UNIVERSITE CADI AYYAD Année universitaire 2020-2021

FACULTE DES SCIENCES SEMLALIA

DEPARTEMENT DE PHYSIQUE

TD N° 3. Physique des Matériaux. SMP- S5.

A. Diffraction des rayons X

Exercice 1
On considère un faisceau de rayons X de longueur d’onde tombant sur un cristal de famille
de plans (h k l) caractérisée par une distance inter - réticulaire dhkl.
1 - Quelle est la condition de diffraction d’un tel faisceau.
En déduire les angles de Bragg ? Toutes les directions de l’espace sont elles possibles ?
2 - Calculer l’angle  entre le faisceau incident et le faisceau diffracté pour la réflexion du
premier ordre due à la famille de plans (110) du fer  qui cristallise dans le système cubique
de paramètre de maille a = 2,86 Å. La source du rayonnement utilisée est la raie K  du
chrome de longueur d’onde  = 2,29 Å.
Exercice 2.
1. Préciser les ordres de diffraction de la famille réticulaire de distance d100 = 3,10 Å dans le
cas où la symétrie est cubique à faces centrées et la radiation Kα1 du cuivre utilisée a pour
longueur =1,5406 Å. En cas de besoin, que doit-on faire pour augmenter le nombre de
diffractions ? Justifier votre réponse
2. Pourra-t-on observer la diffraction du 1ier ordre de la famille réticulaire de distance
d = 0,75 Å en cas où cette diffraction n’est pas concernée par une extinction systématique ?
Justifier votre réponse.

Exercice 3 :
La figure ci-dessous montre l’état de diffraction d’un cristal à un instant t donné

1
1. Quel est l’axe de rotation du cristal ? En déduire les plans réticulaires représentés par les
nœuds de la figure.
2. Donner les indices des familles de plans réticulaires ne diffractant à aucun ordre. Que faut-
il faire si on a besoin de la diffraction de ces plans ?
3. Donner les indices d’une famille de plans réticulaires ne diffractant qu’au 1ier et 2ème ordre.
4. Quelles sont les familles de plans réticulaires ne diffractant qu’au 1ier ordre.
5. Quelle est la famille qui est en train de diffracter et à quel ordre ? Calculer l’angle de
diffraction de cette famille sachant que la maille est cubique de paramètre a = 4,872 Å et que
la longueur d’onde utilisée est  = 1,540 Å.
6. Que faut-il faire, à partir de l’état représenté par la figure, pour diffracter le 2ème ordre de
la famille trouvée à la question 5) ci-dessus ?

B. Facteur de structure.

Exercice 1 :
1. Calculer le facteur de structure Fhkl des systèmes (cc) et (cfc). En précisant les conditions
d’extinction dans chaque cas.
2. Quelles sont les trois premières familles réticulaires (càd celles qui se trouvent au début du
spectre de diffraction) qui diffractent dans un matériau cristallisant avec une maille cubique
primitive.
3. Déduire de la question précédente (en justifiant la réponse) la famille réticulaire qui
diffracte la 1ère (càd celle qui se trouve au début du spectre de diffraction) dans un matériau
(mon-atomique) ayant une maille : cubique centrée, cubique à faces centrées.

Exercice 2 :
Le phosphorure d’indium (InP) et l’arséniure de gallium (GaAs) sont des composés iso
structuraux. Pourtant leurs diagrammes de diffractions respectifs ne présentent pas la même
succession de raies diffractées par les plans
InP 111 200 220 311 222 400
GaAs 111 220 311 400

1. Quel est le mode de réseau d’InP et GaAs?

2. Déterminer les facteurs de structure de InP et de GaAs.
3. Calculer et
4. Expliquer pourquoi la raie 200 existe pour InP et n’est pas visible par GaAs.

On donne :
- les coordonnées des atomes dans la maille :
In : 000 P : ¼ ¼¼ Ga : 000 As : ¼ ¼¼
- les numéros atomiques des quatre éléments :ZGa=31, ZAs = 33, ZIn = 49, ZP = 15

C. Défaut

Exercice 1 : Calculer l'énergie de formation des lacunes de l'aluminium en eV, sachant qu'à
500° C la concentration en lacunes est de 7,6.1023 lacunes/m3. La masse atomique de
l'aluminium est M = 27 g. mol‐1 et sa masse volumique est  = 2,7 g. cm‐3.

