TP Brochure ELEC 2 2018 - 2019

Travaux Pratiques d’électronique 2 TPN°01 : Régime Transitoire d’ordre1
Université des Frères Mentouri –Constantine1
Institut des Sciences et Techniques Appliquées
GIM S2
TP N° 01 : Etude du Régime Transitoire : Charge et Décharge d’un

Condensateur dans un Circuit (RC)
Objectifs :
 Réaliser un montage électrique à partir d’un schéma.
 Etudier l’évolution temporelle de la tension aux bornes d’un condensateur pendant le
régime transitoire caractérisant le passage de son état chargé vers son état déchargé
 Montrer l’influence de R et de C sur le phénomène observé lors de la charge et de la
décharge du condensateur.
Matériels :
Dans chaque paillasse il existe le même ensemble d'appareils qui sont :
 Un oscilloscope (avec des sondes spéciales)
 Un GBF (Générateur Basse Fréquence)
 Un multimètre (plus des sondes)
 Une alimentation stabilisée
 Une Plaquette à contacts
 Des fils électriques (plus des fils scoubidou)
 Plus un boîtier qui contient certains composants électroniques de base tels que :
Résistances, condensateurs.
1
1- Analyse théorique :
1.1 Réponse d’un circuit RC à un échelon de tension ‘charge ’ :
Le circuit RC (ou filtre RC) est un des éléments de base de l’électronique et sa représentation
est donnée à la figure 1. On considère l’entrée du circuit E. La sortie du circuit est la tension
aux bornes du condensateur u.
 Evolution de la tension aux bornes du condensateur en charge :
Figure I.
Le condensateur est initialement déchargé (Régime continu U = 0 et I = 0). A t = 0, on ferme
l’interrupteur et le condensateur se charge :
= + = + ⟹ + = =
τ est la constante de temps du circuit RC

La solution est de la forme :
( )= +
Pour déterminer A, on utilise les conditions initiales (CI) : u(0) = A + E = 0

Par continuité de la tension aux bornes du condensateur. Finalement
( )= −
2
La constante de temps d’un circuit RC peut être déterminée expérimentalement à l’aide du

tracé de la réponse à un échelon de tension. Ce temps correspond au chargement à 63% de
l’amplitude de la tension d’entrée. Il suffit alors de relever le temps correspondant à la valeur
u = 0,63.Emax. Il est aussi possible de tracer la tangente en t = 0 et la droite d’équation u =
Emax. Le point d’intersection des deux droites correspond à τ en abscisse.
Ces deux méthodes sont illustrées sur la figure 2.
 Evolution de l’intensité du courant
=+ =
Ce qui donne :
( )=
1.2 Evolution de la tension aux bornes du condensateur en décharge :

 Evolution de la tension aux bornes du condensateur
3
Le condensateur est initialement chargé sous une tension E. En régime continu, le

condensateur se comporte comme un interrupteur ouvert U = E et I = 0 (E/R dans la
résistance). A t = 0, on ouvre l’interrupteur, le condensateur se décharge dans la résistance :
= =− =−
+ =0 =
La solution est de la forme :
( )=
U(0)=A=E par continuité de la tension aux bornes du condensateur :
( )=
 Evolution de l’intensité du courant
=− =−
Ce qui donne :
( )=−
i(t)
-E/R
4
Durée de charge : La durée de charge d'un condensateur de capacité C à travers un élément

