Práctica 1: El transistor bipolar en

conmutación

OBJETIVO DE LA PRÁCTICA

Estudio de las características y comportamiento del transistor bipolar cuando se emplea

como interruptor, utilizando para ello un circuito típico, el inversor básico en emisor
común, que constituye además uno de los circuitos lógicos fundamentales de la
electrónica digital.

DESARROLLO

1. Inversor básico en emisor común

1.1. En el circuito de la figura 1, la resistencia RB es de 2,2KΩ y la entrada es una

tensión continua de +5V. Realizar el cálculo teórico de IB, IC, y la relación IC/IB
con la que trabaja el transistor, a partir de los datos reflejados en las hojas de
características del transistor.

Figura 1

1.2. En las condiciones del apartado anterior, montar el circuito y medir con el
polímetro IB, IC, VCE y VBE. Deducir en qué zona de funcionamiento se encuentra
el transistor. Comparar los resultados obtenidos con los valores teóricos
calculados anteriormente.

1.3. Medida de tiempos de subida y bajada de la fuente.

Conectar la salida del generador a uno de los canales del osciloscopio y ajustarlo
para que proporcione una onda cuadrada unipolar de +5V de amplitud (entre 0 y
5V.) y 50 KHz. Comprobar las posibles imperfecciones de la forma de onda y
medir los tiempos de subida y bajada de la señal con ayuda del magnificador de
la base de tiempos (Ver MÉTODO DE MEDIDA DE TIEMPOS al final).
 Dispositivos Electrónicos II
Práctica 1.- El transistor bipolar en conmutación Dpto. Tecnología Electrónica

1.4. Aplicar a la entrada del circuito una onda cuadrada unipolar de +5V de amplitud
(0-5V) y 50 KHz.

1.4.1. Visualizar en el osciloscopio la forma de onda de la tensión de entrada (Ve)

simultáneamente con la de la tensión de base (VB).

1.4.2. Representar la diferencia Ve - VB para ello invertir la entrada del

osciloscopio de VB y representar la suma de las señales (ADD). Determinar
la forma de onda de IB en función de la diferencia medida.

1.4.3. Visualizar la tensión de entrada (Ve) y la tensión de salida (VS). Determinar

la forma de onda de IC en función de la tensión de salida.

1.4.4. Medir los tiempos de conmutación del transistor empleando el método

explicado en el apdo. 1.3).
td = tiempo de retardo ts = tiempo de almacenamiento
tr = tiempo de subida tf = tiempo de bajada

NOTA: Suponer que el generador es ideal y proporciona una onda

cuadrada perfecta.

1.5. Justificar como afectaría a los tiempos de conmutación la sustitución de RB por

otra resistencia de valor de 390Ω.

2. Mejoras en la conmutación

Una de las soluciones más simples para disminuir los tiempos de conmutación es el
empleo de un condensador de aceleración, como se muestra en la figura 2.

Figura 2
Efectuar el montaje de dicho circuito con RB1 = 1K8, RB2 = 390 Ω y RC = 270 Ω. Aplicar a
su entrada una onda cuadrada unipolar de +5 V de amplitud y 50 KHz.

Pág. 2
 Dispositivos Electrónicos II
Práctica 1.- El transistor bipolar en conmutación Dpto. Tecnología Electrónica

2.1. Visualizar en el osciloscopio la forma de onda de la V’e simultáneamente con la

de la tensión de base (VB).

2.2. Representar la diferencia V’e - VB, para ello invertir la entrada del osciloscopio de
VB y representar la suma de las señales (ADD). Determinar la forma de onda de
la corriente de base en función de la diferencia medida IB = (V’e - VB)/ RB2, y
hallar el valor de los picos que se producen en el paso de corte a conducción
(corte-cond.) y de conducción a corte (cond.-corte).

