vm . N
Vs k −eff = sin 2 k
Vm . N . N² − k²
Bv k = (1 − cos 2 k )
(N² − k²)
2 . n 2 . n
2 2
Avk = N =
2π.N 0
Vm(sin θ)² dθ = 2 i0 Bv k = N =
2π.N
0
Vmsin θ .cos θ dθ = 0 VN −eff = .i0
Conclusion
Dans ces deux premiers chapitres, on a présenté les éléments essentiels pour la conception de
nos cartes électroniques. En premier lieu on a présenté les différents types de convertisseurs,
ainsi des notions générales sur les interrupteurs électriques utilisés dans ces convertisseurs, et
leurs principes de commande. On a passé en deuxième lieu pour l’étude des gradateurs
monophasés en présentant leurs montages et leurs performances pour des charges résistives et
inductives.
Chapitre 3
• Conception de :
Circuit de puissance
Circuit de commande
Circuit complet
• Simulation
Introduction
Ce projet a pour but de réaliser des dispositifs qui ont pour rôle de contrôler la puissance
débitée à une charge selon le besoin, que ça soit par fonctionnement à découpage de phase, ou
par fonctionnement à train d’ondes. Le 1er type est conçu pour la variation de la luminosité des
ampoules, pour l'éclairage domotique ou publique (afin de rationaliser l’énergie électrique …),
pour la variation de la vitesse des moteurs électriques ou encore pour régler la température d'un
fer à souder, cependant le 2e est conçu pour servir les fours à grande inertie thermique.
Le principe est de varier la valeur efficace de sortie, c'est-à-dire faire descendre la tension de
220v fournie par le secteur à des valeurs inferieures telles que 150, 100, 50volts ...
En effet, l’évolution rapide des technologies amène l’homme à concevoir des systèmes de plus
en plus complexes dont le comportement ne peut plus être modélisé sans l’aide de la simulation.
Cette dernière occupe une place importante dans le monde d’apprentissage, puisqu’elle permet
de gagner du temps et fournir un environnement qui remplace des matériels électroniques.
Le choix des logiciels Matlab/Simulink, Fritzing et Proteus a surtout un but pédagogique pour
comprendre le fonctionnement des principaux composants électroniques. Ces logiciels nous
permettent d’observer de manière réaliste les phénomènes électriques et physiques. Le but de
ce chapitre est de dessiner les schémas électroniques des convertisseurs étudiés au 2e chapitre
et de les simuler. Les schémas de puissance et de commande avec des charges différentes seront
réalisés dans l’environnement Matlab / Simulink pour la première partie et dans Proteus pour
la deuxième.
MATLAB est une abréviation de MATrix LABoratory, écrit à l’origine en Fortran par Cleve
MOLER. La version actuelle écrite en C par the MatWorks Inc. C’est un puissant outil de
calcul permettant de saisir des instructions sous la forme de lignes de commandes. Matlab peut
être considéré comme un langage de programmation adapté pour les problèmes scientifiques,
grâce à ses fonctions spécialisées. C’est un interpréteur, car ses instructions sont interprétées et
exécutées ligne par ligne. Il comporte des boites à outils interconnectés à un noyau intégrant
des macro-primitives d’usage général comme le montre la figure III.1 suivante :
Figure III.1 : structure et interrelations des boites à outils dans l’environnement Matlab/Simulink
Simulink est l’interface graphique de MATLAB permettant de travailler avec des schémas
en blocs, pour la modélisation, la simulation et l’analyse des systèmes dynamiques. Il est utilisé
pour les systèmes linéaires et non linéaires. Ces derniers pouvant être à temps continu ou discret
et même hybride. Cette extension propose plusieurs modules, parmi lesquels le module
SIMSCAPE que nous allons utiliser. Le comportement dynamique d’un système est caractérisé
par un bloc contenant, par exemple, la fonction de transfert du système avec une entrée et une
sortie.
