TP Compodants Et Fonctions L2

Institut Galilée
Licence SPI 2ème année

TRAVAUX PRATIQUES
COMPOSANTS ET FONCTIONS
THEMES ABORDES EN TP
TP 1 : SIMULATION D’UN AMPLIFICATEUR A TRANSISTORS ………….….. 04
TP 2 : REALISATION D’UN AMPLIFICATEUR A TRANSISTORS …………..... 21
TP 3 : OSCILLATEUR A PONT DE WIEN ……………………………….….…...... 29
LES TRAVAUX PRATIQUES DOIVENT OBLIGATOIREMENT ETRE PREPARES AVANT LA

SEANCE EN LABO :
CE POINT SERA SYSTEMATIQUEMENT CONTRÔLE PAR L’ENSEIGNANT.
THIEBAUT Bernard
© INSTITUT GALILEE, 99 avenue Jean-Baptiste-Clément 93430 VILLETANEUSE 2009/2010

INTRODUCTION
Le module COMPOSANTS ET FONCTIONS de la 2ème année de licence SPI comprend 16

heures de Travaux Pratiques réparties sur plusieurs demi-journées.
Au total 3 thèmes y seront abordés :
TP 1. Simulation d’un amplificateur à transistors : 4 heures,

TP2. Expérimentation sur un amplificateur à transistors : 4 heures,
TP3. Etude d’un oscillateur : 8 heures.
En début du cycle de TP, les étudiants se regrouperont en binômes. Les regroupements

seront définitifs et valables pour toute la série. ( exceptionnellement en cas d’absence dans un
binôme, l’étudiant présent pourra se joindre à un groupe de deux étudiants complet mais il
faudra l’indiquer sur le compte-rendu correspondant ).
1. Préparation de la séance.
Les séances de travaux pratiques permettent de vérifier expérimentalement et/ou par

simulation électronique sur des montages certaines des notions vues en cours. Il est donc
indispensable que le cours soit parfaitement appris avant d'aborder la séance. Pour
chacune de ces séances, l'étudiant dispose d'un sujet qui le guide dans son travail et lui
demande de répondre à un certain nombre de questions, d'étudier ou de prédéterminer un
montage particulier.
Une grande partie de ce travail sera à faire avant la séance de

manipulation, sinon vous aurez du mal à terminer le TP si vous
passez trop de temps à faire vos calculs pendant la séance.
Sur les pages de garde de chaque TP sont indiqués les éléments
théoriques à regarder et/ou les questions théoriques à préparer
avant chaque séance.
En début de séance, l’enseignant fera un rapide « tour de table »
pour vérifier et évaluer le degré de préparation de chaque
étudiant/binôme.
TRAVAUX PRATIQUES DU MODULE COMPOSANTS ET FONCTIONS 2

2. Travail en salle de TP.
Pour vérifier le bon avancement du travail en séance, des appels à l'enseignant sont
régulièrement demandés pour que ce dernier contrôle la validité des montages et mesures
effectués ou des simulations demandées, vérifie si les points abordés ont bien été compris en
posant quelques petites questions en rapport avec les manipulations effectuées et les résultats
obtenus.
3. Compte rendu.
Chaque binôme devra faire un compte rendu précis de son travail qu'il faudra remettre à
l'enseignant à la fin de chaque séance. Sa rédaction fera apparaître chaque fois toutes les
étapes de l'analyse des problèmes posés en utilisant les outils descriptifs appropriés :
schémas, justifications théoriques‚ commentaires ...
Les résultats expérimentaux seront mis en valeur et commentés / critiqués.
La présentation sera claire, aérée et soignée. et la rédaction sera faite dans un français
grammaticalement correct. Dès que celle-ci s'impose, une conclusion clairement exposée
fera la synthèse des différentes étapes du travail demandé.
4. Notation.
La note finale du TP tiendra compte des 3 points précédents :

- de la préparation faite avant la séance,
- du travail en séance et des résultats obtenus,
- du compte rendu.
La non remise du livret de réponses, l'absence non justifiée à une séance entraînera
l'attribution d'une note nulle.

LICENCE SPI 2ème année
TRAVAUX PRATIQUES N°1 :

AMPLIFICATION
TRANSISTOR BIPOLAIRE OU AOP?
SIMULATIONS
( durée 4h )
Préparation de la séance à faire chez soi :
Partie I.1.2. : Polarisation et calcul des composants.

Partie I.1.4. : Etude théorique en petits signaux.
Impédance d’entrée et gain du montage.
Partie I.2.2. : Polarisation et calcul des composants.
Partie I.2.4. : Etude théorique en petits signaux.
Partie II.1. : Etude théorique d’un amplificateur à AOP et valeurs des composants.
Objectifs principaux :
Etude théorique et simulation d’un amplificateur à transistors bipolaires.
Polarisation et étude en petits signaux.
Comparaison avec un montage à A.O.P.

L'idée de cette manipulation est de faire une étude comparative entre deux amplificateurs ayant à
priori les mêmes gains en tension :
- le premier sera conçu en utilisant des transistors bipolaires NPN type 2N2222,
- le second utilisera un AOP type 741.
Dans les 2 cas, on se contentera dans ce TP des résultats de la simulation.
L'étude expérimentale de ces deux amplificateurs sera faite dans la prochaine séance de TP.
Aussi gardez bien les schémas que vous allez simuler aujourd'hui car vous en
aurez besoin lorsque vous câblerez vos montages.
Notez qu'il ne sera pas interdit bien sûr, lors des expérimentations, d'avoir recours à la simulation.
Le cahier des charges, pour les deux amplificateurs à concevoir est le suivant :
- gain en tension Gv : ≈ - 50 soit en dB : 20.log( − 50 ) ≈ 34 dB,
- impédance ( ou résistance ) d'entrée : Ze ≈ 20 kΩ

Ω,
- impédance ( ou résistance ) de sortie : Zs ≈ 300 Ω,
- bande-passante à -3 dB : fmin = 10 kHz – fmax = 10 MHz,
- excursion maximale de la tension en sortie : 2.∆Vs2 = 5 V crête à crête.
Il faut bien avoir constamment en tête ces valeurs

pour conduire correctement ce TP.