2.3. Visualizar la tensión de entrada (Ve) y la tensión de salida (VS).

2.4. Medir los tiempos de conmutación del transistor empleando el método explicado
en el apdo. 1.3). Compararlos con los obtenidos en el apdo. 1.4.4).

3. Circuito inversor con carga capacitiva

Montar el circuito de la figura 3 con RB = 2,2KΩ y aplicar a la entrada del mismo una
onda cuadrada de 5 Vpp unipolar (0-5V.), de 20 KHz.

Figura 3

3.1. Visualizar la tensión de entrada (Ve) y la tensión de salida (VS).

3.2. Medir los tiempos de subida y de bajada de la tensión de salida (VS). Comprobar
y justificar la diferencia de tiempos entre ambos flancos.

NOTA: Suponer que la resistencia de 10 Ω y los tiempos de conmutación del

transistor no influyen de manera apreciable en la respuesta del circuito.

Pág. 3
 Dispositivos Electrónicos II
Práctica 1.- El transistor bipolar en conmutación Dpto. Tecnología Electrónica

MÉTODO DE MEDIDA DE TIEMPOS

1. Comprobar que magnificador de la base de tiempos (XMAG) y el del eje vertical (YMAG) están
desactivados.

2. Visualizar en el osciloscopio varios flancos de la señal a medir, de manera que su amplitud

quede delimitada entre las rejillas horizontales que marcan el 0 y el 100% en la pantalla
(emplear el cursor de posición vertical y si es necesario el magnificador vertical YMAG.).

3. Una vez ajustada verticalmente la señal, comenzar a aumentar la resolución en el eje de

tiempos hasta el punto inmediatamente anterior al punto donde se deja de observar flanco
alguno (máxima resolución que permite visualizar un flanco).

4. En este punto activar el magnificador horizontal (XMAG) y con el cursor de desplazamiento

horizontal buscar el flanco, de este modo se obtiene la máxima resolución para medir los
tiempos de subida/bajada. Si se quiere medir el flanco contrario basta con cambiar el flanco de
disparo (trigger) del osciloscopio (Botones slope o +/-).

5. Para medir los tiempos de subida y bajada aprovechar las líneas verticales de la pantalla que
delimitan el 10 y el 90%, de modo que para obtener el tiempo de subida por ejemplo se
cuentan las divisiones horizontales que transcurren entre que la señal alcanza el 10% del valor
final y llega al 90%.

Pág. 4
 DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

book, halfpage

M3D100

BD135; BD137; BD139

NPN power transistors
Product specification 1997 Mar 04
Supersedes data of September 1994
File under Discrete Semiconductors, SC04
Philips Semiconductors Product specification

NPN power transistors BD135; BD137; BD139

FEATURES PINNING
• High current (max. 1.5 A) PIN DESCRIPTION
• Low voltage (max. 80 V). 1 emitter
2 collector, connected to metal part of
APPLICATIONS mounting surface
• Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits. 3 base

DESCRIPTION
NPN power transistor in a TO-126; SOT32 plastic handbook, halfpage

package. PNP complements: BD136, BD138 and BD140. 2

1 2 3 Top view MAM254

Fig.1 Simplified outline (TO-126; SOT32)

and symbol.

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT

VCBO collector-base voltage open emitter
BD135 − − 45 V
BD137 − − 60 V
BD139 − − 100 V
VCEO collector-emitter voltage open base
BD135 − − 45 V
BD137 − − 60 V
BD139 − − 80 V
ICM peak collector current − − 2 A
Ptot total power dissipation Tmb ≤ 70 °C − − 8 W
hFE DC current gain IC = 150 mA; VCE = 2 V 40 − 250
fT transition frequency IC = 50 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz − 190 − MHz