On se propose dans cette partie de simuler le gradateur monophasé. Pour visualiser les
différentes librairies de Simscape, on peut lancer la commande à partir de la fenêtre de Matlab:
>> simscape
Comme le montre la Figure III.2, la fenêtre de Simscrape apparait. On clique alors sur la
bibliothèque "Electrical". C’est la bibliothèque dans laquelle on trouve les éléments de base de
nos circuits tels que les thyristors, les résistances... On choisit alors les composants constituants
le montage. Le tableau III.2 présente les déférents chemins de ces composants. Au début, la
charge est constituée d’une résistance de 100 Ω, en suite elle est constituée d’une bobine
d’inductance L=10mH en série avec une résistance de 10 Ω. Dans ce cas, on clique donc deux
fois sur Série RLC Branche et on choisit Branche Type RL, puis on attribue la valeur de R et
la valeur de L. La tension d'alimentation Ve est une tension sinusoïdale de fréquence 50Hz et
d'amplitude Vm de 311v (220vRMS). Il ne reste alors que la commande, on se propose à
construire un sous-système de commande permettant à la fois le control de la phase et des
cycles d’amorçage (figure III.3).
Ceci peut être réalisé en introduisant directement un bloc « Subsystem » à partir de la librairie
Simulink. Une fois le sous-système est créé, on peut lui assigner des paramètres qui seront
utilisés comme variables d’entrées de ces blocs du sous-système. Pour ce faire, on réalise un
masque en sélectionnant le sous-système et en cliquant sur le Menu Edit > Mask subsystem.
Les divers paramètres de celui-ci sont créés dans l’onglet « parameters » dont on peut ajouter
autant de variables que nécessaires par clic sur l'icône, puis saisir le texte et les variables comme
le montre la figure III.4 (la fenêtre de dialogue à droite et script de fonctionnement à gauche).
Pour la simulation, on choisit le fonctionnement à temps discret, donc on doit préciser dans les
propriétés le sample time, c’est à dire la période d’échantillonnage Tsam. ( x(t) = x(k.Tsam ) .
if con==1
te=1/freq;
retard=psi;
pw=0.5;
ts=te;
pwtor=99.9999999999;
amp=1;
else
te=1/freq;
amp = 1;
retard=0;
pw=50;% en (%)
ts=N*te;
pwtor=2;% arbitraire
if alpha==100
pwtor=99.99999999999;
elseif alpha==0
amp =0;
else
pwtor=alpha;
end
end
Figure III.6: schéma bloc de simulation d’un gradateur monophasé avec une charge résistive
Figure III.7 : La tension Ve, La tension Vs et le courant de charge résistive R pour Ψ=60°
Figure III.8 : La tension Ve, La tension Vs et le courant de charge résistive R pour Ψ=127°
On répéter plusieurs simulations en faisant varier l'angle de retard de l'amorçage afin de tracer
une courbe Vseff (Ψ), que l’on représente dans la figure III.9 .
Le tableau ci – dessous représente les différents résultats obtenus de la simulation. Ces résultats
reflètent l’image des tensions, des courants et des puissances de sortie :
Pmoy
Vseff
Cette fois-ci, on effectue le montage électrique représenté dans la figure II.6 avec charge
inductive (on clique sur RLC Bench et on attribue les valeur R=10 et L=10mH), et on refait le
même travail. La figure III.10 représente la tension de sortie Vs dans cas où Ψ est inférieur à β
(1ere colonne du tableau III.3), alors le montage fonctionne comme un redresseur commandé,
cependant la figure III.11 représente le fonctionnement normal où Ψ est supérieur à β :
Vs (v)
t (s)
Figure III.10 : La tension de source, la tension et le courant de charge inductive pour Ψ < β
Figure III.11 : La tension Ve, La tension Vs et le courant de charge inductive pour Ψ =30°
Les courbes ci-dessous montre l’évolution de Vseff et Smoy en fonction de Ψ pour le gradateur
à charge inductive :
Ψ = [0 10 15.5 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 ] ;
Smoy = [ 2361 2355 4584 4562 4400 4231 3937 3552 3105 2603 2094 1589 1129 743.1 436.1
221.8 87.58 22.8 1.889 0.01 ] ;
Vseff = [ 157 156.9 218.8 219.2 216.6 212.5 206.1 197.1 185.8 171.7 155.7 137.5 117.9 97.79
77.16 57.39 38.54 22.13 8.351 0.34 ] ;
Ψ Ψ
Figure III.12 : allures de sortie ; la tension efficace à droite et la puissance apparente moyenne à droite
En traçant les courbe Vseff et Pmoy en fonction de α (figure III.14), on peut confirmer les
résultats théoriques ( Pmoy= α.P0 et Vseff=sqrt(α).Vm )
α α
Figure III.14 : la tension efficace à droite et la puissance absorbée moyenne à droite en fonction de α
Le logiciel Proteus se compose de deux parties : ISIS (Schematic capture pour les version
récentes) pour la simulation des circuits électroniques, ainsi le traçage des courbes des résultats
obtenus, et PCB Layout (ARES) pour dessiner les circuits imprimés. On trouve aussi deux
fenêtres ci-contre pour la visualisation sous les noms « Gebrer View » et « 3D View » .
