Rapport Du Projet Assemblage Des Substra

1 Rapport du projet : Assemblage-des substrats-MCMS-3D
TP&Cours encadrés par Mr.Dr LAMHAMDI Mohamed Année universitaire 2015-2016

Remerciement
On tient à vous remercier du fond du cœur pour
chaque minute passée avec nous, chaque information, chaque
nouvelle leçon que vous nous avez enseignée, pour votre aide,
vos efforts, vos observations, vos critiques pertinentes et
pour vos conseils concernant la réalisation et la recherche
de ce projet.
On vous remercie également pour votre patience,

l’amabilité et la bonne formation complète et suffisante que
vous nous avez apportée tout au long de ce module d’où la
clé de réussite de notre code et notre Projet.
Les mots restent incapables de tout exprimer et la
langue une traitre mais Dieu un grand benedicteur qu’il vous
bénisse Monsieur
Dr. LAMHAMDI Mohamed

Table des matières
Remerciement ............................................................................ 2
Table des matières .................................................................... 3
Liste des figures………………..………………………………5
INTRODUCTION GENERALE…………………………..…6
CHAPITRE I : Assemblage de substrats…………………..7
Introduction Chapitre I.............................................. ………..8
I - 1 – Technologie d’assemblage des substarts .....................9
I – 1-1- Les substrats organiques rigides........................ ...10
I – 1-2- Les subtrats organiques souples.............................10
I – 1-3- Les subtrats céramiques....................... ..................10
I – 1-4- Les substrats métalliques isolés..............................11
I - 2 – Ligne d’assemblage des subtrats..................................11
I - 3 –Les different techniques de scellement des substrats.12
I – 3-1- Scellement par soudre anodique..........................12
I – 3-2-Scellement par contact direct.................................13
I -4 – Les procédés d’assemblage des substrats ( brevets de
recherche............................................................. ..................... 13
I-4-1- Procédé d'assemblage de substrats par dépôt d'une
couche mince de collage d'oxyde ou de nitrure....................13
I -4-2- Procede d'assemblage de deux substrats par collage
( utilisation d’un joint) ....................... ....................... ............ 15
I -4-3- Procédé d'assemblage, par collage deux substrats.17
Conclusion Chapitre I ..............................................................20
CHAPITRE II : Système multichip des module...............21

Introduction Chapitre .................................... ........................22

II - 1 - Description général sur les MCMs......................... …23
II – 2 – Etude sur les Technologies des MCMs.....................24
II - 3 – Les avantages des technologies MCMs ....................24
II - 4– Les inconvénients des technologies MCMs........ 26
Conlusion Chapitre II....................... ....................... ........27
CHAPITRE III :Assemblage 3D.................................... 28
Introduction Chapitre 3....................... ............................29
III - 1 – Types d’assemblage....................... .....................30
III - 1 - 1 – Intégration verticale moyenne densité : 3D-WLP
....................... ....................... ....................... .......................31
III - 1 - 2 – Intégration verticale haute densité 3D-IC…31
III - 1 - 2 – Intégration verticale haute très haute densité 3D-
monolithique....................... ....................... .......................32
III - 2 – Applications .........................................................32
III - 2 - 1 – Les microprocesseurs ....................................33
III - 2 – 2 – Les mémoires....................... ..........................34
III - 2 – 3-Les capteurs....................... ...............................34
Conclusion Chapitre 3....................... ...............................35
CONCLUSION GENERALE...........................................36
Webiographie....................... ....................... ......................37

Liste des figures
Chapitre 1
Figure I : Exemple de constitution d’un circuit imprimé 6

couches
Figure 2 : Exemple d’interconnexions entre les différents
niveaux d’un circuit imprimé 4 couches
Chapitre 2
Figure 1 : Exemple d’une structure MCM
Figue 2 : MCM-L
Figure 3 : MCM-C
Figure 4 : MCM_D
Figure 5 : EMC Check
Figure 6 : Physical EM Analisys
Figure 7 : Power/Heat Calculation
Chapitre 3
Figure 1 : Exemples de technologies 3D-WLP
Figure 2 : Un processeur directement connecte au
dissipateur thermique

Introduction générale
L’évolution qui caractérise principalement le domaine de la
microélectronique est la réduction des dimensions des circuits intégrés. Au
cours des quatre dernières décennies l’industrie des semi -conducteurs n’a
cessé d’améliorer ses produits grâce à l’augmentation de la densité
d’intégration, de la vitesse de fonctionnement et de la diminution du coût
de fabrication. Pourtant, les effets de la réduction des dimensions ne se
limitent pas à un simple facteur d’échelle : des effets secondaires
apparaissent, des limitations physique et technologique font surgir de
nouvelles contraintes. L’introduction de solutions innovantes se révèle
indispensable : parmi les nombreuses solutions proposées pour remplacer
les systèmes traditionnels basés sur le couple cuivre-diélectrique, la plus
prometteuse est l’intégration tridimensionnelle.
L’intégration tridimensionnelle connue sous le nom d’assemblage 3D

consiste en un empilement de tranches électroniques dont l'interconnexion
s'effectue en trois dimensions en utilisant les faces de l'empilement pour
réaliser les connexions entre les tranches. On distingue trois principales
technologies : la MCM, la TAB la Flipchip, dans cette recherche on va
entamer juste la MCM.
Ce projet fait partie des projets les plus intéressants durant notre
cursus scolaire, il est en sorte un plus du cours que Monsieur LAMHAMDI
Mohamed nous a assuré. Il fait suite de la partie assemblage développée et
contient aussi des brevets de recherches qu’on va les présenter dans la
partie d’assemblage des substrats.
En tant que futur ingénieur, il n'est pas suffisant de se contenter au

cours du format papier mais aussi de mettre en pratique nos connaissances
pour les consolider et même les développer…Sont les projets qui nous aide
pour développer des idées existantes dans ce monde de microélectronique,
même si que ça reste sans travaux pratiques, mais ça aide pour avoir
d’autre idées et développer l’esprit de recherche.

