CHAPITRE 

4: Le transistor Bipolaire
1. Présentation du transistor bipolaire

• Les transistors bipolaires sont l'un des principaux éléments constitutifs

des systèmes électroniques.
• Ils sont largement utilisés dans les circuits analogiques et numériques.
• Ils incorporent deux jonctions PN et sont parfois appelés transistors
bipolaires à jonction ou BJT (Bipolar Junction Transistors).
• On les appellera simplement transistors bipolaires.
1.1. Classification sommaire des transistors

Transistor PNP

Transistor bipolaires

Transistor NPN

Transistors

J‐FET
Transistors à effet de  MOS‐FET à 
champ enrichissement
MOS‐FET
MOS‐FET à 
enrichissement‐
appauvrissement
1.2. Définitions
Un transistor est formé de trois morceaux de semi‐conducteurs
alternativement dopées "N" ou "P". En conséquence on peut trouver deux
types de transistors.

Transistor NPN: Courant émetteur  Transistor PNP: Courant émetteur 
sortant sortant
Transistor NPN: Courant émetteur 
sortant

Transistor PNP: Courant émetteur 
sortant
La couche intermédiaire est appelée base (B). Cette couche est très mince
et légèrement dopée.

La zone émetteur (E) est la zone la plus dopée des trois. Elle est appelée
émetteur parce qu'elle injecte des porteurs ( des électrons dans le cas du
transistor NPN).

La zone collecteur (C) est moins dopée que l’émetteur et de géométrie

différente (plus large que l’émetteur). Son rôle est de recueillir les porteurs
de charge.
2. Transistor bipolaire en régime statique
Il faut généralement respecter trois dispositions principales pour qu’il y est
fonctionnement normal du transistor:

 La jonction base‐émetteur (B‐E) doit être polarisée en direct et la

jonction base‐collecteur (B‐C) polarisée en inverse.

 L’émetteur et le collecteur doivent être fortement dopés (l’émetteur est

plus dopé que le collecteur).

 La base doit être étroite et faiblement dopée.

On se propose d’étudier dans ce qui suit le transistor NPN. L’étude du

transistor PNP se déduit en utilisant le même principe.
2.1. Principe de fonctionnement d’un transistor

𝑰𝑪𝑩𝟎

Pour bien en comprendre le fonctionnement ont peut suivre le

raisonnement suivant:
1‐ Imaginons au début que seule la jonction BC est polarisée en inverse, elle
est donc traversée par un courant très faible 𝑰𝑪𝑩𝟎 (polarisation inverse
d’une diode).
2‐ Polarisons maintenant la jonction base‐émetteur en directe. Les
électrons qui sont majoritaires dans la zone émetteur diffusent en grande
quantité à travers la jonction émetteur‐base polarisée en directe créant
ainsi un courant qu’on notera 𝑰𝑬 .
 𝑰𝑩
𝑰𝑬 𝑰𝑪
3‐ Les électrons de l’émetteur traversent en majorité la base et arrivent
jusqu’au collecteur. On dit que l’émetteur "injecte" ou "émet" des porteurs
majoritaires et le collecteur les collecte.
2.2. Mise en équation du fonctionnement du transistor
On peut traduire le fonctionnement du transistor par les équations
suivantes:
1‐ Le flux des électrons n’arrive pas totalement au collecteur. Un certain
courant faible passe dans la base donc: 𝑰𝑪 𝜶𝑰𝑬
2‐ Le courant rentrant à la base est faible et ne représente qu’une portion
du courant du collecteur: 𝑰𝑪 𝜷𝑰𝑩 (avec 𝜷 ≫ 1)
3‐ Puisque la base est faiblement dopée et polarisée en inverse donc:𝜶 → 𝟏
4‐ Par simple application de la loi des nœuds on peut écrire que:
𝑰𝑬 𝑰𝑪 𝑰𝑩
5‐ Les coefficients 𝛼 et 𝛽 sont liés par les relations suivantes:
𝜷 𝜶
𝜶 et     𝜷
𝜷 𝟏 𝟏 𝜶
 2.3. Montages fondamentaux du transistor Bipolaire
A fin de faciliter l’étude du transistor dans les circuits électroniques, il est
transformé en quadripôle par la mise en commun d’une des trois
connections, nous obtenons donc trois montages fondamentaux :

Emetteur Commun (EC) Collecteur Commun (CC) Base Commune (BC)

2.4. Caractéristiques d’un transistor bipolaire
Le constructeur fourni généralement pour chaque transistor un nombre de
caractéristiques qui définissent son fonctionnement.

Caractéristique 𝐼 𝑓 𝐼 à 
𝑉 constante
Le constructeur fourni généralement pour chaque transistor un nombre de
caractéristiques qui définissent son fonctionnement.