En TD, les cas étudiés sont souvent plus simples que celui-ci, car on peut faire dans un premier temps
le calcul de la polarisation ( on a suffisamment de données pour cela dans l’énoncé du problème ). Puis
dans un second temps, on analyse la dynamique du montage en effectuant l’étude en petits signaux.
Ici, les données du problème sont fournies sous forme d’un cahier des charges relatifs à l’application
finale qu’on souhaite réaliser ( en l’occurrence un amplificateur ) et à ses principales caractéristiques
(gain en tension, résistance d’entrée et de sortie, bande-passante, dynamique en tension ... )
Et donc les deux principales difficultés seront :
- arriver à extraire du cahier des charges les données permettant de faire la synthèse du montage,
c’est-à-dire à calculer les valeurs des différents composants,
- faire des allers-retours entre l’étude statique (polarisation) et l’étude dynamique (petits signaux)
car les données fournies dans le cahier des charges ci-dessus sont insuffisantes pour mener ces deux
études l’une après l’autre ...
Rappelons donc avant tout, les grands principes concernant l’étude en statique et l’étude en dynamique
qui sont, précisons-le bien, deux choses liées ( par le schéma du montage ) mais de nature bien
différente.
Quelques rappels sur la différence entre étude de la polarisation et étude en petits signaux :
Tous les signaux S(t), que l’on trouvera sur un montage à base de transistors, peuvent se décomposer
sous la somme de 2 termes ( cf. figure I.1. ) :
S(t) = S0 + s(t)
S(t)
S0
s(t)
Figure I.1.
Exemples : si S(t) = IB(t) alors : IB(t) = IB0 + iB(t)

si S(t) = VCE(t) alors : VCE(t) = VCE0 + vCE(t)

S(t) est la valeur « totale » du signal. ( majuscules )
S0 est sa composante continue ou valeur moyenne ( indice 0 ): aucune information véhiculée
s(t) est sa composante variable ( minuscules ) qui véhicule l’information à amplifier.
L’étude compète d’un montage se fait souvent en 2 temps :
1. Le calcul de tous les termes du « type S0 » relève de la polarisation, ou étude en statique ou au
repos : elle permet de placer le point de fonctionnement au repos en un point particulier des
caractéristiques du transistor.
Elle se fait en respectant les 3 « règles d’or » de la polarisation suivantes :
! en remplaçant les capacités par des circuits ouverts ( le continu ne passe pas ),
" en gardant bien sûr les alimentations continues,
# en supprimant les générateurs de signaux ( GBF, signaux sinusoïdaux … ).
Ainsi, dans cette étude de la polarisation, toutes les tensions et tous les courants (de polarisation)
sont continus.
2. Le calcul de de tous les termes du « type s(t) » relève des petits signaux, ou étude en
dynamique ou en fonctionnement : elle permet de déterminer les déplacements du point de
fonctionnement dynamique autour du point de repos, le plus souvent en régime sinusoïdal.
Elle se fait en respectant « 4 règles d’or des petits signaux » suivantes :
! en remplaçant les capacités par des circuits fermés ( court-circuit ),
" en remplaçant les alimentations continues par des circuits fermés ( court-circuit )
# en gardant bien sûr les générateurs de signaux,
$ en remplaçant le transistor par son schéma équivalent en petits signaux ( SEPS ).
Ainsi, dans cette étude en dynamique, toutes les tensions et tous les courants sont sinusoïdaux
(et donc de valeur moyenne nulle)
Ainsi, classiquement, en théorie (et comme vous l’avez certainement fait en TD) :
- étape 1 : on commence par la polarisation sur le schéma complet en statique (ici cf. I.1.2. et I.2.2.)
- étape 2 : puis étude en petits signaux en redessinant le SEPS et donc en étudiant ce nouveau
schéma (ici cf. I.1.4. et I.2.4.).
Avec SPICE, il faut :
- saisir le schéma complet et faire une simulation bias point ou polarisation (ici cf. I.1.3.2. et I.2.3.2.)
- faire l’étude en fréquentiel, c’est-à-dire en petits signaux (ici cf. I.1.5. et I.2.5.)
Mais, contrairement à ce que pensent beaucoup d’étudiants, on n’a pas besoin de saisir
sous SPICE le schéma en petits signaux.
PSPICE travaille sur le schéma complet et sait appliquer tout seul nos « 4 règles d’or » de l’étude
en petits signaux. Pourtant certains étudiants continuent à vouloir saisir le SEPS sous SPICE !!!

