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Université Sidi Med Ben Abdellah

Fac. des Sciences Dhar El Mehraz


Département de physique. (Fès)

Licence SMP-S6-: Matériaux pour l’énergie Solaire


Série N°2 (2020-2021)

Exercice 1:
La mesure des densités de porteurs libres effectuée sur un monocristal
de Si extrinsèque à la température ambiante a donné le résultat suivant:
p = 1014 cm-3 et n = 5. 1013 cm -3
1) Déterminer la concentration des porteurs intrinsèques.
2) Un dopage ultérieur au Phosphore introduit une concentration
supplémentaire d’impureté. On fait une mesure de la résistivité qui donne
alors ρ = 20 Ω.cm.
Quelle est la nouvelle concentration en porteurs libres (électrons et trous) à
la même température.
On admettra que les mobilités sont constantes: μp = 50 cm2/V.S et μn =
1400 cm2/V.S.

Solution-Exercice 1:
1) Le Si est intrinsèque. Alors : p.n  ni2 d’où ni  p.n
13 -3
A.N : ni= 7,07 10 cm
1 ni2
1
   q(n n  p p )   q(n n   p )

2) On a  
n
alors 

2
n 2  n. p ni
 i  p  n

Alors q n n  n  q p ni  0 d’où   1  4  q  n  p ni


2 2 2 2 2

 3
n1  2,210 cm 
1  1  4  2 q 2  n  p ni2 14

Donc n  alors  
2 q n  11  3 
 2
n  8,910 cm 
Or ni= 7,07 10 cm et le Si est dopé par le Phosphore
13 -3

donc il est de type n alors n>ni

D’où n1  2,21014 cm3 est la bonne réponse.

La concentration des porteurs minoritaires est donnée par:


ni2
p AN: p  2,21013 cm 3
n

1
Exercice 2:
On considère un barreau de silicium de longueur L= 5 mm, de section A=
1mm2, fortement dopé N par le phosphore dont la concentration est ND= 2.
1014 cm-3.
On donne n= 1,5 103 cm2/V S ; p= 5,3 102 cm2/V S
ni= 1,1 1016 cm-3.
q= 1,6 10-19C

1) Calculer la concentration en électrons et en trou de ce semi-conducteur


fortement dope N ? Que peut on dire de la concentration en trous devant ni
et ND ?
2) Calculer la résistivité de ce semi_conducteur ? Comparer cette résistivité à
celle d’un métal en cuivre dont la concentration en électrons est n= 11. 1028
m-3 et la mobilité des électrons vaut n = 3,2 10-3 m2/V S ? Conclure ?
3) Calculer le courant qui circule dans ce barreau de silicium dopé N,
sachant que la concentration est uniforme et que l’on applique une ddp de 5
V.

Solution -Exercice 2:

1)
n  N  2  1014 cm  3 
D
 
On a :  2 16
ni (1,1  10  10 )  6 2 
5 3
 p    6,05  10 cm 
 n 2  1014 
On en déduit que p << ni et p << ND

1
2) On a     n   p  qn n  qp p alors  sc  0,78cm

 1,7  10 5 cm
1
Or  métal 
qn n
Donc  métal   sc
V V
3) On a J  E   et I  JS alors I   S
L L
 6
VS 5  10
Donc I  AN : I  D’où I = 0,37 A
L 5  10  3  0,27  10  2

Exercice 3:
A/Calculer le courant de diffusion des trous dans un barreau de silicium,
dans lequel la concentration des trous varie linéairement de:
5. 1015 cm-3 en x=0 à 1. 1010 cm-3 en x=w= 10 m.

2
5. 1015 cm-3

P(x)

1. 1010 cm-3
x
W

Pour cela, on calculera la constante de diffusion des trous sachant que :


K= 1 ,38 10-23 J/K ; T=300 K ; q= 1,6 10-19C ; p= 5,3 102 cm2/V S ; A= 1
mm2.

B/
On considère un Semi-conducteur présentant une zone de charge d’espace
(ZCE) où la différence de potentiel entre le point x et le point  est noté V(x)
(figure 1). (On donne V(x=0)= V0)

(x) xd x

Région
ZCE
quasi neutre
Une concentration NA, supposée constante, d’impuretés acceptrices a été
introduite dans le matériau.

1) Donner la densité volumique de charge (x) dans la ZCE du matériau ?


2) A partir de l’équation de poisson, déterminer l’évolution du champ
électrique E(x) ?
3) Donner l’expression du champ électrique maximum?

Solution- Exercice 3:
A/On a : J p  qD p gradp
KT
D’après la relation d’Einstein : D p   p
q
Or, on a : p(x) = a x +b
Or p(0) = b = 5. 1015 et p(w) = 1010
p( w)  p(0)
a  5  1018
w0

3
p
On a : gradp  a
x
KT
Alors J p  qa p  a p KT
q
Et I  J p S  aKTS p
A.N : I  (5  1018 )(1,38  10 23 )(300)(10 2 )(5,3  102 )
d’où I = 0,11 A

B/
1) Densité volumique de charge (x) dans la ZCE du matériau

 ( x)  qN A pour 0  x  xd
On a 
 ( x)  0 pour x  x
 d
2) Évolution du champ électrique E(x)
D’après l’équation de poisson, on a :
 Q v  (r )dv 
S Ends  
 sc
  div E dv
 sc
 (r )   
Donc  div E or E   gr adV
 sc
 2V  ( x) qN A
Alors  
x 2  sc  sc
 2V qN A
1ère intégration de l’équation  donne :
x 2  sc
V qN A
 Ex  ( x  xd ) car pour x = xd on a E = 0 (région neutre)
x  sc
qN A
2ère intégration : V ( x)  ( x  xd ) 2
2 sc
3) expression du champ électrique maximum
qN A
Emax  E ( x  0)  xd
 sc
x = 0 on a V = V0
qN A 2 1 2 sc
V0  xd  Emax xd alors xd  V0
2 sc 2 qN A
Et
2V0 2qN A
Emax   V0
xd  sc

4
E(x)

Emax

x
xd

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