Chapitre I:
L’assemblage des substrats

Introduction Chapitre 1
De la réalisation proprement dite des puces électroniques à leur

intégration dans des boitiers ou sur des cartes, un certain nombre
d’opérations technologiques interviennent au niveau du substrat. A la fin
des opérations dites de front end au cours desquelles les composantes
électroniques sont fabriqués collectivement sur un substrat, la première
étape du back end consiste à tester les puces afin d’identifier celles qui
sont conformes ou non conformes au cahier des charges, cette opération est
appelée ‘’ contrôle sous pointe’’
Traditionnellement, les étapes d’assemblage et de test au niveau du
substrat sont effectuées sur même site industriel.
Les substrats sont ensuite acheminés pour des opérations concernant :
- La rectification : amincissement des substrats suivant les
spécifications en épaisseur du boitier final .
- La découpe des substrats pour séparer les puces (sawing ou dicing )
- Le rapport des composants sur un substrat selon diverses
technologies ;
- Le câblage ( routage et interconnexions) vers le substrat d’accueil afin
de reporter les connexions électriques ( alimentation, masse et
signaux de la puce) vers l’extérieur du boitier ( wire bonding) .
Pendant longtemps, l’opération de câblage des puces était effectuée à
l’aide de fils mais depuis quelques années de nouveaux procédés
d’interconnexion ont émergé, le plus connu étant le flip chip. Cette méthode
consiste à retourner la puce sur le substrat . La connexion électrique et
mécanique est établie à l’aide de billes positionnées sur des plots de
connexions. Cette technique d’interconnexion est surfacique ( l’ensemble de
la surface de la puce intervient ) et permet donc un gain d’intégration
important et une diminution de l’encombrement.

La dernière étape consiste à protéger le composant à l’aide d’une résine

époxy ( ou un autre polymère). Cette étape, appelée encapsulation (
packaging ) ou moulage, est suivie d’une opération de polymérisions
permettant la stabilisation de la résine.
Bien que ces opérations soient qualifiées de back end au sens de la

micro-électronique, elles sont considérées comme front end pour le
montage des composants puisque les puces sont encore nues et exigent un
certain niveau de propreté environnemental. En effet, avant encapsulation,
les circuits intégrés sont vulnérables aux contaminations de tout ordre, et
c’est pourquoi toutes les opérations précédentes sont effectuées dans des
salles blanches (classes 1 000).
I – 1- Technologie d’assemblage des substrats :

I – 1- 1-Les substrats organiques rigides :
Un circuit imprimé multicouches est un empilement de préimprégnés et
de stratifiés (recouvert d’une feuille de cuivre sur une ou deux faces),
comme le montre l’exemple d’une construction à 6 couches ci-dessou
Figure I-1-1 : Exemple de constitution d’un circuit imprimé 6 couches

Les couches conductrices sont des feuilles de cuivre gravées par dépôt
de résine photosensible puis attaquées chimiquement. Les stratifiés et les
préimprégnés sont composés d’une résine (époxy, polyimide, etc...), associée
à une charge généralement sous forme de tissu (verre, quartz, kevlar, etc...).

A la différence des stratifiés, les préimprégnés ont leur résine

incomplètement polymérisée, pour permettre le collage des autres couches
élémentaires du multicouches, et pour remplir les zones gravées des
couches internes, en fluant pendant le cycle de pressage de l’empilement.
Pour relier électriquement les différentes couches entre elles, on fait appel à
des trous métallisés. Ils peuvent être débouchants pour relier les deux faces
externes, borgnes pour relier une face externe à une couche interne, ou
enterrés pour relier deux couches internes (Figure I-15). Ils sont constitués
par l’association d’un trou et de pastilles (sur les couches concernées par la
liaison électrique) dont les diamètres sont fixés par la classe d’isolement du
circuit imprimé, et par l’épaisseur de la métallisation recouvrant les parois
du trou afin d’assurer la continuité électrique.
Figure I-2 : Exemple d’interconnexions entre les différents niveaux d’un

circuit imprimé 4 couches
I – 1- 2-Les substrats organiques souples :

