Département de physique. (Fès) Examen de Licence SMP-S6 M36 : MATERIAUX POUR L’ENERGIE SOLAIRE Ière session- Juin 2015 Toute documentation est interdite
I/ Exercice 1 : La mesure des densités de porteurs libres effectuée sur un monocristal de Si extrinsèque à la température ambiante a donné le résultat suivant : p = 1014 cm-3 et n = 5. 1013 cm -3 1°) Déterminer la concentration des porteurs intrinsèques. 2°) Un dopage ultérieur au Phosphore introduit une concentration supplémentaire d’impureté. On fait une mesure de la résistivité qui donne alors ρ = 20 Ω.cm. Quelle est la nouvelle concentration en porteurs libres (électrons et trous) à la même température. On admettra que les mobilités sont constantes : μp = 50 cm2/V.S et μn = 1400 cm2/V.S .
Exercice 2 : Sachant que pour un semi-conducteur intrinsèque, on a les relations E − EFi E − E Fi ni = N c exp(− c ) et pi = NV exp( V ) KT KT 1) Trouver la position du niveau de Fermi EFi dans la bande interdite, sachant que : Eg = Ec – Ev = 1,21 eV à T = 300°K. a) Dans le cas où mp = mn . b) Dans le cas où mp = 2 mn On donne K = 1,38 10-23 J/K, Nc = 2(2π mn .KT / h2) 3/2 et Nv = 2(2π mp .KT / h2) 3/2 2) Ce semi-conducteur est dopé de deux façons différentes : a) Par des atomes donneurs tel que à 300°K : n1 = 4 .1015 électrons /cm3 et p1 = 4 .1013 trous / cm3. b) par des atomes accepteurs tel que à 300°K, on a: n2 = 8 .1012 électrons /cm3 et p2 = 2 .1016 trous / cm3. De combien et comment se déplace le niveau de Fermi EF par rapport au niveau de Fermi intrinsèque EFi. Exercice 3 : On considère un barreau de silicium de longueur L= 5 mm, de section A= 1mm2, fortement dopé N par le phosphore dont la concentration est ND= 2. 10 cm . 14 -3
On donne n= 1,5 103 cm2/V S ; p= 5,3 102 cm2/V S
ni= 1,1 1016 cm-3. q= 1,6 10-19C
1 1) Calculer la concentration en électrons et en trou de ce semi-conducteur fortement dope N ? Que peut on dire de la concentration en trous devant ni et ND ? 2) Calculer la résistivité de ce semi_conducteur ? Comparer cette résistivité à celle d’un métal en cuivre dont la concentration en électrons est n= 11. 1028 m-3 et la mobilité des électrons vaut n = 3,2 10-3 m2/V S ? Conclure ? 3) Calculer le courant qui circule dans ce barreau de silicium dopé N, sachant que la concentration est uniforme et que l’on applique une ddp de 5 V. Exercice 4 : A/ Calculer le courant de diffusion des trous dans un barreau de silicium, dans lequel la concentration des trous varie linéairement de : 5. 1015 cm-3 en x=0 à 1. 1010 cm-3 en x=w= 10 m.
5. 1015 cm-3
P(x)
1. 1010 cm-3 x w Pour cela, on calculera la constante de diffusion des trous sachant que : K= 1 ,38 10-23 J/K ; T=300 K ; q= 1,6 10-19C ; p= 5,3 102 cm2/V S ; A= 1 mm2. B/ On considère un Semi-conducteur présentant une zone de charge d’espace (ZCE) où la différence de potentiel entre le point x et le point est noté V(x) (fig 1). (On donne V(x=0)= V0)
(x) xd x
Région ZCE quasi neutre
Une concentration NA, supposée constante, d’impuretés acceptrices a été
introduite dans le matériau.
1) Donner la densité volumique de charge (x) dans la ZCE du matériau ?
2) A partir de l’équation de poisson, déterminer l’évolution du champ électrique E(x) ? 3) Donner l’expression du champ électrique maximum ?
