Cours électronique GM1

CHAPITRE 4 : TRANSISTORS BIPOLAIRES

1. Description
L'usage général des transistors est l'amplification du courant. En électronique de puissance
ils sont également utilisés comme interrupteurs électroniques.

Un transistor bipolaire comporte trois zones de dopage distinctes: l'émetteur, la base et le

collecteur.

la figure 1 représente un transistor NPN. La fonction de l'émetteur fortement dopé est

d'émettre des électrons vers la base. La base est légèrement dopée et très étroite, elle
conduit la plupart des électrons injectés par l'émetteur dans le collecteur. Le niveau de
dopage du collecteur est moyen et copris entre le fort dopage de l'émetteur et le faible
dopage de la base. Le collecteur collecte les électrons provenant de l'émetteur d'où son
nom.

Figure 1 : Transistor NPN Figure 2 : Transistor PNP

NB: Dans ce cours nous allons nous intéresser aux transistors de types NPN

Le transistor NPN comporte deux jonctions : une entre l'émetteur et la base et l'autre en la
base et le collecteur. On appelle la diode de gauche diode émetteur et la diode de droite la
diode collecteur.

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On associe au transistor NPN 6 grandeurs électriques comme le montre la figure 3 : Trois

courants IB : le courant de la base , IC : le courant du collecteur et IE : le courant de l'émetteur
et trois différences de potentiels VBE, VCE et VCB qui sont liées comme suit:

IE= IB+IC VCE = VBE + VCB donc VCB= VCE-VBE

Figure 3 : Grandeurs électriques associées au transistor

2. L'effet Transistor

Le générateur de gauche de la figure 4 polarise la diode émetteur en direct et celui de droite polarise
la diode collecteur en direct. Les électrons libres pénètrent dans l'émetteur et le collecteur du
transistor, passent à la base qu'ils quittent par le fil conducteur commun. Les deux diodes sont
polarisées en direct.

R R

Electrons

E1 E2
Figure 4 : Polarisation des deus diodes en direct

La figure 5 représente les deux diodes polarisées en inverse. Les courants sont négligeables.

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R R

E1 E2
Figure 5 : Polarisation des deux diodes en inverse

Polarisons maintenant la diode émetteur en direct et la diode collecteur en inverse. dans ce cas on
s'attends à un courant émetteur important parce que la diode émetteur est polarisée en direct et un
courant collecteur faible car la diode collecteur est polarisée en inverse. Toutefois le courant
collecteur est aussi important que le courant émetteur.
Electrons en grand nombre

R R

Quelque
IE électrons IC
IB

E1 E2

Figure 6 : Le rétrécissement de la zone P, Base de l'effet Transistor

Lorsqu'on applique une polarisation directe à la diode émetteur avec une différence de potentiel VBE
supérieur à 0.7V de nombreux électrons de l'émetteur pénètrent dans la base. Deux trajets sont
offerts aux électrons de la base :

- Vers le bas c'est à dire dans le conducteur externe E1

ou

- Vers la jonction collecteur et ensuite dans le collecteur.

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En effet l'amincissement de la zone P de la base permet l'acheminement de la plus part des électrons
vers la jonction N du collecteur.

Cette description constitue ce que l'on appelle : l'effet transistor.

3. Caractéristiques d'un transistor

Le fonctionnement d'un transistor NPN est décrit par les courbes caractéristiques qui lient les
grandeurs électriques principales précédemment définies. IE et VCB se déduisent des 4 autres.

Fondamentalement il faut retenir les propriétés suivantes:

 Caractéristique d'entrée

Pour débloquer le transistor il faut que la jonction base-émetteur soit polarisée en direct avec une
tension supérieur à la tension seuil Vs donc VBE> VS

La courbe IB=f(VBE) correspond au fonctionnement de la jonction base-émetteur. Il s'agit donc de la

caractéristique d'une diode.

Figure 7 : caractéristique d'entrée

 Caractéristique de gain de courant

Le courant du collecteur IC et le courant de base IB sont liés par la relation fondamentale IC= β*IB. Le
coefficient β est une caractéristique intrinsèque du transistor. Il s'agit de son gain en courant. Il est
en général de l'ordre de quelques dizaines à quelques centaines selon le type de transistor.

