2.

Los capacitores cerámicos están clasificados en tres tipos

3. Construcción
4. Capacitores cerámicos en chips para montaje superficial
1. Información general
Los capacitorescon dieléctrico de cerámicason una única familia con una
constante dieléctrica relativamente alta, son de diseñofísico de fácil
fabricación, en donde se puede encontrar una gran variedad de formatos.

La cerámica usada está basada en TiO2 (dióxido de titanio) y titanatos (combinación de

óxido de titanio y otros óxidos).
2. Loscapacitores cerámicos están clasificados en tres tipos
Cerámicos de clase I [COG (NP0)] (estable):
Este tipo de capacitores empleados, usualmente a base de dióxido de titanio o
titanato de calcio con aditivos, pueden ser usados para lograr las
características deseadas, éstas son el coeficiente de temperaturanominal sobre
el rango de 25 a 85 ºC, la constante dieléctrica relativa de 6 a 500 y un factor de
potencia de 0,4 o menor.
Los capacitores cerámicos de clase I son utilizados en circuitosresonantes, alta
frecuencia y acoplamiento, dieléctricos de temperatura compensada,
estabilidad dieléctrica y otras aplicaciones donde un alto Q son esenciales.
Conocidos también como NP0 o Negativo Positivo Cero.
Cerámicos de clase II [XR7] (semiestable):
Son usados cuando la miniaturización es requerida para aplicaciones de
radiofrecuencia, filtros y acoplamiento de etapas, donde el Q y la estabilidad
pueden estar comprometida.
La clase II está subdividida en dos subgrupos, estable e inestable.
Los cerámicos estables (estable k) tienen una constante dieléctrica de 250 a
aproximadamente 2400, tienen una característica no lineal de temperatura
definida dentro de un rango de -60 a 120 ºC.
Los cerámicos inestables (alto k) tienen una constante dieléctrica de 3000 a
10000. Estos valoresde alto k son obtenidos por formulaciones especiales de
titanatos y aditivos. El rango de operación de temperatura es de –55 a 85 ºC o
menos (dependiendo de la fórmula usada) causado por la disminución del k de
un 30 al 80%.
Cerámicos de clase III [Z5U] (propósitos generales):
En estos diseños un disco cerámico aislante con un tratamiento de calor es
aplicado en una atmósfera reducida para que disminuya la resistividad por
debajo de 10 W -cm. Los electrodos de plata son aplicados en la superficie y son soldados
al mismo tiempo, un capacitor formado entre el electrodo y el cuerpo semiconductor
aplicados a ambos lados del disco, es decir, que la terminación está hecha por dos
capacitores en serie.
Son aplicados en circuitos de acoplamiento y como supresores de interferencia.
Envejecimiento:
Estos dieléctricos presentan un fenómeno conocido como Transformación de la fase del
cristal a la temperatura de Curie, es decir, el rango de la temperatura en la que algunos
cristales cambian su forma, dando por resultado un incremento en la constante dieléctrica
(k) en o sobre la temperatura de Curie. El incremento en (k)provoca un incremento en el
valor de la capacitancia. Llevar los capacitores cerámicos de la temperatura de Curie a la
temperatura ambiente (25 ºC) da como resultado una disminución gradual de (k). Esta
disminución es una funciónlogarítmica dependiente del tiempo y la velocidad del cambioes
la velocidad de envejecimiento.
La velocidad de envejecimiento para los dieléctricos es:
COG (NP0) = 0 (no envejece)
X7R = 1 % (máximo de decrecimiento por década de tiempo)
Z5U = 3 % (máximo de decrecimiento por década de tiempo)
La temperatura de Curie para dieléctricos susceptibles de envejecimiento es:
X7R = alrededor de + 120 ºC
Z5U = alrededor de + 8 ºC
Efectos de la tensión:
Los capacitores de clase I son relativamente insensibles a los cambios en la capacitancia y el
factor de disipación debido a los efectos del voltaje de las corrientes continuas y alternas,
los de clase II y III muestran un incremento en los factores de capacitancia y disipación
cuando se aumenta el voltaje de AC, también muestran un cambio negativo en la
capacitancia y el factor de disipación la aplicación de voltajes de DC.