1997 Mar 04 2
Philips Semiconductors Product specification

NPN power transistors BD135; BD137; BD139

LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VCBO collector-base voltage open emitter
BD135 − 45 V
BD137 − 60 V
BD139 − 100 V
VCEO collector-emitter voltage open base
BD135 − 45 V
BD137 − 60 V
BD139 − 80 V
VEBO emitter-base voltage open collector − 5 V
IC collector current (DC) − 1.5 A
ICM peak collector current − 2 A
IBM peak base current − 1 A
Ptot total power dissipation Tmb ≤ 70 °C − 8 W
Tstg storage temperature −65 +150 °C
Tj junction temperature − 150 °C
Tamb operating ambient temperature −65 +150 °C

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 100 K/W
Rth j-mb thermal resistance from junction to mounting base 10 K/W
Note
1. Refer to TO-126; SOT32 standard mounting conditions.

1997 Mar 04 3
Philips Semiconductors Product specification

NPN power transistors BD135; BD137; BD139

CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT

ICBO collector cut-off current IE = 0; VCB = 30 V − − 100 nA
IE = 0; VCB = 30 V; Tj = 125 °C − − 10 µA
IEBO emitter cut-off current IC = 0; VEB = 5 V − − 100 nA
hFE DC current gain VCE = 2 V; see Fig.2
IC = 5 mA 40 − −
IC = 150 mA 40 − 250
IC = 500 mA 25 − −
hFE DC current gain IC = 150 mA; VCE = 2 V; see Fig.2
BD135-10; BD137-10; BD139-10 63 − 160
BD135-16; BD137-16; BD139-16 100 − 250
VCEsat collector-emitter saturation voltage IC = 500 mA; IB = 50 mA − − 0.5 V
VBE base-emitter voltage IC = 500 mA; VCE = 2 V − − 1 V
fT transition frequency IC = 50 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz − 190 − MHz
h FE1 DC current gain ratio of the IC = 150 mA; VCE = 2 V − 1.3 1.6
----------- complementary pairs
h FE2

MBH729
160
handbook, full pagewidth

VCE = 2 V
hFE

120

80

40

0
10−1 1 10 102 IC (mA) 103

Fig.2 DC current gain; typical values.

1997 Mar 04 4
Philips Semiconductors Product specification

NPN power transistors BD135; BD137; BD139

PACKAGE OUTLINE

Plastic single-ended leaded (through hole) package; mountable to heatsink, 1 mounting hole; 3 leads SOT32

E A

P1

P D

L1

1 2 3

bp w M c e1

Q e

0 2.5 5 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

L1(1)
UNIT A bp c D E e e1 L Q P P1 w
max
2.7 0.88 0.60 11.1 7.8 16.5 1.5 3.2 3.9
mm 4.58 2.29 2.54 0.254
2.3 0.65 0.45 10.5 7.2 15.3 0.9 3.0 3.6

Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.

OUTLINE REFERENCES EUROPEAN

ISSUE DATE
VERSION IEC JEDEC EIAJ PROJECTION

SOT32 TO-126 97-03-04

1997 Mar 04 5
Philips Semiconductors Product specification

NPN power transistors BD135; BD137; BD139

DEFINITIONS

Data Sheet Status

Objective specification This data sheet contains target or goal specifications for product development.
Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.
Product specification This data sheet contains final product specifications.
Limiting values
Limiting values given are in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or
more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation
of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of the specification
is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.
Application information
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.

LIFE SUPPORT APPLICATIONS

These products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunction of these
products can reasonably be expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for
use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such
improper use or sale.

