Cours-Electronique-de Base

République tunisienne
Ministère de l’enseignement supérieur et de

recherche scientifique
ISET de SILIANA
Département Génie Electrique
SUPPORT DE COURS
Electronique DE BASE
Niveau : 1ère Génie Electrique
ELABORE PAR :
M. ARFAOUI ferjani
ANNEE UNIVERSITAIRE : 2018-2019
Contenu théorique ISET DE SILIANA
Electronique de base
Objectifs de l’UE :
▪ Connaître les composants élémentaires de l’électronique et leurs applications dans les fonctions
de base
▪ Décomposer un système en blocs fonctionnels,
▪ Prendre en compte les limitations et les caractéristiques d'un composant réel, ▪
Savoir exploiter un document constructeur.
PRE - REQUIS :
(Circuits électriques) & (Technologie générale)
Contenu théorique :
⮚ Composants électroniques et leur mise en oeuvre :
▪ Diodes à jonction PN et diodes spéciales (Zener, LED, Varicap, Tunnel, etc…). ▪ Principe,
caractéristiques, modèle et point de fonctionnement, différents types ▪ Caractéristiques
électriques figurant dans les fiches du constructeur d’une diode et limites d’utilisation.
▪ Transistors bipolaires, à effet de champ (FET et MOS) : principe, caractéristiques, polarisation
et point de fonctionnement, modèle et limites d’utilisation.
▪ Caractéristiques électriques figurant dans les fiches du constructeur d’un transistor.
⮚ Fonctions de bases :
▪ Fonction redressement et régulation :
⮚ Composants intégrés pour le redressement,
⮚ Structures de base à éléments discrets de stabilisation,
⮚ Composants intégrés pour la régulation de tension,
▪ Fonction commutation, fonctions logiques, fonction isolation galvanique ▪
Fonction amplification (caractéristiques, adaptation d’impédance, …)
▪ Fonction amplification de puissance et classes d’amplification (A et B).
▪ Amplificateur différentie
Ferjani ARFAOUI p. 1
Sommaire ISET DE SILIANA
SOMMAIRE
ELECTRONIQUE DE BASE 1 SOMMAIRE 2 CHAPITRE I : LES SEMI-CONDUCTEURS 4
I. NOTIONS DE SEMI-CONDUCTEURS 4 1. CONDUCTEUR 4 2. ISOLANT 4 3. SEMI-CONDUCTEUR 4 II. SEMI-CONDUCTEUR

INTRINSEQUE 5 1. INTRODUCTION 5 2. NOTION DE TROU 6 III. SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSEQUE 7 1. SEMI-CONDUCTEUR DE
TYPE N 7 2. SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE P 8 IV. LA JONCTION PN 8 1. JONCTION ISOLEE 8 2. JONCTION PN POLARISEE EN
DIRECT 9 3. JONCTION PN POLARISEE EN INVERSE 10
CHAPITRE II : LES DIODES 12
I. DIODE A JONCTION 12 1. DIODE A JONCTION IDEALE 12 2. DIODE A JONCTION REELLE 12 3. MODELES STATIQUES DE LA
DIODE A JONCTION PN 13 II. DIODE ZENER 15 1. EFFET ZENER 15 2. AVALANCHE 15 3. DIODE ZENER 16 III. AUTRES DIODES
16 1. LA DIODE ELECTROLUMINESCENTE (DEL OU LED) 16 2. LA PHOTO DIODE 17 3. DIODE SCHOTTKY 17 4. LES DIODES
VARICAP 17
CHAPITRE III : APPLICATIONS DES DIODES 18
I. REDRESSEMENT 18 1. REDRESSEMENT SIMPLE ALTERNANCE 18 2. REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE 19 3.

COMPOSANTE DC, VALEUR EFFICACE ET FACTEUR DE FORME DU SIGNAL PERIODIQUE 20 II. FILTRAGE 21
Sommaire ISET DE SILIANA
III. STABILISATION 22 IV. AUTRES APPLICATIONS DES DIODES 23
CHAPITRE IV : TRANSISTOR BIPOLAIRE 24
I. CONSTITUTION 24 II. LIMITES D’UTILISATION D’UN TRANSISTOR 24 1. TENSIONS DE CLAQUAGE 24 2. COURANT MAXIMUM
25 3. PUISSANCE MAXIMUM 25 III. POLARISATION D’UN TRANSISTOR NPN 25 1. GENERALITES 25 2. POLARISATION D’UN
TRANSISTOR 26 3. CIRCUITS DE POLARISATION 27 IV. SCHEMA EQUIVALENT EN PETITS SIGNAUX 30 1. SCHEMA EQUIVALENT EN
BASSES FREQUENCES 30
CHAPITRE V : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP 31
I. TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A JONCTION (JFET) 31 1. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT 31 2. RESEAU DE

CARACTERISTIQUES 33 II. TRANSISTORS MOS-FET 34 1. GRANDEURS CARACTERISTIQUES ET SCHEMA EQUIVALENT 36 2. FET
UTILISE COMME RESISTANCE VARIABLE 37
CHAPITRE VI : AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE 40
I. DEFINITION 40 II. CLASSE D'UN AMPLIFICATEUR 40 1. ANGLE D'OUVERTURE 40 2. CLASSES 40 III. AMPLIFICATEUR EN
CLASSE A 41 1. SCHEMA, POINT DE REPOS 41 2. PUISSANCES ET RENDEMENT 41 IV. AMPLIFICATEUR EN CLASSE B 42 1.
PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT 42 2. PUISSANCES ET RENDEMENT 43
BIBLIOGRAPHIE 45
Chapitre I ISET DE SILIANA
Chapitre I : LES SEMI-CONDUCTEURS

I. Notions de semi-conducteurs
1. Conducteur
En électricité, un conducteur est un matériau qui contient des porteurs de charge électrique pouvant se
déplacer facilement. C’est-à-dire qui se laisse traverser facilement par un courant électrique. Lorsque
ce conducteur n'est soumis à aucun champ électrique ou, plus généralement, dans la situation décrite
par la théorie de l'électrostatique, les porteurs de charge sont animés d'un mouvement aléatoire, ce
qui fait qu'on n'observe aucun mouvement global d'électron ; il n'y a donc aucun courant électrique,
on dit que le conducteur est en équilibre électrostatique.
Lorsqu'on lui applique un champ électrique, le mouvement des porteurs de charges devient
globalement ordonné, ce qui fait qu'on observe un courant électrique.
Un conducteur électrique a une grande conductivité et une très faible résistivité.
σ (S) : conductivité très grande
ρ (Ω m) : résistivité très faible
2. Isolant
Un isolant, ou isolant électrique aussi appelé matériau diélectrique, est une partie d'un composant ou
un organe ayant pour fonction d'interdire le passage de tout courant électrique entre deux parties
conductrices. Un isolant possède peu de charges libres.
▪ Un isolant est constitué d’un matériau qui ne conduit pas le courant électrique. ▪ Un
isolant électrique parfait a une conductivité nulle (0S) et une résistance infinie (∞Ω).
σ (S) : conductivité très grande

ρ (Ω m) : résistivité très faible
Exemples d’isolants électriques Le papier, le verre, le bois, le tissu, l’air, les matières plastiques sont
des isolants.
3. Semi-conducteur
L’appellation des matériaux semi-conducteurs provient de leurs conductivités électriques, intermédiaires
entre celles des conducteurs et des isolants. Une autre particularité importante, qui sera expliquée plus
loin, est que cette conductivité, contrairement aux conducteurs courants, dépend beaucoup de la
température et augmente avec celle-ci.
Ordres de grandeur.
▪ Isolant σ< 10−6 S/m (S = Siemens, c’est-à-dire Ω−1)
▪ Conducteur σ ≈ 108 S/m
▪ Semi-conducteur σ ≈ 0,1 à 10−4 S/m
II. Semi-conducteur intrinsèque

