Dispositivi e Tecnologie

Elettroniche
Esercitazione
Giunzione pn
Esercizio 1: testo
¥ Si consideri una giunzione brusca e simmetrica
17 −3
con drogaggio NA = ND = 10 cm , sezione
trasversale A = 0.5 mm2 e lati lunghi rispetto
alle lunghezze di diffusione dei portatori
minoritari
¥ Le mobilità dei portatori minoritari nei due lati
siano µn = 1000 cm2 V−1 s−1 (elettroni nel lato p)
2 −1 −1
e µp = 400 cm V s (lacune nel lato n),
mentre i tempi di vita siano τn = τp = 1 µs
¥ Determinare la caratteristica statica della
giunzione
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Esercizio 1: soluzione
¥ Per calcolare la corrente di saturazione inversa
occorre determinare la diffusività dei portatori
minoritari:
2 2
Dn = VT µn = 26 cm /s Dp = VT µp = 10.4 cm /s
¥ e le lunghezze di diffusione:
p
Ln = Dnτn = 50.99 µm
p
Lp = Dpτp = 32.25 µm

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Esercizio 1: soluzione
¥ La corrente di saturazione inversa vale
10 −3
(ni = 1.45 × 10 cm )
2 2
ni Dn ni Dp −14
Is = qA + qA = 1.4 × 10 A
N A Ln N D Lp
¥ La caratteristica statica ha espressione
· µ ¶ ¸
V
I = Is exp −1
ηVT
dove il fattore di idealità η dipende da V ed è
compreso tra 1 e 2

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Esercizio 2: testo
¥ Si consideri una giunzione brusca e simmetrica
15 −3
con drogaggio NA = ND = 10 cm , sezione
trasversale A = 1.5 mm2 e lati lunghi rispetto
alle lunghezze di diffusione dei portatori
minoritari
¥ Le mobilità dei portatori minoritari nei due lati
siano µn = 1050 cm2 V−1 s−1 (elettroni nel lato p)
2 −1 −1
e µp = 450 cm V s (lacune nel lato n),
mentre i tempi di vita siano τn = τp = 1 µs
¥ Determinare i parametri di piccolo segnale del
diodo per la polarizzazione V0 = 0.6 V
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Esercizio 2: soluzione
¥ La determinazione dei parametri di piccolo
segnale richiede la conoscenza del punto di
funzionamento a riposo della giunzione, e quindi
occorre valutarne la caratteristica statica
¥ Per calcolare Is occorre determinare la
diffusività dei portatori minoritari:
2 2
Dn = VT µn = 27.3 cm /s Dp = VT µp = 11.7 cm /s
e le lunghezze di diffusione:
p
Ln = Dnτn = 52.25 µm
p
Lp = Dpτp = 34.21 µm
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Esercizio 2: soluzione
¥ Si ha poi (ni = 1.45 × 1010 cm−3)
2 2
ni Dn ni Dp
Is = qA + qA = 4.36 pA
N A Ln ND Lp
¥ Assumendo η = 1, si ha il pdf
· µ ¶ ¸
V0
I0 = Is exp − 1 = 45.88 mA
ηVT
¥ Poiché il pdf è in polarizzazione diretta, si può
trascurare la capacità di svuotamento rispetto a
quella di diffusione

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Esercizio 2: soluzione
¥ Nel pdf, i parametri differenziali valgono
I0 + Is
gd0 = = 1.76 S
ηVT
2 · ¸ µ ¶
ni Ln Lp V0
Cd0 = qA + exp = 1.77 µF
VT NA ND VT

i s s
( t ) i s s
( t )

g d 0
C d 0
v s s
( t ) v s s
( t )

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Esercizio 3: testo
¥ Si consideri una giunzione brusca con drogaggi
15 −3 17 −3 2
NA = 10 cm e ND = 10 cm , A = 0.2 mm e
lati lunghi
¥ Le mobilità dei portatori minoritari nei due lati
siano µn = 1050 cm2 V−1 s−1 e µp = 400
2 −1 −1
cm V s , mentre i tempi di vita siano
τn = τp = 1 µs
¥ Determinare l’intervallo di tensioni di
polarizzazione necessario a realizzare una
capacità accordabile con valori compresi tra 5
pF e 10 pF
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Esercizio 3: soluzione
¥ La realizzazione di una capacità accordabile
richiede di poter trascurare la conduttanza
differenziale della giunzione, e quindi occorre
lavorare in polarizzazione inversa
¥ In polarizzazione inversa, la
capacità di diffusione è
i ( t ) i ( t )
trascurabile s s s s s

C s 0
v ( t ) v ( t )
q²Neq s s s s

Cs0 = A
2[Vbi − V0]

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Esercizio 3: soluzione
¥ Invertendo la relazione che definisce la capacità
di svuotamento
2 qNeq²s
V0 = Vbi − A 2
2Cs0
dove
NAND
Vbi = VT ln 2 = 0.7 V
ni
¥ Sostituendo:
V0(Cs0 = 10 pF) = −2.58 V
V0(Cs0 = 5 pF) = −12.43 V
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Esercizio 4: testo
¥ Assumendo che va(t) sia una forma d’onda
sinusoidale di valore massimo pari a 2 V, per il
circuito di figura determinare graficamente vu(t)
utilizzando il modello statico semplificato del
diodo
¥ Si assuma inizialmente Vγ = 0 V, e poi si ripeta
l’analisi per Vγ = 0.5 V
v ( t )
R = 1 k W v ( t ) a
D
2 V
1