La version qu’on se met à utiliser est 8.10 SP0.
Les circuits Gradateurs qui seront conçus peuvent comprendre les parties suivantes :
• Une partie de puissance contenant :
o Une alimentation DC qui permet d'alimenter les différentes parties du circuit. Dans
notre cas, on utilise le régulateur à 15v LM7815 (on a déjà testé le LM317 et ça
marchait aussi bien) ;
o Un triac ou (deux thyristor SCR) qui vont contrôler la puissance fournit à la charge.
• Une autre partie de commande qualifiée pour commander le triac, qui peut contenir :
o TCA785 ;
o Des éléments passifs et réactifs tels que les résistances, capacités, bobines,
transformateur et potentiomètres ;
o Le circuit intégré Indicateur LM3914 avec ces LEDs ;
o Le timer CMOS 555 (il faut bien qu’il support 15v) ;
o Des éléments actifs tels que les comparateurs, les diodes et les transistors (BJT) ;
en mode monostable ou unipolaires (UJT) en mode astable " synchronisé ".
On a besoin d’une alimentation continue de 15V pour alimenter les circuits intégrés de nos
circuits. Il est nécessaire d'abaisser la tension d'alimentation du secteur à l’aide d’un
transformateur électrique abaisseur qui permet de fournir une baisse tension. Cette dernière
sera redressée avant de l’appliquée au circuit intégré stabilisateur ou régulateur de tension
(LM7815 (TO220), LM317). On ajoute des capacités de filtrage au niveau de l’entrée et la
sortie du régulateur comme représenté dans la figure III.15. Ces capacités vont éliminer le
moindre résidu de tension alternative.
Un gradateur est généralement utilisé pour les charges résistives telles que les ampoules et les
fours, cependant notre gradateur doit encore fonctionner pour les charges inductives par
exemple : la variation de la vitesse d'un moteur universelle. Il sera nécessaire de placer une
résistance en série avec un condensateur entre l’anode et la cathode du triac pour le protéger
contre les dV/dt. La tension d'excitation fournie par le circuit de commande atteindra la gâchette
du triac en passant à travers un optocoupleur le MOC 3021 par exemple (figure III.16). Son but
est d’assuré une séparation galvanique entre le circuit de commande de faible tension et le
circuit de puissance de tension supérieur son intensité de commande d'une dizaine de
milliampères apporte une protection et un confort d'utilisation appréciables pour commuter des
charges de plusieurs ampères sous une tension de 220 V ou plus.
La commande s'effectue en appliquant un niveau positif sur la LED (le MOC 3021 a besoin
d'un courant de LED de 15mA), celle-ci émette la lumière infrarouge, et commande à son tour
la photodiode qui va amorcer le triac, afin que le courant du secteur puisse alimenter la charge.
