Lycée Majel BelAbess 2ème Technologie de l’inf

montages de polarisation pour le transistor bipolaire.

Buts du TP : le but de ce TP est l’étude de deux montages de polarisation pour le « transistor

bipolaire :
• on commence par mesurer le β du transistor utilisé, ainsi que la valeur minimale de
saturation du courant de base.
• on poursuit avec l’étude de deux montages de polarisation du transistor NPN 1711.
• on finit avec des calculs de puissances à l’entrée et à la sortie du transistor.

1°) - présentation du transistor bipolaire.

Le transistor utilisé est un NPN1711 dont le constructeur indique : 100 < β < 200.
On aimerait avoir une meilleure précision sur ce chiffre, ainsi que la valeur du courant
de base I B qui définit la limite entre la zone linéaire et la zone de stabilisation.

IBsat
Pour récupérer ces deux paramètres, on propose le montage suivant :

Montage :
Rc = 100 Ω

Préparation : on suppose que E 2 = 10 V. Calculer la valeur limite à donner à la résistance Rb pour être à
la limite entre la zone linéaire et la zone de saturation.
Pour faire ce calcul, on considèrera que : E 1 = 5 V, V BE = 0,7 V, et on est à la limite de la zone linéaire et de
la zone de saturation donc Ic = β . Ib avec β = 150 et V CE ≈ 0 . On écrira alors l’équation de maille dans la
maille de sortie pour calculer Ic et l’équation de maille dans la maille d’entrée.

Si Rb > Rb calculée plus haut, montrer qu’on est dans la zone linéaire.

Montage : on prend Rb = 10 kΩ.

En faisant varier E1 de 0 à 10 V, relever les valeurs de Ib et de Ic. Tracer Ic = f(Ib) et en déduire la valeur
de β. En déduire également la valeur de Ib sat , valeur limite de Ib pour entrer dans le domaine de saturation.
Pour ib > ib sat , mesurer la valeur de Vce.

2°) - caractéristiques du transistor bipolaire.

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2°) - 1 - Introduction : dans les montages amplificateurs à transistors, la polarisation est

importante. La polarisation d’un transistor est l’étude du point de fonctionnement du
transistor au repos, c’est-à-dire le valeur de Ic et de V CE en continu.

Vcc
Rc

Ce point se trouve toujours sur la droite de charge (droite Ic = f(V CE ) obtenue par une équation de maille
dans la maille de sortie). Il peut évoluer entre le point où Ic ≈ 0 (état bloqué) et le point où V CE ≈ 0 (état
saturé). Entre ces deux points particuliers, on est dans le domaine linéaire où Ic = β . Ib.

Pour rester le plus possible dans le domaine linéaire, on cherchera parfois à placer le point de
repos au milieu de la droite de charge.

2°) - 2 - Montage n°1 : polarisation par résistance de base :

Rb = 30 kΩ, Rc = 100 Ω
Ic
Vcc = 10 V Ib
VCE

VBE

Préparation : écrire l’équation de la droite de charge Ic = f(V CE ) en écrivant une loi des mailles dans la
maille sortie. Tracer l’allure de cette droite.
Ecrire l’équation de la droite d’attaque Ib = f(V BE ) en écrivant une équation de maille dans la maille
d’entrée.
En supposant que V BE = 0,7 V, calculer la valeur de Ib.
Vérifier que Ib < Ibsat du 1°)
Que peut-on en déduire ?

Calculer alors la valeur de Ic et celle de V CE . Placer ce point de fonctionnement sur la droite de charge
précédemment tracée. Le point de repos est-il au milieu de la droite de charge ?

En reprenant l’équation de la droite d’attaque, montrer que : Ib=Vcc−Vbe , puis que : Ic=β ×(Vcc−Vbe)
Rb Rb
Montrer alors que si β augmente, le point de repos peut se trouver dans le domaine de saturation.

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Mesures : faire le montage avec les valeurs indiquées. Mesurer les valeurs de Ib, Ic, V BE et V CE .
Laisser le montage fonctionner un moment (10 minutes) et reprendre les mesures. Que constatez-vous ?
Essayez d’expliquer ce phénomène en considérant que β augmente avec la température.
2°) - 3 - Montage n°2 : polarisation par résistance de base et d’émetteur:

Le schéma est le suivant:

On notera I C0 et V CE0 les coordonnées du point de polarisation.

On suppose que Ic = β . Ib et que I E ≈ Ic.

Préparation : redessiner le schéma ci-dessus en faisant apparaître

le modèle de Thévenin du dipôle BM (E TH , R TH ) qui alimente la base
du transistor (à gauche des points B et M).

A l'aide du MET, donner l'équation de la droite d'attaque, c'est à dire

l'équation liant V BE , V CC , R 1 , R 2 , β, R E et I B .
Donner l'équation de la droite de charge, c'est à dire l'équation liant
V CC , V CE , R C , R E et I C , sachant que I E ≈ I C .
Vous allez choisir les valeurs suivantes:

V CC = 10V, R C = 470 Ω , R E = 470 Ω , R 1 = 10kΩ , R 2 = 10kΩ .

Tracer la droite de charge I C =f(V CE ) .

Déterminer par le calcul le point de polarisation en calculant préalablement Ib, sachant que V BE = 0,7 V.
Le point de repos est-il au milieu de la droite de charge ?

(Eth−Vbe)
En reprenant l’équation de la droite d’attaque, montrer que : Ib= , puis que : Ic=β ×( Eth−Vbe )
(Rth+ β.Re) Rth+ β.Re

Montrer alors que si β.Re est grand devant Rth, la valeur de Ic ne dépend plus de β et vaut Ic ≈ Eth .
Re

Si β augmente, le point de repos se déplace-t-il ?

Quel est l’intérêt de ce montage par rapport au précédent ?

Mesures : faire le montage avec les valeurs indiquées. Mesurer les valeurs de Ib, Ic, V BE et V CE . Retrouver
la valeur de β.
Laisser le montage fonctionner un moment (10 minutes) et reprendre les mesures. Que constatez-vous ?
Le point de polarisation est-il placé au milieu de la droite de charge statique?

calcul de puissances
• Pour les valeurs mesurées précédemment :
• Calculer la puissance utile : P = Vce.Ic .
• Calculer la puissance de commande : P '= Vbe.Ib .
• Comparer les deux valeurs. Commentaires ?

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