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CHAP 3 : SOURCES OPTIQUES

À SEMICONDUCTEUR
 Généralités
 Diode Electroluminescente
• Principe

Lotfi HASSINE, Cours Comm. Opt.


• Caractéristique P(I)
• Modulation directe
• Distribution spectrale
 Diode Laser
• Principe
• Structures
• Équations de continuité
• Réponse à une modulation directe
• Bruits dans les lasers
• Distribution spectrale
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GÉNÉRALITÉS
 Principe de l’absorption, de l’émission spontanée et de l’émission stimulée
(Einstein 1917)

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BC N2 N2
EC
Gap ν
hν ν
2hν
ν

Eg = EC -EV
EV BV
N1 N1
Pompage (électrique, Recombinaison Recombinaison
optique, thermique ) radiative radiative
Absorption Émission spontanée Émission stimulée
N2 > N1
2
PRINCIPE DE LA DEL
 Une jonction pn polarisée en direct, donc parcourue par un courant, émet
spontanément de la lumière. Ce phénomène est appelé « Electroluminescence » et
le dispositif permettant de le concrétiser est appelé « diode électroluminescente »
(DEL) (Light Emitting Diode « LED »).
+

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I +
Anode I
p − sc
hν hν

R
n − sc hν

Cathode

R 3
MATÉRIAU, RENDEMENT ET LONGUEUR
D’ONDE
 Le choix du semiconducteur est dicté principalement par le rendement et la
longueur d’onde recherchée. Les recombinaisons électron-trou sont de deux
sortes: radiatives et non radiatives (piégeage de charge, recombinaison
d’Auger, recombinaison de surface, …). Il est donc impératif que le matériau
choisi soit tel que la recombinaison radiative est très fréquente. Ceci est
mesuré à l’aide d’un rendement appelé rendement quantique interne :
taux des recombinaisons radiatives ( s −1 )
rendement =
taux des recombinaisons globales ( s −1 )
N τ rr τ nr
ηint = =
N τ rr + N τ nr τ nr + τ rr
où N est le nombre de porteurs (électrons) injectés, τnr et τrr désignent les
temps de vie des porteurs avant la recombinaison non radiative et radiative
respectivement.
 Pour le Si et le Ge (semiconducteurs à gap indirect) ηint= 10-5
 Pour l’AsGa et l’InP (semiconducteurs à gap direct) ηint= 0.5

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MATÉRIAUX, RENDEMENT ET
LONGUEUR D’ONDE (2)
 Chaque matériau est caractérisé par la longueur d’onde d’émission, en effet :
Eg≈ hν = hc/λ avec h = 6.62× 10-34Js-1 (constante de Planck), c = 3 × 108 ms-1
(célérité de la lumière) et ν la fréquence optique.

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 Pour AsGa, Eg= 1.424eV ce qui donne λ = 0.87µm (1ère génération des
communications Optiques).
 Pour avoir des sources à des longueurs d’onde plus intéressantes (autour de 1.3
et 1.55 µm) il faut modifier le gap du semiconducteur. Cette modification est
réalisée à l’aide des alliages. L’alliage semiconducteur In1-xGaxAsyP1-y (alliage
quaternaire) permet d’obtenir une longueur d’onde λ de 1 à 1.65 µm en faisant
varier les concentrations x et y (Eg(x,y)). Exemple In0.55Ga0.45As émet à
1.65µm.

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STRUCTURE DE LA DEL
 Pour améliorer les performances, les DELs sont réalisées à l’aide des
hétérojonctions plutôt que des homojonctions. Il exite deux structures : DEL
à émission par la surface (« surface – emitting LED») et DEL à émission
par tranche (« edge – emitting LED»). La première émet la lumière par la
surface parallèle au plan de la jonction. La deuxième émet la lumière par le
côté perpendiculaire au plan de la jonction. Cette dernière est plus
performante et mieux adaptée aux systèmes de communications optiques (le

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faisceau est moins divergent (30° contre 120°), donc meilleur couplage avec
la fibre, bande passante de l’ordre de 200 MHz, …)
Contact métal.
Isolant SiO2
p+ − GaAs
p − AlGaAs
AlGaAs Lumière
n − AlGaAs
n+ − GaAs 6