On rappelle dans le tableau ci-dessous, les principales caractéristiques des 3 montages amplificateurs
« classiques » à transistors bipolaires. Certaines de ces propriétés seront d’ailleurs démontrées dans le
cadre des études théoriques de ce TP.
Collecteur Commun Emetteur Commun Base Commune

CC (*) EC BC
( BF et MF ) ( BF et MF ) ( surtout en HF )
Gain en tension élevé
Gv ≈1 ( encore plus grande si élevé
RE est découplée )
Impédance d’entrée très élevée moyenne faible
Ze
Impédance de sortie très faible moyenne moyenne
Zs
(*) Remarque : compte-tenu de ses caractéristiques, le montage collecteur commun CC est appelé
souvent montage suiveur ( ou adaptateur d’impédance ).
Compte tenu de la relativement forte impédance d'entrée et du gain élevé, on se propose de réaliser
un amplificateur à 2 étages :
- premier étage : collecteur commun ( CC ) à cause de sa forte impédance d'entrée,

- deuxième étage : émetteur commun ( EC ) à cause de son gain élevé.
Ce qui peut se résumer par le schéma de la figure I.2. ci-dessous :
Etage Etage
Ve1 Collecteur Vs1 Ve2 Emetteur Vs2
Commun Commun
Figure I.2.
La mise en cascade de ces 2 étages permet d’écrire en régime dynamique harmonique ( soit en petits
signaux sinusoïdaux ) :
V s 2 V s 2 V e 2 V s 2 V s1
gain total = Gv = = . = . = G v1.G v 2 = gain du CC × gain du EC
V e1 V e 2 V e1 V e 2 V e1
Comme le gain Gv1 du collecteur commun vaut quasiment 1 ( ce que l’on démontrera plus loin dans ce
TP ), on aura donc pour l’étage EC : Gv2 = Gv ≈ - 50, information qui sera utilisée lors de la synthèse
de l’étage émetteur commun.

I. UTILISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES
I.1. Etude du collecteur commun.
I.1.1. Schéma du montage.
Le montage que vous devez étudier est celui de la figure I.3.
IP
IC0
IB0
IE0
VB0
VE0
Figure I.3.
On choisit de prendre E = 15V ( tension continue de polarisation ) et on place une résistance de charge
RL très grande ( 1 MΩ ). Rigoureusement, il faudrait mettre une résistance de charge équivalente à la
résistance d’entrée de l’étage émetteur commun !!!
% Attention : soyez vigilant sur le sens de l’alimentation continue E.

% Attention : sous Spice le symbole pour le Méga est Meg et pas M ( qui signifie milli )...

I.1.2. Etude théorique de la polarisation et calcul des composants.
On polarisera le transistor en classe A, à VCE0 = E/2 = 7,5V. Expliquer pourquoi ?
1. Calculer les résistances R1, R2 et RE. ( on pourra prendre β ≈ 150 pour le transistor, ce qui
correspond à une valeur minimum garantie par le constructeur ).
Tous les détails de vos calculs devront apparaître sur votre compte-rendu.
Aide : Eléments pour mener à bien ce calcul.
Re dessinez le schéma de la figure I.3. en appliquant les 3 « règles d’or » de la polarisation données
précédemment.
Commencer par calculer le potentiel VE0 au repos sur l’émetteur du transistor en appliquant une loi
des mailles en sortie.
En déduire VB0, potentiel au repos sur la base du transistor. ( on prendra VBE0 = VB0 – VE0 ≈ 0,6 V ).
Puis, en supposant que le courant IP dans R1 est très grand devant le courant de base IB0 du transistor,
exprimer VB0 en fonction de R1, R2 et E ( pensez au pont diviseur à vide ).Ce qui nous donne une
première relation entre R1 et R2.
En admettant que la résistance d’entrée en dynamique de ce montage est Re = R1 // R2 ( ce que l’on

démontrera plus loin ) et en se rappelant que dans le cahier des charges on doit avoir
Re ≈ 20 kΩ, donner une 2ème relation entre R1 et R2.
% Attention : ne pas confondre Re ( résistance d’entrée du montage CC ) avec RE

( résistance située entre l’émetteur du transistoret la masse du montage !!!
Eh oui, j’ai vu des étudiants qui faisaient cette erreur !!!
Calculer ensuite les 2 résistances R1 et R2 .
Puis calculer IP.
IP
Ensuite en prenant IB0 ≈ ( assurant l’hypothèse précédente IB0 << IP ), calculer IE0.
10
( on pourra prendre β ≈ 150 ).
En déduire RE.

Une fois vos calculs terminés, remplir le tableau de résultats théoriques ci-dessous avec vos valeurs
calculées, obtenues pour les valeurs exactes des résistances :
Valeurs calculées
VBE0 ( V )
VCE0( V )
IC0( mA )
IB0 ( µA )
2. En utilisant les valeurs de résistances normalisées les plus proches de celles

calculées précédemment, vérifier la polarisation théorique.
( car vous utiliserez des résistances normalisées pour réaliser ce montage dans le TP suivant ).
Cela revient à vérifier, avec ces valeurs normalisées de résistances, que le montage est bien polarisé en
classe A ( VCE0 ≈ E/2 = 7,5V.
3. En raisonnant sur l’impédance d’entrée et sur la bande passante du montage ( notamment sur sa
limite inférieure ) calculer la capacité de liaison C1.
4. Expliquer pourquoi le calcul de C2 est moins critique. On pourra de ce fait prendre pour C2 une
valeur comprise entre 1nF et 10 nF.
I.1.3. Saisie du schéma.
1. Faire la saisie du schéma de la figure I.3. et paramétrer correctement tous les composants utilisés.

