1

I.CIR - RAPPELS DE CIRCUITS

Théorèmes fondamentaux / Equations différentielles du 1°ordre / Variables complexes
Equation différentielle du premier ordre
1. Pont de Wheatstone
1) 1° étape : Thévenin en A, Thévenin en B
VATh = R E ; VBTh = R x E et R ATh = RR 0 ; RBTh = R1R x
R0 + R R1 + R x R0 + R R1 + R x
2° étape : superposition
VABTh = VATh − VBTh =  R − R x E ; R ABTh = R ATh + RBTh
 R 0 + R R1 + R x 
2) A l'équilibre VAB = 0 VABTh = 0 ⇒ R − R x = 0 ; ⇒ R x = RR1
R 0 + R R1 + R x R0
V RR 1 − R xR 0
3) IAB = =
( ) E
( )
ABTh
R ABTh RR 0 R1 + R x + R1R x R 0 + R
4) R x = E − R 0IAB ; à l'équilibre IAB = 0 ⇒ R x = E = RR1

IAB R 0
+ R 0 
+ 1 + E R 0 E R0 R0
 R1 R  RR1 RR1

2. Circuit CR en régime transitoire

vr(t)
 e(t) = v c(t) + vr(t)

E 1)  (t) = C dv c ⇒ RC dvr + vr = RC de
dt dt dt
0.63E  vr(t) = Ric(t)

2) conditions initiales : t<0 vc(t) = vr(t) = 0 ; t>0 de/dt = 0+C
0.37E impose vc(0+) = vc(0-) = 0

0 τ t

dt vr RC
( ) − t
RC dvr = −vr ⇔ RC dvr = −dt ⇔ ln vr = − t + χ ⇔ vr = Ke RC
− 0 −t
v c(0+ ) = 0 ⇔ vr(0+ ) = E − 0 = Ke RC ⇔K =E vr(t) = Eeτ où τ = RC (constante de temps)
3. Circuit RC en régime sinusoïdal
1
Ve ZC = Ve jCω 1
1) Vs = Ve = Ve
Ve/√2 T ZC + R 1 +R 1 + jRCω
jCω
−2π
⇒ Vs = 1 (
2 Ve; arg Vs = −Arc tan RCω
)
T/8 T/2 (
1 + RCω )
−π/4 −π
2)
ω= 0 ω = 1/(RC) ω ∝
IVsI = Ve IVsI = Ve/√2 IVsI 0
argVs = 0 argVs = -π/4 argVs -π/2

Circuits
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II.CIR - ATTENUATEUR COMPENSE

Impédances complexes / Diagramme de Bode 1° ordre
1. Préliminaire TdB0
f0/10 f0/2 f0 2f0 10f0
1) T = Z c = 1 = 1 où τ = RC -3dB
Zc + R 1 + jRCω 1 + jτω
∆ = 1 dB
avec ω0 = 1/τ : T 1 = 1 (ω0 = 2πf0, pulsation et ∆ = 1 dB -20 dB/déc
1 + jω 1+ j f
ω0 f0 -20dB
fréquence de coupure)
2) T = 1 ;

TdB = −10log1 + f  ;
2
( ) φ

1+ f
f0
2
( )  f0  0 6°
27°

〈 T = −Arc tan f ; A.N. : f0 = 1.59 kHz -π/4

f0
27° 6°
-π /2

f << f0 f = f0 f >> f0
ITI 1 ITI = 1/√2 ITI f0/f
TdB 0 dB TdB = -3 dB TdB 20logf0-20logf
arg(T) 0 arg(T) = -π/4 arg(T) -π/2
2. Mesure de la fréquence de coupure à l’oscilloscope
1) Cc = cl x l : capacité équivalente du câble
Cc Ce Ce : capacité d'entrée de l'oscilloscope
R AN : Cc = 0.5 x 100 = 50 pF
ve(t) C vs(t)
1
2) fréquence de coupure mesurée : f'0 =
(
2πR Cc + Ce + C )
erreur relative : ∆f0 = f'0−f0 = − Cc + Ce ; A.N. : f’0 = 910 Hz soit -43 % de variation
f0 f0 Cc + Ce + C
3) Soit C''= Ce+Cc+C (AN : C'' = 175 pF)
Re
Cc Ce Re 1 + jωR eC''
R T''= = Re 1
Re R e +R
ve(t) C vs(t) +R 1 + jω R eR C''
1 + jωR eC'' Re + R