résistif de résistance R est Fonction du produit R.C.
Le produit R.C est appelé Constante de temps du circuit est représenté par τ =R.C, R en ohms,
C en farads τ en secondes. Plus la constante de temps est grande, plus la charge du
condensateur est lente. Par exemple pour R = 10 kΩ et C = 1000 μF on a :
τ = R. C = (10.103) . (1000.10- 6)Soit τ = 10 s
Théoriquement, la charge d'un condensateur ne se termine jamais. Pratiquement, un
condensateur est considéré comme totalement chargé au bout d'une durée t égale à 5 fois la
constante de temps, la d.d.p à ses bornes est alors égale à 99% de la d.d.p d'alimentation.
2- Manipulation expérimentale
Régime transitoire RC :
Réaliser le montage électrique ci-contre :
 la tension e(t) est une fonction créneau périodique
de tension de [-5 ; 5 V] à une fréquence f=1Khz.;
 R est une résistance variable
(R =100Ω, 500Ω, 1 KΩ et 10 KΩ ) ;
 VC(t) est la tension aux bornes du condensateur ;
 le condensateur C est initialement déchargé (C=100nf).
Référence de tension sur oscilloscope à 0V
1. Visualiser la tension délivrée par le GBF.
2. Visualiser la tension Vc aux bornes du condensateur.
3. Varier la valeur de la résistance R de 100 Ω à 10 KΩ. Quelle est votre constatation ?
Donner une explication.
4. Fixer la valeur de la résistance R à 1 KΩ et changer la fréquence f du générateur de 1Khz à
3 khz. Quelle est votre constatation ? Expliquer les variations observées.
5. Fixer R à 1 KΩ, et la fréquence f du générateur à 1KHz et relever l’oscillogramme sur
papier millimétrique pour mesurer la valeur de la constante du temps τ.
6. Comparer la valeur expérimentale de τ avec sa valeur théorique.
7. Conclure le temps de charge et décharge si un autre condensateur de 100nf est branché aux
bornes du premier avec la moitie de la valeur de la résistance précédente.
5
Travaux Pratiques d’électronique 2 TPN°02 : Caractéristique d’une Diode à jonction PN

GIM S2
TP N° 02 : Caractéristique d’une Diode à jonction PN
Objectifs :
Le but de ce TP est l’étude des propriétés d’un composant constitué d’un cristal semi-
conducteur dont une région est dopée de type P et l’autre de type N : C’est la diode à jonction
PN.
La propriété à étudier est :
- Etude d’une diode à semi-conducteur, en régimes statique.

- Relevé de la caractéristique I = f(V) d’une diode en direct et inverse.
- Tracé de la caractéristique sur papier millimétrique.
Matériels :
 Plus un boîtier qui contient certains composants électroniques de bas tels que :
Résistances, condensateurs, diodes, ...
1
1.1 Introduction :
Le fonctionnement de la plus part des composants et dispositifs à semi-conducteurs est lié
étroitement à la présence dans le matériau des zones juxtaposées et de conductibilité
différente du à un dopage différent (type P ou N). Ces zones qui représentent deux régions
d’un cristal dopées de façon opposée P et N constituent des jonctions PN.
Nous montrerons très brièvement les modes de polarisation d’une jonction PN au début non
polarisée puis polarisée en direct et en inverse.
a. Jonction non polarisée :

Sans tension extérieure, à l’équilibre il y a création d’une zone de transition qui crée à son
tour un champ électrique ⃗ qui joue le rôle de barrière de potentiel.
Figure 1
b. Jonction polarisée en direct :
Eext s’oppose à ⃗. Polarisée par une source extérieure la diode voit sa barrière de potentiel
diminuer et un courant important peut passer.
L’expression du courant en fonction de la tension est : = ( − 1)

Où Isat est le courant de saturation.
Etude statique : (Caractéristique statique I = f (V)).
Si on applique une tension croissante aux bornes de la diode en relevant l’intensité dans le
circuit, on trace la caractéristique directe. Nous observant un courant très faible au départ puis
à partir d’une certaine tension appelée tension de coude (Vseuil), il y a augmentation brusque
du courant, cette partie étant linéaire : c’est à dire que la tension est proportionnelle au
courant.
2
Figure 2
(1)
(2)
I0
V
Vseuil V0
Polarisation inverse Polarisation directe
Figure 3
En traçant la droite de charge statique on peut déterminer le point de fonctionnement dans la

partie linéaire qui est définit par l’intersection de (1) et (2). M0 (V0 , I0 )
On définit la résistance statique Rs = V0 / I0 (pas intéressante car elle varie en fonction du
point de fonctionnement).
3
c. Polarisation inverse d’une diode :
Sous l’action d’une tension extérieure appliquée en sens inverse la hauteur de la barriére de
potentiel augmente. Il en résulte un courant très faible traversant la diode.
Figure 4
Les tensions de polarisation directe et inverse que l’on peut appliquer à une diode sont
limitées. Si l’on dépasse ces limites il y a une brusque augmentation de courant direct et
inverse laquelle peut provoquer la destruction de la diode.
1.2 La Diode :
Figure 5
Une Diode, est un composant électronique (semi-conducteur) autorisant le passage d’un