❖ Le circuit TCA785
Le TCA 785 est un circuit intégré de control de phase développé par Siemens. Il permet de
générer des impulsions synchronisées avec la tension du secteur pour l’enclenchement du triac.
L’angle d’amorçage et réglable de 0º à 180 à l’aide d’un potentiomètre ou par tension sur sa
borne 11. La figure III.17 représente un extrait de sa Datasheet qui représente ses différentes
bornes. TCA 785
Le signal « pulse » de sortie de durée de 30 µs apparaît aux sorties Q1 et Q2, à l’instant d’égalité
de la tension V11 et la rampe du condensateur V10, La durée d'impulsion peut être prolongée
jusqu'à 180° si la borne 12 est reliée directement à la masse (Le gradateur à train d’ondes).
En vue d’amorcer un triac ou deux thyristors en tête bèche, on réunira les sorties par un montage
ou à diodes. On représente le rôle des bornes du TCA785 dans le tableau suivant, n’oublie pas
que Vs ≠ (VS (V indice s)) est la tension aux bornes de la charge.
❖ Fonctionnement du TCA785
- Pour 0 < t ≤ Te/2, le condensateur C10 se charge par une source de courant constant de façon
linéaire, à travers la résistance R9. Une fois que la tension aux bornes de ce condensateur
devient supérieure à celle de la tension de référence imposée sur la broche 11, le comparateur
à l’intérieur bascule vers l’autre état, ce qui permet au circuit logique de générer une impulsion,
dans cet intervalle alternance est positive, on voit alors cette impulsion sur la broche 15 .
- À t = Te/2 : le détecteur de passage par zéro envoie une impulsion sur le registre de
synchronisation, ce dernier envoi aussi une commande sur la base du transistor T1 qui se sature,
et le condensateur C10 se décharge. Ainsi la tension de rampe devient nulle. Cette tension est
de type dent de scie.
- Pour : Te/2 < t ≤Te, le condensateur C10 se charge de nouveau à travers la résistance R9.
Une fois que la tension aux bornes de ce condensateur devient supérieure à celle de la tension
de référence imposée sur la broche 11, le comparateur bascule vers un autre état, ce qui permet
au circuit logique, sachant que l’alternance est négative, de générer une impulsion sur la broche
14. Ces opérations se répètent durant chaque période Te.
Entrée
❖ Le Timer 555 :
Fig. III.19 : représentation des composants internes du temporisateur 555 monté en monostable
Le circuit est branché selon le schéma ci-dessus. Au début le condensateur est déchargé. Si un
front descendant arrive sur l’entrée 2 de commande, le comparateur 1 va commander la bascule,
qui de son côté va bloquer le transistor Q1. Vc6 augmente et tendre vers Vdd selon l’équation :
t t1
− −
Vc6 (t) = Vdd (1 − e R 6 C6
) or Vc6 (t = t1) = 2/3Vdd =Vdd (1 − e R 6 C6
) t1 = R6.C6.ln(3)
Dans la suite la broche 2 sera reliée à un détecteur de passage par zéro (Zero Crossing Detector)
composé d’un comparateur et un filtre passe-haut, la broche 6 du 555 sera l’entrée d’un autre
comparateur compris dans le même circuit (ce circuit de type DIP-8 est composé de deux
comparateur). Ce comparateur joue le rôle d’un générateur PWM (C’est la modulation à largeur
d’impulsion MLI qu’on a discuté au 1er chapitre) avec une modulante continue (une borne du
comparateur est reliée à un diviseur de tension (potentiomètre " en façade" ou " à saut")).
Le circuit de commande alors pourra décrit par le schéma synoptique suivant :
Gradateur à angle
de phase V11
On se met à concevoir un circuit complet d’un gradateur fonctionnant dans le mode découpage
de phase à base du TCA785. La figure III.21 Représente notre circuit, qu’on pourra le télé-
charger en cliquons ici : ietel.ga (La partie puissance en rouge et la partie commande en vert).