Par identification : T0''= R e et τ0''= R eR C''

Re + R Re + R TdB f0 f''
0
0
∆T0 = T0''−T0 = − R ; A.N. : T0’’ = ½, -50 % de variation -6dB
T0 T0 Re + R T’’dB
2π − 2π
∆f0 = τ'' τ = RC − R e(Ce + Cc)
f0 2π R e(Ce + Cc + C)
τ
A.N. : f0’’ = 1818 Hz, soit +14 % de variation

3. Effet de la sonde
Re
1 + jωR e(Cc + Ce)
1) V = = Re
Ve Rs + Re 1 + jωR e(Cc + Ce)
R e + Rs
1 + jωR sCs 1 + jωR e(Cc + Ce) 1 + jωR sCs
2) réelle si Re(Cc+Ce) = RsCs V/Ve = Re/(Re+Rs)
Zeq = Re + Rs = Re + Rs = R e + Rs
1 + jωR e(Cc + Ce) 1 + jωR sCs 1 + jωR e(Cc + Ce) 1 + jω R e + R s R e(Cc + Ce)
Re + R s
Zeq = R eq
1 + jωCeqR eq Re + R s
( )
avec Req = Re+Rs et Ceq = R e Ce + Cc ; AN : Req = 10 MΩ, Ceq = 7.5 pF

3) ∆T0 = R A.N. : T0’’’ = 0.9, soit +10 % (amélioration x5)

T0 R + R eq

Circuits
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∆f0 = RC − R eqCeq
f0 (
R eq Ceq + C) A.N. : f0’’’ = 1627 Hz, soit +2.3 % (amélioration x7)

avantage : impédance ramenée x 10 ---> réduction de l'erreur systématique de mesure

inconvénient : atténuation du signal x 10 à l'entrée de l'oscilloscope + réglage fin
4. fonction de transfert
f1 ’’ f2 f1 ’ V = Re 1 + jωR sCs
0 Ve R e + R s 1 + jω R sR e (Cc + Ce + Cs)
τ1 ’’>τ2 Rs + Re
A= R e
T0dB τ1 = τ2 Re + Rs
τ1 = R sCs ; τ2 = R sR e (Cc + Ce + Cs)
R s + Re
τ1’<τ2
lim V = R e
π /2 ω → ∞ Ve R s + R e
τ1 ’’>τ2
τ1 = τ2
lim V Cs
0 ω → ∞ Ve = Cs + Ce + Cc
- π /2 τ1’<τ2

Circuits
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III.CIR - DIPÔLE DE PROTECTION

Dipôle non-linéaire / Générateurs
Dipôles non-linéaires / droite de charge
Générateur de courant, de tension / équivalence Thévenin-Norton
Puissance / énergie
1. Conditions normales
1) P0 = Va2/Ru (AN : 144 mW) ;Pboum = Ia2Ru
+ Ia (AN : 1 kW) +
Vu circuit à Vu circuit à
Va 2) voir graphe : VQ0 = 12 V ; IQ0 ≈ 0 Ia
protéger (graphiquement) la VDR se comporte comme protéger
un circuit ouvert.
La puissance qu’elle consomme est quasi-nulle.
2. Surintensité
1) IN = Ia (1 A) ; RN = Ru (1 kΩ). ddc voir graphe [(0,1) ; (25,0.975)]
+ circuit à Qi ≈ (22 V, 0.98 A) ; PVDR = VVDRIVDR (AN ≈ 21.5 W)
Ia RN protéger 2) Vu = VVDR Pu = VVDR2/Ru (AN ≈ 462 mW)
Ru = 1kΩ Au repos, la VDR ne joue pratiquement aucun rôle ; en cas de surintensité, sa
caractéristique non-linéaire la rend brusquement passante, et elle absorbe la majorité du
courant, limitant ainsi la puissance dans Ru.
3. Modèle analytique
1,2
ln I1
1) α = I2
ln V1
V2
Qi (AN ≈ -15.4) ;
0.981
−α
I0 = I1 V1 
ddc «surintensité»  V0 
(AN ≈ 100 µA).
Va = 12 V
IVDR = I0
0,8
(AN ≈ 100 µA) ; Ia = 1 A
ddc «normale» VVDR = V0(Ia/I0)-1/α (AN ≈ 21.82 V)
4. Energie absorbée
1) = ΣPVDR∆T
I(A)

