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CHAPITRE 2 : LES EMETTEURS DE LUMIERE

2.1 Généralités sur les émetteurs de lumière :


Les réalisations optoélectroniques font tous appels à des éléments
communs qui sont :
 Un composant semi-conducteur d'émission. La source de la
lumière peut être une diode électroluminescence ou une diode laser.
 Un photo- détecteur à semi-conducteur utilisant l'effet
photoconducteur sous sa forme la plus rapide, par exemple une
photodiode.
 Une fibre optique. (conducteur de lumière)
Les émetteurs optiques à semi-conducteurs, utilisés dans les liaisons par
fibres optiques, sont très utilisés du fait de leur :
 petite taille,
 émission à des longueurs d’onde couvrant le visible et l’infrarouge et
même l’ultraviolet
 Puissance d'émission importante,
 Grande durée de vie
 Intégration facile.
 Les matériaux semi-conducteurs utilisés pour leur développement
sont à gap direct, donc à transitions radiatives (figure 1).
Figure 1: Semi-conducteur à structure de bande directe
(le maximum de la bande de valence correspond au minimum de la bande
de conduction)

Ils sont souvent réalisés à partir d’alliages de deux (GaAs), trois (Ga1-
xAlxAs) ou quatre (GaxIn1-xAsyP1-y) éléments. On distingue deux types
d’émetteurs à semi-conducteurs :
i- les Diodes électroluminescentes (DEL) qui constituent les
éléments les plus simples. Les DEL produisent un rayonnement
monochromatique incohérent de faible puissance. C.a.d
L’émission de photons s’effectue de manière désordonnée : les
photons de même longueur d’onde ne sont pas en phase.
ii- les diodes laser (laser à semi-conducteurs) qui sont les
composants essentiels dans les transmissions par fibres optiques.
Elles présentent un rayonnement cohérent et une bande passante
de modulation de plusieurs GHz, avec une puissance optique
émise pouvant atteindre quelques Watts.

2.2 TECHNOLOGIE LED et fonctionnement


Les LED sont constituées de cristaux semi-conducteurs. Alors que dans les
sources lumineuses conventionnelles, la lumière est produite par un fil
incandescent ou un gaz, les LED sont de minuscules puces
électroniques en cristaux semi-conducteurs spéciaux. Avec la
technologie LED, nous sommes entrés dans l’ère de l’optoélectronique. La
matière première des LED est constituée de cristaux semi-conducteurs
disposés en plaques appelées wafers puis découpés en chips, ou puces.
Les diodes électroluminescentes se composent d’un semi-conducteur de
base négatif présentant un excédent d’électrons. Puis s’ajoute une très fine
couche semi-conductrice positive présentant un manque d’électrons – on
parle ici de «trous». Une structure type de la diode électroluminescente «
LED : Light emitting diode » (ou « DEL» en français) est illustrée sur la
figure 2.

Figure 2 : Structure de base d’une diode électroluminescente ¨ DEL ¨


Lorsque la DEL est polarisée dans le sens direct, la barrière de potentiel est
abaissée et il en résulte une injection des électrons de la zone N vers la
zone P et des trous dans le sens contraire. Ces porteurs instables
provoquent des recombinaisons radiatives. C.a.d ils donnent ainsi lieu à un
faisceau lumineux incohérent, de couleur, donc de longueur d’onde,
dépendante du matériau utilisé. La lumière émise peut ainsi être du
domaine de radiations proche infrarouges, visibles ou ultraviolettes Par
Electroluminescence

2.3 Electroluminescence
La physique des semi-conducteurs nous enseigne que les électrons dans
les solides cristallins se situent à des niveaux d'énergie spécifiques. Ces
niveaux très proches les uns des autres, sont regroupés en "bandes
d'energie".

Figure 3 : Diagramme d'énergie d'un semi-conducteur

Un électron de la bande de valence peut passer dans la bande de


conduction à condition d'acquérir une énergie supplémentaire au moins
égale à Delta E.
C'est l'effet photo-électrique.
Un électron de la bande de conduction peut passer dans une bande de
valence. Dans ce cas il libère une énergie au moins égale à Delta E.
Cette énergie peut être :

 Dissipée sous forme de chaleur (phonons),


 émise sous forme de lumière (photons).

C'est l'effet électroluminescence (visible ou non).