2. Puis préparer une simulation de la polarisation de cet étage, en la paramétrant comme une simulation
de type « Bias Point » comme indiqué ci-dessous :
Lancer une simulation par l’icône .
Les résultats de l'étude en continu seront fournis directement sur le schéma en cliquant sur les icônes :
- pour les tensions de polarisation aux différents nœuds du circuit,
- pour les courants de polarisation dans les différentes branches du circuit.
3. Comparer avec les résultats de la simulation avec le calcul théorique précédent en remplissant le
nouveau tableau ci-dessous :
Valeurs simulation
VBE0 ( V )
VCE0( V )
IC0( mA )
IB0 ( µA )

I.1.4. Etude théorique en petits signaux.
1. Représenter le schéma équivalent en petits signaux de la figure I.3. en respectant les 4 « règles d’or »
des petits signaux données précédemment. Ce schéma devra bien sûr apparaître clairement sur votre
compte-rendu.
2. Déterminer l’expression théorique :
- de la résistance d’entrée Re du montage collecteur commun,

R 1 .R 2
( avec les simplifications qui s’imposent, on doit retrouver :Re ≈ )
R1 + R 2
- du gain Gv1 de ce montage.
( avec les simplifications qui s’imposent, on doit retrouver : Gv1 ≈ 1 )
I.1.5. Simulation fréquentielle.
1. Faire une simulation fréquentielle de ce montage englobant totalement sa bande passante en traçant
le diagramme de Bode du module de Gv1 par exemple entre 1 kHz et 100 MHz.
2. Vérifier la conformité de vos prédéterminations théoriques précédentes ( notamment pour le gain et

la bande-passante à -3dB ) avec les résultats fournis par la simulation et relevez rapidement sur le
papier semi-logarithmique fourni à la fin de ce document, le diagramme de Bode du gain du montage
( en utilisant une couleur noire ).
3. Vérifier la valeur de l'impédance d'entrée par simulation.
4. Conclusions sur ce premier étage.
ON APPELERA L’ENSEIGNANT POUR LUI MONTRER SES RESULTATS !!!

I.2. Etude de l'émetteur commun ( avec RE découplée ).
I.2.1. Schéma du montage.
Le nouveau montage à étudier est maintenant celui de la figure I.4. ci-dessous :
Figure I.4.
I.2.2. Etude théorique de la polarisation et calcul des composants.
On choisit toujours de prendre E = 15V, VCE0 = 7,5V et on place une charge RL très grande ( 1 MΩ ).
1. Calculer les résistances R1, R2 , RE. et RC.
Ici le calcul est un peu plus complexe que dans le cas précédent, et nécessite plus d’aller-retour entre
statique et dynamique.
En admettant ( ce que l’on démontrera plus loin ) que le gain en tension GV2 du montage émetteur
Rc
commun avec comme ici découplage de RE par CE est donné par l’expression - β ( r étant la
r
résistance dynamique entre base et émetteur du transistor de l’ordre de 1 kΩ ) et de plus connaissant
la valeur de GV2 à avoir ( cf. lignes de texte sous la figure I.2. , calculer la valeur de la résistance RC.

1
En représentant ( cf. figure I.5. ) la droite de charge statique ( de pente − ) et celle de
RC + RE
1
charge dynamique ( de pente − ) dans le plan ( IC , VCE ) du transistor ( ces 2 droites passant par
RC
le point de polarisation statique ( ou point de repos ) ( IC0 , VCE0 ) du transistor ) et par un calcul
simple utilisant l’excursion maximale souhaitée en sortie ( cf. cahier des charges donné au début de ce
TP ) soit ∆Vs2 ≈ 2,5 V de part et d’autre du point de repos, en déduire le courant de repos IC0 à utiliser.
IC
1
droite de charge dynamique ( pente − )
RC
IC0 1
droite de charge statique ( pente - )
RC + RE
point de repos
0 VCE0
VCE
∆Vs2 ≈ 2,5V
Figure I.5.
En déduire ensuite RE ( loi des mailles en sortie avec VCE0 = 7,5 V ).
Puis calculer VB0 et IB0 ( on prendra toujours VBE0 ≈ 0,6V et β ≈ 150 ).
Et enfin en prenant comme précédemment le courant IP dans R1 de l’ordre de 10.IB0, en déduire R1 et

R 2.
Une fois vos calculs terminés, remplir le tableau de résultats théoriques ci-dessous avec vos valeurs
calculées, obtenues pour les valeurs exactes des résistances :
Valeurs calculées
VBE0 ( V )
VCE0( V )
IC0( mA )
IB0 ( µA )

2. En utilisant les valeurs de résistances normalisées les plus proches de celles
calculées précédemment, vérifier la polarisation théorique.
( car vous utiliserez des résistances normalisées pour réaliser ce montage dans le TP suivant ).
Cela revient à vérifier, avec ces valeurs normalisées de résistances, que le montage est bien polarisé en
classe A ( VCE0 = E/2 = 7,5V.
3. Calculer la capacité de découplage CE.
Il suffit de dire que pour avoir un découplage dynamique par CE efficace pour toutes les fréquences de
la bande-passante, le module de son impédance doit être très petit devant la résistance RE.
4. Calculer les capacités de liaison C1 et C2 en utilisant une méthode analogue à l’étage précédent.
I.2.3. Saisie du schéma.
1. Faire la saisie du schéma de la figure I.4. ( attention erreur fréquente : la sortie de l’émetteur
commun est maintenant sur le collecteur du transistor ).
2. Puis vérifier la polarisation fournie par simulation par la même méthode que celle employée pour le
premier étage.
3. Comparer avec les résultats de la simulation avec le calcul théorique précédent en remplissant le
nouveau tableau ci-dessous :
Valeurs simulation
VBE0 ( V )
VCE0( V )
IC0( mA )
IB0 ( µA )