courant électrique dans un seul sens, de l'anode vers la cathode. Elles s'opposent à son passage
en sens inverse. Les diodes sont utilisées pour le redressement des tensions alternatives.
4
Figure 6
Aujourd’hui, les diodes les plus courantes sont à semi-conducteur, généralement au

germanium ou au silicium. Ce type de diode autorise le passage du courant de la zone P vers
la zone N (voir Semi-conducteur).
MANIPULATION :
1- Relevé et tracé des caractéristiques directe et inverse :
A - Réaliser le montage suivant et en faisant varier E de 0 à 15 V, relever le courant I et la

tension V pour une polarisation directe et inverse pour la diode D1.
Figure 7
E est une source de tension continue qu’on peut varier
5
a) Diode D1 (polarisation directe)
E(V) 0 1 2 5 7 9 12 14 15
I (mA)
V (V)
b) Diode D1 (polarisation en inverse)
E(V) 0 1 2 5 7 9 12 14 15
I (A)
V (V)
Tracé des caractéristiques :
1. Tracer sur le papier millimétré la courbe représentante la variation ID en fonction de

VD, c'est-à-dire la caractéristique directe et inverse de la diode (courant-tension) de
cette diode ID =f (VD).
2. Déterminer, d’après la courbe obtenue, la tension seuil VS de la diode pour
laquelle le courant commence à passer, de façon non négligeable. Que pouvez – vous
déduire de la valeur de Vseuil ?
3. Déterminer la tension maximale aux bornes de la diode D dans le cas où la source de
tension E est réglée sur la valeur maximale : E = 15V.
4. Déterminer le point de fonctionnement de la diode si la tension d’alimentation est
réglée sur la valeur E = 7 V.
5. Calculer la résistance dynamique directe RD de la diode au point de
fonctionnement déterminé précédemment :
∆ −
= =
∆ −
6
Travaux Pratiques d’électronique 2 TPN°03 : La Diode : Redressement et Filtrage

GIM S2
TP N° 03 : La Diode : Redressement et Filtrage
Objectifs :
Le but de la présente manipulation consiste en l'étude des blocs << Redressement et
Filtrage>> par :
- L'étude du redressement mono alternance et double alternance avec et sans filtrage.

- L'examen de l'influence de la charge sur la tension de sortie.
Matériels :
Résistances, condensateurs, diodes, ...
1
1.1 La Diode :
Figure 1
Une Diode, est un composant électronique (semi-conducteur) autorisant le passage d’un

courant électrique dans un seul sens, de l'anode vers la cathode. Elles s'opposent à son passage
en sens inverse. Les diodes sont utilisées pour le redressement des tensions alternatives.
Aujourd’hui, les diodes les plus courantes sont à semi-conducteur, généralement au
germanium ou au silicium. Ce type de diode autorise le passage du courant de la zone P vers
la zone N (voir Semi-conducteur).
Figure 2
A de rares exceptions prés toutes les installations et appareils électroniques; pour fonctionner
ont besoin d'une alimentation continue. Cette dernière peut être obtenue à partir du secteur
alternatif selon le schéma de principe suivant:
2
SECTEUR TRANSFORMATEUR REDRESSEMENT
FILTRAGE REGULATION UTILISATION
Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative pour
faire des générateurs de tension continue destinés à alimenter les montages électroniques.
1.2. Redressement : Mono alternance.
Figure 3
Tension max URmax=UEmax -UDSeuil
Tension moyenne
=
Tension efficace
=
2
Frequence de UR fUr=fsecteur
Vin (D) URmax
Le redressement est obtenu à l'aide d'un circuit simple comprenant une diode et une résistance
pure (figure3).
3
On suppose que la diode est idéale :Ud≈0, rd≈0 et Ri≈∞.