La diode électroluminescente fonctionne sous polarisation directe. Lorsque


la tension d’alimentation est assez importante, la LED doit être protégée
par une résistance pour limiter le courant qui la traverse à des valeurs
inférieures à l’intensité maximale de courant tolérée. (figure 4). Cette
résistance permet aussi de limiter la puissance lumineuse émise.

Figure 4 : Circuit de polarisation de la LED

Le courant I qui travers la jonction est donné par l’expression :

I =I S exp ( qV D
kT
−1 )
Avec Is, le courant de saturation de la diode, K ; la constante de Boltzmann,
T ; la température et VD ; la tension aux bornes de la diode.
Exemple :
Pour un courant nominal de 20 mA et une tension de seuil de 1.7 V, si la
LED, à émission dans le rouge, est alimentée par une tension de 9 V.
1-calculer la résistance de protection

2- Quel est l’effet d’une résistance de protection plus grande ? Le choix


d’une valeur de la résistance supérieure à celle calculée produira un
courant plus faible et par conséquence une lumière moins intense.

La caractéristique I-V de la LED, illustrée sur la figure 5, est semblable à


celle d’une diode au silicium avec une tension de seuil Vth assez élevée.
Son symbole est celui d’une diode auquel on a ajouté deux flèches
sortantes pour représenter le rayonnement lumineux émis.

Symbole de la LED.
Figure 5 : Caractéristique I(V) de la diode à
base de : (a) Ge, (b) Si, (c) GaAs, (d) GaAsP,
( e) GaInN,
La tension directe appliquée à la LED doit être supérieur à Vth, elle :

 Est de l’ordre de 1,1 V pour les diodes à émission dans l’infrarouge


 Varie de 1,8 V à 2,5 V pour les LED à émission dans le rouge, le
jaune et le vert
 Supérieur à 3,5 V pour l’émission dans le bleu est le violet.
Le courant nominal d’une diode électroluminescente est de l’ordre de 10 à
50 mA, pour les LED usuelles, suivant la couleur de la radiation.
En polarisation inverse, la LED est plus fragile qu’une diode classique. Elle
tolère des tensions inverses de l’ordre de 4 à 5 V.

Rmq : La courbe dépend du type de semi-conducteur utilisé, donc de


la couleur de la diode électroluminescente. Aussi, Le choix de la
couleur dépend de l’utilisation :
 Les LED de couleur visible sont utilisées pour la
visualisation (éclairage, affichage, témoins, indicateurs
lumineux, feux tricolores et les feux de signalisation). Elle
est obtenue en utilisant des composés III-V, souvent à base de
gallium, comme les alliages de type GaAsxP1-x ou GaxIn1-xP dont
l’énergie de gap Eg est une fonction de la fraction x.
alors que,
 Les LED IR sont utilisées dans les télécommandes, dans
certaines alarmes, dans la transmission d'informations par
fibre optique. Elles sont aussi utilisées sur les
caméscopes. Avec des matériaux à gap direct. GaAs, Ga1-
xInxAs1-yPy
 Les LED UV Elles sont utilisées dans la constitution de
détecteurs miniatures de faux billets. Les matériaux utilisés
sont: SiC, GaN, InGaN.

2.4 Rendements de la diode électroluminescente


Un paramètre essentiel dans le fonctionnement de la DEL est son
rendement de puissance η ou rendement global qui représente son
efficacité énergétique.
2.4.1 Rendement global : Les photons générés au niveau de la jonction
sont émis dans toutes les directions, mais seule une fraction peut émerger
en dehors de la surface et peut donc être utile. On définit alors le
rendement de puissance de la LED par :

Puissance optique émise par la LED


η= puissance électrique fournie àla LED

D’autres rendements caractérisent la diode LED :


2.4.2 Le rendement quantique interne ηi
Il représente le taux de recombinaisons radiatives sur le taux global de
recombinaisons. Ce rendement permet de déterminer la puissance
lumineuse interne Pint émise au niveau de la jonction :
Id
Pint=ηi hν
q
ν étant la fréquence de la radiation émise et I d le courant d’injection.