1. Introduction
Les corps simples semi-conducteurs sont obtenus dans le groupe IV de la classification périodique des
éléments (voir le tableau I.1). Ce sont le germanium, et surtout le silicium.
Tableau I.1 Classification périodique

II IV V
5 6 7
B C N
(Bore) (Carbone) (Azote)
13 14 15 16
Al Si P S
(Aluminium) (Silicium) (Phosphore) (Soufre)
30 31 32 33 34
Zn Ga Ge As Se
(Zinc) (Gallium) (Germanium) (Arsenic) (Sélénium)
48 49 50 51
Cd In Sn Sb
(Cadmium) (Indium) (Etain) (Antimoine)
Les corps simples semi-conducteurs ont la caractéristique principale d’être tétravalent, c’est-à-dire
que leur couche extérieure comporte 4 électrons. Ils cristallisent dans le système du carbone
(diamant) qui est le système cubique présenté à la figure I.1. Chaque atome est au centre d’un
tétraèdre régulier dont les 4 sommets sont occupés par les atomes voisins les plus proches.
Figure I.1 Système cubique
Les liaisons entre atomes sont des liaisons de valence, très stables, chaque atome mettant un électron
périphérique en commun avec chaque proche voisin. Leur couche périphérique se trouve ainsi
complétée à huit électrons, ce qui est une configuration très stable.
Au zéro degré absolu, il n’y a pas d’agitation thermique et tous les électrons périphériques participent
aux liaisons covalentes ; aucun n’est donc libre pour participer à la conduction électrique : le corps est
isolant.
Lorsqu’on élève la température, l’agitation thermique permet à quelques électrons de se libérer de la
liaison covalente, et d’être mobiles dans le cristal. Figure I.2 (b).
(a) (b)
Trou dans Liaison covalente
Liaison covalente
Electron libre
Figure I.2 Liaison de covalence en (a) et création d’un pair électron trou en (b).
2. Notion de trou
On voit que la perte de l’électron a provoqué un site vacant, ou trou, dans le cristal. L’atome considéré
est ionisé positivement, mais l’ensemble du cristal reste électriquement neutre. Le trou créé va
participer à la conduction électrique. En effet, supposons que le matériau semi conducteur considéré
⃗
soit baigné dans un champ électrique �� . Les électrons libres vont bien sûr dériver dans la
direction opposée au champ, sous l’action de la force �� .
⃗⃗
�� = −��⃗
Mais de plus, sous l’action du champ électrique et de la température, un électron de liaison voisin du
trou va pouvoir le combler, laissant à sa place un nouveau trou qui pourra à son tour être comblé par
un autre électron, etc. (Voir la figure I.3). Tout se passe donc comme si le trou progresse dans le sens
du champ électrique, et participe à la conduction dans le semi-conducteur, au même titre que
l’électron libre.
On définit donc le trou comme un nouveau porteur de charge positive. Cela est bien sûr fictif, et seul
est réel le déplacement des électrons de valence, mais le phénomène mis en jeu est fondamentalement
différent de celui utilisé par les électrons de conduction.
Figure I.3 Progression d’un trou sous l’effet d’un champ électrique.
III. Semi-conducteur extrinsèque

L’utilisation du semi-conducteur pur présente assez peu d’intérêt. L’utilisation de semi-conducteur
dans la plupart des composants électroniques se fait dans un état dit dopé (semi-conducteur
extrinsèque), par opposition avec le semi-conducteur pur, ou intrinsèque.
1. Semi-conducteur de type N
Supposons par exemple que dans un semi-conducteur pur, on introduit volontairement un corps
pentavalent (métalloïde : phosphore, arsenic, antimoine) dans une proportion (taux de dopage) d’un
atome d’impureté pour 105à 108atomes de semi-conducteurs.
On a alors, dans le cristal, la situation schématisée en figure I.4.
Figure 1.4 Effet du dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres.
L’électron en surplus n’entrant pas dans une liaison covalente n’est que faiblement lié à l’atome
pentavalent. À la température ambiante, il est libre dans le semi-conducteur (à cause de l’agitation
thermique) et participe à la conduction. Il en est pratiquement ainsi de tous les électrons en excès
venant de l’impureté pentavalente. Le semi-conducteur extrinsèque ainsi constitué est dit de type N.
2. Semi-conducteur de type P
Introduisons maintenant dans le semi-conducteur intrinsèque, en faible quantité, un corps trivalent
(par exemple Bore, Aluminium, Gallium ou Indium). Les atomes de cette impureté vont se substituer,
de place en place, à ceux du semi-conducteur : figure I.5.
Une lacune apparaît dans la liaison covalente, à l’endroit de chaque atome accepteur. À la
température ambiante, cette lacune est comblée par un électron voisin sous l’effet de l’agitation
thermique, formant un trou positif dans le cristal, libre de se déplacer à l’intérieur de celui-ci. On
trouve donc, à température ambiante, pratiquement autant de trous libres que d’atomes accepteurs.
Bien sûr, la neutralité du cristal est conservée globalement chaque atome accepteur étant ionisé
négativement après capture d’un électron. Le semi-conducteur extrinsèque ainsi crée est dit de type P.
Figure I.5 Effet du dopage pour augmenter le nombre des trous libres.
IV. La jonction PN
Une jonction est constituée par la transition, dans un même monocristal de semi-conducteur, entre
deux zones dont l’une est de type N et l’autre de type P. On se limitera ici au cas de la transition
brusque, avec une surface de séparation des deux zones qui est plane. Figure I.6 (a).
1. Jonction isolée
Les porteurs majoritaires de la zone P diffusent vers la région N, où ils sont beaucoup moins
nombreux. De même, les électrons de la région N diffusent vers la zone P. Ce phénomène de
diffusion s’arrête
avant que la répartition des trous et des électrons dans tout le cristal ne soit homogène. Un autre
phénomène intervient.
Dans la zone P, au voisinage de la jonction, les trous et les électrons sont en grande quantité. Ces deux
types de porteurs ont donc une forte probabilité de recombinaison, si bien que la concentration en
porteurs mobiles dans la zone P au voisinage de la jonction est très faible. De même, la zone N au
voisinage de la jonction est pratiquement dépourvue de porteurs. Une zone pratiquement dépourvue
de porteurs mobiles s’étend donc de part et d’autre de la jonction (sur une épaisseur de l’ordre du
micron). On l’appelle zone de transition figure I.6 (b).
Figure I.6 Principe de la création d’une zone de transition.
Les charges des porteurs fixes (ions d’impuretés) n’y sont plus compensées par celles des porteurs
mobiles. On trouve donc, dans la zone de transition :
✔ en zone P une région chargée négativement par les atomes accepteurs ionisés ;
✔ en zone N une région chargée positivement par les atomes donneurs ionisés.
2. Jonction PN polarisée en direct

Soit le dispositif de la figure I.7, constitué d’une jonction PN aux bornes de laquelle on applique une
tension extérieure positive.
⮚ + du générateur est relié à la zone P et le – à la zone N
+ -
PN
Eint
Eext
Figure I.7 Jonction PN polarisée en direct.
⮚ Le champ électrique extérieur �� s’oppose au champ interne �� ⇒ si

|��|>|��|, un courant important peut traverser la jonction.
Le courant de diffusion des majoritaires va donc augmenter.
Le courant total vaut donc : �� = �� (��
��
− 1)
C’est une équation fondamentale dans la théorie des diodes et des transistors.
3. Jonction PN polarisée en inverse
C’est le cas schématisé en figure I.8, la différence de potentiel appliquée aux bornes de la zone de
transition atteint est négative.
⮚ + du générateur est relié à la zone N et le – à la zone P
- +
PN
Eint
Eext
Figure I.8 Jonction PN polarisée en inverse
⮚ Le champ électrique extérieur �� appliqué par le générateur a le même sens que le
champ interne de la jonction �� dont il renforce l’action ⇒ Aucun courant ne circule
(en réalité un courant très faible existe de l’ordre du nano-ampère)
ID
P N
VD
La relation entre le courant ID et la tension VD théorique de la jonction polarisée est :
�� = �� (��
��
− 1)
Avec Is : courant inverse ou courant de saturation

q = 1,6.10-19C
K : constante de Boltzmann K = 1,38.10-23J/K
n : facteur d’idéalité
En fonctionnement direct : ⇒ �� = ��.��

��
En fonctionnement inverse : ⇒ Is.