On sait que :
• Si UAK < 0, iAK = 0 la diode est bloquée.
• Si UAK = 0, iAK > 0 la diode est passante.
Pour tout état de polarisation de la diode, nous avons: Ue=UR+UAK
• En polarisation inverse (alternance négative de Ue): UAK < 0, iAK = 0 la diode est bloquée et on a :
UAK=Ue et UR=0.
• En polarisation directe (alternance positive de Ue): la diode est passante et le courant
circule dans le sens positif. On a UAK=0 et UR=Ue c.-à-d. UR > 0.
Représentation graphique:
• Pour 0 < t <T/2 , Ue > 0 (Alternance positive) :
UAK = 0
UR=Ri=Ue (avec i=Ue/R)
• Pour T/2 < t <T , Ue < 0 (Alternance négative) :
UAK = Ue
UR=Ri=0 (car i=0)
On obtient à la sortie un signal UR (t) périodique (période T) de signe constant mais qui n'est
pas alternatif. Sa valeur moyenne U0 est non nulle:

/
1 1
= ( ) = sin ( ) =
1.3. Filtrage
Le filtrage consiste à réaliser une tension sensiblement continue à partir d'une tension variable mais
de polarité constante obtenue par redressement.
Parmi les filtres les plus simples, nous citerons : résistance-self, résistance-capacité.
Nous utiliserons dans la suite le filtre constitué d'un condensateur C placé entre les bornes de sortie
du redresseur (c.-à-d. en parallèle avec la résistance R).
La tension aux bornes de l'ensemble R, C a la forme donnée sur la figure 4
4
Figure 4
La diode joue le rôle d'un interrupteur qui est:
a) fermé quand Ve ≥Vs ( 0 <t < t1, t2 < t < t3 …).
On a Vs = Ve dans ces intervalles.

b) ouvert quand Ve < Vs ( t1 < t < t2 …).
Pour ces intervalles, le condensateur se décharge dans la résistance R suivant la loi exponentielle
−
= exp −
L'efficacité du filtrage est mesurée à l'aide du taux d'ondulation défini comme le rapport à la
valeur moyenne de la tension redressée
∆
: =
Pour que le filtrage soit efficace, il faut que le taux d'ondulation soit le plus faible possible. Il
faut donc diminuer ΔU. Pour cela, la constante du temps du filtre RC doit vérifier la
condition: τ =RC>>=T.
1.3. Redressement double alternance : Pont de diodes ou GRAETZ :
Figure 5
5
Tension max URmax=UEmax -2UDSeuil
Tension moyenne 2
=
Tension efficace
=
√2
Frequence de UR fUr=2fsecteur
Vin (D) URmax
La figure 5 représente le redresseur en pont le plus simple.

Pendant l'alternance positive, les diodes D1 et D3 conduisent (D2 et D4 sont bloquées). Le
courant parcourt la diode D1, la résistance R, la diode D3 et revient à l'entrée du circuit.

Pendant l'alternance négative, les diodes D2 et D4 conduisent (D1 et D3 sont bloquées). Le
courant parcourt D2, R, D4 et revient à l'entrée du circuit.
Durant les deux alternances, la tension VR a gardé la même polarité.
6
MANIPULATION :
A-Redressement mono alternance :
1) Principe :
Réaliser le circuit suivant :
D est une diode de type 1N4007

Ve est une tension de 6Vcc, f=1kHz
1- Observer la tension Vs lorsque R=1kΩ. tracer Ve et Vs sur papier millimétré.
B- Redressement mono alternance avec filtrage :

1) Monter le circuit de la figure qui suit :
C = 100 F, R = 1 K, D = 1N4007.

1- On place maintenant en parallèle avec R un condensateur C=100µF :
 réaliser le circuit de mesure et observer Vs.
 Déduire le rôle du condensateur.
 Conclusion
2- Visualiser à l'oscilloscope la sortie Vs, tracer (sur papier millimétré) et expliquer la
courbe obtenue.
7
C-Redressement double alternance :

1) Monter le circuit à quatre diodes en pont:
D est une diode de type 1N4007

Ve est une tension de 12Vcc, f=1kHz
2) Observer la tension Vs lorsque R=1kΩ. tracer Ve et Vs sur papier millimétré.
3) Expliquer le fonctionnement du circuit et tracer la forme de la tension de sortie Vs.
4) Existe-t-il un autre montage de redressement double alternance comparable au pont à
diodes. Donner son schéma et expliquer son fonctionnement.
C) Redressement double alternance avec filtrage :

