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Introdução
Tipos de transistores
Transistores 1
NPN
BIPOLARES
PNP
Canal N
JFET
Canal P
TRANSISTOR ES
UNIPOLARES Canal N
Depleção
Canal P
MOSFET
Enriquecim ento Canal N
Canal P
O transistor bipolar
Corrente de elétrons
I C alta
-
-
- -
-
- O coletor, levemente
- - - dopado, está "positivo"e
Corrente convencional (+)
N emissor
Corrente de elétrons
I alta
E
Corrente convencional (+)
Corrente de elétrons
Transistores 2
O emissor é a região rica em portadores de carga; sua tarefa é enviar os portadores
para a base e dali para o coletor. O coletor como o nome diz, coleta os portadores que
atravessam a base. A base atua como região de controle do fluxo de portadores de carga do
emissor para o coletor.
As regiões tipo N contém elétrons livres como portadores majoritários, enquanto que
a região tipo P contém lacunas como portadores majoritários. O nome transistor bipolar vem
do fato que ambos os portadores (elétrons livres e lacunas) tomam parte do fluxo de corrente
que atravessa o dispositivo.
C
Coletor
N
P Base
B
N Emissor
E
iC
C
+
B
A V VCE
iB -
+ -
Transistores 3
16
14 120 µA
100 µA
80 µA
10
8 60 µA
6 40 µA
4
20 µA
2
iB = 0 µA
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Transistor PNP
O transistor bipolar PNP opera de maneira análoga ao transístor NPN, porém com
fluxo de portadores majoritários de cargas sendo as lacunas.
I C alta
+ +
+ +
+
O coletor, levemente
+ + dopado, está "negativo" e
atrai as lacunas vindas do
Corrente de lacunas (+)
P emissor
Corrente de lacunas
+
+ +
- - A base está pobre
- - N de elétrons
++ + + + ++
+ +
I baixa + ++ + +
B + + + ++ +
+ ++ + P
+ O emissor, altamente
+ ++ + + ++ + dopado, está "rico"
++ + + + + de lacunas
+ ++ ++ +
+
- + + + + + + + + +++
+ + ++ + + + + + +
++ + + + + +
+
I alta
E
Transistores 4
C
Coletor
P
N Base
B
P Emissor
E
iB = 0 µA 0
-2
-20 µA
-40 µA
-6
-60 µA -8
-80 µA -10
-12
-100 µA
-120 µA -14
-16
-16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0
Transistores 5
Transistor: Encapsulamento plástico TO-92
Base Coletor
4,2 Base 5,2
Coletor 1,27
5,2
1,27
E m issor
E m issor
Transistores 6
Circuitos de polarização de transistores bipolares
R
C
i
C
R +
B
+
+
VCE VC C
-
-
+ i VBE -
B
VB B
-
i i B4
C
Região de saturação
i
B3
i
B2
Região ativa
i
B1
Região de corte
iB = 0
-V 0 V CE
A
i C = I S e VBE / VT (1)
Transistores 7
i
β= C (2)
iB
vem que:
i I
i B = C = S e VBE / VT (3)
β β
À partir da definição de α:
i
α= C (4)
iE
obtém-se:
i
i E = C = αI S e VBE / VT (5)
α
Aplicações
Transistores 8
AMPLIFICADOR
Sinal de saída
FONTE DE POTÊNCIA CC
O JFET opera no modo de depleção, isto é, uma tensão aplicada no terminal porta
pode remover os portadores de carga presentes no canal N. Por exemplo, o transistor
mostrado na Fig. 4 conduzirá normalmente do terminal fonte para o terminal dreno. O canal N
contém elétrons livres em quantidade suficiente para suportar o fluxo de corrente. Se a tensão
da porta se tornar negativa, os elétrons livres serão empurrados para fora do canal N, pois
cargas iguais se repelem. Isto deixa o canal com poucos elétrons livres e a sua resistência
Transistores 9
aumentará várias vezes, reduzindo assim a corrente entre dreno e fonte. Na realidade, se a
tensão no terminal porta se tornar negativo, o dispositivo pode ser desligado e nenhuma
corrente fluirá. Existem algumas diferenças importantes entre transistores bipolares e
unipolares, a principal delas é que o transistor bipolar é controlado por corrente, e o transistor
unipolar é controlado por tensão.
O JFET é o mais simples tipo de transistor dentre todos eles e tem pequeno uso
atualmente, em função das melhores características do MOSFET. Sua aplicação é restrita aos
circuitos discretos, nos quais é utilizado tanto como amplificador como chave. Nos circuitos
integrados as suas aplicações estão limitadas aos estágios de entrada diferencial de alguns
amplificadores operacionais para os quais deseja-se uma alta impedância de entrada em
comparação aos transistores bipolares.
Dreno (D)
Canal
Porta (G) P N P
S
Fonte (S)
Região de depleção
iG
Dreno
Porta tipo P+
Fonte
iD
Canal tipo N
Porta tipo P+
iS
VDD
V
GG
Transistores 10
ID
+
+
V V V
DS DD
-
-
V V
GS
-
VG G
+
Dreno (D)
Canal
Porta (G) N P N
S
Fonte (S)
Transistores 11
Fig. 17 Curvas V-I características de um JFET canal N.
) SiO2
t e (S G)
Fon ta (
Por
N+ (D)
no
Dre
Can
al P
N+
Sub
stra
to ti
po P
Terminal do
substrato (B)
Fig. 18 Transistor de efeito de campo metal óxido semicondutor (MOSFET) ou FET de porta
isolada (IGFET).
Transistores 12
Fig. 19 Princípio de funcionamento do MOSFET no modo enriquecimento.
SUBSTRATO SUBSTRATO
PORTA (G) (B) PORTA (G) (B)
Fig. 20 (a) Curvas V-I características e (b) curva de transferência (para VDS = 10 V) para um
NMOSFET que tanto pode ser usado no modo de depleção quanto no modo de
enriquecimento (Millman, 1967).
Transistores 13
Circuitos digitais que empregam lógica CMOS
+VDD
Q1
Vin Vout
Q2
A lógica CMOS oferece algumas vantagens substanciais, tais como: baixa dissipação
de energia, excelente margem de ruído e elevada capacitância. Esta última característica,
embora reduza a velocidade do dispositivo, por outro lado torna-o bastante insensível à fonte
de potência utilizada. Ainda, pode-se aumentar a sua margem de ruído aumentando-se o valor
de VDD.
Transistores 14
Fig. 22 Esquema de uma memória de computador RAM utilizando CMOSFET.
Transistores 15
Comparação entre o transistor bipolar e o MOSFET.
Referências bibliográficas
HOROWITZ, P., HILL, W. The art of electronics. New York: Cambridge University Press,
1993.
MALMSTADT, H.V., ENKE, C.G. Electronics for scientists: principles and experiments for
those who use instruments. New York: W.A. Benjamin, 1962.
Transistores 16
MILLMAN, J. & HALKIAS, C.C. Electronic devices and circuits (International student
edition). Tokyo: McGraw-Hill Kogakusha, 1967.
SCHULER, C.A. Electronics principles and applications. New York: McGraw-Hill, 1985.
SEDRA, A.S., SMITH, K.C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books, 2000.
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