Vc10m =9.34v
t = 235.8 ms
Et voilà en posant le curseur sur le sommet de la rampe, on voit bien que Vc10m=9.34v, on
voit aussi que le Triac s’amorce après une durée de tΨ_exp = 5.8ms. Cette durée est équivalente
à angle Ψ_exp = 5,8×180/10 = 104,4°. D’après la figure III.22, Vseff = 131v et Pmoy=70.9W.
❖ Calcul théorique :
Comme il est décrit dans le Datasheet du TCA785. Le condensateur C10 est chargé
linéairement selon l’expression :
Vref.K Te Ic Vc10 . C10
Ic = avec K = 1.1 Vc10m = . ttr −theo =
R9 2 C10 Ic
3,1 .1,1 10 . 21, 25 10−3.10−6 5,44 . 23. 10-9
= = . =
3000 + 250 . 63.103− 2 23 10−9 21.25 . 10-6
❖ Tests de simulations
Pour valider les résultats obtenus par l’étude théorique, des tests de simulations avec différents
angles d’amorçages ont été effectués dont les résultats sont présentés sur le tableau III.6 suivant
(on peut cliquer sur chaque ligne afin d’accéder aux allures correspondants ) :
Notre gradateur peut travailler aussi bien pour les charges inductives. On fait des essais pour
une charge ayant Z=10+j.20.ω. La figure III.23 à gauche présente le fonctionnement normal
avec le circuit Snubber et la figure III.24 à droite représente les oscillations qui peuvent détruire
le triac (chaque triac à une valeur limite dV/dt indiquée dans son datasheet) .
Oscillations
Fig. III.23 : Débit sur charge ind. avec Snubber Fig. III.24 : Débit sur charge ind. sans Snubber
Tous d'abord on a tracé le schéma électrique de ce circuit sur le logiciel Fritzing. Le logiciel
Fritzing est un outil de création des projets et des circuits électroniques. Ce logiciel comporte
trois vues principales, pour la 1ère vue « Platine d'essai », on voit les composants tels qu'ils
sont dans la réalité et où l'on construit le montage que l’on présentera sur la figure III.25 :
ARES est un outil permettant de placer les composants et de réaliser le routage en mode
automatique ou manuel. Cette fonctionnalité permet de réaliser des circuits imprimés en plaçant
les composants et en traçant les pistes directement sur ARES. Une fois les composants sont
placés dans leurs places désirées, il est possible d’effectuer un routage automatique des pistes.
Notre carte présente beaucoup de composants, et par suite le routage automatique sous ARES
impose d’être réalisé en double face.
D BRIDGE
R9*
TCA785
V11
SECT CHARGE
Dans cette partie, on s’intéresse à réaliser un circuit gradateur fonctionnant en mode train
d’impulsions. La charge serait une résistance de chauffage. Le circuit complet est illustré dans
la figure III.27. Ce gradateur peut contrôler 5 ou 10 cycles selon le choix (La partie puissance
en rouge et la partie commande en vert) :
1 2
VREF
Diode de
protection
La tension V11 permettant d’avoir un angle au début de demi-périodes est quasiment nulle,
donc le potentiomètre Rv11 n’a aucun rôle ici, un diviseur de tension fera le nécessaire, (si on
relie V11 à la masse la tension Vc10 sera toujours au-dessus et aucune impulsion sera fournie
(aucune intersection)), le control de Ton et Toff sera établi à travers la broche 6 du TCA. Cette
broche est reliée à l’étage mis en bas à gauche, ce dernier génère un signal PWM
(Le fonctionnement est décrit dans la page 61). Ce signal va commander le TCA en basculant
de Vdd, qui la valeur pour laquelle le TCA envoie des impulsions à l’angle 0° pendent un temps
Ton, vers 0v qui la valeur pour laquelle le TCA est mis en veille pendent un temps Toff.
