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Este control en particular se realizara mediante un conocido sistema de control conocido como
modulación de ancho de pulso PWM; mediante un diagrama de bloques se ilustrara el proceso
completo, luego se realizara el modelado del circuito por etapas de manera que pueda haber
una completa comprensión de la generación de una señal PWM y como se puede controlar la
potencia en una carga mediante este.
Detec
Gener
ción Separac
ación Inversi
de ión de Compa Señal
de ón de
cruce impeda ración PWM
Ramp rampa
porA B ncias
C D E F
a
Cero
B. GENERACION DE RAMPA.
Se iniciara el análisis a partir de esta etapa ya que los datos obtenidos en ella son necesarios
para el cálculo de los elementos que componen el sistema de detección de cruce por cero.
Circuito 1 0
2
I1
V1 1.245mA
15 V
R1
0 28kΩ
Q1
6 3 C1
V2 1uF
2 D1
Q2 2N2222A
26.14 Vrms R2
5 4
60 Hz 4 1
0° 118kΩ
2N2222A 0
0 3 3N247
7
0
Desde un punto de vista matemático la corriente en el capacitor está dada por:
dv
Ic C
dt
Separando _ Variables
I c (t )
dv dt I c (cte )
C
I
dv Cc dt
Ic
Vc (t ) t Vi (1)
C
Es entonces (1) la función que define el voltaje en el condensador para un tiempo de carga t.
I c (0.00803) 0.00001
10 Ic
(0.000001) 0.00803
0.00001
Ic 1.245mA
0.00803
1.245m
Vc (t ) (t )
A partir de los anteriores resultados se define V (t) como 1u
La anterior grafica describe el proceso de carga del condensador, dicho comportamiento es
el que se debe observar en la señal de rampa y utilizando la herramienta de simulación
circuital se observara.
Se ilustra en los indicadores del simulador el periodo de la señal (tiempo de carga +descarga) y
su voltaje máximo, 10V.
Queda así verificado por la confrontación del modelo matemático con los datos simulados
que el procedimiento para la generación de la señal de rampa es apropiado
se hace necesario ahora calcular el valor de la corriente de colector Q1 para poder definir la
corriente de base, y finalmente la resistencia de la base de Q1 que es también la resistencia de
colector del detector de cruce por cero.
I CQ1 max 1.245mA I C desc
C (Vc (t ) max)
I C desc
t
1u (10V )
I C desc 33.33mA
0.3ms
I CQ1 max 1.245mA 33.33mA 34.575mA
I CQ1 max 34.575mA
I BQ1 494uA
70
15 VBEsat 15 1.2
RBQ1 27935.223
I BQ1 494u
Se hace necesario, inicialmente definir cuál es voltaje sobre el cual el transistor se va a saturar
para que con dicho dato se pueda realizar el análisis circuital que nos lleve a encontrar el valor
de la resistencia de base.
A partir de la función de la señal de entrada tenemos que
I CsatQ 2
I BsatQ 2
15
I CsatQ 2 0.536mA
28k
0.536mA
I BsatQ 2 7.65uA
70
V V BEsat
RBQ 2 satQ 2
I BsatQ 2
2.1v 1.2v
RBQ 2 117647.05
7.65uA
NOTA: Los valores hallados se ajustaron a los valores comerciales de los componentes en el
Circuito 1, tales ajustes pueden ocasionar un porcentaje de error entre el comportamiento
modelado matemáticamente y el simulado adicionalmente la selección de un VbeSat y un Beta
que tienen varios valores posibles puede ser un factor de error también, no obstante dicho
factor de error como se pudo observar no afecta significativamente el comportamiento del
circuito ya que este se comporto como se esperaba
C. Acople de impedancias.
En esta etapa no hay alteración de la señal de rampa solo se utiliza para que no se den
perdidas en esta cuando se acople a otra etapa.
0
I1
1.245mA
U2
1 11
Q1
C1 OPAMP_3T_BASIC
1uF
2N2222A
D .Inversión de la señal
Esta etapa tiene como propósito permitir una acción de control directa, término que se
explicara en la etapa de comparacion.
I1 R3 R5
1.245mA
U2 10kΩ 10kΩ 9
1 11 U1
Q1 8
C1 OPAMP_3T_BASIC
1uF R4
15kΩ OPAMP_3T_BASIC
0
2N2222A
10
V3
0 15 V
0
E. Comparación.
R5
10kΩ 9
U1
OPAMP_3T_BASIC
0
U3
R7
14 4.12kΩ
R6
13 12
OPAMP_3T_BASIC
V4
15 V
8.35kΩ
0 0 Key=A
50%
F.PWM