1) Compléter le montage précédent par la capacité C.
1) On place maintenant en parallèle avec R un condensateur C=100µF :

 réaliser le circuit de mesure et observer Vs.
 Déduire le rôle du condensateur.
 Conclusion
2) Observer à l'oscilloscope la sotie Vs; tracer et expliquer la courbe obtenue.
3) Ce circuit est-il intéressant que celui du redressement mono alternance avec filtrage?
4) Donner vos conclusions.
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Travaux Pratiques d’électronique 2 TPN°04 : Le Transistor Bipolaire en mode Commutation

GIM S2
TP N° 04 : Étude d'un transistor bipolaire en mode commutation
Objectifs :
L'objectif de ce TP, est d’assurer et tester la commutation d’un voyant alimenté en 24 V commandé
par un signal TLL (0 -5V). Le voyant (remplacé par une LED pour le TP) pour un éclairage correct
nécessite un courant de 10 mA et développe à ses bornes une tension de 2 V.
Matériels :
Résistances, condensateurs, Transistors, LED,...
1
1.1 Le Transistor :
Le transistor en commutation est utilisé afin d’ouvrir ou de fermer un circuit. Ainsi il peut
commander une LED, un relais, un moteur…etc. On assimile généralement le circuit de sortie du
transistor à un interrupteur qui est commandé soit par une tension, soit par un courant suivant le
type de transistor choisi. En réalité sa polarisation ne lui permet que deux modes de fonctionnement
par opposition au fonctionnement en régime linéaire (amplification).
Le montage d’un transistor en commutation

peut être décomposé en deux circuits :
- Circuit de commande ou Circuit d’entrée
- Circuit commuté ou circuit de sortie
1.2. Définitions :
 On dit qu'un transistor est passant lorsque son courant de collecteur est non nul.
 On dit qu'un transistor est bloqué lorsque son courant de collecteur est nul
 On dit qu'un transistor est saturé lorsque son Vce est proche de 0V (dans la pratique 0,4v)
et que son courant de base réel est inférieur au courant de base défini par la polarisation du
transistor. Un transistor saturé est forcément passant mais l'affirmation contraire est fausse.
Il faut que la tension VCE atteigne la valeur VCEsat.
2
Par la mesure:
 Pour vérifier par la mesure la saturation d'un transistor, il suffit de mesurer sa tension Vce.
 Si elle est quasiment égale à 0 (et que bien sûr le montage est alimenté et correctement polarisé),
le transistor est saturé.
 Si elle est égale à la tension d'alimentation, le transistor est bloqué.
 Pour vérifier le bon fonctionnement d'un transistor utilisé en commutation, il faut
impérativement vérifier la saturation et le blocage du transistor. En effet, un transistor défectueux
peut être tout le temps bloqué ou tout le temps saturé.
Si on veut être sûr de la saturation d'un transistor, il faut calculer son courant de collecteur (Icr), puis
son courant de base (Ibr) sans utiliser le coefficient d'amplification β.
Si Ibnécessaire < Ib obtenu avec la polarisation du montage alors le transistor est correctement polarisé
en saturation.
1.3. Principe de fonctionnement :
Figure 1
Un courant de base Ib provoque la conduction du transistor (donc la présence de Ic et Ie).
Relations principales :
Ib + Ic = Ie Vcc = Vce + Rc.Ic Ve = Vbe + Rb.Ib Pdissipée = Vce.Ic
Selon la valeur de Ib on distingue trois régimes de conduction :

1. blocage
2. saturation
3. linéaire
dans notre cas, on s’intéresse aux deux premiers cas : blocage et saturation.
3
Figure 2
1.4. Les régimes de fonctionnement :

a. Régime de blocage (état bloqué):
Condition : Ib = 0
Très grande résistance ( quelques MΩ )entre Emetteur et Collecteur. Le transistor est équivalent à
un interrupteur ouvert. d'où : Ic = 0 Vce = Vcc
Puissance dissipée par le transistor = Vcc x Ic = 0
Figure 3
b. Régime de saturation (état passant)