Contact métal.
CARACTÉRISTIQUE STATIQUE P(I)
 L’émission spontanée, responsable de l’électroluminescence, résulte de la
recombinaison radiative des paires électron-trou (porteurs de charge). Cette
description « quantique » permet de redéfinir le rendement quantique interne
comme :
flux de photons émis ( s −1 ) Pint hν
ηint = =
flux d ' électrons injectés ( s −1 ) I q

Avec Pint puissance de la lumière (watts) générée à l’intérieur de la DEL, hν


l’énergie d’un photon (joules), I courant traversant la DEL et q la charge
élémentaire
 Le rendement quantique interne varie entre 10 et 30%
 La puissance interne s’exprime alors :


Pint = ηint I
q

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CARACTÉRISTIQUE STATIQUE P(I) (2)
 La lumière produite à l’intérieur ne se retrouve pas en totalité à l’extérieur.
En effet, une fraction de lumière peut être perdue par absorption du
matériau et réflexion . Soit alors :

P = Pext = η ext Pint = η extηint I
q

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ou encore P = RI
où ηext désigne le rendement externe et R la sensibilité de la DEL (W/A)
 Le rendement externe peut être évalué par :
1 θC
4π ∫0
η ext = T f (θ ) 2π sin (θ )dθ

avec θ C = arcsin(1 n) ;
T f (0) = 4n (n + 1) 2 coefficient de transmission de Fresnel
2
ce qui donne η ext ≈ 1 n(n + 1)

 Pour l’AsGa, n = 3.5 ce qui donne ηext =1.4%


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CARACTÉRISTIQUE STATIQUE P(I) (3)
 On peut minimiser les pertes par réflexion (pertes de Fresnel) en plaçant un
hémisphère en plastique au dessus de la DEL d’indice intermédiaire entre
le semiconducteur et l’air
 Une autre mesure de l’efficacité de la DEL est rendement quantique total :
puissance optique P
ηtot = =
puissance électrique V0 I
hν hc q
ηtot = η extηint = η extηint ≈ η extηint
qV0 λV0
 Courbe P(I) d’une DEL typique :
P (mW)
2

R = 0.02 W/A
1

I (mA)
0 50 100
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RÉPONSE À UNE MODULATION
DIRECTE
 La dynamique des porteurs dans la couche active de la DEL peut être
décrite phénoménologiquement par :
dN I N
= −
dt q τ n
où N désigne la population des porteurs (électrons ou trous)
τ n = τ rrτ nr (τ rr + τ nr ) est la durée de vie des porteurs
pour un courant de la forme : I (t ) = I 0 + I m exp( jωmt )
on obtient N (t ) = N 0 + N m (ωm ) exp( jωmt )
τ I q
avec N 0 = τ n I 0 q et N m (ωm ) = n m
1 + jωmτ n
 La fonction de transfert est définie par :
N (ω ) 1
H (ωm ) = m m =
N m (0) 1 + jω mτ n
 La fréquence de coupure à -3 dB est alors :
f C = 3 2πτ n ≈ 140 MHz pour τ n = 2 ns
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DISTRIBUTION SPECTRALE
 Sous l’hypothèse d’une faible injection la densité spectrale de l’émission
spontanée est donnée par :
[ ]
S sp (ν ) = A0 (hν − E g ) exp − (hν − E g ) k BT ; pour hν ≥ E g ;
12

où k B = 1.34 × 10 − 23 JK −1 (constante de Boltzmann)


S sp (ν ) présente un pic à hν = E g + k BT 2
et possède une largeur à mi − hauteur de ∆ν ≈ 1.8 k BT h
( )
∆ν ≈ 11 THz à T = 300 K où encore ∆λ = λ2 c ∆ν ≈ 60 nm à λ = 1.3 µm

S(hν)

h∆ν

Eg hν
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AUTRES CARACTÉRISTIQUES

 La DEL peut être modulée directement par un signal analogique ou


numérique
 Compte tenu de la largeur spectrale de la DEL, le produit portée × débit est

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limité par la dispersion.
 L’utilisation des DELs dans les systèmes optiques est restreinte aux
réseaux locaux (FDDI, 100 Mb/s sur une distance de l’ordre du km)
 Le diagramme de rayonnement est Lambertien I = I0cos(θ). Pour un
meilleur couplage avec la fibre, on utilise des lentilles (hémisphérique et
parabolique) pour rendre le faisceau plus directionnel : I = I0cos(θ)n .