La puissance que peut dissiper une diode LED commune (ou utilisée en
tant que témoin lumineux) est de l'ordre de 20 à 100 mW. Les puissances
des diodes LED destinées aux applications d'éclairage de locaux ou des
lieux publics sont de l'ordre du Watt.
Exemple :
Soit une LED au GaAsP à émission dans le rouge avec λ =670 nm et un
rendement quantique interne de 0.16. Si le courant qui la traverse est de 20
mA, calculer la puissance optique générée dans la zone active
Pint= 0.16*(1240/670)*0.02= 6mw

2.4.3 Le rendement optique η0


Ce ne sont pas tous les photons créés à la jonction qui sortent de la diode.
Une partie de ces photons qui atteint la surface du composant est
réabsorbée par le matériau après réflexion à l’interface matériau-air (figure
6). Cette perte de photons est appelée perte de Fresnel.
Ainsi, le rendement optique de la LED η0 est défini comme le rapport du
nombre de photons utiles, émis à l’extérieur de la diode, au nombre de
photons créés à la jonction. Il est conditionné par l’indice de réfraction n du
matériau semi-conducteur qui varie entre 3.4 et 3.6 pour la plus part des
semi-conducteurs.

Figure 6 : Trajectoires des photons créés


au niveau de la jonction.
Un phénomène limite l’émission de photons à l’extérieur :
1- la valeur élevée de l’indice de réfraction n, telle que pour l’incidence
normale, le cas le plus favorable, il vaut :
( n−1 )2
2 =30% coefficient de réflexion en puissance
R=
( n+1 )
Soit seulement 70% du rayonnement est transmis vers l’extérieur du
matériau.
 Ce taux de transmission peut être plus important pour des matériaux
à indice de réfraction faible. C’est le cas des LED à émission aux
faibles longueurs d’onde telle les LED bleu à base de GaN dont
l’indice de réfraction est de 2.3 et le coefficient de transmission
de 85%.
 On peut améliorer la valeur de T (= (1-R)) en encapsulant la LED
dans du plastique (résine époxy) d’indice np =1.5, inférieur à celui du
matériau semi-conducteur ; ainsi le taux de lumière transmise peut
passer de 70 à 82%.
2.4.4 Le rendement quantique externe ηe
Il est défini comme le rapport du nombre de photons émis par la diode
au
nombre d’électrons injectés dans la jonction.
En d’autres termes, le rendement quantique externe est donné par :

ηe =ηi∗η0

2.5 Diagramme de rayonnement


Le diagramme de rayonnement est généralement contrôlé par une optique
ajoutée à la diode. La figure 7 suivante représente une diode
Electroluminescente usuelle encapsulée dans un matériau plastique
transparent qui joue le rôle de lentille et détermine l'angle d'émission
lumineuse.
Figure 7 : Diode Electroluminescente
usuelle encapsulée
Le flux lumineux n'est pas homogène tout autour de la LED. La répartition
spatiale de la puissance émise dépend de la forme de la diode LED :

forme de la partie émissive : une lentille hémisphérique, en présence


d’une lentille parabolique.
 avec lentille de concentration ou sans,

Cette répartition est définie par le diagramme de rayonnement qui


représente la répartition angulaire de l'intensité relative émise. La directivité
d’un émetteur est son aptitude à émettre suivant une ou plusieurs
directions. Exemple :
2.9 Le LASER
Le LASER est un procédé d’amplification de la lumière, défini en anglais
par l’acronyme LASER : Light Amplification by Stimulated Emission of
Radiation.
L’amplification de la lumière par émission stimulée de photons produit une
lumière qui est monochromatique, directionnelle, cohérente et de haute
intensité.
Le principe de l'émission stimulée a été étudié par Albert Einstein en 1917.
Le premier laser a été réalisé en 1960 et la première diode laser en 1962,
mais celle-ci ne fonctionnait qu'à température très basse (70 K). Il fallu
attendre les années soixante-dix pour pouvoir disposer de diodes laser
fonctionnant à température ordinaire.
La diode laser est un composant similaire à la diode électroluminescente,
car elle est constituée d'une jonction p-n réalisée sur des matériaux à
gap direct avec une région active où les porteurs injectés, par forte
polarisation directe de la diode, se recombinent de façon radiative,
produisant une lumière cohérente issue d’émissions stimulées de
photons. Une telle diode laser s'appelle laser à homojonction. Sa
structure de base est représentée sur la figure 8. Son faisceau lumineux de
sortie est latéral. Il est très directif et de fréquence très précise. Les diodes
Laser sont les composants essentiels dans les transmissions par
fibres optiques.

