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Université Sidi Med Ben Abdellah

Fac. des Sciences Dhar El Mehraz


Département de physique. (Fès)
Examen de Licence SMP-S6
M36 : MATERIAUX POUR L’ENERGIE SOLAIRE
Ière session- Juin 2015
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I/ Exercice 1 :
La mesure des densités de porteurs libres effectuée sur un monocristal
de Si extrinsèque à la température ambiante a donné le résultat suivant :
p = 1014 cm-3 et n = 5. 1013 cm -3
1°) Déterminer la concentration des porteurs intrinsèques.
2°) Un dopage ultérieur au Phosphore introduit une concentration
supplémentaire d’impureté. On fait une mesure de la résistivité qui donne
alors ρ = 20 Ω.cm.
Quelle est la nouvelle concentration en porteurs libres (électrons et trous) à la
même température.
On admettra que les mobilités sont constantes : μp = 50 cm2/V.S et μn = 1400
cm2/V.S .

Exercice 2 :
Sachant que pour un semi-conducteur intrinsèque, on a les relations
E − EFi E − E Fi
ni = N c exp(− c ) et pi = NV exp( V )
KT KT
1) Trouver la position du niveau de Fermi EFi dans la bande interdite, sachant
que : Eg = Ec – Ev = 1,21 eV à T = 300°K.
a) Dans le cas où mp = mn .
b) Dans le cas où mp = 2 mn
On donne K = 1,38 10-23 J/K, Nc = 2(2π mn .KT / h2) 3/2
et Nv = 2(2π mp .KT / h2) 3/2
2) Ce semi-conducteur est dopé de deux façons différentes :
a) Par des atomes donneurs tel que à 300°K :
n1 = 4 .1015 électrons /cm3 et p1 = 4 .1013 trous / cm3.
b) par des atomes accepteurs tel que à 300°K, on a:
n2 = 8 .1012 électrons /cm3 et p2 = 2 .1016 trous / cm3.
De combien et comment se déplace le niveau de Fermi EF par rapport au
niveau de Fermi intrinsèque EFi.
Exercice 3 :
On considère un barreau de silicium de longueur L= 5 mm, de section A=
1mm2, fortement dopé N par le phosphore dont la concentration est ND= 2.
10 cm .
14 -3

On donne n= 1,5 103 cm2/V S ; p= 5,3 102 cm2/V S


ni= 1,1 1016 cm-3.
q= 1,6 10-19C

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1) Calculer la concentration en électrons et en trou de ce semi-conducteur
fortement dope N ? Que peut on dire de la concentration en trous devant ni et
ND ?
2) Calculer la résistivité de ce semi_conducteur ? Comparer cette résistivité à
celle d’un métal en cuivre dont la concentration en électrons est n= 11. 1028
m-3 et la mobilité des électrons vaut n = 3,2 10-3 m2/V S ? Conclure ?
3) Calculer le courant qui circule dans ce barreau de silicium dopé N, sachant
que la concentration est uniforme et que l’on applique une ddp de 5 V.
Exercice 4 :
A/ Calculer le courant de diffusion des trous dans un barreau de silicium,
dans lequel la concentration des trous varie linéairement de :
5. 1015 cm-3 en x=0 à 1. 1010 cm-3 en x=w= 10 m.

5. 1015 cm-3

P(x)

1. 1010 cm-3
x
w
Pour cela, on calculera la constante de diffusion des trous sachant que :
K= 1 ,38 10-23 J/K ; T=300 K ; q= 1,6 10-19C ; p= 5,3 102 cm2/V S ; A= 1
mm2.
B/ On considère un Semi-conducteur présentant une zone de charge d’espace
(ZCE) où la différence de potentiel entre le point x et le point  est noté V(x)
(fig 1). (On donne V(x=0)= V0)

(x) xd x

Région
ZCE
quasi neutre

Une concentration NA, supposée constante, d’impuretés acceptrices a été


introduite dans le matériau.

1) Donner la densité volumique de charge (x) dans la ZCE du matériau ?


2) A partir de l’équation de poisson, déterminer l’évolution du champ
électrique E(x) ?
3) Donner l’expression du champ électrique maximum ?

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