Université Badji Mokhtar

Département de Physique
Master I : Physique des semi-conducteurs et composants
Propriétés physiques des semi-conducteurs

Série 4

Exercice 1
On donne pour le germanium :
la masse volumique : μGe=5.43 g/cm3 ;
la masse atomique : MGe=72.6 g ;
la mobilité des électrons à 300 K : μn=3800 cm2/Vs ;
la mobilité des trous à 300 K : μp=1800 cm2/Vs.
1 – Déterminer la concentration d’atomes de germanium.
2 – Sachant qu’à 300 K, tous les atomes de phosphore et de bore peuvent être ionisés,
calculer la résistivité lorsqu’on ajoute à raison :
a) d’un atome de phosphore pour 105 atomes de germanium ;
b) d’un atome de bore pour 105 atomes de germanium.
Que peut on en conclure?
3 – Quelle doit etre la concentration des atomes de bore pour que la résistivité soit égale à celle
de a)?

Exercice 2
Dans un cristal de silicium intrinsèque, les électrons et les trous ont respectivement les
mobilités : μn=1400 cm2/Vs et μp=500 cm2/Vs à 300 K.
1 – Calculer pour le silicium intrinsèque:
a) Sa concentration en porteurs ;
b) sa conductivité électrique.
On dope le cristal de silicium en lui injectant 1017 atomes/cm3 d’arsenic.
2 – Calculer la concentration des porteurs majoritaires et celle des porteurs minoritaires.
3 – Sachant que le temps entre deux collisions est ι=5.10-13 s, determiner la mobilité des
électrons.
4 – Calculer la conductivité électrique du silicium extrinsèque.
5 – Comparer les résultats obtenus en 1b) et 4).
Que peut on en conclure?
6 – Calculer :
a) la valeur moyenne de la vitesse thermique des électrons ;
b) le module de la vitesse de déplacement des électrons dans un barreau de silicium de
50 cm de long, soumis à une tension de 5 V.
Que peut on en conclure?
7 – Trouver le libre parcours moyen des électrons.
On donne : Eg=1.12 eV, mo=9.11 10-31 kg, m *e 1.05 m o , m *t 0.61 m o ,
K=1.38 10-23 JK-1=8.62 10-5 eVK-1, h=6.62 10-34 Js
 Solution Série 4

Université Badji Mokhtar

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Master I : Physique des semi-conducteurs et composants
Propriétés physiques des semi-conducteurs

Solution Série 4

Exercice 1

1) Concentration d’atomes de germanium :

La masse atomique du germanium MGe comporte N=6.02 1023 atomes/cm3 (nombre

d’Avogadro).
D’autre part, sa masse volumique μGe comporte NGe atomes/cm3.
Soit,
MGe N
μGe NGe

Donc, la concentration d’atomes de germanium :

.N 5.43x 6.02x10 23
N Ge Ge
4.5x10 22 atomes / cm 3
M Ge 72.6
Soit, NGe = 4.5 1022 atomes/cm3

2) a) Résistivité pour un dopage en phosphore :

Un dopage en phosphore nous permet d’avoir un semi-conducteur de type N, par suite,

l’expression de la résistivité s’écrit :
1
N
qn N n

Avec, nN : Concentration des porteurs majoritaires (électrons libres);

μn : mobilité des électrons ;
q : charge de l’électron.

Et comme, le cristal de germanium a été dopé à raison d’un atome de phosphore pour 105
atomes de germanium, donc, la concentration des atomes dopants :

B. Hadjoudja 1
 Solution Série 4

N Ge 4.5x10 22
Nd 4.5x1017 atomes / cm 3
10 5 10 5

D’autre part, à 300 K, tous les atomes dopants peuvent être ionisés, donc :

nN=Nd+=Nd = 4.5 1017 électrons/cm3

Par suite, la résistivité du germanium dopé à raison d’un atome de phosphore pour 105 atomes
de germanium est :
1 1 3
N 19
3.65x10 cm
qn N n 1.6x10 x 4.5x1017 x3800

Soit, ρN = 3.65 10-3 Ωcm

b) Résistivité pour un dopage en bore :

Un dopage en bore nous permet d’avoir un semi-conducteur de type P, par suite, l’expression
de la résistivité s’écrit :
1
P
qp P p

Avec, pP : Concentration des porteurs majoritaires (trous) ;

μn : mobilité des trous ;
q : charge du trou.

Et comme, le cristal de germanium a été dopé à raison d’un atome de bore pour 105 atomes de
germanium, donc, la concentration des atomes dopants :

N Ge 4.5x10 22
Na 4.5x1017 atomes / cm 3
10 5 10 5

D’autre part, à 300 K, tous les atomes dopants peuvent être ionisés, donc :

pP = Na- = Na = 4.5 1017 trous/cm3

Par suite, la résistivité du germanium dopé à raison d’un atome de bore pour 105 atomes de
germanium est :
1 1 3
P 19
7.71x10 cm
qp P p 1.6x10 x 4.5x1017 x1800

Soit, ρP = 7.71 10-3 Ωcm

B. Hadjoudja 2
 Solution Série 4

En comparant les valeurs des résistivités du cristal de germanium dopé phosphore avec celui
dopé bore, on constate que : ρN=3.65 10-3 ˂ ρP=7.71x10-3

On peut en conclure que pour une même concentration, le dopage par des pentavalents
(phosphore) permet d’avoir des échantillons moins résistifs que le dopage par des trivalents
(bore).