ID
Effet zener
ID
P
N
VD Courant direct VD
Courant inverse
Effet avalanche
Figure I.9 Caractéristiques d’une jonction
Chapitre II ISET DE SILIANA
Chapitre II : LES DIODES
I. Diode à jonction
1. Diode à jonction idéale
La jonction PN étudiée dans le chapitre I présente donc un effet unidirectionnel très marqué ; en
polarisation directe, le courant croit très rapidement (exponentiellement) en fonction de la tension,
alors qu’en polarisation inverse, le courant traversant la jonction est pratiquement négligeable. Ce
comportement est proche de celui d’un composant électronique idéal, appelé diode, équivalent à un
court-circuit en polarisation directe (V > 0) et à un circuit ouvert en polarisation inverse (V < 0). La
représentation symbolique de la diode est donnée en figure II.1. Le comportement de la diode à
jonction idéale est donné par l’équation avec les notations et les polarités de la figure II.1.
Figure II.1 Représentation symbolique (a) de la diode à jonction (b).
La caractéristique courant tension d’une diode à jonction au silicium est donnée en figure II.2 à deux
températures différentes.
Figure II.2 Caractéristique courant-tension d’une diode idéale.
2. Diode à jonction réelle

a) Diode polarisée en inverse
Dans le cas du silicium où IS est théoriquement très faible de l’ordre de 10−12A, des courants parasites
se superposent au courant de saturation (courants de surfaces, contribution des défauts cristallins...), si
bien que le courant inverse n’est pas constant en fonction de la tension appliquée, et est beaucoup plus
fort que prévu. Pratiquement, pour le silicium, le courant inverse est de l’ordre de 10−9 A par mm2de
jonction, et double tous les 12 à 15 °C.
b) Diode polarisée en directe

Pour les faibles tensions directes (V < 0,5 volt), le courant suit la loi :
�� = �� (��
2��
− 1)
Pour les courants moyens on a :
�� = �� (��
��
− 1) , �� 1 < �� < 1,5
Pour les forts courants (fortes injections) le courant est plus faible également que le courant théorique.
Le coefficient n est le coefficient de non-idéalité de la diode. Certains auteurs l’appellent coefficient
d’idéalité.
3. Modèles statiques de la diode à jonction PN

a) L’utilité des modèles
Un modèle consiste en une représentation simplifiée du fonctionnement de la diode en vue de faciliter

l’analyse d’un phénomène ou l’étude d’un système.
La diode est un élément non linéaire, or l’analyse d’un comportement non linéaire est assez difficile.
On remplace donc les diodes par des modèles linéaires.
Il y a différents modèles selon l’analyse ou l’étude souhaitée. Pour analyser un circuit électrique qui
fonctionne en régime continu (statique) on utilise :
b) Le modèle idéal
La représentation graphique du modèle idéal d’une diode à jonction PN est représentée à la figure II.3
(a). Il s’agit d’un interrupteur fermé en polarisation directe (b) et ouvert en polarisation inverse (c).
En direct, la diode est considérée comme un court-circuit : VD = 0 pour ID ≥ 0. En inverse, la diode

est considérée comme un circuit ouvert : ID = 0 pour VD ≤ 0. Ce modèle est le plus simple, mais le
moins précis. Il est utilisé pour des estimations rapides et pour des analyses de circuits complexes.
K ouvert VD VD
ID (a)
Anode
Cathode
Anode
(b) (c)
VD Cathode
K fermé
Figure II.4 Caractéristique ID = f (VD) d’une diode idéale (a), modélisée en polarisation directe
(b) et en polarisation inverse (c).
c) Le modèle à seuil
On rajoute au modèle précédent la tension de seuil V0 qui représente la tension du coude de la diode.
Cette tension correspond à la barrière de potentiel à vaincre de la jonction PN, elle est appelée aussi le
potentiel de contact de la jonction PN.
En direct, on rajoute une force contre électromotrice V0 : VD = V0 pour ID ≥ 0. En
inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : ID = 0 pour VD ≤ V0.
ID
K fermé K ouvert
V0 V0
V0 (a) Cathode Anode Cathode VD
VDVD
Anode
(b)(c)
Figure II.5 Caractéristique ID = f (VD) d’une diode à seuil (a), modélisée en polarisation directe
(b) et en polarisation inverse (c).
d) Le modèle linéarisé
Dans ce modèle, dès que la tension dépasse V0, on rajoute une résistance rD qui reflète une variation
linéaire du courant en fonction de la variation de la tension.
En direct, on rajoute V0 et une résistance dynamique moyenne rD : VD = V0 + rD.ID pour ID ≥ 0.

En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert : ID = 0 pour VD ≤ V0.
ouvert V0 RD K
ID A V0 RD
K
A
K fermé K
V0
VD VD (c)
VD
(a) (b)
Figure II.6 Caractéristique ID = f (VD) d’une diode linéarisée (a), modélisée en polarisation
directe (b) et en polarisation inverse (c).
La résistance dynamique moyenne rD est déterminée par la pente moyenne de la partie utilisée de la
caractéristique directe de la diode :
�� =∆��
∆��
Ce dernier modèle représente une très bonne approximation linéaire de la caractéristique d’une diode
réelle. Il est plus précis que le deuxième, mais plus complexe.
II. Diode zener

1. Effet Zener
En polarisation inverse, dans certaines conditions, des électrons dans la bande de valence du côté P
peuvent passer directement dans la bande de conduction du côté N, par un processus quantique appelé
« effet tunnel ». Cet effet, donnant naissance à une augmentation du courant inverse, est appelé effet
Zener.
2. Avalanche
L’effet d’avalanche est le mode de claquage le plus courant dans les diodes et dans les transistors.
Lorsqu’une forte tension inverse est appliquée aux bornes de la jonction, le champ électrique interne
peut être tel que l’énergie cinétique acquise par les porteurs minoritaires soit suffisante pour créer des
paires électrons-trous dans la zone de transition.
Ces nouveaux porteurs, après accélération par le champ interne peuvent à leur tour créer de nouvelles
paires électrons-trous, d’où le nom d’avalanche donné au phénomène.
Le courant peut alors augmenter rapidement, et provoquer la destruction de la jonction par effet joule.
3. Diode Zener
Ces deux effets sont utilisés pour réaliser des diodes de référence dites diodes Zener. En fait, lorsque
le claquage se produit pour |V | < 5 V, c’est l’effet Zener qui est en cause, alors que pour |V| > 8 V,
c’est l’effet d’avalanche. La caractéristique ID = f (VD) d’une diode Zener est donnée à la figure II.7.
ID
K
K
Vz
V0 (a)
(b) (c)
VD
A A
Figure II.7 : Caractéristique courant-tension (a) et symboles d’une diode Zéner (b).
On conçoit des diodes Zener spéciales pour obtenir, contrôler et garantir les paramètres souhaités :
▪ la tension de claquage appelée souvent tension Zener Vz ;
▪ la résistance dynamique de claquage rz appelée aussi résistance Zéner ; ▪
le courant minimal de la zone de claquage Izmin ;
▪ le courant maximal de claquage Izmax.
III. Autres diodes