Les circuits « flex » utilisent sensiblement la même technologie que les
circuits imprimés organiques rigides. Ils sont constitués d’un empilement
de couches isolantes (polyimides ou polyesters) et de couches conductrices
en cuivre. Le collage des différentes couches est obtenu à l’aide d’adhésif
époxy ou acrylique. Leur intérêt est la souplesse du substrat qui peut
prendre des formes autorisant de faibles rayons de courbures réduisant

ainsi le nombre de fils et de connecteurs dans certains montages : Un seul

circuit « flex » permet de réaliser l’interconnexion de tous les composants
d’un système en se pliant au contraintes de formes du boîtier externe
(appareils photo, caméscopes). Le maintien mécanique de l’assemblage est
naturellement plus exigeant que pour les circuits rigides. Aujourd’hui, ce
type de substrat permet la même densité d’intégration que son homologue
rigide.
I – 1- 3-Les substrats céramiques :
Ils sont constitués de couches d’alumine sur lesquelles sont sérigraphiées les
pistes métalliques (tungstène, molybdène, argent-palladium). A la base de la
microélectronique hybride, ces substrats sont bien adaptés à la technologie
Chip-On-Board et permettent une grande densité d’intégration avec de
bonnes qualités de dissipation thermique mais ils restent relativement
fragiles. C’est un procédé largement éprouvé et fiable, mais très coûteux
surtout en multicouches.
I – 1- 4-Les substrats métalliques isolés :
Les SMI (Substrat Métallique Isolé) sont constitués d’un support métallique
(acier, aluminium ou colaminé de cuivre-invar-cuivre) isolé par émaillage ou
par dépôt d’une couche de résine époxyde ou polyimide. Les pistes en
cuivre sont ensuite obtenues sur cette couche isolante avec les mêmes
procédés que pour les autres technologies. Cette technologie autorise un
câblage sur les deux faces mais sans liaison électrique (ou très
difficilement). Le principal avantage de ces substrats réside dans leurs
propriétés thermiques et mécaniques. En effet, l’âme métallique servant de
support permet une excellente dissipation thermique et possède de très
bonnes caractéristiques mécaniques assurant une bonne protection à
l’assemblage. Dans certains cas les SMI constituent l’une des faces du
boîtier du système.
I – 2-Ligne d’assemblage de substrats
L’assemblage de substrat nécessite dans un premier temps d’alignement
avec précision de 2 ou 3 substrats sur lesquels les procédés adéquats ont
été effectués puis le scellement sous environnement contrôlé (sous vide,
sous pression partielle de gaz inerte, etc.) de ces substrats par différentes
techniques. L’acquisition de cette ligne d’assemblage va donc permettre de

proposer aux différents clients (chercheurs, entreprises) des solutions de

Wafer Level Packaging (assemblage collectif de plusieurs substrats)
I – 3-Les différentes techniques de scellement des substrats :
Des substrats de natures différentes ou identiques et de mêmes dimensions
peuvent être scellés en cours ou en fin de procédé, après alignement en
utilisant des techniques de scellement par soudure anodique, par contact
direct ou par adjonction d'une couche intermédiaire. Ces techniques
permettent de développer des procédés d’assemblage à l’échelle du substrat
(Wafer Level Packaging)
I – 3- 1-Scellement par soudure anodique
La soudure anodique permet de sceller un substrat en verre (verre dopé
Bore et contenant du sodium) et un substrat en silicium (oxydé ou non) à
une température voisine de 420°C (à cette température les coefficients de
dilatation du verre et du silicium sont proches), sous vide (ou non) en
appliquant une pression mécanique et une tension continue de plusieurs
centaines de volts. Des assemblages plus complexes (Si/Verre/Si ou
Verre/Si/Verre) peuvent être réalisés en une seule fois en utilisant une
polarisation alternée de plusieurs centaines de volts permettant au procédé
de scellement de s’effectuer sur chaque face du substrat central lors de
chaque demi-alternance.
I – 3- 2-Scellement par contact direct
La soudure par contact direct permet plus de flexibilité en terme
d’utilisation de substrats de natures différentes ou identiques. Le procédé de
soudure directe du silicium (Silicon Direct Bonding) est obtenu
hydrophilisant préalablement (par voie chimique ou par plasma) la surface
d’un (ou des deux) substrat(s) et en mettant les substrats en contact intime
(pression mécanique). Le procédé de mise en contact se déroule
généralement sous vide et est suivi d’une étape de traitement thermique qui
permet de renforcer le scellement.
Il est également possible de sceller deux substrats en intercalant des
polymères du type SU8, polyimides, BCB, etc. On dépose généralement le
polymère sur un seul des 2 substrats. Il pourra avoir préalablement subit
une étape de photolithographie (le polymère ne recouvre plus la totalité de

la surface du substrat). Les deux substrats, sous vide et après traitement

thermique (rampes et paliers de températures) sont mis en contact
(pression mécanique). L’optimisation de ce type de scellement appelé
soudure adhésive nécessite de nombreux développements technologiques en
fonction des polymères utilisés.
Une autre technique de scellement consiste à réaliser un alliage Au-Si à une
température voisine de 360°C par diffusion thermique sous une pression
mécanique de l’or dans le silicium (ou autre couche). La soudure entre les
deux substrats se produit lors de la phase de refroidissement. Ce type de
scellement est appelé soudure eutectique.
I – 4-Les différents procédés d’assemblage des substrats :
I – 4- 1-Procédé d'assemblage de substrats par dépôt d'une
couche mince de collage d'oxyde ou de nitrure
Procédé d'assemblage par collage moléculaire de deux substrats dont au
moins un est réalisé dans un matériau semi-conducteur, caractérisé en ce
que l'un des substrats, appelé premier substrat, comporte une surface (A)
dont au moins une partie est plane et dotée d'une rugosité initiale de
surface compatible avec le collage moléculaire, le procédé comportant les
étapes suivantes :
1. dépôt, sur au moins une portion de la partie plane de la surface (A)
du premier substrat, d'une couche mince de collage d'oxyde ou de nitrure
d'épaisseur comprise entre 10 et 20 nm pour permettre un collage
moléculaire sans étape préalable de polissage,
2. saturation en groupements hydroxyles de la couche mince de collage,
- mise en contact de la couche mince de collage saturée en groupements
hydroxyles avec une surface (B) du deuxième substrat, au moins localement
plane en regard de la portion de la partie plane de la surface (A) et saturée
en groupements hydroxyles,
- collage moléculaire de type hydrophile entre les deux substrats. 2. Procédé
selon la première étape , caractérisé en ce que la surface (A) a une rugosité
initiale de surface inférieure à 0,5 nm.
3. Procédé selon l'une des deux étapes 1 à 2, caractérisé en ce que
l'oxyde est choisi parmi les oxydes suivants : Si, AbO3, oxydes de métaux.