3) Concentration des atomes de bore pour que ρ P devient égale à ρN.

Lorsque ρP devient égale à ρN, on peut écrire la relation :

1 1
P N
qp P p qn N n

nN 4.5x1017 x3800
pP n
9.5x1017 trous / cm 3

p 1800

Donc, à 300 K, la concentration des atomes de bore pour que ρP devient égale à ρN est :

Na = Na-= pP = 9.5 1017 atomes/cm3

Exercice 2

1) a) Concentration en porteurs :

Le cristal de silicium est intrinsèque; par suite, la concentration en porteurs, qu’on appelle
concentration intrinsèque est égale à la concentration des électrons libres, et à celle des trous
libres ; soit : nI = n = p

Cette concentration est donnée par la relation :

Eg
nI N c N v exp
2KT

Avec, Nc et Nv, les concentrations effectives des places disponibles, respectivement dans les
bandes de conduction et de valence, et qui sont destinées à être occupées soit par des électrons
libres pour Nc, soit par des trous libres pour Nv:

B. Hadjoudja 3
 Solution Série 4

3
3
* 2 23 31 2
2 KTm 2x 3.14 x1.38x10 x 300 x1.05x9.11x10
Nc 2. e
2 2.7 x10 25 m 3
2.7 x1019 cm 3

h2 6.62 x10 34 2

3
3
* 2 23 31 2
2 KTm 2x 3.14x1.38x10 x 300x 0.61x9.11x10
Nv 2. t
2 1.19 x10 25 m 3
1.19 x1019 cm 3

h2 6.62 x10 34 2

Par suite, la concentration en porteurs (intrinsèque) est :

Eg 1.12
nI N c N v exp 2.7 x1019 x1.19x1019 exp 7.05x10 9 porteurs / cm 3
2KT 2x8.62x10 5 x300

Soit, nI = 7.05 109 porteurs/cm3

b) Conductivité électrique du silicium intrinsèque :

La conductivité électrique du silicium intrinsèque est donnée par :

I qn I n p 1.6x10197.05x109 1400 500 2.14x10 6 1

cm 1

Soit, σI = 2.14 10-6 Ω-1cm-1

2) a) Concentration des porteurs majoritaires :

A T=300 K, tous les atomes additifs d’arsenic deviennent ionisés, par suite, la concentration
des porteurs majoritaires (électrons libres) est égale à la concentration des atomes d’arsenic.
Soit, nN = Nd+ = Nd = 1017 électrons libres/cm3.

b) Concentration des porteurs minoritaires :

A partir de l’équation : n N .p N n 2I

On déduit la concentration des porteurs minoritaires (trous libres):

2
n 2I 7.05x10 9
pN 497 trous / cm 3
nN 1017

Soit, pN = 497 trous/cm3

3) Mobilité des électrons :

La mobilité des électrons est donnée par :

q 1.6x10 19 x5x10 13
n 0.0836m 2 / Vs
m *e 1.05x9.11x10 31
Soit, μn = 836 cm2/Vs

B. Hadjoudja 4
 Solution Série 4

4) Conductivité électrique :

Un dopage en arsenic (additif pentavalent) nous permet d’avoir un semi-conducteur de type

N, par suite, l’expression de la conductivité électrique s’écrit :
19
N n qn N n 1.6x10 x1017 x836 13.37 1
cm 1

Soit, σN = 13.37 Ω-1cm-1

5) Comparaison des résultats obtenus en 1) b) et 4) :

(σN = 13.37 Ω-1cm-1) >> (σI = 2.14 10-6 Ω-1cm-1)

On remarque que la conductivité électrique σN est nettement supérieure à σI ; par suite, on peut
en conclure qu’un cristal extrinsèque de type N est un meilleur conducteur de courant qu’un
cristal intrinsèque. Autrement dit, pour avoir un cristal de bonne conductivité, on doit doper.

6) a) Valeur moyenne de la vitesse thermique des électrons :

la vitesse thermique des électrons est donnée par :

3KT 3x1.38x10 23300

v th 11.39x10 4 m / s 11.39x10 6 cm / s
m *e 1.05x9.11x10 31

Soit, vth = 11.39 106 cm/s

b) Module de la vitesse de déplacement des électrons :

Le module de la vitesse de déplacement des électrons est donné par :

V 5
v dn n E n 836 83.6cm / s
L 50
Soit, vdn = 83.6 cm/s

En comparant les valeurs des deux vitesses, on constate que la valeur moyenne de la vitesse
thermique (vth = 11.39 106 cm/s) est nettement supérieure à la valeur de la vitesse de
déplacement (vdn = 83.6 cm/s).

7) Libre parcours moyen des électrons :

Le libre parcours moyen est défini par :

l v th 11.39x10 6 x5x10 13
5.69x10 6 cm

Soit, ˂ l > = 5.69 10-6 cm = 569 Å

B. Hadjoudja 5