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Electroluminescence

La première émission de lumière par un semi-conducteur date de 1907 et fut découverte par H. J.
Round. Quelques années après, en 1927, O. V. Losev dépose le premier brevet de ce qui sera appelé,
bien plus tard, une diode électroluminescente. Ce n’est qu’en 1962 que la première LED rouge est
créée par Nick Holonyak Jr et S. Bevacqua. Durant quelques années, les chercheurs ont cru devoir se
limiter à quelques couleurs telles que le rouge, le jaune ou le vert. Dans les années 90, les
recherches, entre autres, de (en) Shuji Nakamura et Takashi Mukai de (en) Nichia, dans la
technologie des semi-conducteurs InGaN permirent la création de LED bleue, et par conséquent de
LED blanches, par l’utilisation couplée de LED bleue et de luminophore jaune 2. Cette importante
avancée fut le point de départ de nouvelles applications majeures : éclairage, écrans de téléviseurs et
d’ordinateurs.

La longueur d’onde du rayonnement émis est déterminée par la largeur de la bande interdite et
dépend donc du matériau utilisé. Toutes les valeurs du spectre lumineux peuvent être atteintes avec
les matériaux actuels. Pour obtenir de l’infrarouge, le matériau adapté est l’arséniure de gallium
(GaAs) avec comme dopant du silicium (Si) ou du zinc (Zn). Les fabricants proposent de nombreux
types de diodes aux spécificités différentes. On peut citer le type le plus répandu : les diodes à
l’arséniure de gallium, ce sont les plus économiques et ont un usage général. Bien qu’elles
nécessitent une tension directe plus élevée, les diodes à l’arséniure de gallium-aluminium (AlGaAs)
offrent une plus grande puissance de sortie, ont une longueur d’onde plus courte (< 950 nm, ce qui
correspond au maximum de sensibilité des détecteurs au silicium) et présentent une bonne linéarité
jusqu’à 1,5 A. Enfin, les diodes à double hétérojonction (DH) AlGaAs offrent les avantages des deux
techniques précédentes (faible tension directe) en ayant des temps de commutation très courts
(durée nécessaire pour qu’un courant croisse de 10 % à 90 % de sa valeur finale ou pour décroître de
90 % à 10 %), ce qui permet des débits de données très élevés dans les transmissions de données
numériques par fibres optiques. Les temps de commutation dépendent de la capacité de la jonction
dans la diode.

Mecanisme:

C’est lors de la recombinaison d’un électron et d’un trou dans un semiconducteur qu’il y a émission
d’un photon. En effet, la transition d’un électron entre la bande de conduction et la bande de valence
peut se faire avec la conservation du vecteur d’onde . Elle est alors radiative (émissive) et elle
s’accompagne de l’émission d’un photon. Dans une transition émissive, l’énergie du photon créé est
donnée par la différence des niveaux d’énergie avant (E >i) et après (Ef) la transition :
hν = Ei − Ef (eV)
Une diode électroluminescente est une jonction P-N qui doit être polarisée en sens direct lorsqu’on
veut émettre de la lumière. La plupart des recombinaisons sont radiatives. La face émettrice de la
LED est la zone P car c’est la plus radiative 3.

Les transitions radiatives s’opèrent entre des niveaux d’énergie discrets séparés entre eux par
des bandes d’énergie interdite. La largeur d’une bande d’énergie est appelée gap. On
démontre qu'une bande d'énergie saturée ne participe pas à la conduction. Pour qu'il y ait
conduction, il faut une bande permise incomplète qu'on appelle bande de conduction. Les
bandes permises saturées sont appelées bandes de valence.

La présence des électrons entre les bandes d'énergies est régie par la formule de Fermi Dirac

ans une LED, il y a émission de photons lorsqu’un électron passe de la bande de conduction à la
bande de valence. Cet électron franchit donc la bande d’énergie interdite qui sépare les deux niveaux
d’énergie et se recombine avec un trou. L’émission d’un photon est donc subordonnée par une
recombinaison trou-électron. Le photon ainsi émis est doté d’une énergie, régie par la relation
Eg=H.v où Eg est appelé le gap, qui est la « hauteur de la chute ».

Lorsqu'un électron « tombe » dans un trou (recombinaison), il passe d'un état libre à un état lié ; il
perd de l'énergie (différence entre le niveau de valence et le niveau de conduction) en émettant un
photon ; ce principe est à l'origine des diodes électroluminescentes ou DEL, dont le rendement
dépasse considérablement celui des sources de lumière domestiques : lampes à incandescence,
lampes à halogène. Une DEL dont le substrat a été façonné pour servir de réflecteur aux photons peut
donner lieu à du pompage optique, aboutissant à un rayonnement laser (Diode laser).

Jusqu'en 1993, les seules diodes électroluminescentes (DEL ou LED en anglais) émettant dans le
bleu étaient à base de carbure de silicium, un matériau nécessitant d'être dopé pour avoir de bonnes
propriétés de semiconducteur. Mais ce dopage affaiblit le pouvoir d'émission et rend ces dispositifs
commercialement inexploitables.

Modification des caractéristiques électriques[modifier]


Semi-conduction intrinsèque[modifier]
Article détaillé : Semi-conducteur intrinsèque.

Un semi-conducteur est dit intrinsèque lorsqu'il est pur : il ne comporte aucune impureté et son
comportement électrique ne dépend que de la structure du matériau. Ce comportement correspond à
un semi-conducteur parfait, c'est-à-dire sans défaut structurel ou impureté chimique. Un semi-
conducteur réel n'est jamais parfaitement intrinsèque mais peut parfois en être proche comme
le silicium monocristallin pur.

