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CHAPITRE 3 : LA JONCTION P-N (LA FONCTION DIODE)

I. GENERALITES
I.1. Introduction

Une jonction est constituée par la réunion de deux morceaux de semiconducteurs dopés P
et N. les connexions avec le milieu extérieur sont réalisées par des contacts métalliques. Les
jonctions entre le métal et le semiconducteur sont purement ohmiques.
En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où
le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n.
Pour les jonctions PN, on part généralement d’une plaque de semiconducteur dopé N sur
laquelle on crée (par diffusion) une zone dopée P.

Le dopage non uniforme d’un semiconducteur, qui met en présence une région de type N
et une région de type P, donne naissance à une jonction PN.

On peut aussi définir une jonction PN comme une zone d’un échantillon monocristallin
comprise entre une région de type P et une région de type N.

Une jonction PN est la mise en contact entre un semi-conducteur type N et un semi-


conducteur type P issus d'un même cristal. La différence des densités de donneurs et
d'accepteurs ND -NA passe « brusquement» d'une valeur négative pour la région P à une valeur
positive pour la région N.

I.2. Aspect sommaire de fonctionnement

a)- Jonction non polarisée

Soit le semiconducteur à dopage non uniforme qui présente une région P (NA constant)
suivie immédiatement d’une région N (ND constant). La surface de transition entre ces deux
régions est appelée jonction PN abrupte.

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En l’absence de tout champ extérieur et du fait de la continuité du réseau cristallin, les
gaz de trous de la zone P et d’électrons de la zone N ont tendance à uniformiser leur
concentration dans tout le volume à disposition. Ainsi les trous majoritaires de la région P, qui
se trouvent au voisinage de la jonction tendent à diffuser vers la région N où ils sont peu
nombreux, donnant naissance à un courant de diffusion Idp. De même les électrons,
majoritaires dans la zone N, diffusent vers la région P donnant naissance à un courant de
diffusion Idn. Le courant total de diffusion (Id = Idp + Idn) se dirige conventionnellement de P
vers N.

Les porteurs majoritaires, en quittant leur zone d’origine, laissent au voisinage de la


jonction des atomes liés au réseau qui se trouvent ionisés négativement du coté P et
positivement du coté N. Le lieu ou réside cette charge d'espace est appelé zone de charge
d'espace ou zone de déplétion. Il en résulte un champ électrique interne local dirigé de N vers
P qui tend à freiner la diffusion des porteurs. On dit qu’il y a apparaît à la jonction une
barrière de potentiel qui s’oppose à la diffusion des porteurs majoritaires.

Sous l’action de ce champ interne, les porteurs minoritaires (électrons dans la zone P
et trous dans la zone N) voisins de la jonction vont passer dans la zone de type opposé à leur
zone d’origine. Ces déplacements donnent naissance à des courants inverses Iin et Iip dont la
somme forme un courant Ii = Iin + Iip dirigé conventionnellement de N vers P. A l’équilibre
thermodynamique, le courant qui traverse la jonction est nul autrement dit : Id + Ii = 0

En raison de la présence, dans cette zone, d'un champ électrique intense, la densité de
porteurs libres dans cette région est négligeable à l'équilibre thermodynamique. En outre les
frontières entre la zone dépeuplée et les zones neutres de la jonction sont très abruptes.

En résumé, les porteurs minoritaires induisent le courant de diffusion ; les


porteurs majoritaires créent le courant de saturation. En l'absence de polarisation, ces
deux courants sont égaux.

b)- Jonction polarisée

Maintenant on applique entre les régions les régions P et N une différence de potentiel
obtenue (V = VP – VN) au moyen d’une source de tension extérieure.

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 En polarisation directe : le pôle + de la source extérieure est relié à la région P qui
devient moins négative et le pôle – à la région N qui devient moins positive. Dans cette
situation le champ externe créé par le générateur s'oppose au champ interne. La barrière
s’abaisse de V. Dès que le champ externe dépasse le champ interne, un courant des
majoritaires s'établit à travers la jonction. Un grand nombre de porteurs majoritaires diffuse et
Id croît. Par contre le courant dû aux porteurs minoritaires est peu affecté. Il existe pour une
jonction une tension de seuil qui est caractéristique du matériau

 En polarisation inverse : le champ électrique externe créé par le générateur s'ajoute au


champ interne de la jonction, la hauteur de la barrière de potentiel augmente.la barrière de
potentiel s’élève et s’oppose à la diffusion des porteurs majoritaires. Le courant de diffusion
peut pratiquement s’annuler. Il ne reste que le courant inverse Ii dû aux porteurs minoritaires,
C'est le courant inverse ou courant de fuite. Ce courant dépend peu de la barrière de
potentiel mais dépend essentiellement de la nature du semiconducteur et de la température.

