Le nom :Amzal
Le prénom :boudjmaamoundher
Le matricule :19/36021397
NPN PNP
COLLECTEUR COLLECTEUR
BASE BASE
EMETTEUR EMETTEUR
COLLECTEUR COLLECTEUR
BASE BASE
EMETTEUR EMETTEUR
La géométrie du système (base mince) aboutit à l’effet transistor qui se traduit par un fort
courant collecteur commandé par un faible courant de base (voir les car caractéristiques de
fonctionnement).
1. Caractéristiques - Fonctionnement
1.1. Caractéristiques d’entrée Lb=f(Vbe)
C’est la caractéristique qui relie les deux grandeurs d’entrée
- Courant de base IB
- Tension base émetteur et VBE
En observant la structure, on s’aperçoit qu’il s’agit d’une jonction PN. On retrouvera donc
une caractéristique de transfert identique à celle d’une diode.
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IB(J )
On retrouve, comme prévue, 1’allure de la
caractéristique courant - tension d’une diode.
N’existe un courant dans la base que pour
V BE>0.
V BE(V)
V CE
V BE
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1.3. Caractéristiques de sortie Ic=f(Vce)
Dans le schéma ci contre, on doit tout
d’abord fixer un courant de base pour
qu’il y ait existence d’un courant de
V CE Collecteur. C’est le rôle de la source
De tension VBEo -
BEo
Dans un deuxième temps, on fait
varier +cE avec une source de tension
réglable, puis pour chaque valeur de
+cE on relève le courant Ic
correspondant.
Schéma de principe de relevé de la On retranscrit les mesure sur un
Caractéristiques de Transfert Ic' f(DCE) graphe ce qui donne
V CE( )
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1.4. Résumé — réseau de caractéristiques
On retrouve dans beaucoup de d’ouvrage une représentation synthétique de ces différentes
courbes, communément appelé « réseau de caractéristique du transistor bipolaire ».
Ic( )
IB3‘ IB2
IB2‘ IB1
À V CE'
IB1‘ IB0
IB0‘0
IB' 0
IB(J ) VCE(V)
A V CE'
V BE( )
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Ib 0 0.18 0.75 1 2 2.5 3 3.6 3.63
Ub 0 0.42 0.49 0.52 0.58 0.61 0.65 0.66 0.66
1/.
Ma v
oui Oui
non oui
2/.
Ma v
oui Oui
non oui
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