Vous êtes sur la page 1sur 3

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II Dpto. Ing.

de Telecomunicaciones 1
UNEFA Núcleo Maracay
PRÁCTICA Nº 2

AMPLIFICADOR MULTIETAPA CON ACOPLAMIENTO DIRECTO

Los amplificadores multietapa con acoplamiento capacitivo tienen la ventaja


de quedar polarizadas independientemente una etapa de la otra y su diseño se
puede hacer por separado. Sin embargo, este tipo de amplificadores tiene dos
desventajas:

• Las reactancias capacitivas a bajas frecuencias se comportan como altas


impedancias, degradando la ganancia total del amplificador. Esto hace que
el diseño sea impráctico para el procesamiento de señales analógicas
lentas o de corriente continua, donde se requiere de una respuesta
frecuencial plana a bajas frecuencias.

• El acoplamiento capacitivo sólo tiene aplicación práctica en amplificadores


discretos. En amplificadores de circuito integrado los capacitores ocuparían
grandes cantidades de valiosa superficie dentro del microcircuito.

En amplificadores multietapas con acoplamiento directo, la polarización de


cada etapa no es independiente de las otras. Más aún, el nivel dc de cada etapa
se va trasladando a la siguiente, produciéndose un problema de apilamiento de
voltaje que termina saturando a las etapas finales. Esto se puede corregir,
empleando estrategias de desplazamiento o corrimiento de nivel dc.

Objetivo: El objetivo de esta práctica es estudiar un amplificador de dos etapas


inversoras BJT npn con acoplamiento directo, enfrentarse al problema del
apilamiento de voltaje y resolverlo, implementando las técnicas disponibles.

Materiales: MPF102 ó 2N5454 (Usar transistores iguales con β > 100). Resistores
varios.
Ing. César González
Actualizado por:
Dra. María del Pilar Pérez
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II Dpto. Ing. de Telecomunicaciones 2
UNEFA Núcleo Maracay

Pre-Laboratorio:

- Simule cada uno de los circuitos de la práctica realizando cada una de las
actividades señaladas en el procedimiento mediante la simulación.

Procedimiento:

Vcc
1. Dado el circuito de la figura,
10V
demostrar y verificar en la R2 2.2k R4 2.2k
práctica que Q2 está saturado por R1 750k
el exagerado valor del voltaje en
su base.
Ci Vo
Q1 Q2
2. Calcular el valor de la ganancia de + 1uF
tensión del amplificador, si Vi
pudiera funcionar sin problemas - R3 750 R5 750
de polarización.

Vcc
3. Calcular el valor de la
tensión Zener necesaria
10V
R2 2.2k R4 2.2k
para obtener máxima
excursión simétrica de Vo.
R1 750k
Ci Vo
Q1 Dz
4. Determinar también el
valor de Rz para polarizar al
Q2
diodo, tomando en cuenta + 1uF
la potencia del Zener y que Vi Rz
esta modificación no debe R3 750 R5 750
-
influir en la ganancia del
amplificador.
Esta segunda técnica es más sofisticada que la anterior, más costosa pero
permite mejorar la ganancia, a la vez que desplaza el corrimiento de nivel dc.

Ing. César González


Actualizado por:
Dra. María del Pilar Pérez
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II Dpto. Ing. de Telecomunicaciones 3
UNEFA Núcleo Maracay

5. Obtener un valor adecuado para Ra, recalcular todo y verificar los resultados.

Vcc
10V
R2 2.2k
R1 750k
Qa
Ci
R4 2.2k
Q1
+ 1uF Ra
Vi
Vo
- R3 750
Q2
Amplificador con JFET en configuración Fuente Común.
Rx
Qb
10k
R5 750
Ry
10k
Rb 2.2k
-Vcc

Post-Laboratorio:

- Compare los valores obtenidos mediante cálculos y simulaciones con los obtenidos
en la práctica. Analice y concluya.

Ing. César González


Actualizado por:
Dra. María del Pilar Pérez