4. Procédé selon l'une des étapes 1 à 3, caractérisé en ce que le nitrure

est choisi parmi les composés suivants : Si3N4, AIN, AINO3.
5. Procédé selon l'une des étapes 1 à 4, caractérisé en ce que la
saturation en groupements hydroxyles est réalisée par traitement chimique.
6. Procédé selon l'une des étapes 1 à 4, caractérisé en ce que la
saturation en groupements hydroxyles est réalisée au moyen d'un
rayonnement ultraviolet et en présence d'ozone.
7. Procédé selon l'une, des étapes 1 à 4, caractérisé en ce que la
saturation en groupements hydroxyles est réalisée par traitement plasma.
8. Procédé selon l'une des étapes 1 à 7, caractérisé en ce que, après
saturation en groupements hydroxyles de la couche mince de collage
d'oxyde ou de nitrure, cette dernière est trempée dans une solution
d'ammoniaque.
9. Procédé selon l'une des étapes 1 à 8, caractérisé en ce que le matériau
semiconducteur est choisi parmi les matériaux suivants : silicium, InP, Ge,
arséniure de galium, GaN, SiC, SiGe.
10. Procédé selon l'une des étapes 1 à 9, caractérisé en ce que l'autre
substrat est réalisé dans un matériau amorphe.
11. Procédé d'assemblage par collage moléculaire de plusieurs substrats
avec un substrat formant support, caractérisé en ce que chacun des
substrats, appelé premier substrat, qui est à assembler avec le substrat
formant support, appelé deuxième substrat, est assemblé par le procédé
d'assemblage selon l'une des étapes 1 à 10.
12. Procédé selon l’étape 11 , caractérisé en ce que chaque premier
substrat est un circuit intégré reporté sur le substrat formant support.

I – 4- 2-Procédé d'assemblage de deux substrats par collage

(utilisation d’un joint)
1. Procédé d'assemblage d'un premier substrat et d'un second substrat
par collage avec au moins un joint, caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser
la succession d'étapes suivantes :
- disposer au moins un joint de matière polymère entre le premier et le
second substrat, ledit au moins un joint comprenant au moins un agent
migrant apte à migrer à au moins une des interfaces du au moins un joint
pour générer une couche de faible cohésion,
- presser les deux substrats l'un contre l'autre.
- polymériser le au moins un joint pour obtenir l'assemblage collé des deux
substrats.

I – 4- 3-Procédé d'assemblage, par collage des substrats

1- Procédé d'assemblage, par collage, de deux substrats (1,2) caractérisé

en ce qu'on prévoit au moins deux entretoises (3,4), d'épaisseurs (e)
rigoureusement égales et constantes sur toutes leurs longueurs, entre les
deux surfaces ou subjectiles (1c,2c) en regard des deux substrats (1,2) à

assembler, on place une couche adhésive (5,9) entre les subjectiles (1c,2c) et
entre les entretoises (3,4), on applique les deux substrats (1,2) l'un contre
l'autre, avec les entretoises (3,4) interposées entre les subjectiles (1c, 2c), de
façon à enfermer entre les subjectiles (1c, 2c) et les entretoises (3,4) la
couche adhésive (5,9) d'épaisseur (e) rigoureusement égale à celle des
entretoises (3,4), et, après durcissement de la couche formant le joint
adhésif (5,9), on découpe les parties des substrats (1,2) voisines des
entretoises (3,4) sur une largeur suffisante pour faire disparaître les
entretoises (3,4) des deux substrats collés (1,2).
2.- Procédé selon l’étape 1 caractérisé en ce qu'on utilise, comme
entretoises (3,4), des éléments rapportés fixés préalablement, par exemple
par collage, sur l'un et/ou l'autre des subjectiles (1c, 2c) des substrats (1,2).
3.- Procédé selon l'une quelconque des étapes 1 et 2 caractérisé en ce
qu'on utilise des entretoises (3,4) constituées par des fils métalliques
parfaitement calibrés en diamètre.
4.- Procédé suivant l'une quelconque des étapes 1 et 2 caractérisé en ce
qu'on utilise des entretoises (3,4) constituées par des morceaux de
clinquant.
5.- Procédé suivant l'une quelconque des étapes1 et 2 caractérisé en ce
qu'on utilise des entretoises (21) constituées par des billes rigides calibrées,
de même diamètre, noyées dans un mastic de maintien (22).
6.- Procédé suivant l'une quelconque des étapes précédentes caractérisé
en ce qu'on découpe les substrats (1,2) suivant des plans (6,7) inclinés par
rapport aux substrats (1,2) de manière à obtenir des bords (1d,2d) en biseau
des substrats collés, après élimination des entretoises (3,4).
7.- Procédé suivant l'une quelconque des étapes 1 à 6 caractérisé en ce
qu'on forme, à l'extrémité d'un substrat (1), une branche extrême (1g)
séparée du reste du substrat par un évidement (1f) formé dans le subjectile
(1c) et contenant une masse d'adhésif (5a;9a-9c) constituant une
surépaisseur du joint (5,9), cette branche extrême (1g) étant éliminée, après
durcissement de l'adhésif, par l'opération de découpe.
8.- Procédé suivant l’étape 7 caractérisé en ce qu'on forme une branche
extrême (1g) qui s'étend au-delà du plan du subjectile (1c) en constituant
une section en saillie ou entretoise (1h) éliminée, après durcissement de
l'adhésif, par l'opération de découpe.