Variación de la capacitancia típica con la frecuencia:

Guía de selección:

Tipo Capacitancia [pF] Vdc [V]

Clase I 1-10000 200

82-39000 100

270-82000 50

1-680 200

82-2200 100

270-5600 50

1-270 500

1-4700 500

1-3300 200

348-12000 100

1870-100000 50

1-4700 200

390-18000 100
 2200-68000 50

1-220 100

82-560 50

200-5100 50

10-3300 100

110-6800 50

240-10000 25

47-330000 100

5600-680000 50

12000-1000000 25

10-10000 200

1200-100000 100

12000-100000 25

10-1000000 100

5600-3300000 50

Clase II 510-3900 1600

47-47000 500

100-12000 200

1000-100000 100

100-1000 1500

10-1500 500

10-1500 200

10-3000 300

10-5000 500
 0.02-0.47 12

Clase III [m F] 0.01-0.2 18

0.01-0.47 25

Características eléctricas:

3. Construcción
Los capacitores cerámicos están hechos en numerosos estilos:
La fabricación de los capacitores comienza con cilindros u hojas de cerámica
que está hecha de una pantalla de seda o pintada con una pasta de metal
precioso consistiendo en platino, paladio o plata para formar los electrodos.
Las hojas de electrodo están apiladas o procesadas como una capa simple y
está subsecuentemente cortada en cuadrados, discos, rectángulos u otros
diseños.
En un diseño monolítico las hojas están apiladas y compactadas, conteniendo
electrodos en cada corte.
Los terminales de la sección cerámica con electrodos expuestos a una pasta de
metal precioso generalmente plata, o plata – platino fundidos por encima de
los 750 ºC para formar terminales de metal soldable.

Circuito equivalente de un capacitor real:

L: inductancia [Hy = Vs/A]

C: capacitancia [F = As/V]
ESR: resistencia equivalente serie [W ]
Impedancia:
Z: impedancia (resistencia en AC) [W ]
f: frecuencia del voltaje aplicado [Hz]
4. Capacitores cerámicos en chips para montaje superficial
La construcción monolítica utilizada en la producción de los chips multicapa da por
resultado un bloque sólido de cerámica con un sistema de electrodos unificados y
terminales metalizados para permitir el soldado al circuito.
Terminales:
Las dos áreas metalizadas de conducción del cuerpo del capacitor están conectadas a sus
electrodos internos.
Los capacitores cerámicos en chips no tienen polaridad por lo tanto no se necesita hacer
otra distinción en los terminales. El terminal metálico conecta las placas en paralelo. El
valor de capacitancia creado por la intersección entre éstas placas, separadas por capas de
dieléctrico, se suma.
Dieléctrico:
Es un material aislante entre las capas conductivas que almacena la carga eléctrica.
Electrodos:
Son placas conductivas internas en un capacitor cerámico monolítico en chips, que están
depositados en una secuencia
impresa alternada. Se colocan capas sucesivas para aumentar la capacitancia al valor de
diseño requerido.
Placa dieléctrica:
Está compuesta por dos electrodos opuestos que almacenan la carga dieléctrica. El espesor
está determinado por el voltaje de corriente continua que soporta el chip.
Fórmula para determinar la capacitancia en capacitores monolíticos cerámicos en chip:
Capacitancia (pF) =
KxAxN
4.452 x t
K = Constante dieléctrica relativa del material utilizado para formar el área dieléctrica
activa. En el aire o vacío es 1.
A = Area útil de los electrodos en pulgadas cuadradas.
N = Número de capas dieléctricas activas.
t = Espesor de la capa dieléctrica activa en pulgadas.
4.452 = Factor de conversión de unidades.
Se puede incrementar la capacitancia por medio de un aumento en K, en el área del
electrodo, o en el número de capas dieléctricas. También reduciendo el espesor de la capa
dieléctrica.
Otra forma de cálculo es:
Capacitancia (F) =
E0 x Er x (N-1) x A
d
E0 = Constante dieléctrica absoluta, 8.85 x 10-12 [F/m].
Er = Constante dieléctrica relativa del material.
A = Area efectiva de los electrodos [m2].
N = Número de capas dieléctricas activas.
d = Espesor de la capa dieléctrica activa [m].
Construcción:
Los capacitores monolíticos cerámicos se construyen por medio de depósitos sucesivos de
material dieléctrico y electrodos.