Condition : Ib > Ibsat (important)
Très faible résistance ( quelques Ω )entre Emetteur et Collecteur
Le transistor est équivalent à un interrupteur fermé d'où : Ic = Icmax = Icsat (limité par Rc et Vcc)
Vce = Vcesat ≈ 0 =
Puissance dissipée par le transistor = Vcesat x Icsat ≈ 0

calcul de Ib sat : = dans la pratique choisi une valeur 2 à 3 fois supérieure
4
Figure 4
En régime de commutation, passage de l'état bloqué à l'état saturé et inversement, le transistor joue
le rôle d'un interrupteur électronique unidirectionnel commandé par le courant de base Ib.
Le transistor est équivalent, entre ses bornes collecteur et émetteur, à un interrupteur dont la
commutation est commandée par le courant de base Ib.
Le transistor n'utilise que les deux régimes qui dissipent peu d'énergie.
1.5. Etude théorique :

Cette analyse a pour but de vérifier que le transistor fonctionne effectivement en régime de
commutation.
Pour E = 0V
 Déterminer la valeur de Ib. En déduire la valeur de Ic ainsi que l'état du transistor
Pour E = 12V
 Etablir l'expression de Ic en fonction de Vcc, Vce, Vled et de RC.
 Calculer Ic max (en supposant que le transistor est saturé).
 Rappeler la condition de saturation du transistor
 Calculer Ibsatmin (valeur minimale du courant de base assurant la saturation du transistor).
 Etablir l'expression de Ib en fonction de Ve, Vbe et de RB. Calculer la valeur de Ib.
 Vérifier que la condition de saturation du transistor est réalisée
5
MANIPULATION :
Pour ce T.P. on utilisera un transistor NPN 2N2222 (voir figure 4) qui a pour caractéristiques
 Courant collecteur Ic : 800mA
 Puissance totale dissipée : 500mW
 Gain en courant : 75 minimum (pour Ic = 10mA, Vce = 10V)
 Température de fonctionnement : -65°C à +150°C
Figure 4 Boîtier et brochages de transistor NPN utilisé dans ce TP
1. Soit le montage suivant :
Figure 5 Montage transistor NPN EC
6
Câbler le montage sur la plaque d'essais.
POUR E = 0
 Indiquer l'état de la LED

 Mesurer VRB. En déduire la valeur de Ib et celle de Vbe.
 Mesurer VRC. En déduire la valeur de Ic.
 Mesurer Vce et Vled.
 A l'aide de ces mesures, indiquer l'état du transistor (en justifiant votre réponse).
POUR E = 15V
 Indiquer l'état de la LED

 Mesurer VRB. En déduire la valeur de Ib et celle de Vbe.
 Mesurer VRC. En déduire la valeur de Ic.
 Mesurer Vce et Vled.
 A l'aide de ces mesures, indiquer l'état du transistor (en justifiant votre réponse).
7
Travaux Pratiques d’électronique 2 TPN°05 : Le Transistor Bipolaire en mode Amplification

GIM S2
TP N° 05 : Étude d'un montage amplificateur de puissance

(à transistor bipolaire)
Objectifs :
L'objectif de ce TP, est l'étude d'un montage élémentaire particulier qui et le montage émetteur
commun (EC) d'un transistor bipolaire en mode d'amplification..
Matériels :
Résistances, condensateurs, Transistors, ...
1
1.1 Le Transistor :
Le transistor bipolaire, encore appelé transistor à jonctions, est formé par la succession de 3
semi-conducteurs, respectivement de type NPN (transistor NPN) ou PNP (transistor PNP) à l’aide
de 2 jonctions P-N. C’est le composant électronique le plus utilisé à nos jours, il est utilisé pour
amplification et commutation. Pour simplifier la compréhension du fonctionnement de ce
composant, on peut considérer que la troisième 3 patte (la base) de ce composant permet de
contrôler le passage du courant entre les 2 autres pattes (Emetteur, collecteur). Autrement dit, un
faible courant de base (IB) permet de commander un courant de collecteur (IC) bien plus important.
Sur les schémas, on repère les différentes parties
Transistor NPN Symbole
Transistor PNP
Symbole
Figure 1 Brochage et schéma électrique d'un transistor bipolaire
Les trois pattes constituant le transistor bipolaire sont les suivants :