1. La diode électroluminescente (DEL ou LED)
Les diodes électroluminescentes émettent des photons lorsqu’elles sont
polarisées en direct, on distingue la diode IRED (Infra Red Emitive
Diode) qui émet dans l’infrarouge. Les diodes LED (Light Emitive
DEL
Diode) qui émettent dans le visible. Ces diodes sont formées de
bâtonnets ou de points servant à réaliser des afficheurs utilisées en
instrumentation scientifiques et dans certaines calculatrices.
C'est une diode qui rayonne de la lumière quand elle est traversée par un courant électrique. La chute
de tension en fonctionnement entre ses bornes varie entre 1,5V et 2,5V pour un courant qui varient
entre 10 et 50mA. La chute de tension exacte dépend de la couleur de la diode, de l'intensité du
courant, et de l'intensité de la lumière. Sauf indication contraire, on utilise souvent la chute de tension
de 2V pour les conceptions. Les constructeurs spécifient les valeurs maximales et minimales du
courant ainsi que la plage de la chute de tension
2. La photo diode
C'est l'inverse de la diode électroluminescente. Ce sont des jonctions PN silicium polarisées en
inverse qui lorsqu'elles sont éclairées par une lumière infrarouge ou visible ont leur courant inverse
qui dépend de l'éclairement. Elles sont munies d'une lentille pour focaliser le rayonnement incident.
C'est une diode qui est sensible à la lumière lorsqu'elle est éclairée, elle se débloque et laisse passer
un courant, elle est toujours polarisée en inverse est lorsqu'on l'élimine le courant inverse croit
rapidement suivant que l'intensité de la lumière est grande.
3. Diode Schottky
La diode Schottky a été instaurée à cause des insuffisances de la diode à K

jonction qui stocke de l'énergie et n'est par conséquent adaptée au
redressement haute fréquence (>1MHz). On utilise la diode Schottky
dans les calculatrices et les ordinateurs, car son temps de commutation
est très
court, ainsi que pour les redressements haute fréquence. Les diodes A
Schottky sont constituées d'une jonction métal semi-conducteur. Leur
tension de seuil et leur tension directe sont beaucoup plus faible 0,3V < V0 < 0,4V. Leur TRR (temps
de regroupement inverse), elles sont donc rapides. Elles sont beaucoup plus utilisées dans les circuits
numériques.
4. Les diodes varicap

Elles sont utilisées en parallèle sur une capacité fixe pour réaliser un apport électrique (fixe la
fréquence de résonance d'un circuit raisonneur), elles sont basées sur le principe qu'une diode
polarisée en inverse présente au niveau de la jonction une capacité donc la valeur dépend de la
tension inverse appliquée. La loi de la variation est la suivante : C(v')=C0/(1+v'/v0)ß.
C0 est une constante
V0 est la tension de la diode (0,6V silicium, 0,7V Germanium).
ß est compris entre 0,3 et 0,5
v' ne doit pas dépasser 30V.
Chapitre III ISET DE SILIANA
Chapitre III : APPLICATIONS DES DIODES

I. Redressement
Les redresseurs sont des circuits qui permettent de transformer l’alternatif en DC. On distingue deux
types de redresseurs : simple alternance et double alternances. Le principe est décrit dans la figure
III.1 :
Transformer
220V(~) 12V(=) Redresser
Filtrer
Stabiliser Charge
Transformateur Condensateur
Diodes
Diodes Zener
Figure III.1 Chaîne de conversion AC-DC
On suppose dans ce qui va suivre que les diodes sont caractérisées par une résistance directe RD nulle.
1. Redressement simple alternance

Soit le montage suivant :
Figure III.2 Redresseur simple alternance
La tension vi est sinusoïdale : �� = ��.��(��) de fréquence �� = ��/2�� = 1/��.

T est la période du signal. �� > 0, �� é��
�� . ��
�� ′é�� : �� − ��0 = ��0 = �� >
0. �� : �� > ��0. ��0 = �� − ��0
�� = �� − �� < 0, �� é��
�� , �� = �� ;
�� = ��0 ; ��0 = 0 �� : �� < ��0 ; ��0 = 0
Caractéristique de
transfert
V0 VD0
Tension de
Vi sortie
V0
VD0
Vi
t0 T t
Figure III.3 : Caractéristique de transfert et évolution de la tension de sortie vo.

2. Redressement double alternance
Figure III.4 : Redressement double alternance à pont
En remplaçant les diodes (supposées ici identiques) par leurs modèles équivalents, on peut redessiner
le schéma du redresseur double alternance ainsi :
Figure III.5 : Schéma équivalent
Figure III.6 a) Schéma équivalent du pont pour l’alternance +, b) celui pour l’alternance
Si vi > 2VD0, les diodes idéales D1i et D3i sont équivalent à des courts-circuits, la tension de sortie vaut
donc : v0 = vi – 2VD0.
Si vi > – 2VD0, les diodes idéales D2i et D4i sont équivalent à des courts-circuits, la tension de sortie
vaut donc : v0 = vi + 2VD0.
Vi
V0 2VD0
Caractéristique de
transfert
V0
2VD
0
Vi
Tension de
sortie
t0 T t
Figure III.7 Courbe de transfert et tension de sortie
3. Composante DC, valeur efficace et facteur de forme du signal périodique

Soit s(t) un signal périodique de période T. Par définition :
1
�� = �� = ��∫ ��(��)��
��
1
�� = √ ��∫ ��2(��)��
��
Facteur de forme :
�� =��
��
Pour le signal redressé simple alternance (cas où VD0=0) :
Signal d’entrée �� = ��sin(2��)
�� =��
��
��; �� =�� 2; �� = 2
Pour le signal redressé double alternances (cas où VD0=0) :
�� =2��
��; �� =��

√2; �� =��
2√2
vi vO
Vm
Vm
Vdc=0.636 Vm
T T
T/2 T t
t /2
Figure III.8 : Tensions d’entrée et de sortie
II. Filtrage
Le circuit de filtrage le plus simple consiste à mettre un condensateur en parallèle avec le redresseur
(voir figure).
Figure III.9 : Redressement et filtrage
La loi des nœuds au nœud de potentiel V0 entraîne :
�� =��0
��+ ��0
��
Figure III.10 : Tension de sortie filtrée
III. Stabilisation
Figure III.11 : Régulateur de tension
Le circuit maintient la tension au niveau de la charge R constante (elle vaut Vz) :

▪ Lorsque la charge varie : stabilisation aval
▪ Lorsque la tension d’alimentation varie : stabilisation amont
R variable à tension U = Cte

Le courant de charge IL varie, s’il augmente, le courant Iz dans la diode diminue puisque
�� =��−��
��= �� + �� = ��. Pour la charge, le stabilisateur se comporte comme une
source de tension constante.
U variable
A un accroissementΔU en entrée correspond un accroissement ΔUR de la tension de sortie (au niveau
de la charge) :
∆�� ≅��
��∆��
IV. Autres applications des diodes

Les diodes à jonction ont d’autres utilisation tel que :
▪ La réalisation des fonctions logiques à diodes
▪ Blocage (circuit anti-retour)
▪ Diode de roue libre (absorbation des sur tension aux bornes des circuits inductifs)
Chapitre IV ISET DE SILIANA
Chapitre IV : TRANSISTOR BIPOLAIRE

I. Constitution
Un transistor bipolaire est constitué d’un monocristal de semi-conducteur (principalement le silicium)
dopé pour obtenir deux jonctions, disposées en série et de sens opposé. Il existe donc deux types
fondamentaux de transistors bipolaires, dits complémentaires :
▪ Les transistors NPN dans lesquels une mince couche de type P est comprise entre deux zones de
type N : figure IV.1 (a) ;
▪ Les transistors PNP dans lesquels une mince couche de type N est comprise entre deux zones de
type N : figure IV.1 (b).
Collecteur
Emetteur Emetteur Collecteur
NPNPNP
Base
Base
C
C
B
B
E E
(a) (b)
Figure IV.1 Représentations schématiques et symboles des transistors bipolaires.
II. Limites d’utilisation d’un transistor