1997 Mar 04 6
Philips Semiconductors Product specification

NPN power transistors BD135; BD137; BD139

NOTES

1997 Mar 04 7
Philips Semiconductors – a worldwide company
Argentina: see South America
Australia: 34 Waterloo Road, NORTH RYDE, NSW 2113,
Tel. +61 2 9805 4455, Fax. +61 2 9805 4466
Austria: Computerstr. 6, A-1101 WIEN, P.O. Box 213,
Tel. +43 1 60 101, Fax. +43 1 60 101 1210
Belarus: Hotel Minsk Business Center, Bld. 3, r. 1211, Volodarski Str. 6,
220050 MINSK, Tel. +375 172 200 733, Fax. +375 172 200 773
Belgium: see The Netherlands
Brazil: see South America
Bulgaria: Philips Bulgaria Ltd., Energoproject, 15th floor,
51 James Bourchier Blvd., 1407 SOFIA,
Tel. +359 2 689 211, Fax. +359 2 689 102
Canada: PHILIPS SEMICONDUCTORS/COMPONENTS,
Tel. +1 800 234 7381
China/Hong Kong: 501 Hong Kong Industrial Technology Centre,
72 Tat Chee Avenue, Kowloon Tong, HONG KONG,
Tel. +852 2319 7888, Fax. +852 2319 7700
Colombia: see South America
Czech Republic: see Austria
Denmark: Prags Boulevard 80, PB 1919, DK-2300 COPENHAGEN S,
Tel. +45 32 88 2636, Fax. +45 31 57 1949
Finland: Sinikalliontie 3, FIN-02630 ESPOO,
Tel. +358 9 615800, Fax. +358 9 61580/xxx
France: 4 Rue du Port-aux-Vins, BP317, 92156 SURESNES Cedex,
Tel. +33 1 40 99 6161, Fax. +33 1 40 99 6427
Germany: Hammerbrookstraße 69, D-20097 HAMBURG,
Tel. +49 40 23 53 60, Fax. +49 40 23 536 300
Greece: No. 15, 25th March Street, GR 17778 TAVROS/ATHENS,
Tel. +30 1 4894 339/239, Fax. +30 1 4814 240
Hungary: see Austria
India: Philips INDIA Ltd, Shivsagar Estate, A Block, Dr. Annie Besant Rd.
Worli, MUMBAI 400 018, Tel. +91 22 4938 541, Fax. +91 22 4938 722
Indonesia: see Singapore
Ireland: Newstead, Clonskeagh, DUBLIN 14,
Tel. +353 1 7640 000, Fax. +353 1 7640 200
Israel: RAPAC Electronics, 7 Kehilat Saloniki St, TEL AVIV 61180,
Tel. +972 3 645 0444, Fax. +972 3 649 1007
Italy: PHILIPS SEMICONDUCTORS, Piazza IV Novembre 3,
20124 MILANO, Tel. +39 2 6752 2531, Fax. +39 2 6752 2557
Japan: Philips Bldg 13-37, Kohnan 2-chome, Minato-ku, TOKYO 108,
Tel. +81 3 3740 5130, Fax. +81 3 3740 5077
Korea: Philips House, 260-199 Itaewon-dong, Yongsan-ku, SEOUL,
Tel. +82 2 709 1412, Fax. +82 2 709 1415
Malaysia: No. 76 Jalan Universiti, 46200 PETALING JAYA, SELANGOR,
Tel. +60 3 750 5214, Fax. +60 3 757 4880
Mexico: 5900 Gateway East, Suite 200, EL PASO, TEXAS 79905,
Tel. +9-5 800 234 7381
Middle East: see Italy
For all other countries apply to: Philips Semiconductors, Marketing & Sales Communications,
Building BE-p, P.O. Box 218, 5600 MD EINDHOVEN, The Netherlands, Fax. +31 40 27 24825
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Slovenia: see Italy
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2092 JOHANNESBURG, P.O. Box 7430 Johannesburg 2000,
Tel. +27 11 470 5911, Fax. +27 11 470 5494
South America: Rua do Rocio 220, 5th floor, Suite 51,
04552-903 São Paulo, SÃO PAULO - SP, Brazil,
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Spain: Balmes 22, 08007 BARCELONA,
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Sweden: Kottbygatan 7, Akalla, S-16485 STOCKHOLM,
Tel. +46 8 632 2000, Fax. +46 8 632 2745
Switzerland: Allmendstrasse 140, CH-8027 ZÜRICH,
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Taiwan: Philips Semiconductors, 6F, No. 96, Chien Kuo N. Rd., Sec. 1,
TAIPEI, Taiwan Tel. +886 2 2134 2870, Fax. +886 2 2134 2874
Thailand: PHILIPS ELECTRONICS (THAILAND) Ltd.,
209/2 Sanpavuth-Bangna Road Prakanong, BANGKOK 10260,
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Turkey: Talatpasa Cad. No. 5, 80640 GÜLTEPE/ISTANBUL,
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Ukraine: PHILIPS UKRAINE, 4 Patrice Lumumba str., Building B, Floor 7,
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United Kingdom: Philips Semiconductors Ltd., 276 Bath Road, Hayes,
MIDDLESEX UB3 5BX, Tel. +44 181 730 5000, Fax. +44 181 754 8421
United States: 811 East Arques Avenue, SUNNYVALE, CA 94088-3409,
Tel. +1 800 234 7381
Uruguay: see South America
Vietnam: see Singapore
Yugoslavia: PHILIPS, Trg N. Pasica 5/v, 11000 BEOGRAD,
Tel. +381 11 625 344, Fax.+381 11 635 777
Internet: http://www.semiconductors.philips.com
SCA53
Date of release: 1997 Mar 04 Document order number: 9397 750 01843
 Práctica 1: El transistor bipolar en
conmutación