 La base (B) qui permet de commander le passage du courant à travers le composant
 Le collecteur (C) est la broche par laquelle le courant entre dans le transistor bipolaire
 L'émetteur (E) est la broche par laquelle le courant sort du composant, ainsi que le signal de
sortie
A noter que les NPN sont les plus utilisés et ils ont de meilleures caractéristiques.
2
1.2. Régimes de fonctionnements :

Le transistor bipolaire peut fonctionner en deux régimes ou modes différents :
 Le régime linéaire (mode amplification) : dans ce mode, le transistor permet de laisser plus
ou moins passer le courant.
 Le régime de saturation (mode de commutation) : dans ce cas, le transistor possède 2 états :
soit bloqué, soit saturé (ou passant). A l''état bloqué le courant ne parcours plus le
composant. Quant à l'état de saturé, le transistor passe un courant du collecteur vers
l'émetteur.
1.3. Montages de base :

Pour un transistor bipolaire, il existe trois montages fondamentaux Fig.2 :
Figure 2 Montages fondamentaux d'un transistor bipolaire.
1.3.1. Montage émetteur commun (EC) :

C'est le montage le plus utilisé dont lequel l'entrée se fait sur la base et la sortie sur le collecteur.
Utilisé généralement dans les basses fréquences BF pour amplifier un signal. Il est caractérisé par
une impédance d'entrée de quelques kΩ, et qu'elle dépend largement aux résistances du pont de la
base (Rb1 et Rb2). Une impédance de sortie dépend de la résistance du collecteur Rc. Un signal de
sortie avec une phase inversée par rapport à l'entrée et d'un gain élevé.
1.3.2. Montage collecteur commun (CC) :
Le même montage que le précédent mais avec cette fois ci l'entrée sur la base et la sortie sur
l'émetteur. Caractérisé par une impédance d'entrée plus élevée que le montage émetteur commun
mais une impédance de sortie basse. Le signal de sortie n'est pas amplifié (sans gain) et il est en
phase avec le signal d'entrée. Ce montage est utilisé souvent comme adaptateur d'impédance.
1.3.3. Montage base commune (BC) :
Dans ce montage l''entrée se fait sur l'émetteur tandis que la sortie est sur le collecteur. L'impédance
d'entrée est basse et la sortie à moyenne impédance. Le signal de sortie est en phase avec un gain
élevé. Ce montage est employé surtout en haute fréquences HF.
3
1.4. Caractéristiques d'un transistor bipolaire
 Le gain en courant d'un transistor est désigné par la lettre bêta (β), dans les datasheet on le
trouve par Hfe ou bien h21, il est entre 100 et 300 dans les transistors classiques et entre 20 et
100 dans les transistors de puissances.
 En statique (ne dépend pas du temps), lorsque le transistor est bloqué : VBE<<0,6V, IB=0 et
IC=0.
 Lorsque le transistor est saturé : VBE> 0,6V, VCE=0 et IC< β*IB.
 IC = β * IB donc β = IC / IB
 IE = IC + IB (IB étant négligeable par rapport à IC), on peut dire donc sans trop d'erreur que
IE=IC.
 Le point de repos ou de fonctionnement Q0 d'un transistor correspond aux valeurs des tensions
et des courants lorsqu'on ne considère que le régime statique (ne dépend pas du temps). Il est
défini par le quadruplet (IB0, VBE0, IC0, VCE0). Avec le zéro en indice, indique qu'il s'agit du
courant fixé par la polarisation. Ce réseau de caractéristiques est donné à la figure 3.
Figure 3 Caractéristiques d'un transistor bipolaire NPN en EC.
4
MANIPULATION :
Pour ce T.P. on utilisera un transistor NPN 2N2222A (voir figure 4) qui a pour caractéristiques
 Courant collecteur Ic : 800mA
 Puissance totale dissipée : 500mW
 Gain en courant : 75 minimum (pour Ic = 10mA, Vce = 10V)
 Température de fonctionnement : -65°C à +150°C
Figure 4 Boîtier et brochages de transistor NPN utilisé dans ce TP
1. Soit le montage suivant :
Figure 5 Montage transistor NPN EC
5
1. Quelle est le rôle des deux capacités C1et C2 dans le circuit.