Se coloca el dieléctrico que se encuentra en estadosemejante a una masa. El espesor de esta

capa de base es de 0.003" – 0.005" para un diseño de 50 a 100 VCC. Luego se seca el
dieléctrico ya sea por medio de una corriente de aire en la superficie o por un ciclo de calor.
a. Se coloca un electrodo patrón en la parte superior de la capa de base. Para esto el
material del electrodo se encuentra en forma de pasta, la que se inyecta por la fuerza
en aberturas (red) en la pantalla con el uso de un rodillo.

Según el material utilizado y el voltaje deseado del capacitor en chip, el espesor de

ésta capa será de apenas de 0.001" a 0.002", 0.003" o más; para 50 y 100 VCC, será
de 0.001" a 0.0015" de espesor.
b. Nuevamente se coloca una placa dieléctrica sobre el electrodo patrón. Esta capa se
convertirá en una capa dieléctrica activa al oponerla a la base colocada en el punto a).

Como se trata de construir un capacitor multicapa, el procedimientocontinúa

colocando capas alternadas de dieléctrico y electrodos para obtener el valor de
capacitancia deseado.
c. Se coloca un electrodo patrón, opuesto al colocado en el punto b).
d.El último paso de la secuencia consiste en la colocación de la parte superior que
tiene el mismo propósito que la capa de base colocada en el punto a).

Cortes perpendiculares al plano de longitud, atraviesan los electrodos comunes

exponiendo así los bordes para luego colocar terminaciones que conectarán estas
placas comunes en paralelo.
 e. Se corta el mosaico en chips separados utilizando hojas cortantes giratorias. En las
figuras se podrá observar que los cortes a lo largo de los ejes de la dimensión
longitudinal proporcionan márgenes de dieléctrico para proteger los electrodos
internos.
f. Los capacitores cerámicos en chips individuales se separan y hornean a una
temperatura de 1200°C para fundir la combinación de electrodos y capas dieléctricas
en un bloque monolítico.
g. Los capacitores horneados se colocan dentro de una especie de barril giratorio
donde se redondean todas las esquinas facilitando la aplicación de materiales de
terminación alrededor de los extremos donde emergen los electrodos internos y para
minimizar las roturas.
h.Se forman las terminaciones, generalmente sumergiendo los extremos del capacitor
en el material de terminación, a una profundidad bastante precisa. El material de
terminación se encuentra en forma de pasta de una mezcla plata - paladio.

El material de aporte utilizado para el estañado es Sn62 (62 % de estaño, 38 % de plomo, 2

% de plata) que tiene un punto de ebullición en 190 ºC.
Una exposición mayor puede resultar en una pérdida excesiva de material primario de
terminación del capacitor en chips, por absorción en la soldadura utilizando para la unión
del chip al circuito, comúnmente conocida como "lixiviación". Esta lixiviación puede
prevenirse protegiendo la terminación primaria del chip con una capa de material menos
soluble, como el níquel. El uso de una capa "protectora de terminación" es aconsejable
cuando se utiliza una soldadura múltiple para la unión al sustrato.
La figura representa una capa protectora de una terminación del chip. La superficie exterior
expuesta de capas de níquel perderá humedad por medio de la pasivación. Por lo tanto, se
coloca sobre las capas protectoras un revestimiento de estaño a modo de terminación final.
En esta etapa de la construcción se ha llegado obtener un capacitor cerámico monolítico
multicapa en chip.

Autor:

Luis Velazquez
Buenos Aires
Argentina
l_velazquez[arroba]mixmail.com