9.- Procédé suivant l’étape 6 caractérisé en ce qu'on forme une branche

extrême (1g) qui se termine par une face frontale située dans le plan du
subjectile (1c) et on colle, sur cette face frontale, une entretoise (8),
d'épaisseur constante (e), laquelle est constituée par un bloc
parallélépipèdique.
10.- Procédé suivant l'une quelconque des étapes 1 à 9 caractérisé en ce
qu'on encolle préalablement les subjectiles (1c,2c) entre les entretoises (3,4),
avant d'appliquer les deux substrats (1,2) l'un contre l'autre.

Conclusion Chapitre 1
Dans ce chapitre nous avons passé en revue quelques concepts

d’assemblage des substrats les plus utilisées les principales méthodes
d’interconnexions ainsi des brevets de recherche qui concernent ce type
d’assemblage qui ont été développés. Nous avons présenté dans ces
méthodes aussi les différentes étapes de l’assemblage d’un composant
électronique. Ces étapes sont génératrices de contraintes et peuvent
entraîner dans certains cas l’apparition de défaillances, et même les
procédés que nous avons présentés sont des brevets de recherche qui sont
difficile à comprendre et leurs réalisation demande un coût élevé.
Dans le prochain chapitre nous allons découvrir une nouvelle méthode

d’assemblage qui concerne les systèmes multichip et par la suite on va
présenter l’assemblage en 3D.

Chapitre II
Le module multi-chip
(Multi-Chip Module).

Dès les années 80, le concept du MCM reporte un

nombre élevé de pastilles de circuits intégrés nues,
directement sur un substrat multicouches en céramique
cofrittée.
Les MCM représentent le plus récent et le plus important
pas en avant en packaging micro-électronique. Avec l’arrivée
de ces technologies, on a assisté à une amélioration
significative des performances des fonctions électroniques,
accompagnée d’une réduction importante des tailles et du
poids des cartes électroniques. Avec l’augmentation
prévisible des volumes en micro-électronique, la technologie
MCM représente une alternative plus économique que les
actuels boîtiers mono-chip .

2-1- Description général sur les MCMs :

L’augmentation de la vitesse et des performances électriques des circuits
intégrés ainsi que l’augmentation du nombre de puces dans un boîtier ont
nécessité l’utilisation de nouvelles solutions plus
performantes. L’une des solutions est le MCM («
multi chip module ») qui correspond à un
module composé par plusieurs puces
assemblées sur un substrat généralement en
céramique. Les puces sont montées côte à côte.
L’avantage de cette filière d’assemblage MCM
est de pouvoir supprimer le boîtier unitaire et
de connecter les puces à un substrat commun.
Le MCM se définit par une structure d’au moins deux puces

interconnectées sur un même substrat et assemblées sous forme d'un groupe
interconnecté ; les lignes de connexions sont formées par des structures
multicouches séparées par un matériau diélectrique. Les MCMs possèdent une
variété de formes selon la complexité et le développement des philosophies de
leurs concepteurs. Il peut s'agir de l'utilisation des CI s préassemblés sur un
petit circuit imprimé (Printed Circuit Board - PCB) destiné à reproduire la
superficie d'un assemblage existant ; ceci peut être un assemblage intégrant de
nombreuses puces entièrement personnalisées sur un substrat à haute densité
d’interconnexion.
Exemple : L'utilisation de la zone active de silicium est d'environ 15%
pour les circuits montés en surface sur un PCB. Dans un MCM elle peut être
comprise entre 30 à 60%.

Date et heure Vignette Dimensions Utilisateur Commentaire

actuel
17 octobre 2006 à 800 × 531(64 Hellisp (discussion | Description: Multi Chip
18:35 Kio) contributions) Module (MCM) with four Power5
processors *
2-2 Etude sur les

technologies des MCMs :
Un Multi-Chip Module (MCM) est
un boîtier électronique spécialisé où
plusieurs circuits intégrés, des
matrices de semi-conducteurs et
d'autres composants discrets sont
assemblés sur un seul support ce qui
facilite leur utilisation en tant que
composant unique (comme un plus
grand IC). Le MCM lui-même est souvent désigné comme une « puce » dans les
conceptions, illustrant ainsi sa nature intégrée.
Les types d’assemblages du MCMs est une facette importante de la
miniaturisation de l'électronique moderne et des systèmes microélectroniques.
Les MCMs sont classés en fonction de la technologie utilisée pour créer le

substrat HDI :
 Le substrat est un PCB

multicouches laminé
MCM-
L  Basé sur technologies de PCB
stratifiés qui ont évolué pour atteindre les
exigences d'intégration les plus denses de la
demande d’aujourd’hui.