I.2.4. Etude théorique en petits signaux.
1. Représenter le schéma équivalent en petits signaux du montage de la figure I.4. en respectant les 4
« règles d’or » des petits signaux données précédemment. Ce schéma devra bien sûr apparaître
clairement sur vote compte-rendu.
2. Déterminer l’expression théorique du gain de ce montage GV2 et vérifier qu’il a bien la valeur
Rc
de - β précédemment admise.
r
I.2.5. Simulation fréquentielle.
1. Faire une simulation fréquentielle du montage englobant totalement sa bande passante en traçant le
diagramme de Bode du module de Gv2 par exemple entre 1 kHz et 100 MHz.
2. Vérifier la conformité de vos prédéterminations théoriques précédentes ( notamment pour le gain et

la bande-passante à -3dB ) avec les résultats fournis par la simulation et relevez rapidement sur la
même feuille de papier semi-logarithmique que précédemment , le diagramme de Bode du gain du
montage ( en utilisant une couleur verte ).
3. Conclusions sur ce deuxième étage.
I.3. Etude du montage complet.
1. Associer les deux étages précédents en cascade, suivant le principe donné sur la figure I.2., et faites
en la simulation fréquentielle dans les mêmes conditions que précédemment.
2. Comparer les résultats avec le cahier des charges en relevant rapidement sur la même feuille de
papier semi-logarithmique que précédemment , le diagramme de Bode du gain Gv du montage complet.
( en utilisant une couleur rouge ).
3. Réaliser une simulation temporelle pour une fréquence d’entrée de 1 MHz en réfléchissant bien à
l’amplitude à donner pour le signal sinusoïdal d’entrée…
4. Conclusions.

II. UTILISATION D'UN AOP
On veut réaliser le même amplificateur en utilisant un montage inverseur.
II.1. Etude théorique et valeur des composants.
Note importante : en fonction de vos résultats sur l'amplificateur précédent, et pour comparer des
choses comparables, vous concevrez un amplificateur à AOP ayant le même gain que celui à
transistors.
1. Faire l'étude théorique en calculant les valeurs des composants nécessaires.
2. Donner les valeurs théoriques du gain, des impédances d'entrée et de sortie, de la bande-passante à
- 3dB (penser au facteur de mérite (produit gain fois bande-passante)) et de l'excursion maximale en
sortie.
II.2. Saisie et simulation.
1. Faire la saisie de votre schéma à base d’AOP et vérifier les résultats de l'étude harmonique avec vos
prédéterminations théoriques précédentes (tracé du diagramme de Bode)
2. Réaliser ensuite une simulation temporelle pour une fréquence de 1 MHz.
3. Conclusions : un AOP fonctionne t’il bien aux hautes fréquences ?
Bonus + 2 points si tout le reste précédent a été fait auparavant :
Dans la mesure du temps disponible, essayer de doubler puis de réduire d'un facteur 2 le gain
dans la bande-passante de votre amplificateur à AOP et regarder les conséquences dans les deux
cas sur la bande-passante du montage. Conclusions.
III. TRANSISTORS OU AOP ?

En fonction des résultats obtenus dans les deux premières parties, préciser les avantages et les
inconvénients de ces deux méthodes de réalisation d'un amplificateur.

ème
LICENCE SPI 2 année

AMPLIFICATION
A.O.P. ET TRANSISTOR
BIPOLAIRE
EXPERIMENTATIONS
( durée 4h )
Les calculs théoriques ayant été faits pour le TP N°1, exceptionnellement, pas de
préparation particulière pour de TP. Une simple lecture suffit ...
Câblage, expérimentations et mesures sur un amplificateur à transistors
bipolaires.
Polarisation et étude en petits signaux.
Comparaison avec un montage à A.O.P.

L'idée de cette manipulation est de câbler, tester et évaluer les deux amplificateurs que vous avez
conçus et simulés au cours de la séance précédente.
Le cahier des charges, pour les deux amplificateurs à monter est rappelé ci-dessous :
- gain en tension : Gv ≈ - 50 soit en dB : 20.log( − 50 ) ≈ 34 dB,
- impédance d'entrée : ≈ 20 kΩ
Ω,
- impédance de sortie : ≈ 300 Ω,
- bande-passante à -3 dB : 10 kHz - 10 MHz,
- excursion maximale en sortie : 2.∆Vs2 ≈ 5 V crête à crête.
I. UTILISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES

Cet amplificateur est constitué, comme on l'a vu, de deux étages.
Méthodologie de travail obligatoire :
Tout binôme ne respectant pas cette méthodologie ne sera pas aidé par
l’enseignant en cas de problème …
On commencera à câbler puis à tester le premier étage. On ne passera pas à l’étape suivante tant que
les résultats obtenus sur ce premier étage ne seront pas satisfaisants.
Puis on câblera le second (sans décâbler le premier bien sûr !!!!) indépendamment du premier,
c'est-à-dire que l'étage à émetteur commun ne sera pas attaqué par la sortie du collecteur commun,
mais bien par un générateur de fonctions, comme s'il était seul. On vérifiera et testera ensuite le
second étage.
Enfin, quand les deux étages précédents fonctionneront correctement et pas avant, on les reliera
par la capacité de liaison et on testera l'amplificateur complet.
Expliquer cette méthodologie de travail.

I.1. Etude du collecteur commun.
Réaliser le premier étage conformément au schéma que vous avez simulé et aux valeurs des
composants normalisés les plus proches que vous avez déterminés dans le TP N°1.
I.1.1. Etude de la polarisation.
Avant de relier un GBF sur son entrée, on fera les mesures en statique.
1. Vérifier et mesurer la polarisation : VE0, VC0 , potentiels en statique sur l’émetteur et le collecteur du
transistor, ( en déduire VCE0 et IC0 par VE0 = RE.IC0 ). Les mesures se feront à l’oscilloscope en mode
DC ( pourquoi ? ) et éventuellement avec un multimètre aussi en mode DC pour avoir plus de
précision.
2. Mesurer ensuite VB0 ( potentiel en statique sur la base du transistor ) et en déduire VBE0.
Une fois vos mesures statiques terminées, remplir le tableau de résultats expérimentaux ci-dessous
avec vos valeurs mesurées :
Valeurs mesurées
VBE0 ( V )
VCE0( V )
IC0( mA )
3. Comparer avec les valeurs issues du calcul et de la simulation.
I.1.2. Etude en petits signaux.
1. En utilisant un GBF, évaluer la réponse en fréquence de cet étage en traçant rapidement son
diagramme de Bode recouvrant sa plage d'utilisation : 1 kHz - 20 MHz.
( en utilisant une couleur noire ).
(% Attention : assurer vous de rester en régime linéaire pendant toute la durée de vos mesures :
donc on doit obtenir, avec un signal sinusoïdal en entrée, un signal sinusoïdal en sortie ).
2. Comparer avec les valeurs issues de la simulation.
3. Conclusions.