Le transistor étant constitué de deux jonctions, il est possible de déterminer les limites d’utilisation de
celui-ci à partir de celle de la diode. C’est-à-dire le courant maximum dans une jonction ainsi que la
tension inverse maximale qu’on peut utiliser sans avoir de claquage.
1. Tensions de claquage
Comme il existe des courants de fuites ICE0 (en base commune et émetteur ouvert) et ICB0 (en émetteur
commun et base ouverte). Si on augmente exagérément les tensions, les courants de fuites augmentent
par effet avalanche et peuvent être la cause de la destruction de transistor par échauffement. Ces
tensions à ne pas dépasser sont données par le constructeur et sont généralement notées BVCE0 et
BVCB0 (BV est l’abréviation de Breakdown Voltage).
2. Courant maximum
Le courant maximum du collecteur doit rester inférieur à une certaine valeur ICmax sous peine de
destruction du transistor.
3. Puissance maximum
La puissance dissipée par un transistor au repos est donnée par la formule suivante :
P = VBE.IB + VCE.IC ≈ VCE.IC < Pmax
Cette puissance est limitée à cause de l’échauffement du transistor. La température maximale de la

jonction ne doit pas dépasser 200 °C dans le cas du silicium.
Figure IV.2 Zone de fonctionnement d’un transistor
III. Polarisation d’un transistor npn

1. Généralités
Mis à part le cas particulier d’un amplificateur continu, un transistor sert généralement à amplifier un
petit signal de forme quelconque variable dans le temps. Or pour pouvoir remplir son rôle, le
transistor doit être polarisé correctement et en plus le transistor doit pouvoir récupérer de l’énergie.
Cette énergie provient généralement d’une source de tension continue.
Polariser un transistor c’est lui fixer un ensemble de valeurs caractérisant son état de fonctionnement.
Or l’état d’un transistor sera défini par la connaissance de trois courants IC, IE et IB d’une part, et de
trois tensions VCE, VCB et VBE d’autre part.
Ces six paramètres ne sont pas tous indépendants puisque :

IC + IB + IE = 0 et VCE + VEB+ VBC = 0
Il n’y a donc que 4 paramètres indépendants, mais le problème qui se pose est le suivant : comment et
suivant quels critères doit-on choisir un point de fonctionnement ?
Quel est le montage le mieux adapté ? Quelles sont alors les valeurs des composants ?
2. Polarisation d’un transistor

On prend le montage de polarisation de la figure IV.3. On veut déterminer le point de fonctionnement
ou point de repos pour lequel on utilise la notation avec des indices « 0 » pour préciser qu’il s’agit
bien du point de repos. Pour cela on doit connaître les quatre variables citées précédemment : il s’agit
d’une part des deux courants IC0 et IB0 et d’autre part des deux tensions VCE0 et VBE0. Il faut donc
déterminer quatre équations :
Figure IV.3 Polarisation d’un transistor NPN par deux sources de tension.
Le transistor nous permet de disposer de deux équations :

{��=(��,��)��=��(��,��) Les deux autres équations seront données
par le circuit d’entrée et par le circuit de sortie : L’équation donnée par le circuit d’entrée est
l’équation d’une droite appelée la droite d’attaque statique du transistor.
VBB = RB.IB0 + VBE0
Cette droite permet de fixer le courant IB0 du transistor. Le point de fonctionnement à l’entrée (IB0,
VBE0) doit satisfaire à la fois l’équation du transistor et l’équation du circuit d’entrée ce qui nous
permet de placer ce point à l’intersection des deux caractéristiques.
Figure IV.4 Effet de la polarisation sur le réseau de caractéristiques d’u transistor NPN.
Le circuit de sortie fournit aussi l’équation d’une droite appelée la droite de charge statique :
VCC= RC.IC0 + VCE0
L’intersection de cette droite avec la caractéristique IC = f (VCE) pour le courant IB0 déterminé déjà par
le circuit d’entrée, donne le point de fonctionnement en sortie (IC0, VCE0).
3. Circuits de polarisation
Souvent, le point de fonctionnement du transistor doit être placé dans la zone linéaire de ses
caractéristiques. Cela peut être fait en principe par deux sources de tension extérieures, mais en
réalité, la polarisation du transistor s’effectue par une seule source de tension en combinaison avec
quelques résistances. Deux exemples de circuits de polarisation souvent étudiés sont représentés à la
figure IV.5 (a) et (b).
Figure IV.5 Polarisation d’un transistor NPN par résistance de base (a) et par pont résistif et
résistance d’émetteur.
a) Polarisation par résistance de base
Pour le montage à résistance de base de la figure IV.5 (a), on peut écrire les équations des mailles
d’entrée et de sortie :
�� =�� − ��

��; �� = �� − ��
On utilise dans les deux cas, la droite de commande statique et la droite de charge statique. Le
courant de collecteur au point de fonctionnement de ce montage est donné par :
��0 ≈ ��0 = �� − ��0

��
Les dispersions de β sont grandes (par exemple β varie entre 50 et 300 pour le transistor 2N2222). En
plus, β dépend de la température. Le point de fonctionnement est donc instable ce qui représente le
principal inconvénient de ce montage.
b) Polarisation par pont résistif et résistance d’émetteur
Le montage à deux résistances de base et à résistance d’émetteur de la figure IV.5 (b) permet d’obtenir
une meilleure stabilité du point de fonctionnement.
On utilise le théorème de Thévenin appliqué au pont diviseur de tension constitué de R1, de R2 et de la
tension d’alimentation continue VCC :
On note :
�� =��2
��1 + ��2�� = ��. �� =��2
��1 + ��2
Et :
RTH =R1R2
R1+R2
Figure IV.6 Transformation par Thévenin de la polarisation par pont résistif et résistance
d’émetteur.
Les équations des mailles sont :

ETH = IBO RTH+ VBEO+ IE0RE et VCE0 = VCC− ICO.RC− IE0RE
On utilise les simplifications suivantes :
��0 ≈��0
��, ��0 = ��0 + ��0 ≈ ��0
Il vient :
IC0 ≈ �� − ��0

�� + �� 0 ≈ �� − (�� +
��)��0
Contrairement à la polarisation par une seule résistance de base, pour cette polarisation, le courant IC0
dépend d’autant moins de β et de ses variations que la résistance équivalente RTH est petite par rapport
à βRE. Il en est de même pour la tension VCE0 qui dépend du courant IC0. Pour stabiliser le point de
fonctionnement, on prend : RTH << βRE
Remarque. Les circuits de polarisation du transistor sont les mêmes pour les trois montages
fondamentaux (émetteur commun, collecteur commun et base commune).
IV. Schéma équivalent en petits signaux

1. Schéma équivalent en basses fréquences
Le transistor bipolaire sert souvent à amplifier, un courant ou une tension variable en fonction du
temps (donc non continus) : pour simplifier l’étude, cette tension (ou courant) est souvent considérée
comme étant sinusoïdale. Le transistor doit être polarisé correctement avec un point de
fonctionnement (IC0, VCE0), l’indice « 0 » désigne le continu.
Pour un point de fonctionnement bien déterminé, lorsque nous superposons une tension (ou un
courant) alternative, le transistor peut être modélisé par un schéma équivalent sous forme d’un
quadripôle valable en petits signaux. Ce schéma est donné à la figure IV.7 (a). La matrice qui s’y
attache est la matrice hybride h.
Figure IV.7 Schéma équivalent d’un transistor en basses fréquences en utilisant les paramètres
h (a) et en utilisant les paramètres universelles (b).
Ces paramètres permettent de calculer par exemple le gain en tension, l’impédance d’entrée et
l’impédance de sortie.
�� = �� = ℎ11�� + ℎ12�� = ℎ11�� + ℎ12��

