Université Sidi Med Ben Abdellah

Fac. des Sciences Dhar El Mehraz- Département de physique. (Fès)

Examen de Master PNOMER-S3
MATERIAUX POUR L’ENERGIE SOLAIRE- Session Normale 2018

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Exercice 1

Un semiconducteur à base de Silicium de type p de résistivité =0.65 Ω.cm et éclairé avec une lumière
génère 2x1017 cm-3paires électrons-trous en excès.
On donne µn = 1350 cm2/V.s et µp = 480 cm2/V.s
1/ Calculer la concentration des électrons et des trous avant éclairement.
2/ Calculer la variation de la résistivité causée par la lumière, =-’
’ est la résistivité après éclairement.

Exercice 2

Le Germanium Ge intrinsèque est dopé de deux façons différentes :

1) Par des atomes donneurs de telle manière que :
n1 = 4 .1015 électrons /cm3 à 300°K
p1 = 4 .1013 trous / cm3.
De combien et comment se déplace le niveau de Fermi EF par rapport au niveau de Fermi
intrinsèque EFi.
2) Même question quand le Ge est dopé par des accepteurs qui donnent les concentrations
suivantes :
n2 = 8 .1012 électrons /cm3 à 300°K
p2 = 2 .1016 trous / cm3.

Rappel: n = Nc exp (-(Ec-EF)/KT) et p = Nv exp ((Ev-EF)/KT)

Exercice 3: Jonction à l'équilibre thermodynamique

On considère une diode à jonction PN à base de Si avec comme dopage en accepteurs N A = 1017 cm-3
et en donneurs ND = 1015 cm-3 . On définit xn l’extension de la zone de charge d’espace côté N et –xp la
même chose côté P. La jonction métallurgique se trouve à x=0.
1) Expliquer qualitativement l'établissement de la barrière de potentiel dans une jonction PN à
l'équilibre thermodynamique.
2) Tracer le diagramme de bandes en énergie (tracer et étiqueter les bandes de conduction et de
valence, le niveau de Fermi et le niveau intrinsèque le long de la jonction).
3) Établir l'expression donnant le potentiel de diffusion Vd. Application numérique.
4) Établir les expressions du champ électrostatique dans les différentes régions côté P et côté N. Tracer
l'allure du champ électrostatique dans la jonction. Où la valeur absolue du champ est-il maximum et
quelle est son expression |Emax| ?
5) Établir l'expression de Vd en fonction de |Emax| et de l'épaisseur de la zone de charge d'espace W.
6) Établir l'expression donnant l'épaisseur de la zone de charge d'espace W et celles donnant ses
extensions xp et xn dans les régions P et N. Application numérique pour les trois grandeurs et
commenter.

Exercice 1

1
 1/ =0.65 Ω = 1/ = 1/e. µp.p0
Donc p0= 2x1016 cm-3
n=ni2/p= 5x103 cm-3

2/ ’ après éclairement
’ = 1/[e(µn.n +µp.p)]-1
Où
n = n0 +n
p = p0 +p
n= p = 2x1017 cm-3

’ = 1/[e(1350 x .2x1017 + 480.x 2x1017)]-1

’ = 0.017 Ω.cm

=-’ = 0.634 Ω.cm

Exercice 2:

1) La présence des impuretés donneurs ou accepteurs provoque un déplacement du

niveau de Fermi.
3
E − E Fi 2mn KT 2
n = N c exp(− c ) avec N c = 2( )
KT 2
h
3
E − E Fi 2m p KT
p = NV exp( V ) avec N v = 2( )2
KT h2
3
n Nc 2 E − Ec − EV m 2 E − Ec − EV
Donc = exp( F ) = ( n ) 2 exp( F )
p NV KT mp KT
3
ni m 2 E Fi − Ec − EV
Or = 1 = ( n ) 2 exp( )
pi mp KT
n 2( E F − E Fi )
Alors = exp
p KT
KT n
On en déduit que : E F = E Fi + ln
2 p
Alors si le scemiconducteur est de type n  n>p  EF > EFi
et si le scemiconducteur est de type p  n<p  EF < EFi

On en déduit que le niveau de Fermi se rapproche de la bande qui contient les

porteurs majoritaires (Bande de conduction pour le SC de type n et bande de valence
pour le SC de type p)

1) Pour : n1 = 4 .1015 électrons /cm3 à 300°K

p1 = 4 .1013 trous / cm3.
On aura E F = E Fi + 0,06 (ev) à T=300K
2) Pour : n2 = 8 .1012 électrons /cm3 à 300°K
p2 = 2 .1016 trous / cm3.
On aura E F = E Fi − 0,102 (ev) à T=300K

2
Ex.3. Etude d’une jonction PN

1/• En raison du gradient de concentration, les porteurs diffusent vers l’autre côté de la jonction
• Ces porteurs rencontrent ensuite les porteurs majoritaires et se recombinent
• Il y a donc moins de porteurs majoritaires que d’impuretés ionisées près de la jonction—une zone chargée se
créé (la zone de charge d’espace, ZCE)
La ZCE est chargée négativement côté p et positivement côté n—un champ électrique dans la direction n vers p se
crée !

2/ EC : énergie en bas de la bande de conduction

EF : énergie de Fermi
EV : énergie en haut de la bande de valence
Le schéma ci-dessus représente une jonction pn où le dopage NA=ND. Dans notre cas, NA>ND, la ZCE doit être
dessinée plus large côté n car le dopage est plus faible.
3/
EC − E F 



 E F − E V 
n = N C exp −   p = N V exp −  
 kT   kT 
KT nn nn
Ecp − Ecn = ln soit Vd = UT ln
e np np
où nn=ND et np= n2 i/ N
on montre que
Vd=(KT/e)ln(NdNa/ni2)
0,72 V

4:
 ( x) d2  ( x)
divE = → 2 =−
 dx 
dV dE  ( x)
E=− → =
dx dx 
x
E ( x) =   ( y )dy + cte
xp

côté P, Par intégration:

Cte = 0 car dans la RQN E=0

eN a
E ( x) = − (x − xp )

Côté N
eN d
E ( x) = − ( x − xn )

E=0 loin de la jonction, donc E doit être égal à zéro partout hors de la ZCE.
• Conditions aux limites (pas de charge surfacique) donc : E(xn)=0 ; E(-xp)=0 ;
La valeur absolue du champ est maximale en x=0.

5
Vd= -(1/ 2 )Emax W
6 A partir de
xpNA=xnNn
cours
x n=
x p=
W=
W~0,95 µm ; xn~0,94 µm; xp~9,4nm Commentaire: xn >>xp comme attendu car ND<<NA