2. Réaliser le montage du circuit ci-dessus après avoir testé tous les composants qui le
constitue où : Ra=150KΩ, Rb=Rc=10KΩ, Re=1KΩ, C1=C2=10μF et C3=100μF.
3. Ajuster l’alimentation continue à 24 V.
4. Régler le G.B.F à une fréquence de 1KHz et à une amplitude de 20mV crête à crête
a) Donner la forme du signal d’entrée et de sortie.
b) Donner une explication du signal de sortie
c) Mesurer la tension de sortie Vs crête à crête et notez-la.
5. Essayer d’obtenir la valeur de sortie maximale sans déformation, noter la tension d’entrée
Ve et la tension de sortie Vs.
6. Essayer d’obtenir la valeur de sortie maximale à la limite d’écrêtage, notez la tension
d’entrée Ve et la tension de sortie Vs.
7. Mesurer le déphasage φ entre le signal d’entrée et de sortie et notez-le.
8. Donner des conclusions.
2. Courbe de linéarité
En gardant la fréquence à 1KHz, compléter le tableau ci-dessous. Les deux tensions d’entrée et de
sortie sont mesurées à l’oscilloscope en valeur crête à crête. Faite varié Ve à partir du G.B.F par
palier de 5mV en restant toujours inférieur à 30mV.
Ve (mV) 5 10 15 20 25
Vs (V)
1. Pourquoi la tension d’entrée est limitée à 25mV. justifier votre réponse.

2. Tracer la courbe de linéarité Vs=f(Ve).
3. Expliquer cette forme.
4. La linéarité est-elle réalisée, si oui donner votre conclusion, sinon dites pourquoi.

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Travaux Pratiques d’électronique 2 TPN°01 : Régime Transitoire d’ordre1

Université des Frères Mentouri –Constantine1

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a. Jonction non polarisée :

b. Jonction polarisée en direct :

L’expression du courant en fonction de la tension est : = ( − 1)

En traçant la droite de charge statique on peut déterminer le point de fonctionnement dans la

c. Polarisation inverse d’une diode :

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1- Relevé et tracé des caractéristiques directe et inverse :

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b) Diode D1 (polarisation en inverse)

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1. Tracer sur le papier millimétré la courbe représentante la variation ID en fonction de

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- L'étude du redressement mono alternance et double alternance avec et sans filtrage.

Une Diode, est un composant électronique (semi-conducteur) autorisant le passage d’un

SECTEUR TRANSFORMATEUR REDRESSEMENT

FILTRAGE REGULATION UTILISATION

1.2. Redressement : Mono alternance.

Tension max URmax=UEmax -UDSeuil

Vin (D) URmax

On suppose que la diode est idéale :Ud≈0, rd≈0 et Ri≈∞.

• Si UAK = 0, iAK > 0 la diode est passante.

Pour tout état de polarisation de la diode, nous avons: Ue=UR+UAK

• En polarisation directe (alternance positive de Ue): la diode est passante et le courant

circule dans le sens positif. On a UAK=0 et UR=Ue c.-à-d. UR > 0.

UR=Ri=Ue (avec i=Ue/R)

• Pour T/2 < t <T , Ue < 0 (Alternance négative) :

UR=Ri=0 (car i=0)

pas alternatif. Sa valeur moyenne U0 est non nulle:

On a Vs = Ve dans ces intervalles.

Tension max URmax=UEmax -2UDSeuil

Vin (D) URmax

La figure 5 représente le redresseur en pont le plus simple.

courant parcourt la diode D1, la résistance R, la diode D3 et revient à l'entrée du circuit.

courant parcourt D2, R, D4 et revient à l'entrée du circuit.

Durant les deux alternances, la tension VR a gardé la même polarité.

A-Redressement mono alternance :

Réaliser le circuit suivant :

D est une diode de type 1N4007

B- Redressement mono alternance avec filtrage :

C = 100 F, R = 1 K, D = 1N4007.

C-Redressement double alternance :

D est une diode de type 1N4007

C) Redressement double alternance avec filtrage :

1) On place maintenant en parallèle avec R un condensateur C=100µF :

Université des Frères Mentouri –Constantine1

TP N° 04 : Étude d'un transistor bipolaire en mode commutation