D’après la fiche technique, les sorties du TCA seront désactivées du moment où V6 = 2.5v au
plus. C’est la raison pour laquelle on a utilisé le LMC6769 qui comporte deux comparateurs
« Rail to Rail ». La figure III.28 suivante décrit le fonctionnement : Ve Vs
On a choisi d’utiliser le 555 pour générer un signal de dents de scie Vc6 de fréquence soit 5Hz
soit 10Hz, ce signal sera comparé avec une tension Vref imposée par le potentiomètre en
façade, afin de générer un signal carré de la même période Vc6 et de rapport cyclique réglable.
Le circuit 555 fonctionne en mode monostable. La sortie sur la broche 3 fournira une impulsion
de synchronisation carrée, tandis que le signal de rampe de notre intérêt se forme sur C6.
Comme on a décrit dans la page 61, la période t1 = R6. C6.Ln(3) de signal aux bornes du
condensateur C6 doit être égale à Ts, cela est obtenu avec des valeurs (R6 =10kΩ, C6 =18uF)
et (R6 =5kΩ, C6 =18uF). Le détecteur de zéro à l’extrémité gauche est utilisé de manière à
synchroniser la commande du 555 avec le signal du secteur, une impulsion est établie dans
chaque passage à zéro, par conséquence le condensateur commence à se charger jusqu’à Ts.
Pour garantir que le triac ne s'amorce pas après la fin de Ton (la durée de conduction),
on choisit une durée Ton6 inférieur à Ton pour contrôler la broche 6 tel que
Ton - Te/2 < Ton6 < Ton = n.Te. La figure III.29 décrit le fonctionnement dans le cas où
α =10%. Pour que les valeurs de Ton6 soient bien quantifiées, on utilise le potentiomètre en
façade. Le manque de ce composant dans les bibliothèques de Proteus nous a imposé de placer
un Switch de 12 broches et de relier chaque broche à un diviseur de tension prédéfini selon
l’équation suivante :
15
R25=7kΩ ; Ri=( − 1).R25
Vref
❖ Tests du circuit
On réalise plusieurs tests de simulations avec différentes valeurs de rapport cyclique, afin de
valider les résultats théoriques de la page 43, les résultats et les courbes sont présentés sur les
figures Suivant :
Données : R=50 Ω, Veeff= 220 V, Ce circuit marche seulement avec la fréquence f=50Hz.
L’interrupteur SPDT mis sur la position 1 (N = 10 cycles), le switch est sur la position 10% :
t1=198ms 0
L’interrupteur SPDT mis sur la position 1 (N = 10 cycles), le switch est sur la position 70% :
L’interrupteur SPDT mis sur la position 2 (N = 5 cycles), le switch est sur la position 40% :
Le tableau ci-dessous résume tous les résultats possibles et leurs approches théoriques :
On peut accéder aux graphes correspondants par le lien : ietel.ga
❖ Optimisation du circuit :
On cherche toujours à améliorer nos circuits et les rendre plus simples. On peut remplacer le
circuit intégré 555 par un circuit monostable à base de deux transistor NPN, c’est le schéma
basic monostable, on peut aussi le remplacer par circuit astable à base d’un seul transistor
unipolaire UJT que l’on synchronise. Le circuit est illustré dans la figure III.32 suivante :
Filtre Passe-bas
E - B2
- B1
❖ Principe et fonctionnement
Le transistor UJT est un dispositif à une seule jonction. Il est équivalent à deux résistances de
valeurs différentes mises en série, le point commun est relié à la cathode d'une diode. Si on
alimente par VB2 - VB1 en laissant l'émetteur, il s'agit d'un simple pont diviseur de tension :
VRB1 = VB2B1.( RB1/RB1+RB2), si on applique une tension entre l'émetteur (anode de la diode)
et la masse, et que cette tension est inférieure à VRB1, la diode sera donc bloquée, en augmentant
la tension d'émetteur, quand celle-ci dépasse VRB1 + tension de seuil Vd de la jonction, la diode
sera passante, un courant circule de l'émetteur vers RB1 ( RB1 et RB2 sont intégrés à l'UJT).