{
��2 = �� = ℎ21�� + ℎ22�� = ℎ21�� + ℎ22��
ℎ11 =��
��
��|��=0; ℎ12 = ��
��
��|��=0; ℎ21 = ��
��|��=0; ℎ22 =��
��|��=0
Mais les paramètres universels sont plus signifiants en changeant juste les noms des paramètres
hybrides : figure IV.7 (b).
• rBE= h11= résistance d’entrée entre base et émetteur à sortie fermée.
• m = h12= coefficient de réaction interne, souvent négligeable (m = 0).
• b = h21= gain en courant à sortie fermée.
• gm= pente ou transconductance à sortie fermée.
• r = rCE= 1/h22= résistance de sortie a entrée fermée.
Chapitre V ISET DE SILIANA
Chapitre V : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

I. Transistors à effet de champ a jonction (JFET) Le transistor à
effet de champ à jonction, abrégé par la suite TEC ou JFET (Junction Field Effect
Transistor) est un transistor spécifique qui présente deux propriétés essentielles
intéressantes :
▪ un courant d’entrée quasi-nul (résistance d’entrée quasi infinie) ;
▪ pour une tension continue de sortie nulle, le transistor peut être assimilé à une résistance
commandée par la tension d’entrée.
G
D S
D
G
Figure V.1 Symboles d’un JFET canal N (a) et canal P (b).
1. Principe de fonctionnement
Considérons un transistor à effet de champ à jonction canal N (J.FET) tout à fait schématique,
constitué d’un barreau cylindrique de semi-conducteur de type N entouré d’une zone de
semi-conducteur de type P. Les extrémités de la zone centrale N sont reliées l’une au drain, l’autre à
la source. La zone P est reliée à la grille (figure V.2).
Si toutes les électrodes sont au même potentiel, la zone N centrale et la zone P périphérique forment
une jonction PN non polarisée et, au voisinage de la jonction, il existe une zone de déplétion
dépourvue de porteurs de charges : figure V.2 (a).
Si la grille est au même potentiel que la source (VGS= 0), et que l’on porte le drain à un potentiel
positif par rapport à la source (VDS>0), les électrons sont attirés de la source vers le drain, ils se
déplacent dans la zone N en évitant la zone de déplétion et en empruntant une sorte de « canal »
constitué par la zone N au voisinage de l’axe du barreau. Un courant ID circule du drain vers la source
(sens inverse du déplacement des électrons).
Figure V.2 Principe de fonctionnement d’un transistor à effet de champ.
En augmentant la tension VDS, la largeur de la zone de déplétion au niveau du drain atteint un

maximum qu’elle ne dépasse plus. La section du canal devient minimum, le canal est dit « pincé » :
figure V.2 (b). Ceci se produit pour une tension grille-drain, particulière, appelée tension de
pincement VP, (VP<0). Nous avons :
VDS = VDG + VGS = −VGD + VGS
Ici, avec VGS = 0, VDS = −VP+ 0 = −VP (VDS>0)
Le courant ID devient maximal et prend la valeur particulière notée IDSS.

Portons maintenant la grille à un potentiel négatif par rapport à la source, en fixant par exemple VGS=
−1 V. La zone de déplétion au départ, pour VDS= 0 est déjà plus large qu’elle ne l’était avec la
caractéristique précédente à VGS = 0. Lorsque
VDS croît, la zone de déplétion croit comme précédemment, mais, comme on est parti d’une zone de
déplétion déjà plus large, on atteint plus rapidement la tension qui provoque le pincement au niveau
du drain : figure V.2 (c).
Il suffit pour cela que :

VDS= −VGD + VGS= VP− 1 V
Lorsque la tension VDS dépasse la tension de pincement VP, l’évolution du courant ID est donnée par
l’équation suivante :
2
�� =
��
��
��
(1
−�
��
��
��
��)
2. Réseau de caractéristiques
On peut ainsi tracer plusieurs caractéristiques ID= f (VDS) à VGS constante et pour des intervalles de VGS
égaux. On ne peut dépasser la valeur VGS= Vp si on veut que le courant reste positif, car cette valeur
correspond au pincement initial du canal au niveau de la source, et a fortiori du drain, ce qui fait que
le canal est pincé sur toute sa longueur.
Pour des tensions VDS nettement plus élevées, la tension d’avalanche de la jonction PN polarisée en
inverse est alors atteinte et le JFET risque d’être détruit par un brusque accroissement du courant ID.
Figure V.3 Réseau de caractéristiques d’un JFET à canal N.
Sur le réseau ID = f (VDS) à VGS constante, le lieu des coudes des différentes caractéristiques est une
courbe d’allure parabolique dont l’équation est voisine de :
2
, ��
�� = �� (1
�� ∶ �� >
−�� + ��
−�� )
Dans la zone de pincement, les caractéristiques ID = f (VGS) pour des tensions VDS qui restent
constantes, se confondent en une parabole qui correspond à la variation du courant ID lorsque la
largeur du canal varie au niveau de la source : le canal est toujours pincé en haut, au niveau du drain,
mais sa base est plus ou moins large et sa forme varie avec VGS.
II. Transistors MOS-FET

Les transistors MOS.FET fonctionnent suivant un principe différent mais toujours basé sur un effet de
champ. Ils ont des caractéristiques qui, à part le signe de la tension de commande, ressemblent
beaucoup à celles des J.FET.
On considère tout d’abord un MOS.FET à structures linéaire schématisé (figure V.4). Le drain et la
source sont reliés à des régions N disposées aux extrémités d’un barreau de semi-conducteur P appelé
substrat. La grille est isolée du substrat par une couche de silice. Pour un MOS.FET à enrichissement
la couche de silice est directement en contact avec le substrat. On relie le substrat à la source.
D
D
D
Substrat
G Substrat Substrat
G S S
S G
(a1) (b1) (c1)
D
D
D
Substrat
G Substrat Substrat
G S S
S G
(a2) (b2) (c2)
Figure V.4 Symboles d’un MOSFET à appauvrissement canal N (a1) et canal P (a2), à
enrichissement (b1) et (b2) et à appauvrissement - enrichissement (c1) et (c2).
Si la grille est aussi reliée à la source, (VGS= 0) et si la tension VDS est positive, la jonction PN drain
substrat est polarisée en inverse et aucun courant ne passe.
Portons la grille à une tension positive par rapport à la source. Le champ créé par la grille positive
repousse les porteurs majoritaires (trous +) de la zone P du substrat, et les éloigne de la couche de
silice.
Il reste au contact de cette couche un étroit canal N c’est-à-dire une zone de passage que peuvent
emprunter les électrons. Le canal est plus large du côté de la source que du côté du drain car : VGS >
VGD (VGD < 0 si VDS > VGS).
Pour qu’un canal soit ainsi induit par la tension grille, il faut que VGS soit au moins égal à une tension
seuil VT. Le canal est alors tout juste formé du côté drain
(VGS = VDS = VT, VGD = 0).
À cet endroit le canal présente l’équivalent de la zone de pincement des JFET. De la même manière la
tension VGS module la largeur du canal et le courant ID.
Figure V.5 Principe de fonctionnement d’un transistor MOS.
L’allure des caractéristiques d’un VMOS est donnée figure V.6. En comparant avec les
caractéristiques du transistor à effet de champ à jonction JFET de la figure V.3, remarquez que la
tension VGS est toujours positive, ce qui est caractéristique d’un MOS à enrichissement. La tension
seuil est 1,4 V pour l’échantillon
Figure V.6 Exemple de caractéristiques d’un transistor du type VMOS canal N.
L’ordre de grandeur du courant ID est 10 fois plus élevé, non pas parce que c’est un transistor MOS
mais parce que c’est un transistor de puissance, un VMOS. (Le VN 46 AF peut dissiper 12 Watt à 25°
avec un radiateur approprié, soit 2 A sous 6 V ou 300 mA sous 40 V, si on considère le courant ou la
tension maximale admissible).
La caractéristique ID = f (VGS) n’a une allure parabolique que pour des courants inférieurs à 400 mA
environ, ensuite, elle est linéaire.
Pour les transistors MOS à enrichissement-appauvrissement, qui ont un canal initial déjà formé par
une mince couche N sous la couche de silice en l’absence de polarisation, les caractéristiques ont
encore même allure mais VGS prend des valeurs positives et négatives.
1. Grandeurs caractéristiques et schéma équivalent