i ( t )
v ( t ) v ( t )
W
a u
R = 3 k t
2

- 2 V

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Esercizio 4: soluzione
¥ Secondo il modello statico semplificato, quando:
¨ vD(t) ≤ Vγ il diodo è un circuito aperto (interdetto)
¨ i(t) > 0 il diodo è un generatore ideale di tensione (in
conduzione)
¥ Occorre quindi determinare gli istanti di
commutazione da uno stato all’altro
¥ È spesso conveniente utilizzare R e q

il circuito equivalente di v ( t ) v ( t )
e q D

Thevenin ai capi del diodo:

veq(t) = va(t) Req = R1 + R2 = 4 kΩ
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Esercizio 4: soluzione
¥ Poiché quando il diodo è interdetto la corrente è
nulla, la commutazione si ha negli istanti in cui:
vD(t) = Vγ =⇒ veq(t) = va(t) = Vγ
¥ In particolare, il diodo è interdetto per
vD(t) ≤ Vγ =⇒ veq(t) = va(t) ≤ Vγ

V = v ( t )
R v D
( t ) R
g D
1 1

v ( t ) £ V v ( t ) v ( t ) > V v ( t )
a g R 2
u a g R 2
u

D i o d o i n t e r d e t t o D i o d o i n c o n d u z i o n e

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Esercizio 4: soluzione
¥ Si ha quindi (dove R2/(R1 + R2) = 0.75):

0 va(t) ≤ Vγ
vu(t) =
[va(t) − Vγ ] R2 v (t) > V γ
R1 + R2 a

¥ La curva vu(va) viene detta caratteristica di

trasferimento (di tensione) del circuito
v u
v u

V = 0 V v V = 0 . 5 V V v
g a g g a

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Esercizio 4: soluzione

v a
( t ) v a
( t )

2 V 2 V
V
V
g
g

t t

- 2 V - 2 V

v u
( t ) v u
( t )

1 . 5 V
1 . 1 2 5 V

t t

V g
= 0 V V g
= 0 . 5 V

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Esercizio 4: soluzione
¥ Un circuito con questa caratteristica di
trasferimento viene detto raddrizzatore ad una
semionda
¥ Un caso ideale è quello in cui R1 = 0, per il quale

0 va(t) ≤ Vγ v D
( t )

vu(t) = v ( t ) R v ( t )
va(t) − Vγ va(t) > Vγ a u

v u
v u

V = 0 V v V = 0 . 5 V V v
g a g g a

Dispositivi e Tecnologie Elettroniche — Esercitazione sulla giunzione pn 17

Esercizio 4: soluzione

v a
( t ) v a
( t )

2 V 2 V
V
V
g
g

t t

- 2 V - 2 V

v u
( t ) v u
( t )

2 V
1 . 5 V

t t

V g
= 0 V V g
= 0 . 5 V

Dispositivi e Tecnologie Elettroniche — Esercitazione sulla giunzione pn 18

Esercizio 5: testo
¥ Si consideri il circuito di figura, alimentato con
una forma d’onda triangolare con Vp > V1, V2
¥ Nell’ipotesi di utilizzare il modello statico
semplificato del diodo, si determinino:
¨ la caratteristica di trasferimento di tensione vu(va)
¨ la forma d’onda d’uscita vu(t)
v a
( t )
R v ( t )
D 2 V p

v ( t )
v ( t ) D 1
v ( t )
t
a u

V 1
V 2

- V
D D
p
1 2

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Esercizio 5: soluzione
¥ La presenza di due diodi complica lo studio del
circuito
¥ È conveniente ricavare inizialmente la
caratteristica di trasferimento
¨ Si assume va → −∞, e si desume lo stato dei due diodi
in questa condizione per ispezione del circuito
¨ Si incrementa va identificando i valori per cui si ha la
commutazione dei diodi sulla base della condizione:
• annullamento della corrente che attraversa il diodo in
conduzione
• tensione ai capi del diodo interdetto pari a Vγ
Dispositivi e Tecnologie Elettroniche — Esercitazione sulla giunzione pn 20
Esercizio 5: soluzione
¥ Nel caso del circuito in esame, per va → −∞:
¨ D1 è interdetto
¨ D2 è in conduzione
R v ( t )
¥ In queste condizioni: D 2

v ( t ) V
v a
( t ) D 1 g
v u
( t )

vu = −V2 − Vγ V 1
V 2

D 1
D 2

¥ La commutazione di D2 avviene per:

I = −(va − vu)/R = −(va + V2 + Vγ )/R = 0
ovvero va = −V2 − Vγ
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Esercizio 5: soluzione
¥ La commutazione di D1, invece, ha luogo per
(trascurando la caduta di potenziale su R):
vD1 = va − V1 = Vγ
ovvero va = V1 + Vγ
¥ Pertanto, nell’intervallo −V2 − Vγ < va < V1 + Vγ
entrambi i diodi sono interdetti e vu = va
R v ( t )
¥ Per va ≥ V1 + Vγ D1 conduce e D 2

V
v a
( t ) g
v u
( t )

vu = V1 + Vγ V 1
V 2

D 1
D 2

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Esercizio 5: soluzione
¥ Riassumendo, la caratteristica di trasferimento
risulta
essere:

−V2 − Vγ se va ≤ −V2 − Vγ
vu = va se −V2 − Vγ < va < V1 + Vγ

V + V
1 γ se va ≥ V1 + Vγ
v u
V + V g

¥ I circuiti di questo tipo vengono - V

1

- V
2 g

detti limitatori V 1
+ V g
v a

- V 2
- V g

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Esercizio 5: soluzione
v a
( t )

¥ Confrontando la V 1
+ V g

caratteristica di - V - V t
2 g

trasferimento con la
tensione di ingresso
v ( t )
vu(t) si ha il grafico di u

V + V
figura 1 g

- V - V t
2 g

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