MCM-
 Les modules sont
C
déposés sur le substrat de base
en utilisant une technologie de
film mince.
MCM-D sont formés par les

MCM- diélectriques et les conducteurs
D déposés sur un substrat de base à
base de
silicium en général.
2-3-Les Avantages des technologies MCMs :

Taille et poids :
Plus courtes distances d'interconnexion Silicium CI plus près les uns des
autres réduction considérable de la taille et Poids .
Vitesse des données et l'intégrité du signal :
Plus courtes distances d'interconnexion Mieux de propriétés
électriques Impédance du système plus facile à contrôler.
Fiabilité / environnements difficiles
Les systèmes plus petits sont plus faciles à protéger contre les
interférences électromagnétiques, liquide, gaz, etc .
Basse consommation énergétique :
Petit système moins de puissance.
Interconnexions courtes petites pertes
Intégration de la technologie :

Analogiques et fonctions numériques peuvent être mélangés sans

limitations graves
Composants passifs peuvent être intégrés à l'intérieur du substrat,
résistances, condensateurs et inductances. filtres ...
Différents CI technologies peuvent être intégrées dans le même paquet.
(AsGa, Si ...)
Coût :
Les systèmes plus petits petits coûts.
L'intégration des composants petits coûts
Forfaits IC = 80% du coût d'un seul circuit intégré en supprimant le
paquet en diminuant les coûts.
2-4-Inconvénients de la technologie de MCM
Inconvénients électriques
 Raccourcir les distances d’interconnexion couplage de la tension et
du courant induit entre des traces Analyse électromagnétique nécessaire
pour contrôler l'impédance du système .
 Disposition routage dans les systèmes multicouches doit être
optimisée pour éviter un nombre excessif de trous d'interconnexion et les
interconnexions entre les couches.
IncInconvénients thermiques
 La chaleur de dissipation de puissance
 Non accepté Seul paquet doit être en mesure d'évacuer la chaleur
gén générée par tous les circuits.

Dans ce chapitre nous avons présenté une vue
détaillée sur l’Emballage Multi-Chip Module qui est une
facette importante de miniaturisation de l'électronique
moderne et systèmes microélectroniques. La demande pour
la miniaturisation des produits de consommation, des
systèmes aéronautiques et de défense, des dispositifs
médicaux et des tableaux de LED va continuer à croître. Le
module Multi-Chip (ou MCM) a été conçu pour de multiples
circuits intégrés (CI) ou pour faciliter leur utilisation comme
un seul paquet, On développera la technique 3D dans le
chapitre suivant.

Chapitre III
L’assemblage 3D

L’évolution des circuits intégrés lors de ces dernières décennies a été
essentiellement guidée Par la loi de Moore, qui indique que la densité des
transistors sur une puce double tous les dix-huit mois, à surface
équivalente. Pour augmenter les performances des puces et diminuer les
couts de fabrication, la miniaturisation a été la principale voie appliquée
depuis les années 70. Elle est représentée par les Soc (System on Chip),
dont le principe est de Co-intégrer sur une même puce des composants
actifs de natures différentes (CMOS, DRAM, Bicross) et passifs. Les
procédés de fabrications doivent pour cela être compatibles.
L’atteinte prévisible des limites de la loi de Moore, les besoins accrus en
termes de Performances, de gain de place, de
puissance…ont poussé les concepteurs dans les
années 90 à intégrer des fonctionnalités dans des
modules en trois dimensions. Il s’agit des circuits de
type Sipo (System in package) qui sont largement
répandus sur le marché depuis plusieurs années.
Ces composants allient plusieurs technologies
numériques traditionnelles (processeur, Contrôleur
mémoire, solution graphique, entrées/sorties,
connectique réseau, microsystèmes
Électromécaniques, ils sont intégrés séparément sur
différentes plaques, puis des puces de chaque
fonctionnalité sont découpées et associées dans un
même boitier. Les connexions entre puces sont
réalisées entre leurs plots d’entrées/sorties via des
fils.
On trouve aussi des configurations appelées Pop (Package over package)

ou PiP (Package inpackage), notamment pour assembler des stacks de
mémoire sur des processeurs ou des circuits bande de base dans des
appareils portables,ainsi réfléchir en termes d’intégration des composants
dans les trois dimensions de l’espace pour réduire les distances de
connexion.