2
Exercice 2 : Centres colorés

Quand on expose certains cristaux ioniques à des rayons X, des anions sont expulsés du cristal
laissant des lacunes très électronégatives appelées centres F ou centres colorés. Une lacune
peut alors piéger un électron et on peut représenter le système lacune-électron par le modèle
d’une particule (l’électron) enfermée dans une boite cubique (la lacune) de côté a, de l’ordre
de la maille du réseau cristallin.
2 π2
On posera dans toute la suite 
2m a 2
On donne : m (masse de l’électron) = 9,11. 10-31 kg et
1-a) Donner (voir cours de MQ) l’expression des niveaux d’énergie de la particule piégée
dans un puits de potentiel cubique comme décrit ci-dessus.
- b) Donner les deux premiers niveaux d’énergie du système, E1 (fondamental) et E2 (1er état
excité). Quelle est la dégénérescence de ces deux niveaux ?
- c) Calculer E1 et E2 en eV. On prendra a = 0,5 nm.
2. Le cristal irradié est maintenant éclairé en lumière blanche et les électrons des centres F
passent de leur niveau fondamental à leur premier niveau excité par absorption d’un photon.
Quelle est, en nm la longueur d’onde de la radiation absorbée ?
3. Quand l’électron est dans son état excité, son énergie peut être abaissée par une
déformation de la lacune, à volume constant. Le système lacune-électron évoluera donc
spontanément vers cette situation énergétiquement plus favorable, en cédant le surplus
d’énergie au réseau sous forme d’agitation thermique. Puis il reviendra dans son niveau
fondamental par émission d’un photon. (Voir figure). Nous allons étudier quantitativement cet
effet dans le cadre du modèle ci-dessus.
Supposons que la lacune, initialement cubique de côté a, devienne parallélépipédique, de base
carrée b et de hauteur c, de telle façon que a3 = b2c (volume conservé). On caractérise la
déformation par le paramètre = b/c.
- a) Exprimer b et c en fonction de a et . Etablir que l expression de l énergie de l’électron
dans la lacune déformée quand il est dans un état quantique caractérisé par le triplet de
nombre quantiques (n1, n2, n3) est donnée par En1;n2;n3 = [(n12+n22) -2/3+n32].

- b) On suppose que les nombres quantiques possibles n1, n2 et n3 de l’état excité de l’électron
dans la lacune déformée sont les mêmes que dans la lacune cubique : (n1, n2; n3) = (1; 1; 2) ou
(1; 2; 1) ou (2; 1; 1): Montrer que ces états quantiques correspondent, dans la lacune
déformée, à deux niveaux d’énergie distincts qu’on exprimera en fonction de  et .

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- c) Déterminer pour chacun des deux niveaux excités, la valeur de  pour laquelle leur
énergie est minimale et dans chaque cas calculer la valeur de cette énergie.
4. La déformation effective de la lacune est celle qui correspond à un premier état excité de plus
faible énergie possible.
- a) Quelle est la valeur correspondante de l’énergie du fondamental ?
- b) En déduire la longueur d’onde du photon émis par l’électron lorsqu.il revient dans son
état fondamental.
5. Qu’observe-t-on quand le cristal est éclairé en lumière blanche ? En déduire la justification
du nom de centre coloré donné au système lacune-électron.

D. Propriété de conduction des semi-conducteurs

Exercice 1:
On s’intéresse au Phosphure d’Indium (InP)
I- Le matériau est supposé intrinsèque
On donne à la température ambiante de 27°C: Densités d’état : N c = N v = 1018 cm–3;
Hauteur de la bande interdite : E g = Ec – Ev =1,35 eV Mobilité des électrons de la bande de
conduction : µn = 8000 cm2/V.s Mobilité des trous de la bande de valence : µp = 400
cm2/V.s ; kT= 26.10–3 eV. On rappelle les expressions des concentrations en porteurs libres :
E  EF E  EV
n  N c (T ) exp( C ) et p  N v (T ) exp( F )
kT kT
1. Etablir l’expression de la concentration intrinsèque ni sachant que le produit p.n vaut :
n  p  ni .
2

Calculer sa valeur à 300K.

2. Calculer la conductivité intrinsèque i et la résistivité ρi.
II- Le matériau est maintenant dopé de type N (semi-conducteur extrinsèque).
La concentration en atomes dopants vaut : ND = 5.1015 cm-3, la mobilité des électrons est alors
de 4000 cm2/V.s.
1. Calculer la conductivité  et la résistivité ρ.
2. La température est portée à T = 400K.
Dans ces conditions, la concentration intrinsèque vaut : ni = 5.109cm-3, calculer la
concentration en trous p. Que peut-on dire du caractère N du Semi-conducteur ?

Exercice 2
Soit un silicium dopé N ayant une résistivité de  =0.1 Ω.cm. Soient n et p la concentration
des électrons et des trous, respectivement. On rappelle que le silicium possède une densité
intrinsèque ni de l’ordre de 1,5 1010 cm-3 et que les mobilités des porteurs n et p sont
respectivement, µn = 1000 cm2 /V.s et que µp = 400 cm2 /V.s.
1. Indiquer la nature des porteurs majoritaires.
2. Quelle est la conductivité s du silicium dopé ?
3. En négligeant la concentration des porteurs minoritaires devant la concentration des
porteurs majoritaire, calculer la concentration des électrons et des trous dans le silicium dopé.