0,6

= NPVDR∆T
(Toutes foudres identiques) 

Nmax = max/(PVDR∆T) (AN ≈ 93)

0,4

0,2

Q0
0
0 5 10 V(V) 15 20 22 25

Circuits
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IV.CIR - DROITES DE CHARGES

1. Diode Tunnel
Dipôle non linéaire / point de repos
Diode tunnel / droite de charge / polarisation en tension ou en courant / (résistance différentielle)
1a) Droite de charge
1) VAK = E-RIAK ; passe par (0,E/R) et (E,0) ; AN : ICC = 0.5 mA ; passe aussi par (0.8 V, 0.3 mA)
3 points de repos : PL = (50 mV ; 0.49 mA) ; P0 = (400 mV ; 0.4 mA) ; PH = (640 mV ; 0.34 mA)
2) Si E varie, (0,E/R) et (E,0) varient simultanément ; par contre la pente (-R) est constante translation.
3) graphiquement Emin lorsqu’il n’existe plus que P L on lit : Emin ≈ 0.9 V. Numériquement, à ce moment-là : Vv = E-RIv, soit
Emin = Vv+RIv ; AN ≈ 950 mV.
De même, Emax lorsqu’il n’existe plus que PH on lit : Emax/R ≈ 1.05 mA, soit Emax ≈ 4.2 V. Numériquement, à ce moment-là :
Vp = E-RIp, soit Emax = Vp+RIp ; AN ≈ 4.15 V.
4) Droite de charge plutôt horizontale plutôt polarisation en courant (mais discutable)
1b) Autre polarisation
1) RTH = R II R’ ≈ 116 Ω ; ETH = ER’/(R+R’) ≈ 0.45 V ; ddc passe par (0.45 V ; 0 mA) et (0.31 V ; 1.2 mA) par exemple.
Remarque : ddc presque verticale plutôt polarisation en tension
Graphiquement, on retrouve à peu de chose près le point de repos P0. Il est le seul.
2) P0 est instable : on ne peut y rester à l’équilibre
cas 3 points de repos : on glisse vers l’un ou l’autre des points de repos stables : système bistable (bascule)
cas 1 point de repos instable : pas de point où se stabiliser : système astable (oscillateur)

1.4

1.2

1 IP

0.8
ddc2 Emax
IAK (mA)

0.6
PL

P0
0.4
P ’0 ddc1

PH
0.2

IV Emin

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

VAK(V)

Circuits
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2. Atténuateur variable
Dipôle non linéaire / point de repos / Régime petits signaux
Varistance / droite de charge statique-dynamique / résistance différentielle
α
2) gd = ∂I = I0α V α = α I rd = 1 = V = V0 V1− α
α −1
∂V V0 V gd αI αI0

+ rD
e(t) R Ru vu

3)
R II Ru
A=
rD + R II Ru
1

4) A = ½ pour rD = R II Ru

(
 1−α
)
V =  αIα0 R II Ru  AN : V ≈ 1.68 V I ≈ 1.34 mA
 V0 
Droite de charge statique : V = E-RI E = V+RI ≈ 2.35 V (pente –1/R)
5) A = ¼ rD = 3(R II Ru) P = (1.28 V ; 0.3 mA) E ≈ 1.43 V ; A = ¾ rD = (R II Ru)/3 P ≈ (2.21 V, 5.31 mA) E ≈ 4.9 V
6) En dynamique, v = e-(R II Ru)i ddc dyn passe par P (par définition), de pente –1/(R II Ru)

+ R II rD C
eeq(t) Ru vu

7) Thévenin :
passe-haut de constante de temps τ = [Ru+(rD II R)]C ; fmin C>1/(2πfmin[Ru+(rD II R)]). Pire cas rDmin (A = ¾)
rDmin = (R II Ru)/3 ≈ 83 Ω Req ≈ 570 Ω C>2.8 nF.