 Caractéristiques de sortie

Si la jonction base-collecteur est polarisée en sens inverse, alors le courant de l'émetteur peut
traverser cette jonction.

Dans ce cas le courant IC est indépendant de VCE : régime linéaire (IC= β*IB );

Si VCE =0 alors aucun courant ne circule entre l'émetteur et le collecteur;

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Le basculement entre ces deux fonctionnements se produit à la tension VCE sat (Saturation) : le
courant IC n'est pas proportionnel à IB

La fonction IC= f(VCE) dépend de la valeur de IB( donc de la valeur de VBE), ce qui donne un réseau de
caractéristiques.

Figure 8 : Caractéristiques de sortie

Mettons maintenant ces caractéristiques sur le même graphe.

Figure 9 : Caractéristiques d'un transistor bipolaire NPN

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4. Polarisation d'un transistor

Polariser un transistor c'est l'inclure dans un montage qui lui impose un point de fonctionnement, en
régime continu caractérisé par définition des 4 grandeurs IB, IC, VBE, VCE. Le point de polarisation
ainsi défini peut se trouver:

 Dans la zone linéaire d'une caractéristique IC= f(VCE). On dit que le transistor est correctement
polarisé pour fonctionner linéairement. Dans ce cas on admet que VBE= 0.7V

 Dans la zone de saturation d'une caractéristique IC= f(VCE). Dans ce cas on dit que le transistor est
saturé et on a VCE→0.

 Sur la caractéristique particulière IC=0 correspondant à une tension VBE très faible. Le transistor
est alors bloqué

5. Détermination du point de repos

Il existe plusieurs montage de polarisation à savoir polarisation avec une seule source ou avec deux
sources . Prenons le cas de ce montage
Circuit de sortie
Circuit d'entrée
RC

IC
RB IB
VCE EC

EB
IE

Figure 10 : Polarisation d'un transistor

Les circuits d'entrée et de sortie sont appelés circuits de polarisation. La connaissance de l'état de
fonctionnement du transistor nécessite la détermination des 4 variables IB, IC, VBE et VCE.

Les grandeurs IB et VBE sont liées par deux relations:

- La caractéristique d'entrée du transistor;

- Le circuit d'entrée;

Les grandeurs IC et VCE sont liées par deux relations:

- Le réseau de caractéristiques de sortie du transistor;

- Le circuit de sortie.

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5.1 Droite d'attaque statique

La loi des mailles appliquée au circuit d'entrée permet d'écrire VBE= EB- RB.IB . C'est l'équation de la
droite d'attaque statique de ce montage de polarisation, elle représente les points de
fonctionnement du circuit d'entrée.

VBE(V)

EB

EB/RB
IB(A)

Figure 11 : Droite d'attaque statique

5.2 Droite de charge statique

La des mailles appliquée au circuit de sortie permet d'écrire VCE= EC- RC.IC . C'est l'équation de la
droite de charge statique de ce montage de polarisation, elle représente les points de
fonctionnement du circuit de sortie.
IC(A)

EC/RC

EC
VCE(V)

Figure 12 : Droite de charge statique

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5.3 Point de repos

Dans le plan (IB, VBE) on représente la caractéristique d'entrée du transistor et la droite d'attaque
statique. Le point Q0 de leur intersection constitue le point de repos à l'entrée de coordonnées
( IB0,VBE0).

La valeur de IB0 dans le plan (IB,IC) permet de déterminer le point de fonctionnement T0 sur la
caractéristique IC=f(IB). L'ordonnée de T0 nous donne la valeur de IC0 du courant de sortie. Ce dernier
appartient à la droite de charge statique, donc on détermine immédiatement le point de repos S0
dans le réseau de caractéristique de sortie. L'abscisse de S0 nous donne la valeur VCE0 de la tension de
sortie.

Droite de charge statique

IC0 S0

T0

IB0

VCE0

Droite d'attaque statique Q0

VBE0

Figure 13 : Détermination du point de repos

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