RESULTADOS:

1. Inversor básico en emisor común

1.1) Cálculo teórico de lB, IC y la relación IC/IB, con RB = 2K2 y Ve = +5 V.

1.2) Resultados experimentales de lB, IC, VCE y VBE:

lB IC VCE VBE

¿Existen diferencias entre los resultados teóricos y los experimentales? En caso

afirmativo, explicar a qué pueden ser debidas.

1.3.) Medida de tiempos de subida y bajada de fuente.

Tiempo de subida: Tiempo de bajada:

V/DIV: T/DIV: V/DIV: T/DIV:
XMAG: XMAG:
 Dispositivos Electrónicos II
Resultados práctica 1.- El transistor bipolar en conmutación Dpto. Tecnología Electrónica

1.4.1) Formas de onda Ve y VB. 1.4.2) Forma de onda Ve - VB. Expresión IB.

Tensión de base y de entrada Tensión Ve - VB

V/DIV: T/DIV: V/DIV: T/DIV:

IB =

1.4.3) Formas de onda Ve y VS.Expresión IC. 1.4.4) Medida de tiempos de conmutación.

td tr ts tf

Tensión de entrada y de salida

V/DIV: T/DIV:

IC =

1.5) Justificar como afectaría a los tiempos de conmutación la sustitución de RB por otra
resistencia de valor de 390Ω.

Pág. 2
 Dispositivos Electrónicos II
Resultados práctica 1.- El transistor bipolar en conmutación Dpto. Tecnología Electrónica

2. Mejoras en la conmutación
2.1) Formas de onda VB y V’e. 2.2) Forma de onda V’e - VB. Valores IBc-c.

Tensión de base y V’e Tensión V’e - VB

V/DIV: T/DIV: V/DIV: T/DIV:

IBcorte-cond. =
IBcond.-corte =

2.3) Formas de onda Ve y VS. 2.4) Medida de tiempos de conmutación.

td tr ts tf

Comparación de resultados:

Tensión de entrada y de salida

V/DIV: T/DIV:

Pág. 3
 Dispositivos Electrónicos II
Resultados práctica 1.- El transistor bipolar en conmutación Dpto. Tecnología Electrónica

3.- Circuito inversor con carga capacitiva

3.1) Formas de onda Ve y VS.

Tensión de entrada y de salida

V/DIV: T/DIV:

3.2) Tiempos de subida y bajada de Vs.

Tiempo de subida de Vs =

Tiempo de bajada de Vs =

Comentarios:

Pág. 4