I.2. Etude de l'émetteur commun.
Réaliser le second étage conformément au schéma que vous avez simulé et aux valeurs des composants
normalisés les plus proches que vous avez déterminés dans le TP N°1.
I.2.1. Etude de la polarisation.
Avant de relier un GBF sur son entrée, on fera les mesures en statique de la même façon que pour
le premier étage.
1. Une fois vos mesures statiques terminées, remplir le tableau de résultats expérimentaux ci-dessous
avec vos valeurs mesurées :
Valeurs mesurées
VBE0 ( V )
VCE0( V )
IC0( mA )
2. Comparer avec les valeurs issues du calcul et de la simulation.
I.2.2. Etude en petits signaux.
( en utilisant une couleur verte ).
signal sinusoïdal en sortie si signal sinusoïdal en entrée !!!
3. Conclusions.

I.3. Etude du montage complet.
1. Associer en cascade les deux étages précédents.
2. Avant de relier un GBF sur l’entrée, vérifier encore une fois que les polarisations des deux
transistors n'ont pas changé.
( en utilisant une couleur rouge ).
signal sinusoïdal en sortie si signal sinusoïdal en entrée !!!
5. Mesurer son impédance d'entrée. Comparer avec la théorie et le cahier des charges.
6. Mesurer son impédance de sortie. Comparer avec la théorie et le cahier des charges.
7. Evaluer l'excursion en tension sur sa sortie.
8. Conclusions. Globalement, la simulation vous semble t’elle cohérente avec les résultats
expérimentaux ?

II. UTILISATION D'UN AOP
1. Câbler le montage inverseur que vous avez simulé.
4. Mesurer son impédance d'entrée. Comparer avec la théorie et le cahier des charges.
5. Mesurer son impédance de sortie. Comparer avec la théorie et le cahier des charges.
6. Evaluer l'excursion en tension sur sa sortie.
Bonus + 2 points si tout le reste précédent a été fait auparavant :

Dans la mesure du temps disponible, essayer de doubler puis de réduire d'un facteur 2 le gain
dans la bande-passante de votre amplificateur à AOP et regarder les conséquences dans les deux
cas sur la bande-passante du montage. Conclusions.
III. TRANSISTORS OU AOP ?

En fonction des résultats expérimentaux obtenus dans les deux premières parties de ce TP, préciser les
avantages et les inconvénients de ces deux méthodes de réalisation d'un amplificateur.

ème
LICENCE SPI 2 année

ETUDE D’UN OSCILLATEUR
( durée 8h )
Partie I.1. : Expression de la fonction de transfert du filtre.

Partie I.2. : Type de filtre et principales caractéristiques
Partie II.1. : Expression de la fonction de transfert de l’amplificateur.
Partie III.1. : Montrer que V7 = V6 - V5
Partie IV.1. : Justifier la valeur de R.
Partie IV.2. : Remarque pertinente sur le système bouclé.
Partie IV.3. : Expression de la fonction de transfert du montage global.
Etude théorique d’un oscillateur étage par étage.
Premiers pas vers les systèmes bouclés.
Conditions d’oscillation.

L'idée de cette manipulation est de câbler, tester et évaluer un oscillateur type
« pont de Wien ».
Dans un premier temps, on étudiera, câblera et testera indépendamment chacun des blocs
( ou étages ) constitutifs de cet oscillateur. Il est donc inutile de câbler l’ensemble d’un seul coup, mais
nous allons procéder par étape. Les différents étages seront reliés entre eux dans la dernière partie de ce
TP uniquement, lorsqu’ils auront été testés et validés ( à 150 % ! !) séparément.
Bien sûr, il ne faudra pas décâbler un étage testé, car il sera réutilisé plus tard, pour le système
complet.
Vous pouvez vous aider d’une simulation pour l’étude des différents blocs,
mais dans ce TP priorité est donnée à l’expérimentation.
I. ETUDE D’UN FILTRE

Le schéma à étudier est fournit sur la figure III.1. suivante :
Figure III.1.
I.1. Exprimer la fonction de transfert T12 (jω) à vide de ce filtre en régime sinusoïdal de pulsation
ω = 2πf définie par :
V2
T 12 ( jω) = en fonction de τ = R1C1 = R2C2 ( note : R1 = R2 et C1 = C2 ) et de ω.
V1
I.2. Quel type de filtre a t’on ainsi réalisé ? Justifier clairement votre réponse.
Préciser et calculer ses principales caractéristiques. ( fréquence centrale f0, gain maximum,
déphasage entre V2(t) et V1(t) à la fréquence f0 ... )
I.3. Câbler ce montage et tracer le diagramme de Bode expérimental du module de la fonction de

transfert T12 de ce filtre dans la gamme de fréquences [ 1kHz ; 100 kHz].
I.4. Relever expérimentalement la fréquence centrale f0 et comparer à la valeur théorique donnée à la

question I.2.