On applique donc ce principe dans le montage de la figure III.23 afin de générer un signal dents
de scie, (c’est de forme exponentielle, si on veut qu’il soit une rampe, il faut imposer un courant
constant par un transistor), le condensateur se charge jusqu'à ce qu'il atteigne VRB1+Vd, la
valeur pour laquelle la conduction l'UJT se provoque. Le condensateur se décharge, la tension
à ses bornes diminue provoquant le blocage de l'UJT. Le cycle redémarre avec la charge du
condensateur. La fréquence d'oscillation sera dépendante du produit R.C et du rapport
intrinsèque du transistor.
VE VE filtré
5.5v
VREF
V6
Figure III.34 : typon sous ARES du gradateur à train d’ondes à gauche et sa vue en 3D à droite
Conclusion :
Dans ce chapitre, on a décrit au premier lieu par simulation, le principe de fonctionnement des
deux types de gradateurs, en développant une interface graphique à l’aide de SIMULINK
permettant le control de la puissance délivrée à une charge donnée. Dans la deuxième partie,
nous nous sommes intéressés à la conception des systèmes capables de réaliser cette fonction.
En commençant par un simple schéma synoptique, on a pu le traduire en des cartes
électroniques.
Les allures obtenues dans tous les enregistrements du logiciel Proteus, confirment bien la bonne
concordance avec les résultats de calcul théorique, présentés dans le 2ème chapitre, et les
résultats de simulations trouvés par Simulink dans la 1ère partie de ce chapitre .
Conclusion générale
En conclusion, les travaux présentés dans ce mémoire ont pour objectives l’étude, la conception
et la simulation des gradateurs monophasés à base du TCA785. Ces systèmes sont capables de
contrôler la puissance délivrée selon le choix de fonctionnement désiré.
Pour aboutir à ces objectifs, une présentation des différents convertisseurs statiques de l’énergie
et une description des composants ont été élaborées au chapitre 1, suivi par une étude
mathématique au 2ème chapitre. Ce dernier est concentré sur un ensemble d’informations
théoriques nécessaires pour prendre une vue générale : une description de la structure et du
montage d'un gradateur monophasé, les principes de fonctionnements pour différentes charges,
les types et les domaines d’utilisations des gradateurs et des calculs théoriques pour les
différentes charges. Le chapitre 3 est consacré à la partie de la conception et simulation de ces
cartes : des simulations Matlab des gradateurs monophasés avec différents angles d’amorçage
et différents rapports cycliques, ont été effectuées dans le but de mettre une référence de
comparaison avec les résultats de simulation obtenus par Proteus. Les résultats de simulation
par ce logiciel qui sont en forte coordination avec les simulations Matlab, sont illustrés pour
chaque mode étudié. Tous les fichiers de simulations présentés dans ce mémoire sont
accessibles via le lien ietel.ga .
Il est à noter que qu’une telle réalisation, n’est pas dénuée de difficultés et de problèmes. En
effet, je me suis confronté à plusieurs problèmes surtout durant la conception des cartes
électroniques, mais grâce à ce que nous avons appris durant nos études académiques et
l’assistance de mon encadrant, j’ai pu surmonter ces difficultés. Les résultats obtenus à travers
cette étude qu’ils soient pratiques ou théoriques, permettent d’ouvrir la porte à d’autres études.
Je souhaite vivement que ce projet puisse servir comme élément de base pour d’autres études
plus approfondies, ou pour le faire intégrer sous des systèmes afin de contrôler leurs puissances.
Finalement à titre personnel, je peux dire que j’ai été très intéressé par le sujet. Ce projet de
fin d’études m’a permis de retrouver à peu près toutes les notions enseignées durant la
préparation de ma licence, surtout que le gradateur est un système intéressant et que sa
réalisation fait appel à plusieurs domaines technologiques. Avoir eu la possibilité d’étudier ce
type de convertisseurs a été très bénéfique. je serais heureux de poursuivre les recherches dans
le domaine de l’électronique embarqué.
Références Bibliographiques
On peut accéder à Ces documents sous la plateforme « Sharepoint » en format E-BOOK
en tapant les liens ci-contre ou simplement en cliquant sur le titre de chaque livre .