Dans un semi-conducteur intrinsèque, les porteurs de charge ne sont créés que par des défauts
cristallins et par excitation thermique. Le nombre d'électrons dans la bande de conduction est égal au
nombre de trous dans la bande de valence.

Ces semi-conducteurs ne conduisent pas, ou très peu, le courant, excepté si on les porte à haute
température.

Dopage[modifier]
Généralités[modifier]
Article détaillé : Dopage (semi-conducteur).
La formation des bandes interdites étant due à la régularité de la structure cristalline, toute
perturbation de celle-ci tend à créer des états accessibles à l'intérieur de ces bandes interdites,
rendant le gap plus « perméable ». Le dopage consiste à implanter des atomes correctement
sélectionnés (nommés « impuretés ») à l'intérieur d'un semi-conducteur intrinsèque afin d'en contrôler
les propriétés électriques.

La technique du dopage augmente la densité des porteurs à l'intérieur du matériau semi-conducteur.


Si elle augmente la densité d'électrons, il s'agit d'un dopage de type N. Si elle augmente celle des
trous, il s'agit d'un dopage de type P. Les matériaux ainsi dopés sont appelés semi-conducteurs
extrinsèques.
Dopage N[modifier]

Le dopage de type N consiste à augmenter la densité en électrons dans le semi-conducteur


intrinsèque. Pour ce faire, on inclut un certain nombre d'atomes riches en électrons dans le semi-
conducteur.

Par exemple, dans le cas du silicium (Si), les atomes de Si ont quatre électrons de valence, chacun
étant lié à un atome Si voisin par une liaison covalente. Pour doper le silicium en N , on inclut un
atome ayant cinq électrons de valence, comme ceux de la colonne V (VA) de la table périodique:
le phosphore (P), l'arsenic (As) ou l'antimoine (Sb)...

Cet atome incorporé dans le réseau cristallin présentera quatre liaisons covalentes et un électron
libre. Ce cinquième électron, qui n'est pas un électron de liaison, n'est que faiblement lié à l'atome et
peut être facilement excité vers la bande de conduction. Aux températures ordinaires, quasiment tous
ces électrons le sont. Comme l'excitation de ces électrons ne conduit pas à la formation de trous dans
ce genre de matériau, le nombre d'électrons dépasse de loin le nombre de trous. Les électrons sont
des porteurs majoritaires et les trous des porteurs minoritaires. Et parce que les atomes à cinq
électrons ont un électron supplémentaire à « donner », ils sont appelés atomes donneurs.
Dopage P[modifier]

Le dopage de type P consiste à augmenter la densité en trous dans le semi-conducteur intrinsèque.


Pour ce faire, on inclut un certain nombre d'atomes pauvres en électrons dans le semi-conducteur afin
de créer un excès de trous. Dans l'exemple du silicium, on inclura un atome trivalent (colonne III du
tableau périodique), généralement un atome de bore. Cet atome n'ayant que trois électrons de
valence, il ne peut créer que trois liaisons covalentes avec ses quatre voisins créant ainsi un trou dans
la structure, trou qui pourra être rempli par un électron donné par un atome de silicium voisin,
déplaçant ainsi le trou. Quand le dopage est suffisant, le nombre de trous dépasse de loin le nombre
d'électrons. Les trous sont alors des porteurs majoritaires et les électrons des porteurs minoritaires.

Jonction P-N[modifier]
Article détaillé : Jonction P-N.
Une jonction P-N est créée par la mise en contact d'un semi-conducteur dopé N et d'un semi-
conducteur dopé P. La jonction entraine l'égalisation des niveaux de Fermi par décalage des bandes.
Si l'on applique une tension positive du côté de la région P, les porteurs majoritaires positifs (les trous)
sont repoussés vers la jonction. Dans le même temps, les porteurs majoritaires négatifs du côté N (les
électrons) sont attirés vers la jonction. Arrivés à la jonction, soit les porteurs se recombinent (un
électron tombe dans un trou) en émettant un photon éventuellement visible (LED), soit ces porteurs
continuent leur course au travers de l'autre semi-conducteur jusqu'à atteindre l'électrode opposée : le
courant circule, son intensité varie en exponentielle de la tension. Si la différence de potentiel est
inversée, les porteurs majoritaires des deux côtés s'éloignent de la jonction, bloquant ainsi le passage
du courant à son niveau. Ce comportement asymétrique est utilisé notamment pour redresser
le courant alternatif.

La jonction P-N est à la base du composant électronique nommé diode, qui ne permet le passage du
courant électrique que dans un seul sens. De manière similaire, une troisième région peut être dopée
pour former des doubles jonctions N-P-N ou P-N-P qui forment les transistors bipolaires. Dans ce cas-
là, les deux semi-conducteurs de même type sont appelés l' émetteur et le collecteur. Le semi-
conducteur situé entre l'émetteur et le collecteur est appelé la base, et a une épaisseur de l'ordre du
micromètre. Lorsqu'on polarise la jonction émetteur-base en direct, celle-ci est passante alors que la
jonction base-collecteur est bloquée. Cependant la base est assez fine pour permettre aux nombreux
porteurs majoritaires injectés depuis l'émetteur (fortement dopé) de la traverser avant d'avoir le temps
de se recombiner. Ils se retrouvent ainsi dans le collecteur, produisant un courant contrôlé par la
tension de base.

Jonction PN en polarisation directe.

Jonction PN en polarisation inverse.

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