Figure 8 : structure de base d’une diode Laser

Phénomènes de base
L'absorption et l'émission d'énergie sont obtenues à partir de la transition
des électrons d'un niveau d'énergie vers un autre niveau Figure (9).La
longueur d'onde de la radiation émise (absorbée) est liée à la
différence d'énergie entre ces deux niveaux.
ΔE = Ec –Ev =h c / λ
Ou:
ΔE: Bande interdite (GAP) en (eV) ou en(J).
Ec : Niveau d'énergie de la bande de conduction.
Ev : Niveau d'énergie de la bande de valence.
Figure 9 : Niveaux d'énergie.
Ec : Niveau d'énergie de la bande de conduction.
Ev : Niveau d'énergie de la bande de valence.
 Absorption
Considérons un photon qui se propage vers un électron situé dans la bande
de valence Ev. Dans le cas où ce photon possède suffisamment d'énergie
(supérieur ou égale au GAP), l'électron absorbe cette énergie et passe
dans la bande de conduction. Figure (10)

Figure 10 : Diagramme d'énergie d'un atome : (a) au repos (b) excité

 Emission
Un électron excité situé dans la bande de conduction peut passer à un
niveau d'énergie plus bas en émettant un photon dont la fréquence ƒ est
donnée par :
ƒ = Ec –Ev / h
Selon que la désexcitation se fasse avec ou sans apport extérieur (photon)
nous distinguons deux types d'émissions : l'émission spontanée et
l'émission stimulée.
 Émission spontanée
L'émission spontanée se fait de façon aléatoire et donne naissance à des
radiations incohérentes. Figure (11). C’est le cas des diodes LED. Ce
type d'émission se traduit par faible directivité et une faible puissance.

Figure 11 : (a) Atome excité (Etat initial). (b) Atome au repos (Etat final).

 Émission stimulée
Un photon incident peut provoquer la désexcitation d'un électron situé dans
la bande de conduction et entrainer l'émission d'un autre photon de même
phase.
Le photon émis a la même phase et la même direction que le photon
incident. C’est le mécanisme découvert par EINSTEIN
Ces deux photons peuvent à leur tour déclencher d'autres émissions
synchrones et provoquer un effet d'avalanche. Il y a donc, pour ce type
d'émission apparition de gain. Figure (12). C’est le cas des diodes Laser.
Figure 12 : (a) Atome excité (Etat initial). (b) Atome au repos (Etat final).

Ainsi, selon la densité de porteurs injectés, donc l’intensité du courant de


polarisation de la diode, les mécanismes de recombinaison des paires
électron-trou dominants changent, il est donc possible de définir trois
régimes de fonctionnement :
1. A faible niveau d’injection, l’émission spontanée domine l’émission
stimulée. La diode laser fonctionne comme une diode électroluminescente
(LED).

2. Lorsque le niveau d’injection augmente, l’émission stimulée domine


l’émission spontanée, mais les pertes de la cavité sont supérieures au gain
du milieu ( c.a.d la puissance de sortie/puissance d’entrée). La diode laser
opère comme un amplificateur optique ou une diode super
luminescente.

3. A fort niveau d’injection, l’émission stimulée domine l’émission


spontanée et le gain du milieu est supérieur aux pertes de la cavité. La
diode entre en régime d’oscillations laser.
Un laser est donc, fondamentalement, un amplificateur de lumière dont la
sortie est réinjectée à l'entrée. Son alimentation en énergie est la source du
pompage, la sortie est le rayonnement laser qui est réinjecté à l'entrée par
les miroirs de la cavité résonnante. Les diodes Laser comprennent tous
trois éléments nécessaires qui sont :
- Un milieu actif ou amplificateur: il est composé des atomes que l'on

excite. Ce milieu peut être solide, liquide ou gazeux.


- Une source de pompage : elle permet d'exciter les atomes du milieu
actif en injectant de l'énergie. Cette source peut être d'origine électrique ou
lumineuse.
- Un résonateur optique ou cavité : dotée d’un miroir arrière qui réfléchit
tous les photons incidents et un miroir avant semi-réfléchissant qui laisse
passer entre 1% et 10% des photons incidents et réfléchit le reste du
rayonnement.
 La longueur L de cette cavité résonante est un multiple entier de la
demi-longueur d’onde des photons créés par émission stimulée.