Dans la zone de pincement d’un transistor à effet de champ, on définit la transconductance ou pente
gm et La résistance drain - source rds :
⮚ La pente gm
Par définition, la pente est : �� = (∆��

∆��)��=��
2
Pour un JFET, on a : �� =
�
��
��
��
(1
−�
�
��
��
��
�� )
En dérivant on obtient : �� =��

2��
��= − ��
��
��(1 − ��
��)
Cette pente est maximale lorsque VGS = 0 elle est alors égale à : ��0 =
−2
��
��
��
��
��
��
D’où : �� = ��0 (1 −��

��)
⮚ La résistance drain-source rdS
Par définition, cette résistance est donnée par :
�� = (∆��
∆��)��=��
C’est l’inverse de la pente des caractéristiques ID = f (VDS)|VGS| constant. C’est donc une résistance
dynamique, autrement dit la résistance du canal pincé à une composante alternative, id, du courant
drain. Les caractéristiques dans la zone de pincement étant presque horizontales, la résistance drain
source rds est élevée, de l’ordre d’une centaine de kilo-ohms. Elle diminue lorsque ID ou VGS croit.
Pour
des courbes horizontales, rds est infinie et la conductance drain-source gds = 1/rds est nulle. C’est à peu
près le cas pour les VMOS mais pas pour l’ensemble des MOS.
⮚ Courant de grille
On peut s’étonner qu’aucune caractéristique ne traduise les variations du courant grille-canal ; on a

utilisé les trois variables ID, VGS et VDS et jamais IGS, pourquoi ?
C’est que ce courant est très faible devant ID.
iG=0
G
iD D
vGS
gmvGS rdS
Figure V.7 Schéma équivalent d’un transistor à effet de champ.

Pour un JFET la diode grille - canal est polarisée en inverse et le courant dans une diode polarisée en
inverse est de l’ordre d’une dizaine de nano-ampères à 25 °C.
Cependant, il augmente rapidement (loi exponentielle) avec la température.
Pour un MOS le courant traversant la couche isolante de silice est minime et ce sont les courants de
fuite dans l’air ou à travers le boîtier ou encore dans le dispositif de protection destiné à éviter la
destruction de la couche de silice par claquage diélectrique si elle est soumise à une forte tension
électrostatique, qui interviennent le plus.
2. FET utilisé comme résistance variable

⮚ Allure des caractéristiques ID = f(VDS) pour des tensions VDS faibles
On a vu dans la première partie l’allure des caractéristiques ID = f (VDS) dans le cas où le drain est
positif par rapport à la source, c’est-à-dire avec VDS et ID positifs. On s’intéresse ici à la zone résistive
de ces caractéristiques située près de l’origine.
Ces caractéristiques passent rigoureusement par l’origine, (ce qui n’est pas le cas avec les
caractéristiques IC = f (VCE) des transistors bipolaires), et ainsi, dans la zone résistive, l’espace drain
source se comporte comme une résistance passive dont la valeur varie avec le potentiel VGS.
Ceci se produit d’une part, lorsque la jonction grille-canal est bien polarisée en inverse à tous les
niveaux du canal et d’autre part, lorsque le canal n’est pas pincé.
Les deux courbes correspondant à la limite d’apparition de ces deux phénomènes limitent la zone
résistive des caractéristiques.
⮚ Avec UDS positif, on a VGD > VGS.

D’une part, la jonction grille-drain au niveau du drain est polarisée plus négativement que la jonction
grille-source au niveau de la source. La limite pour laquelle la jonction
grille-canal n’est plus polarisée en inverse est celle pour laquelle la jonction grille source est
débloquée ce qui se produit pour VGS = 0. La caractéristique VGS = 0 limite la zone de résistive sur la
gauche. D’autre part, comme VGD > VGS, le pincement intervient au niveau du drain lorsque VGD = VP
et VDS = −VP + VGS. La limite entre la zone résistive et la zone de pincement est la parabole ID = f(VGS)
décalée de VP.
⮚ Avec VDS négatif, on a VGD < VGS

D’une part, la limite pour laquelle la jonction grille-canal n’est plus polarisée en inverse est celle pour
laquelle la jonction grille - drain est débloquée ce qui se produit pour VGD = 0 soit :
VDS = VDG + VGS = −VGD + VGS = 0 + VGS = VGS.
D’autre part, le pincement intervient au niveau de la source, lorsque VGS = VP. La caractéristique VGS =
VP dans le quadrant négatif limite la zone résistive. C’est encore la parabole ID = f (VGS) mais
inversée. Rien ne permet, en effet, de distinguer la source du drain en ce qui concerne la morphologie
d’un JFET. Les zones de semi-conducteurs dopés sont de même dimension et on aurait très bien pu
appeler « drain » ce qu’on a appelé « source » et inversement.
Figure V.8 Réseau de caractéristiques d’un transistor à effet de champ (a)et même réseau pour
des faibles tensions (b).
Chapitre VI ISET DE SILIANA
Chapitre VI : AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE

I. Définition
L’amplificateur de puissance est le dernier étage d'une chaîne amplificatrice ; il doit être capable de
fournir à une charge (haut-parleur, moteur...) une certaine puissance. Celle-ci est prélevée à
l'alimentation, et le rendement de l'étage doit être le plus élevé possible.
On supposera nulle la tension de saturation des transistors ; la grande amplitude des signaux
n'autorise plus l'utilisation du schéma équivalent des transistors.
Bilan des puissances
Alimentation (Pa)
Ampli de puissance
Préampli (Pe)
Charge (Pu)
Pp
Figure VI.1 Caractéristiques d’un ampli de puissance
II. Classe d'un amplificateur

1. Angle d'ouverture
On appelle angle d'ouverture l'intervalle angulaire pendant lequel un transistor conduit.
2. Classes
▪ Classe A : angle d'ouverture égal à 2π
▪ Classe B : angle d'ouverture égal à π
▪ Classe C : angle d'ouverture inférieur à π
III. Amplificateur en classe A

1. Schéma, point de repos
Figure VI.2 Schéma de montage classe A et point de repos
Le point de repos A est choisi de façon à obtenir aux bornes de la charge Ru une tension d'amplitude
maximale.
2. Puissances et rendement
a) Puissance utile
La charge étant résistive :
�� =��2
��
L'amplitude maximale de la tension de sortie ayant pour valeur Vcc /2, la puissance utile maximale a
pour valeur :
�� =��2
8��
b) Puissance absorbée
�� 2��=��2
1 �� =
�� = ��∫ ��
�� <
��
0
�� >= 2��
��
En classe A, la puissance absorbée est indépendante de la puissance fournie à la charge.
c) Rendement
��=2��2
�� =�� =��
��
��= 0,25
��
Le rendement maximal d'un amplificateur en classe A est de 25%.
IV. Amplificateur en classe B