5. Mesurer l’argument de la fonction de transfert pour f = f0 et comparer avec la valeur théorique
donnée à la question I.2.
II. ETUDE D’UN AMPLIFICATEUR

La figure III.2. ci-dessous fournit le schéma à étudier.
Figure III.2.
II.1. En supposant l’amplificateur opérationnel U1 idéal, donner l’expression de la fonction de transfert

V
T34(jω) = 4 en fonction de R3 et R4.
V3
De quel type de montage bien connu s’agit-il ?

II.2. Câbler ce montage, puis en utilisant un signal d’entrée V = V3 sinusoïdal de fréquence
f = f0, tracer la courbe expérimentale donnant le module de T34 (pas en dB) en fonction de R3 (sur une
échelle linéaire) variant dans l’intervalle : [ 0kΩ ;100kΩ ].
Il est inutile de prendre un nombre trop grand de valeurs pour R3, mais une variation du type :
« 1 kΩ , 3 kΩ, 5 kΩ, 10 kΩ, 20 kΩ, 30 kΩ, 50 kΩ et 100 kΩ » suffira amplement. Par contre, veillez
bien à rester toujours dans le domaine linéaire, en ajustant si besoin est, l’amplitude de la tension
d’entrée.
Si vous faites en plus la simulation de ce montage procédez comme suit :
Faire une analyse paramétrique en prenant la résistance R3 comme paramètre. Cette méthode
permettra par exemple de visualiser sur un même graphe plusieurs tracés du module de la fonction de
transfert avec R3 comme paramètre. Pour cela, il faut remplacer la valeur (value) de R3 par un
paramètre entre accolade
( exemple : {RVAR} ).Puis il faut signaler à PSPICE que l’on a pris RVAR comme paramètre . Pour
cela, faire :
PLACE/PART et choisir dans la bibliothèque special.slb le composant PARAM ( c'est dans les
champs de PARAM qu'on indique à SPICE le composant qui sera variable dans l'étude ).Ainsi,
indiquer le paramètre RVAR dans le champ NAME1 et une valeur quelconque dans le champ
VALUE1 ( sinon PSPICE ne marchera pas ). Puis faire ensuite :
ANALYSE / SETUP et choisir une analyse PARAMETRIC. Cliquer sur GLOBAL PARAMETER et
indiquer RVAR dans le champ NAME. Puis choisir le type de variation, en prenant la précaution de
mettre en évidence l'influence de R3 et permettant de simuler avec les valeurs demandées ( choisir
RVAR dans une liste de plusieurs valeurs, séparées par des espaces ). Penser aussi à renseigner AC
SWEEP pour le tracé de Bode.
Si ces indications vous paraissent insuffisantes, vous pouvez toujours vous référer
au texte du TP N°1 du premier semestre en Electronique Analogique !!!
II.3. Que se passe-t-il si la fréquence d’entrée augmente ? Comment justifier ce phénomène ?
II.4. Vérifier votre réponse à la question II.3 en prenant par exemple R3 = 100kΩ et en traçant la
courbe de Bode du module de T34 ( en dB ) en fonction de f sur une échelle logarithmique mettant en
évidence ce qui se passe vers les hautes fréquences.
Veillez toujours à bien rester dans le domaine linéaire, en ajustant si besoin est, l’amplitude de la
tension d’entrée.
Pour la suite, on suppose que l’on travaillera en basses fréquences et on posera α = T 34 ( jω) ,
indépendant de la fréquence.

III. ETUDE D’UN AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL
Le schéma à étudier correspond à la figure III.3. :
Figure III.3.
On suppose l’AOP U2 idéal.
III.1. Montrer que l’on a :

V7 = V6 – V5.
Choisir pour R une valeur de 100 kΩ.

( la raison du choix de cette valeur relativement élevée sera explicitée plus tard en IV.1. ).
III.2. Câbler ce montage et vérifier la relation fournie à la question III.1.

La méthode de vérification est laissée libre. Mais il faut qu’elle soit pertinente.

IV. ETUDE DU MONTAGE COMPLET
Soit le montage de la figure III.4. ci-dessous, utilisant les 3 blocs précédents :
Figure III.4.
IV.1. Compte-tenu de ce schéma global, expliquer pourquoi on a pris pour R la valeur de 100kΩ.
IV.2. Quelle remarque pertinente peut-on faire sur ce système bouclé entre V4 ( sortie de l’A.O.P. U2 )
et V6 ( vers entrée non inverseuse de l’A.O.P. U1 ) par le filtre R1, C1, R2, C2 ?

IV.3. Donner, en régime sinusoïdal de pulsation ω, l’expression de la fonction de transfert
V
T = 4 du montage global tout d’abord en fonction de α et de T12 , puis en fonction de α, τ et ω.
V5
1
Puis donner l’expression de T pour ω = ω0 = 2πf0 =
τ
IV.4. Câbler ce montage en prenant les trois blocs précédents, puis en utilisant un signal d’entrée
V = V5 sinusoïdal de fréquence f = f0, tracer la courbe expérimentale donnant le module de sa fonction
V
de transfert T = 4 en fonction de R3 variant dans l’intervalle :
V5
[ 0kΩ ; R30 ].
La valeur R30 est à déterminer expérimentalement. Il est conseillé d’utiliser un potentiomètre pour R3 et
de commencer avec une valeur nulle pour le réglage de ce potentiomètre, puis d’augmenter
progressivement sa valeur. Il est inutile de prendre un nombre trop grand de valeurs pour R3 . Par
contre, veillez bien à rester toujours dans le domaine linéaire, en ajustant si besoin est, l’amplitude de
la tension d’entrée.
IV.5. En utilisant la question IV.3, expliquer la forme de la courbe expérimentale précédente.
On fait maintenant V = 0 et on prend R3 = 0 kΩ. ( potentiomètre réglé au minimum ).
IV.6. En augmentant progressivement la valeur de R3 à partir de 0, noter ce qui se passe à partir d'une
certaine valeur R30 qui sera précisée, et relever en particulier les principales caractéristiques du signal
obtenu en V4 ( forme, fréquence, amplitude ... ) pour la valeur R30 ainsi que pour R3 > R30.
IV.7. En utilisant l’expression générale de T en fonction de α, τ et ω trouvée à la question IV.3,

exprimer l’équation différentielle vérifiée par V4(t) pour V5 = 0.
En déduire une explication quantitative du phénomène précédent en trouvant notamment une valeur
particulière α0 de α permettant de justifier ce qui se passe pour R3 = R30.
Essayer enfin de trouver une explication physique et plus qualitative de ce phénomène.


