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Transistor Bipolaire 1 JFA09

Les Transistors Bipolaires


A). Prsentation :
I ). Introduction :
Un transistor est constitu de 3 blocs de silicium dop diffremment (Dop N et Dop P).
II ). Symboles :

Avec un transistor NPN : les tensions et les courants sont tous positifs suivant la convention.
Avec un transistor PNP : les tensions et les courants sont tous ngatifs suivant la convention.
III ). Relations entre les courants :
1). Relations entre les courants :

=
+ =
B C
B C E
I . I
I I I


On appelle | (ou Hfe ou h21) le gain du transistor.
2). Relation de puissance :
B BE C CE D
I V I V P . . + =
Cest la somme des puissances qui rentrent par la base et par le collecteur.
Dans la majorit des cas, la puissance qui entre par la base est ngligeable, par rapport celle du
collecteur, donc :
C CE D
I V P . =
(Sauf en mode satur bloqu).
Transistor Bipolaire 2 JFA09
IV ). Rseaux de caractristiques :
Trois rseaux de caractristiques suffisent pour dfinir le fonctionnement du transistor.

1). Le rseau de sortie :
Cest le 1
er
Quadrant ; il reprsente les courbes
cste Ib
CE C
) V ( f I
=
=
2). Le rseau de transfert en courant :
Cest le 2
me
Quadrant ; il reprsente les courbes
cste VCE
B C
) I ( f I
=
=
3). Le rseau dentre :
Cest le 3
me
Quadrant ; il reprsente les courbes
cste VCE
B BE
) I ( f V
=
=
Transistor Bipolaire 3 JFA09
4). Le rseau de transfert en tension :
Cest le 4
me
Quadrant ; il reprsente les courbes
cste IB
CE BE
) V ( f V
=
=
Il nest pas utilis car inutile.
5). Remarques :
- Dans le 2
me
et le 3
me
les caractristiques sont confondues car elles sont presque
indpendantes de V
CE
.
- Pour un transistor PNP, On trace le mme rseau avec I
C
, V
CE
, I
B
, V
BE
.
V ). Etats du transistor :
1). Bloqu :
Un transistor est bloqu si V
BE
< 0,6V ;
On en dduit alors que I
B
= 0 A, I
C
= 0 A et V
CE
= V
CC

Schma quivalent :

Le plus utilis Le plus simple
Le transistor est alors quivalent un interrupteur ouvert.
2). Linaire :
Un transistor est en linaire si V
BE
= 0,6V ;
On en dduit alors que I
B
0 A, I
C
0 A et V
CE
0 V
Schma quivalent :
Transistor Bipolaire 4 JFA09

Un gnrateur de tension V
BE
= 0,6 V et un gnrateur de courant I
C
=|.I
B.

3). Satur :
Un transistor est satur si V
BE
= 0,6V et Ic=I
C Sat
et |.I
B
= I
C Sat
; avec I
C Sat
le courant maximum
qui peut traverser le collecteur-Emetteur.
On en dduit alors que I
B
0 A et V
CE
= V
CE
Sat
Schmas quivalents :

Le plus utilis Le plus simple
4). SurSatur :
Un transistor est sursatur si V
BE
= 0,6V, Ic=I
C Sat
et |.I
B
> I
C Sat
; avec I
C Sat
le courant maximum
qui peut traverser le collecteur-Emetteur.
On en dduit alors que I
B
0 A et V
CE
= V
CE
SurSat
Schma quivalent :
Transistor Bipolaire 5 JFA09

Le plus utilis Le plus simple
On dfinit alors un coefficient K de sursaturation avec :
SAT C
B
I
I
K
.
= avec 1 < K 10 et plus gnralement 2 K 5
On peut utiliser le calcul de K pour connatre ltat du transistor :
- Si K = 0 alors le transistor est bloqu ;
- Si 0 < K < 1 alors le transistor est en linaire ;
- Si K = 1 alors le transistor est satur ;
- Si K > 1 alors le transistor est Sursatur ;
Transistor Bipolaire 6 JFA09
VI ). Montages Types :
1). Le montage collecteur commun :

Le montage est dit collecteur commun car le collecteur est reli lalimentation , en petits signaux
la masse. On peut alors calculer :
B
E E BE BB
B
I
I . R V V
R

=
B C
CE CC
E
CE CC
E
I I
V V
I
V V
R
+

=
- Inconvnient du montage :
Il faut une tension
E E BE BB
I . R V V + > pour pouvoir saturer le transistor.
Donc ne pas utiliser en mode satur bloqu.
Transistor Bipolaire 7 JFA09
2). Le montage emetteur commun :

Le montage est dit emetteur commun car lemetteur est reli la masse. On peut alors calculer :
B
BE BB
B
I
V V
R

=
C
CE CC
C
I
V V
R

=
- Avantage du montage :
Il faut une tension
BE BB
V V > pour pouvoir saturer le transistor.
Donc utiliser en mode satur bloqu.
B). Exercices :
1). Exercice 1 :
On a le montage suivant :
Transistor Bipolaire 8 JFA09

- Calculer les courants I
B
, I
C
, I
E
.
- En dduire ltat du transistor.
2). Exercice 2 :
On a le montage suivant :

- Calculer les courants I
B
, I
C
, I
E
.
- En dduire ltat du transistor.

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