1. Principe de fonctionnement
Figure VI.3 Schéma de montage classe B et point de repos

Figure VI.3 Chronogramme de courants
Les transistors T1 et T2 sont complémentaires, le point de repos choisi est le point B si bien qu'en
l'absence de tension ve, la charge n'est parcourue par aucun courant. Les transistors T1 et T2 conduisent
alternativement :
▪ Pour que T1 conduise il faut que ve > VBE1

▪ Pour que T2 conduise il faut que ve < VBE2
▪ Si VBE2 < ve < VBE1 aucun transistor ne conduit d'où l'allure des courants ci-dessus.
On remarquera que le courant circulant dans la charge n'est pas purement sinusoïdal mais présente une
distorsion dite de croisement ou de recouvrement (cross-over). Cette distorsion peut être supprimée grâce
à des montages appropriés.
2. Puissances et rendement
a) Puissance absorbée
On supposera pour les calculs suivants que la distorsion de croisement est compensée.
Soit Pa1 la puissance fournie par l'alimentation positive :
��
1
= ��∫ ��
��1 ��
=�� =��
�1 ��/2
��
��∫ ��sin(��)
��
0
0
�� = ��1 + ��2 =2��

��
La puissance absorbée croît linéairement avec la tension aux bornes de la charge. La puissance
absorbée maximale vaut donc :
�� =2��2
��
b) Puissance utile
�� =��2
��La puissance utile est une fonction parabolique de la tension aux bornes de la charge.
L'amplitude maximale de la tension de sortie ayant pour valeur Vcc, la puissance utile maximale a
pour valeur �� =��2
2��
c) Rendement
�� =��
��=��
2√2��=��
4�� =��
��
��= 4= 0,785
Le rendement croît linéairement avec la tension aux bornes de la charge.
d) Puissance dissipée dans les transistors
�� = �� − �� =��
��(2��
��−��
2)
La puissance dissipée dans les transistors est une fonction parabolique de la tension aux bornes de la
charge.
Cherchons la valeur de Vs pour laquelle la puissance PT est maximale, pour cela dérivons cette
puissance par rapport à la tension de sortie et cherchons pour quelle valeur de Vs cette dérivée
s'annule. On obtient :
�� =2��2

�� =2�� =2��2
��2��
Pour cette valeur de la tension de

sortie :
�� =4��2
��2��
��2��= ��
Le rendement vaut alors 50%.
La puissance dissipée dans chaque transistor représente, quant à elle, la moitié de la puissance totale
dissipée :
��
��1 = ��2 =�� 2�� 1�� =��2
��2��
Bibliographie ISET DE SILIANA
Bibliographie
[1] Cours sur les transistors à effet de champ :

http://leom.ec-lyon.fr/leom_new/files/fichiers/MOS.pdf
[2] Cours sur les transistors bipolaire :
http://leom.ec-lyon.fr/leom_new/files/fichiers/BJT.pdf
[3] Cours d’introduction à l’électronique analogique :
http://www.famillezoom.com/cours/electronique/electronique-analogique.pdf
[4] Technologue pro :
http://www.technologuepro.com/
[5] Laurent Pichon Bases de l'électronique analogique Editeur : Ellipses collection Technosup

Cours-Electronique-de Base

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République tunisienne

Ministère de l’enseignement supérieur et de

Département Génie Electrique

Niveau : 1ère Génie Electrique

I. NOTIONS DE SEMI-CONDUCTEURS 4 1. CONDUCTEUR 4 2. ISOLANT 4 3. SEMI-CONDUCTEUR 4 II. SEMI-CONDUCTEUR

CHAPITRE II : LES DIODES 12

CHAPITRE III : APPLICATIONS DES DIODES 18

I. REDRESSEMENT 18 1. REDRESSEMENT SIMPLE ALTERNANCE 18 2. REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE 19 3.

III. STABILISATION 22 IV. AUTRES APPLICATIONS DES DIODES 23

CHAPITRE IV : TRANSISTOR BIPOLAIRE 24

CHAPITRE V : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP 31

I. TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A JONCTION (JFET) 31 1. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT 31 2. RESEAU DE

Chapitre I : LES SEMI-CONDUCTEURS

σ (S) : conductivité très grande

▪ Conducteur σ ≈ 108 S/m

▪ Semi-conducteur σ ≈ 0,1 à 10−4 S/m

II. Semi-conducteur intrinsèque

Tableau I.1 Classification périodique

Figure I.1 Système cubique

direction opposée au champ, sous l’action de la force �� .

III. Semi-conducteur extrinsèque

Figure 1.4 Effet du dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres.

2. Jonction PN polarisée en direct

Figure I.7 Jonction PN polarisée en direct.

⮚ Le champ électrique extérieur �������� s’oppose au champ interne �������� ⇒ si

Figure I.8 Jonction PN polarisée en inverse

La relation entre le courant ID et la tension VD théorique de la jonction polarisée est :

���� = ���� (������

Avec Is : courant inverse ou courant de saturation

En fonctionnement direct : ⇒ ���� = ����.��������

En fonctionnement inverse : ⇒ Is.

Figure I.9 Caractéristiques d’une jonction

Figure II.1 Représentation symbolique (a) de la diode à jonction (b).

Figure II.2 Caractéristique courant-tension d’une diode idéale.

2. Diode à jonction réelle

b) Diode polarisée en directe

Pour les courants moyens on a :

3. Modèles statiques de la diode à jonction PN

Un modèle consiste en une représentation simplifiée du fonctionnement de la diode en vue de faciliter

En direct, la diode est considérée comme un court-circuit : VD = 0 pour ID ≥ 0. En inverse, la diode

En direct, on rajoute V0 et une résistance dynamique moyenne rD : VD = V0 + rD.ID pour ID ≥ 0.

II. Diode zener

III. Autres diodes

La diode Schottky a été instaurée à cause des insuffisances de la diode à K

4. Les diodes varicap

C0 est une constante

V0 est la tension de la diode (0,6V silicium, 0,7V Germanium).

ß est compris entre 0,3 et 0,5

v' ne doit pas dépasser 30V.

Chapitre III : APPLICATIONS DES DIODES

Figure III.1 Chaîne de conversion AC-DC

1. Redressement simple alternance

La tension vi est sinusoïdale : ���� = ����.��(����) de fréquence �� = ��/2�� = 1/��.

������ ���� �������������� ������������, ���� = ���� ;

���� = ����0 ; ��0 = 0 �������� : ���� < ����0 ; ��0 = 0

Figure III.3 : Caractéristique de transfert et évolution de la tension de sortie vo.

Figure III.4 : Redressement double alternance à pont

Figure III.5 : Schéma équivalent

Figure III.7 Courbe de transfert et tension de sortie

3. Composante DC, valeur efficace et facteur de forme du signal périodique

Pour le signal redressé simple alternance (cas où VD0=0) :

Signal d’entrée ���� = ����sin(2������)

⮚ Le champ électrique extérieur �� s’oppose au champ interne �� ⇒ si

�� = �� (��

En fonctionnement direct : ⇒ �� = ��.��

La tension vi est sinusoïdale : �� = ��.��(��) de fréquence �� = ��/2�� = 1/��.

�� , �� = �� ;

�� = ��0 ; ��0 = 0 �� : �� < ��0 ; ��0 = 0

Signal d’entrée �� = ��sin(2��)

��; �� =��

�� =�� − ��

��0 ≈ ��0 = �� − ��0

��, ��0 = ��0 + ��0 ≈ ��0

IC0 ≈ �� − ��0

�� = �� = ℎ11�� + ℎ12�� = ℎ11�� + ℎ12��

Par définition, la pente est : �� = (∆��

En dérivant on obtient : �� =��

D’où : �� = ��0 (1 −��

�� = ��1 + ��2 =2��

�� = �� − �� =��

�� =2��2