Avec m un entier égal à 1, 2, 3,4,…


 L’épaisseur d de la zone active est limitée par la longueur de
diffusion
des porteurs.

Figure 13 : Principe de fonctionnement d'un laser


La condition d'émission laser s’obtient en écrivant les conditions de
résonance :
1. Le gain sur un aller-retour, dans la cavité doit être supérieur aux
pertes
2. Le déphasage sur un aller-retour doit être un multiple de 2π.
(déphasage de l’onde laser est identique à lui-même (modulo
2π) après un tour complet dans la cavité)
Si α psont les pertes par absorption interne, et R1 et R2 les pertes par
transmission des miroirs, On obtient la condition de gain :

Gs =α p +
1
2L (
ln ⁡
1
R1R2 )
Gs est le gain seuil de la cavité. C’est le gain minimal que la région

active doit fournir pour que l’effet laser se produise. Il est déterminé par
la géométrie et les caractéristiques de la cavité. L’expression montre, par
exemple, que lorsque la longueur de la cavité décroît, ce gain seuil
augmente.
Exercice :

2.10 Caractéristiques de la diode laser


Il existe de nombreuses caractéristiques de fonctionnement des diodes
laser qui sont d'une importance primordiale dans leurs applications dans
une liaison par fibres optiques. Une de ces caractéristiques est :
La caractéristique puissance‐courant
Elle représente la variation de la puissance émise par la diode laser en
fonction de son courant de polarisation. Cette caractéristique dépend
fortement du courant de seuil qui correspond au seuil de l’émission laser et
de la température de fonctionnement du composant.
 Lorsqu’un faible courant lui est appliqué, l’émission stimulée ainsi que
les recombinaisons Auger sont négligeables, une diode laser émet de
la même manière qu’une LED. La puissance rayonnement émis est
proportionnelle au courant de polarisation.
 Lorsque le courant qui traverse la jonction devient supérieur au
courant seuil, les photons émis vont générer des photons cohérents
qui vont atteindre les faces clivées du laser en se multipliant par
émissions stimulées.
Remarque : Dans la diode laser à homojonction, le courant seuil
js est assez élevé. Il est de l’ordre de 3.104 à 5.104 A/cm2 à 300K
pour le GaAs.
 En régime laser la caractéristique P(I) est quasiment droite.

Figure 14 : Caractéristique puissance-courant de la diode


laser.

 A fort courant, la courbe s’éloigne de la droite à cause de


l’échauffement du composant.

2.10 APPLICATIONS :
Les diodes lasers sont utilisées dans plusieurs domaines, particulièrement
dans :
- Les télécommunications optiques.
- La lecture de CD, et le stockage de l’information dans les disques
optiques (CD ou DVD).
-La photocopie ou l’impression laser,
- les applications médicales et industrielles.
- Les systèmes d’interconnexion optique par fibre.

2.11 Matériaux utilisés pour les diodes laser


La longueur d'onde de la lumière émise d’une diode laser est
directement liée au matériau de la région active, région où a lieu le
maximum d’émissions stimulées. Elle est une fonction de la largeur
de la bande interdite et est déterminée par la concentration de
dopants et la configuration de la zone active.
Ainsi, Les mêmes types de matériaux et alliages utilisés pour les LED sont
aussi utilisés pour les diodes laser.
 Les premières diodes laser étaient réalisées à base
d’homojonction GaAs en 1962.
 Les diodes Laser actuelles sont à hétérojonctions et à base
d’alliages ternaires (exemple : GaAlAs) et quaternaires
(exemple : GaInAsP).
Ainsi en variant la fraction x d’aluminium dans le mélange Ga1-x Alx As,
une jonction pn au GaAlAs peut émettre de 750 nm à 900 nm.
Le GaInAsP est principalement utilisé pour la fabrication de composants
qui émettent vers 1300 nm et 1550 nm :
- λ = 1310 nm ➾In0.73Ga0.27As0.58 P0.42
- λ = 1550 nm ➾In0.58Ga0.42As0.9 P0.1
- L’InGaAlP est utilisé pour les lasers à semi-conducteurs dans la plage
visible à partir de 630 nm. Ces lasers sont adaptés pour la transmission de
données avec des fibres plastiques synthétiques.

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