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N° 2
1.Partie théorique :
1. Etude statique :
On Vbe =0.6v
β =250
VBM=R2 Vcc/(R2+R1)
VBM =3^3/(220+33)
=1.96V
Dans la maille(1) :
VBM-Vbe=R4Ie
Ie=(VBM-Vbe)/R4 or Ie=Ic+Ib
Ic+Ib=VBM-Vbe/R4
(β+1)Ib=VBM-Vbe/R4
AN : Ib= 1.96-0.6
(251*680)
Ib =8uA
Calculons Vce :
Vce-R3Ic-VCe-R4Ie=0
Vce-Vcc-R3Ic-R4Ie
Vce=15-(3.92*10^3+680)
Vce=5.84v
Figure2
Schéma équivalent au montage de la figure 2
Calculons Ze et Zs :
Ze=Ve/Ie
Ze=(VBM/Ie)+(VBM/Rbe+R4(1+beta)
Ze =(28695.65(3250+(251)680)/(28695.65+325+251(680)
Ze=28695.65(173930)/(20262565)
Ze =24631.79 ohm
Zs=Vs/Is
Zs =3.92kohm.
2. Partie Pratique :
1-1. Etude statique :
Reliez un expérimentateur à l'interface UniTr@in-I
et insérez la carte d'expérimentation circuits à
transistors SO4203-7N , réaliser le montage ci-dessous avec le module I.
VA
B
VB
M
- la tension VBE,
=262.90A
2. Etude dynamique
O
U
T
Réglages de ue
Visualisons ue et us
Mesurons Ue et Us .En déduire Av=Us/Ue
Av= 5.45
AV= 2.4/0.42
AV=5.66
AV=-5.63
AV|v|=5.63v