3-1- Types d’assemblage

3-1-1-Intégration verticale moyenne densité :
3D-WLP
La Figure permet de classer les différentes architectures 3D en fonction du
niveau d’interconnexions concerne , ainsi, le niveau 1 renvoie aux
connections de type ≪plots ≫,
les entrées et sorties d’un système électronique a titre d’exemple,
Nous citons les plus courants, ainsi que les signaux logiques comme la
fréquence d’horloge (cloc). Les deux types de connectiques généralement
utilises pour amener ces signaux globaux aux entrées et sorties du circuit
sont le câblage externe (wire bonding) et le report de puce retournée (flip
chip).
Parmi toutes ces approches d’intégration, le vecteur commun est
l’utilisation de TSV de grande dimension (typiquement un diamètre de
plusieurs dizaines de microns pour un facteur de forme variant) pour
reporter les connections électriques d’une face vers une autre sans passer
par un câble externe a la puce. Les deux systèmes communiquent a travers
ce dernier, par un routage interne et des vais traversant qui connectent sa

face avant et sa face arrière.
La Figure présente quelques exemples de technologies 3D-WLP. Dans la
majorité des cas, les TSV utilises ont une géométrie cylindrique, mais la
forme annulaire est également étudiée, notamment par IBM etc….

3-1-2-Intégration verticale haute densité : 3D-IC

La fosse conceptuel séparant les intégrations 3D-WLP et 3D-IC est
relativement restreint d’un point de vue volontairement simpliste, il s’agit
toujours d’interconnecter différentes puces empilées par l’intermédiaire de
TSV. Néanmoins, d’un point de vue fonctionnel, la problématique adressée
par le
3D-IC est assez différente de celle du 3D-WLP. Il s’agit ici d’augmenter la
densité
des TSV, de manière a interconnecté un nombre de signaux beaucoup plus
important que précédemment, on cherche ici a connecter directement des
blocs logiques situes sur au moins deux niveaux physiques distincts. Le
grand nombre d’interconnexions requis dans ce cas nécessite l’utilisation de
TSV de faible diamètre présentant un facteur de forme agressif
(typiquement un diamètre de quelques microns pour un facteur de forme
situe entre 1 et 10).
3-1-3-Intégration verticale très haute densité :
3D monolithique
Il existe une architecture 3D dite ≪ultime ≫pour interconnecter
directement deux transistors MOS l’un au-dessus l’autre, c’est-a-dire capable
d’adresser le niveau 0 des interconnexions locales (les lignes de métal les
plus proches des zones actives). Contrairement aux deux approches,
l’intégration 3D très haute densité est réalisée à l’échelle d’un seul substrat.
Un premier niveau de composants est réalise sur le substrat de silicium,
puis un second niveau est implémente juste âpres. Les deux sont
interconnectes par des vais de type microélectronique (diamètre d’environ
100 nm pour une profondeur de quelques centaines de nm). Le tout est
interconnecte par un réseau standard, constituant ainsi un seul bloc intègre
- d’où l’appellation 3D monolithique.
Ce concept d’intégration 3D est radicalement différent ; il est nécessaire de
réaliser un second niveau de composants juste âpres en avoir réalise un
premier.
Principaux freins au développement de cette technologie, puisqu’il est
primordial de ne pas endommager la première couche de composants
lorsque la seconde est fabriquée. ;a ce titre des solutions technologiques ont
été proposées.

Le cout de l’intégration 3D monolithique s’avère également prohibitif par

rapport aux intégrations 3D moyenne et haute densités, et de plus, les
besoins applicatifs en termes de tres haute densité d’intégration ne sont
quasiment inexistants.
3-2-Applications
3-2-1-Les microprocesseurs
Une des principales limitations technologiques propre aux
microprocesseurs est Sur le fond, celle-ci est simple : les performances des
processeurs augmentent plus rapidement que
les vitesses d’accès à la mémoire. Pour
contrecarrer
ces limitations propres aux architectures
planaires, une réorganisation du système
{Microprocesseur / mémoires}
1°) un empilement de mémoires sur un processeur gagnerait en largeur de

bande
(Memory bandwidth) par la réduction des longueurs d’interconnexions
dédiées aux communications externes entre le processeur et les niveaux de
mémoire contrairement a ce que l’on pourrait penser les échauffements
thermiques induits par les différents niveaux physiques de composants,dans
cette approche. les mémoires consomment peu de puissance (donc dissipent
peu de chaleur), d’autre part parce que le processeur est directement
connecte au dissipateur thermique, comme illustre à la Figure
[
2°)Le principal intérêt est de réduire les temps de latence entre blocs et de
diminuer la consommation de puissance tout en augmentant les
performances.
L’autre principal intérêt est de réduire la surface occupée par le
microprocesseur comparativement a son homologue 2D.

3-2-2-Les mémoires
Les mémoires sont des candidats parfaits pour l’intégration 3D. Les
densités d’intégration
Requises aujourd’hui pour les produits de grande consommation sont de
plus en plus élevées et les systèmes de packaging verticaux par wire-
bonding montrent des signales d’essoufflement pour subvenir aux
spécifications électriques et spatiales de tels empilements, notamment en
termes de
Largeur de bande passante, de compacité, d’épaisseur, et ; La technologie
TSV possède les qualités requises pour permettre a la fois une intégration
dense et une réduction de latiale des
circuits convenant au marche des
mémoires, et également une amélioration
des performances des interconnexions que
demande le marche des mémoires DRAM
Comparaison qualitative entre trois solutions de packaging 3D adapte aux

mémoires : Package-on-Package (PoP), empilement des puces par wire-
bonding (W/B Die Stack) et empilement 3D par TSV(ThruSi Die Stack)
3-2-3-Les capteurs