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LASER À SEMICONDUCTEUR :
PRINCIPE
 Un laser est un oscillateur optique. Les éléments nécessaires pour réaliser un
oscillateur sont :
 Une source d’énergie : Source d’alimentation électrique pour le pompage
 Un amplificateur avec un mécanisme de saturation du gain : Couche active
d’un semiconducteur qui favorise l’émission stimulée

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 Une rétroaction : Le milieu amplificateur est placé entre deux miroirs qui
réfléchissent une fraction de la lumière vers le milieu amplificateur
 Un dispositif de prélèvement du signal de sortie : Les miroirs laissent sortir
une fraction de la lumière
Alimentation

Ampli.

Rétroaction
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PRINCIPE (2)
 Structure de base d’une diode laser :

Contact métallique Courant

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Couche active 100 µm
p − sc
hν hν
0.1 µm
n − sc
Surface clivée (miroir)
200 µm
300 µm

 Un laser à semiconducteur émet une lumière hautement cohérente selon le


principe de l’émission stimulée.
 La puissance de la lumière émise peut atteindre 100 mW
14
GAIN OPTIQUE
 L’émission stimulée devient dominante seulement si l’inversion de
population est réalisée (population des porteurs dans la bande de
conduction devient supérieure à la population dans la bande de valence).
 L’inversion de population nécessite, tout d’abord, un fort dopage et ensuite
une forte injection des porteurs dans la couche active.
 Ainsi, un signal optique se propageant dans le milieu amplificateur (milieu
où l’émission stimulée est dominante) s’amplifie selon la loi exp(gz).
 Pour un laser classique (Fabry-Perot), le coefficient du gain g peut
s’exprimer empiriquement par :
g ( N ) = σ g (N − NT )
où N est la densité des électrons injectés,
σ g désigne la section efficace (appelé aussi gain différentiel)
et N T désigne la densité des électrons à la transparence

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GAIN OPTIQUE (2)
 Pour N < NT, le gain est négatif et la structure ne peut pas osciller.
 Pour N > NT (inversion de population), le gain devient positif et la structure
peut osciller si une deuxième condition ( condition sur la phase) est
réalisée
 Pour un laser InGaAsP :

N T = 1 à 1.5 ×1018 cm −3
σ g = 2 à 3 ×10 −16 cm 2
g ≥ 100 cm −1
 Pour un laser à puit quantique, la section efficace double de valeur (ce qui
permet de réduire NT) et le coefficient du gain s’exprime par :
g ( N ) = g 0 [1 + ln (N N 0 )]

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RÉTROACTION ET SEUIL LASER
 La rétroaction optique est réalisée à l’aide de deux miroirs placés de part et
d’autre de la couche active formant ainsi une cavité résonante.
 C’est les surfaces latérales de la structure elle-même qui agissent comme
miroirs (surfaces clivées). Le coefficient de réflexion est alors :
2
 n −1 
Rm =   où n est l' indice de réfraction du semiconducteur
 n +1

 Typiquement, l’indice de réfraction est n = 3.5, ce qui donne Rm≈ 30 %


 Le concept de seuil laser exprime le fait qu’il faut un gain optique minimal
pour produire une lumière par émission stimulée de façon continu. En effet
pour maintenir les oscillations il faut que le gain compense au moins les
pertes appelées pertes cavités, dues à l’absorption, à la diffusion, ...
 Le courant d’injection minimal requis pour que le gain optique compense
les pertes est appelé courant seuil.

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RÉTROACTION ET SEUIL LASER (2)
 Pour établir la condition d’oscillation au seuil, nous allons considérer le champ
électrique d’une onde plane se propageant dans la cavité (couche active).
Miroir 1(R1) Couche active = Cavité résonante Miroir 2 (R2)

z
0 z0 L
E ( z0 ) = E ( z0 + 2 L)
E0 exp(( g − α int ) z0 2 ) exp( jkz0 ) = R1 R2 E0 exp(( g − α int )( z0 + 2 L) 2 ) exp( jk ( z0 + 2 L) )
avec α int coefficient des pertes internes (en puissance) ; k = n ω c .
Ce qui donne :
 1  1 
 g = α int + ln  = α int + α mir : condition sur le gain
 2 L  R1 R2 
2kL = 2mπ ⇔ν = ν = mc 2nL : condition sur la phase
 m