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Licence SPI 2ème année

TP 1 : SIMULATION D’UN AMPLIFICATEUR A TRANSISTORS ………….….. 04

TP 2 : REALISATION D’UN AMPLIFICATEUR A TRANSISTORS …………..... 21

TP 3 : OSCILLATEUR A PONT DE WIEN ……………………………….….…...... 29

LES TRAVAUX PRATIQUES DOIVENT OBLIGATOIREMENT ETRE PREPARES AVANT LA

© INSTITUT GALILEE, 99 avenue Jean-Baptiste-Clément 93430 VILLETANEUSE 2009/2010

Le module COMPOSANTS ET FONCTIONS de la 2ème année de licence SPI comprend 16

Au total 3 thèmes y seront abordés :

TP 1. Simulation d’un amplificateur à transistors : 4 heures,

En début du cycle de TP, les étudiants se regrouperont en binômes. Les regroupements

Les séances de travaux pratiques permettent de vérifier expérimentalement et/ou par

Une grande partie de ce travail sera à faire avant la séance de

TRAVAUX PRATIQUES DU MODULE COMPOSANTS ET FONCTIONS 2

schémas, justifications théoriques‚ commentaires ...

Les résultats expérimentaux seront mis en valeur et commentés / critiqués.

La note finale du TP tiendra compte des 3 points précédents :

TRAVAUX PRATIQUES DU MODULE COMPOSANTS ET FONCTIONS 3

TRAVAUX PRATIQUES N°1 :

Préparation de la séance à faire chez soi :

Partie I.1.2. : Polarisation et calcul des composants.

TRAVAUX PRATIQUES DU MODULE COMPOSANTS ET FONCTIONS 4

Dans les 2 cas, on se contentera dans ce TP des résultats de la simulation.

- gain en tension Gv : ≈ - 50 soit en dB : 20.log( − 50 ) ≈ 34 dB,

- impédance ( ou résistance ) d'entrée : Ze ≈ 20 kΩ

- impédance ( ou résistance ) de sortie : Zs ≈ 300 Ω,

- bande-passante à -3 dB : fmin = 10 kHz – fmax = 10 MHz,

- excursion maximale de la tension en sortie : 2.∆Vs2 = 5 V crête à crête.

Il faut bien avoir constamment en tête ces valeurs

TRAVAUX PRATIQUES DU MODULE COMPOSANTS ET FONCTIONS 5

Et donc les deux principales difficultés seront :

Exemples : si S(t) = IB(t) alors : IB(t) = IB0 + iB(t)

TRAVAUX PRATIQUES DU MODULE COMPOSANTS ET FONCTIONS 6

TRAVAUX PRATIQUES DU MODULE COMPOSANTS ET FONCTIONS 7

Collecteur Commun Emetteur Commun Base Commune

- premier étage : collecteur commun ( CC ) à cause de sa forte impédance d'entrée,

TRAVAUX PRATIQUES DU MODULE COMPOSANTS ET FONCTIONS 8

I.1. Etude du collecteur commun.

I.1.1. Schéma du montage.

Le montage que vous devez étudier est celui de la figure I.3.

% Attention : soyez vigilant sur le sens de l’alimentation continue E.

TRAVAUX PRATIQUES DU MODULE COMPOSANTS ET FONCTIONS 9

On polarisera le transistor en classe A, à VCE0 = E/2 = 7,5V. Expliquer pourquoi ?

Aide : Eléments pour mener à bien ce calcul.

En admettant que la résistance d’entrée en dynamique de ce montage est Re = R1 // R2 ( ce que l’on

% Attention : ne pas confondre Re ( résistance d’entrée du montage CC ) avec RE

Calculer ensuite les 2 résistances R1 et R2 .

Puis calculer IP.

TRAVAUX PRATIQUES DU MODULE COMPOSANTS ET FONCTIONS 10

2. En utilisant les valeurs de résistances normalisées les plus proches de celles

I.1.3. Saisie du schéma.

TRAVAUX PRATIQUES DU MODULE COMPOSANTS ET FONCTIONS 11

Lancer une simulation par l’icône .

- pour les tensions de polarisation aux différents nœuds du circuit,

- pour les courants de polarisation dans les différentes branches du circuit.

TRAVAUX PRATIQUES DU MODULE COMPOSANTS ET FONCTIONS 12

2. Déterminer l’expression théorique :

- de la résistance d’entrée Re du montage collecteur commun,

- du gain Gv1 de ce montage.

( avec les simplifications qui s’imposent, on doit retrouver : Gv1 ≈ 1 )

I.1.5. Simulation fréquentielle.

2. Vérifier la conformité de vos prédéterminations théoriques précédentes ( notamment pour le gain et

4. Conclusions sur ce premier étage.

ON APPELERA L’ENSEIGNANT POUR LUI MONTRER SES RESULTATS !!!

TRAVAUX PRATIQUES DU MODULE COMPOSANTS ET FONCTIONS 13