4,5

4
ddc stat (A = 0.5)
3,5

3
I (mA)

2,5

i
2
ddc stat (A = 0.25)
1,5
v
1

0,5
ddc dyn (A = 0.5)
0
0 0,5 1 V (V) 1,5 2 2,5

Circuits
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V.CIR - DIPÔLE AMPLIFICATEUR

Dipôle non linéaire / point de repos / régime petits signaux / amplification de puissance
droite de charge statique-dynamique / résistance différentielle / gains / impédance
1. Condition d’amplification
1) P = eff2/(Rs+Ru). 2) P = [Ru eff/(Rs+Ru)]2/Ru. 3) Pu>P Ru/(Rs+Ru)>1 Rs<0 4) I( ) = (Ru) : ampli de tension

    

2. Réalisation
2a) Régime statique.
VAK
IAK

1.4 + DT
E Ru

1.2

2) IAK0 ≈ 0.58 mA ; VAK0 ≈ 0.34 V

1 IP 3) PG0 = EIAK0 (AN ≈ 464 mW) ;

Pente -r PD0 = VAK0IAK0 (AN ≈ 197 mW) ;
PR0 = RuIAK02 (AN ≈ 269 mW).
Rem : PQ0 = PD0+PR0
0.8
2b) Pré-étude dynamique
IAK (mA)

1) tgte à la caractéristique autour de P

∆V ≈ 900 mV pour ∆I ≈ 0.3 mA


0.6 -r ≈ -300 Ω.


2) AvBF = vu/e = Ru/(Ru-r) (AN ≈ 1.6).

3) Pg = eg2/(Ru-r) ;
0.4
Pu = vu2/Ru = eg2G2/Ru = G2Pg
où G = Ru/(Ru-R) (AN = 1.6)
4) On doit rester dans la zone à rD<0.
0.2 ∆VAK+ = Vv-VAK0 ≈ 210 mV ;
IV ∆VAK- = VAK0-VP ≈ 190 mV ;
pire cas : vu =190 mV crête


5) Pu(max) = 11.3 µW
0.1 VP 0.2 0.3 0.4 0.5 VV 0.6 0.7 0.8
PGtot = PG0+Pg = Pg0+(vu/Av)2/(Ru-r)
VAK(V)
AN ≈ 464 mW + 7 µW
2c) Etude en haute fréquence

1) Mettre Z sous la forme : Z = −r + jLω = − r + jLω − ω2 − r LC = − r

1 − ω2LC − j L ω
r ( )
1 − jωrC 1 − jωrC 1 − jωrC
τL = L/r>0 et τC = rC>0, ω02 = 1/(LC).
( )( [( ]


1 − ω2LC − j L ω 1 − jωrC 1 − jω rC 1 − ω2LC + L) )

2) Z = −r r = − r r ; ℜe Z = −r
2 <0
()
1 + ωrC
2
( ) 1 + ωrC
2
1 + ωrC ( ) ( )
1 − jτLω
3) ω << ω0 Z ≈ −r ; AN : τL ≈ 200 psec ; τC ≈ 6 psec : 1/ω0 ≈ 34 psec ; si ω << ω0, alors ω << 1/τC


1 − jτCω
Z ≈ −r (1 − jτ L ω) ; A v = Ru ≈ Ru ≈ Ru 1 (PB 1°ordre)


Ru + Z Ru − r + jLω Ru − r + j L ω
Ru − r
5) ω = Ru − r (AN ≈ 8.33 Grad.sec-1) soit fC ≈ 1.33 GHz. Rem : ω0 ≈ 30 Grad.sec-1 approximation couci-couça
 

C
L

Circuits
 8

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