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MODES D’UN LASER FABRY-PÉROT
 La condition sur la phase montre que la fréquence optique d’oscillation est
un multiple entier de c/2nL. Ces fréquences correspondent à des modes,
espacés de ∆ν = c/2nL, qu’on appelle modes longitudinaux et le laser est dit
multimodes.
Pour L = 200 – 400 µm, on obtient un espacement entre modes de 100 à 200

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GHz.
 En réalité le gain optique dépend de la fréquence. Le mode dont le gain
correspondant compense les pertes est appelé mode dominant.
 La nature multimode du laser FP limite le produit BL à 10 Gb/s× Km
Gain
Pertes

ν
∆ν
Mode dominant (ou principal) 19
STRUCTURES DES LASERS À
SEMICONDUCTEUR
 La structure la plus simple d’une diode laser consiste à mettre une couche
très fine (~ .1 µm) d’un semiconducteur (qui sera la couche active) entre
deux couches, l’une de type n et l’autre de type p, d’un autre
semiconducteur. Il s’agit donc d’une hétérojonction (jonction entre deux
semiconducteurs différents) et le laser est dit de type BH (Burried
Heterostructure). La lumière est émise par les deux surfaces clivées

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perpendiculaires au plan de la jonction. En plus d’un milieu amplificateur,
la couche active se comporte comme un guide d’onde plan puisque son
indice est choisi supérieur aux couches p et n (∆n ≈ 0.3) qui la délimitent
(comportement similaire aux fibres optiques). Le faisceau lumineux émis
est elliptique de dimension ~ 100 µm2. Cependant la lumière s’étale sur la
totalité de la largeur de la structure puisqu’il n’y a pas de mécanisme de
confinement dans la direction parallèle au plan de l’hétérojonction. Un tel
laser, dit à surface large, n’est pas utilisable dans les communications
optiques à cause de la géométrie de son faisceau qui incontrôlable et surtout
à cause de son courant de seuil qui est très élevé.

20
STRUCTURES DES LASERS À
SEMICONDUCTEUR (2)
 Afin d’améliorer les performances des lasers à surface large, deux structures
sont proposées.
 Laser à guidage par le gain : Le courant électrique est confiné dans une
région définie par des zones environnantes passivées un diélectrique.
Métal Métal

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SiO2 Zn diffusé n − InP
p − InP p − InP
InGaAsP InGaAsP
n − InP n − InP
n+ − InP n+ − InP

 Le courant est injecté dans une région centrale très étroite (largeur ~5 µm)
et par conséquent l’amplification par émission stimulée ne se fait que dans
cette région. La lumière est alors confinée dans la direction latérale (5 µm2)
et le courant de seuil se trouve réduit (de 50 à 100 mA).
 Ces lasers sont rarement utilisés dans les systèmes de communications à
causes des instabilités des modes. 21
STRUCTURES DES LASERS À
SEMICONDUCTEUR (3)
 Lasers à guidage par l’indice : le confinement de la lumière est réalisé en
introduisant un saut d’indice dans la direction latérale ∆nL. Ainsi, en plus du
guide d’onde dans la direction transverse réalisé par l’hétérostucture, un
deuxième guide d’onde dans la direction latérale est introduit.

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Métal
n − InP p − InP Mesa

p − InP
InGaAsP n − InP
n+ − InP

 Pour un fort un guidage, ∆nL ≈ 0.3, la distribution spatiale de la lumière


émise est stable et le laser devient performant.
 La plupart des systèmes de communications optiques utilise ce type de
laser.
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LASERS MONOMODES
 Laser DFB (Distributed FeedBack): La rétroaction est réalisée à l’aide d’un
réseau de Bragg interne gravé permettant une sélection de modes qui est plus
efficace que pour la résonateur Fabry-Perot.
 Laser DBR (Distributed Bragg Reflector): Le réseau de Bragg se trouve dans
le prolongement de la couche active et fonctionne comme un réflecteur
externe.
 Le pas du réseau vérifie la condition de Bragg : 2nΛ = mλB

p − sc
Réseau
Couche
active n − sc
Laser DFB

p − sc

n − sc
Laser DBR
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