Les capteurs ont été les premières applications industrielles à passer

sous- architecture 3D , pour l’instant, cette famille de produit est
principalement pilotée par les imageurs CMOS (Capteurs d’images).
Les débouches potentiels de cette technologie de packaging sont importants
en termes de volume de production (téléphonie mobile, automobile,
médical, etc.) ;
une architecture plus évoluée est également en cours de développement
chez
STMicroelectronics Il s’agit cette fois d’intégrer les composants logiques
associes sur un niveau physique distinct, puis de réaliser un Second niveau
par-dessus le premier pour intégrer les composants optiques

Dans ce chapitre nous avons présenté la troisième dimension

apporte des avantages au niveau des Performances du
circuit, ainsi que de multiples possibilités au niveau de
l’intégration Intégration verticale moyenne densité : 3D-WLP,
Intégration verticale haute densité : 3D-IC, Intégration
verticale très haute densité : 3D monolithique Le fait de
vouloir intégrer les mêmes entités verticalement , commence
à montrer certaines limites, notamment en terme de temps
de propagation du signal dans les interconnexions inter
blocs. Le fait de vouloir intégrer les mêmes entités
verticalement,
Chacune a un niveau physique distinct, ouvre la possibilité
de diminuer considérablement les Longueurs
d’interconnexions, tout en réduisant l’aire.
Les principales technologies de l’intégration 3D ont été
présentes.
L’intégration 3D choisie pour répondre aux applications
d’assemblage spécifiques les microprocesseurs Les mémoires
Les capteurs pour chaque intégration une solution 3D lui est
dédiée. C’est par cette approche à multiples configurations
que l’intégration 3D est aujourd’hui un des vecteurs de
recherche et développement les plus Soutenus en
microélectronique.

Conclusion générale
Au cours de la recherche dans ce projet, On a pu bien
concevoir que l’assemblage est l’étape de fabrication des
composants électroniques la plus influente sur
l’augmentation de la densité d’intégration et la
miniaturisation des systèmes électroniques. L’enjeu est de
définir un procédé technologique à bas coût, adaptable avec
des nouveaux matériaux permettant d’obéir à des critères
bien définis.
Nous sommes désormais plus conscient, que la

microélectronique en général est un domaine passionnant
qui connait beaucoup de développement jusqu’à maintenant
ce domaine que nous voulons bien étudier et faire partie de
son développement, requiert du sérieux, de la ténacité,
beaucoup de dévouement mais surtout… Une très grande
persévérance, et nous pouvons qu’on être ravi.

Bibliographie
[1] Cours Conception des circuits intégrés de Mr.
LAMHAMDI Mohamed 2éme année GE.
[2]
http://www.palomartechnologies.com/applications/multi
-chip-modules
[3] https://en.wikipedia.org/wiki/Multi-chip_module
[4] https://www.google.com.ar/patents/EP1900020A1?cl=fr
[5] http://www.google.com.ar/patents/EP2519596A1?cl=fr
[6] https://tel.archives-
ouvertes.fr/file/index/docid/943438/filename/these.pdf
[7] www.theses.fr/2009TOU30226
[8] https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00858497/document
[9] https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00441653
[10] www.cea.fr/content/.../DP_Microelectronique

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1 Rapport du projet : Assemblage-des substrats-MCMS-3D

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On vous remercie également pour votre patience,

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Table des matières

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Introduction Chapitre .................................... ........................22

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Liste des figures

Figure I : Exemple de constitution d’un circuit imprimé 6

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L’intégration tridimensionnelle connue sous le nom d’assemblage 3D

En tant que futur ingénieur, il n'est pas suffisant de se contenter au

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L’assemblage des substrats

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De la réalisation proprement dite des puces électroniques à leur

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La dernière étape consiste à protéger le composant à l’aide d’une résine

Bien que ces opérations soient qualifiées de back end au sens de la

I – 1- Technologie d’assemblage des substrats :

Figure I-1-1 : Exemple de constitution d’un circuit imprimé 6 couches

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A la différence des stratifiés, les préimprégnés ont leur résine

Figure I-2 : Exemple d’interconnexions entre les différents niveaux d’un

I – 1- 2-Les substrats organiques souples :

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ainsi le nombre de fils et de connecteurs dans certains montages : Un seul

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proposer aux différents clients (chercheurs, entreprises) des solutions de

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la surface du substrat). Les deux substrats, sous vide et après traitement

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4. Procédé selon l'une des étapes 1 à 3, caractérisé en ce que le nitrure

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I – 4- 2-Procédé d'assemblage de deux substrats par collage

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I – 4- 3-Procédé d'assemblage, par collage des substrats

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1- Procédé d'assemblage, par collage, de deux substrats (1,2) caractérisé

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9.- Procédé suivant l’étape 6 caractérisé en ce qu'on forme une branche

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Dans ce chapitre nous avons passé en revue quelques concepts

Dans le prochain chapitre nous allons découvrir une nouvelle méthode

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Dès les années 80, le concept du MCM reporte un

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2-1- Description général sur les MCMs :

Le MCM se définit par une structure d’au moins deux puces

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Date et heure Vignette Dimensions Utilisateur Commentaire

2-2 Etude sur les

Les MCMs sont classés en fonction de la technologie utilisée pour créer le

 Le substrat est un PCB

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MCM-D sont formés par les

2-3-Les Avantages des technologies MCMs :

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Analogiques et fonctions numériques peuvent être mélangés sans

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