Caractéristique 𝐼 𝑓 𝑉 à 
𝑉 constante
Le constructeur fourni généralement pour chaque transistor un nombre de
caractéristiques qui définissent son fonctionnement.

Caractéristique 𝐼 𝑓 𝑉 à 
𝐼 constante
2.5. Circuits de polarisation d’un transistor
• Le montage à émetteur commun étant le plus utilisé, ce paragraphe
propose d’étudier les différents circuit de polarisation possible pour le
montage EC.
• Le transistor est connecté à des sources continues pour obtenir l’effet
transistor.
• Des résistances seront associés aux circuits de polarisation pour limiter
les courants aux bornes du transistor et bien choisir le point de
fonctionnement.
2.5.1. Polarisation par résistance de base
a. Sans résistance d’émetteur 𝑹𝑬
On cherche durant cette opération le point
de polarisation d’attaque (𝑰𝑩 , 𝑽𝑩𝑬 ), et le
point de polarisation de charge (𝑰𝑪 , 𝑽𝑪𝑬 ).

Cette étude permet de déterminer l’état

de fonctionnement du transistor.
En utilisant une simple relation des mailles à l’entrée et la sortie du montage
nous aboutissons à:

𝑽𝑩𝑩 𝑽𝑩𝑬 𝑽𝑪𝑪 𝑽𝑪𝑬

𝑰𝑩 𝑰𝑪
𝑹𝑩 𝑹𝑪
 𝑉 𝑉 𝑉 𝑉
𝐼 𝑓 𝑉 𝐼 𝑓 𝑉
𝑅 𝑅 𝑅 𝑅
Droite d’attaque statique Droite de charge statique
b. Avec résistance d’émetteur 𝑹𝑬

On poursuit la même procédure qu’avant, et on

cherche à exprimer 𝐼 𝑓 𝑉 et 𝐼 𝑓 𝑉 .

𝑽𝑩𝑬 𝑽𝑩𝑩
𝑰𝑩
𝑹𝑩 𝜷 𝟏 𝑹𝑬 𝑹𝑩 𝜷 𝟏 𝑹𝑬

En faisant l’approximation 𝐼 𝐼 , on peut écrire:

𝑽𝑩𝑬 𝑽𝑩𝑩 𝑽𝑪𝑬 𝑽𝑪𝑪

𝑰𝑩 𝑰𝑪
𝑹𝑩 𝜷𝑹𝑬 𝑹𝑩 𝜷𝑹𝑬 𝑹𝑪 𝑹𝑬 𝑹𝑪 𝑹𝑬
Remarque:
Dans le cas où les deux tensions d’alimentation sont égales, 𝑽𝑩𝑩 𝑽𝑪𝑪
𝑬, le schéma peut être simplifié comme suit:

𝑽𝑩𝑬 𝑬 𝑽𝑪𝑬 𝑬
𝑰𝑩 𝑰𝑪
𝑹𝑩 𝜷𝑹𝑬 𝑹𝑩 𝜷𝑹𝑬 𝑹𝑪 𝑹𝑬 𝑹𝑪 𝑹𝑬
2.5.2. Polarisation par résistance entre base et collecteur

Dans ce cas deux mailles peuvent être

exploitées dans ce cas: maille Base‐
Collecteur et maille Collecteur‐Émetteur.

Expressions de: 𝐼 𝑓 𝑉 et 𝐼 𝑓 𝑉 :

𝑽𝑩𝑬 𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑩
𝑹𝑩 𝜷 𝟏 𝑹𝑪 𝑹𝑩 𝜷 𝟏 𝑹𝑪

𝑽𝑪𝑬 𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑪
𝟏 𝟏
𝟏 𝑹𝑪 𝟏 𝑹𝑪
𝜷 𝜷
 2.5.3. Polarisation par pont diviseur

Transformation de 
Thévenin
𝑹𝟐
𝑽𝒕𝒉 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝟐 𝑹𝟏
𝑹𝟏 𝑹𝟐
𝑹𝒕𝒉
𝑹𝟏 𝑹𝟐

Droite d’attaque 𝑰𝑩 𝒇 𝑽𝑩𝑬 Droite de charge 𝑰𝑪 𝒇 𝑽𝑪𝑬

𝑽𝑩𝑬 𝑽𝒕𝒉 𝑽𝑪𝑬 𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑩 𝑰𝑪
𝑹𝒕𝒉 𝜷 𝟏 𝑹𝑬 𝑹𝒕𝒉 𝜷 𝟏 𝑹𝑬 𝑹𝑪 𝑹𝑬 𝑹𝑪 𝑹𝑬