UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL

FACULTAD REGIONAL VILLA MARÍA

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

UNIDAD N° 2 – Diodos de juntura

1 – Un semiconductor es un material que posee un nivel de conductividad sobre algún

punto entre los extremos de un aislante y un conductor. Existen dos tipos:
Tipo N que se genera dopando un semiconductor intrínseco con impurezas
pentavalentes (antimonio, arsénico o fósforo)
Tipo P que se genera dopándolo con impurezas trivalentes (boro, galio o indio).

2 – Cuando la temperatura aumenta a niveles ambiente la conductividad del

semiconductor se incrementa, esto genera una disminución de la resistencia debido a la
generación de pares electrón-hueco. Se tiene para el semiconductor: RT =R 0 . ( 1−αT )

3 – Una juntura tipo N-P se genera sobre un cristal semiconductor dopándolo de un lado
con impureza pentavalente (donador) y del otro lado con impureza trivalente (aceptador).
Al producir una juntura de este tipo se genera lo que se denomina región de desviación
de carga espacial o de transición, que es la zona donde los huecos del semiconductor
tipo P se combinan con los electrones del semiconductor tipo N formando una región
donde solo se encuentran iones positivos y negativos.

4 – El potencial de contacto es la diferencia de potencial existente entre los bornes de

un semiconductor debida al dopaje no uniforme del material semiconductor. No, la
diferencia de potencial es demasiado pequeña.

5 – En la zona de juntura existen dos tipos de corriente: la de conducción debido al

desplazamiento de carga por un campo externo, y la de difusión debida a fenómenos
térmicos. La suma de ambas corrientes determina el valor de corriente total sobre el
diodo.
El proceso es el siguiente: polarizado el diodo en forma directa se produce sobre el
semiconductor de tipo P, una corriente de conducción debida a los huecos (portadores
mayoritarios) hacia la zona de juntura y una corriente mínima de difusión de electrones en
sentido inverso. En la juntura se produce una recombinación de huecos del
semiconductor tipo P, con electrones del semiconductor de tipo N. Allí los huecos que
eran portadores mayoritarios comienzan a disminuir en cantidad hasta convertirse en los
portadores minoritarios del semiconductor tipo N. Lo opuesto sucede con los electrones
 UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL VILLA MARÍA

(portadores mayoritarios) del semiconductor tipo N cerca de la zona de unión. La

corriente de conducción de electrones es máxima hasta llagar a la juntura con la
presencia de una corriente de difusión de huecos en sentido contrario.

6- La tensión equivalente de temperatura, puede considerarse como una “tensión extra”

proporcionada por la causalidad de pares electrón-laguna en función de la temperatura
que posee el diodo, cuyo sentido esta dado en polarización directa.

7- Se denominan portadores mayoritarios a aquellos portadores de carga, que surgen

como producto del dopaje llevado a cabo sobre el semiconductor intrínseco. Dicho de
otra manera, son aquellos que se encuentran en mayor concentración en el material
extrínseco.
De un modo análogo, los portadores minoritarios son aquellos portadores de carga que
se presentan en menor proporción en el material intrínseco o extrínseco como producto
de un aumento en la temperatura, ya que esta forma pares electrón – laguna.

8-Un diodo semiconductor se forma uniendo un semiconductor del tipo p, y otro

semiconductor del tipo n. En esta región de juntura, en un principio se produce una
recombinación de electrones libres y lagunas. A continuación se tendrá una densidad de
aniones en el material p, y una densidad de cationes en el material n, por lo que
constituyen de esta manera un campo eléctrico que cesa la recombinación de cargas y
forma una zona denominada Región de agotamiento.

9- Un diodo con polarización directa de tensión, se comporta como un conductor con

baja resistencia a partir de un determinado valor de potencial que depende del material.
Dicho valor corresponde al campo eléctrico de la región de agotamiento (inverso al
campo propuesto por la fuente polarizadora en directa), por ello se sobre entiende que
cuando un vector E, supera al otro se da la mera conducción. En el caso de
polarización inversa, el campo eléctrico introducido por la fuente es del mismo sentido
que el de la región de agotamiento. Por tal razón, la región de agotamiento se
incrementa y el diodo se comporta como un no conductor.

11- En un diodo se presentan dos efectos de capacitancia

I. Cuando se polariza en inversa, se tiene la capacitancia de la región de
agotamiento (Ct), la cual es muy pequeña debido al aumento de dicha zona.
II. Cuando se polariza en directa, se tiene la capacitancia de difusión (Cd).
 UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL VILLA MARÍA

En altas frecuencias, este efecto capacitivo en de especial interés ya que su reactancia

Xc tiende a cero y se comporta como un súper- conductor

13- El tiempo de recuperación inversa es el tiempo en que tarda un diodo, al pasa de

polarización directa a inversa, para obtener el comportamiento no conductor definido
por su ultimo estado. Este proceso se debe a la recombinación de portadores que había
en cada “sector” del diodo, en consecuencia a su previo estado de polarización directa.

14- Las características básicas de un diodo ideal son:

 No contiene resistencia → R=0.
 No posee un potencial en la región de agotamiento.
 Conduce en una sola dirección; únicamente en polarización directa.

15 –