II. ETUDE DE LA JONCTION NON POLARISEE


En l’absence de perturbation extérieures et à l’équilibre thermodynamique, le niveau de
Fermi est le même dans tout le semiconducteur.
On désigne par :
np0 et pp0 : la densité à l’équilibre des électrons et des trous dans la région P (loin de la
zone de transition)
nn0 et pn0 : la densité à l’équilibre des électrons et des trous dans la région N (loin de la
zone de transition)
ND : l’excès de densité de donneurs sur celle des accepteurs en région N. ND = (ND – NA)N
NA : l’excès de densité des accepteurs sur celle des donneurs en zone P. NA = (NA – ND)P.

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A température ambiante les impuretés sont toutes ionisées :

II.1. Approximation : jonction abrupte

Le passage d’un type d’impuretés à l’autre se fait brutalement au niveau de la jonction


(x=0). Dans les jonctions réelles, les taux d’impuretés varient de façon plus ou moins rapide
dans la zone de transition. Le modèle ainsi idéalisé est pour certaines jonctions très proches de
la réalité.

Dans le cadre de cette approximation on peut admettre que :


- Loin de la limite, l’échantillon reste neutre ==> la densité locale de charge est nulle.
coté P : (-d p  x   x 0p )  = e(p - N A - n) = 0 p N A et n 0
coté N : (x 0n  x  d n )  = -e(p - N D - p) = 0 n N D et p 0
- La double couche d’atomes qui forme une charge d’espace au voisinage de la jonction
est limitée à une zone de transition comprise entre deux abscisses -x 0p et x 0n (hors de
cette zone la charge d’espace est nulle). Dans cette zone la différence p0 – n0 des
porteurs de charges libres est négligeable par rapport aux concentrations en impuretés.
Ainsi la charge d’espace ρ est :
coté P : (  x 0p  x  0)  = e(p - N A - n) = -eN A
coté N : (0  x  x 0n )  = -e(p - N D - p) = eN D

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II.2. Profil des énergies caractéristiques – Barrière de potentiel

A l’équilibre il ne circule aucun courant dans la jonction ==> le niveau de Fermi E F est le
même en tout point du semiconducteur. En outre EF est :
* d’autant plus proche de la BV que le caractère p est accentué,
* d’autant plus proche de la BC que le caractère n est accentué,
En dehors de la zone de charges d’espace la forme des bandes est inchangée.
L’énergie totale des électrons est plus élevée du coté P que du coté N.

Des égalités Jn = 0 et Jp = 0 on va déduire Ex avec

En remplaçant, dans l’égalité (1), Ex et μn par leur expression, on obtient :

Après intégration et transformations judicieuses, la ddp interne entre les deux régions de
la jonction est :

Vn (resp Vp) étant le potentiel en région N (resp en région P) loin de la ZDE

L’équation de Poisson :

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III. JONCTION PN POLARISEE (PAR UNE TENSION CONTINUE)
III.1. Jonction polarisée en inverse

Le pôle - de la source attire les trous (+) et le pôle + attire les électrons. La barrière de
potentiel s'élargit. ==> Toute conduction devient impossible, le système est bloqué.

Limite physique du blocage


L'épaisseur du dispositif restant dans la pratique très faible (quelques dixièmes de mm), il
arrive un moment où la tension positive devient suffisamment grande pour arracher des
électrons dans la zone neutre. Ces électrons sont fortement accélérés, et leur grande vitesse
libère d'autres électrons par chocs. Les électrons, de plus en plus nombreux, rendent toute la

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masse conductrice. Le montage se trouve tout à coup en court-circuit. Ce phénomène est
appelé "effet d'avalanche" ou "claquage".

Épaisseur de la ZCE en polarisation directe.

Dans la relation obtenue pour une jonction non polarisée

En remplaçant Vb par la barrière de potentiel de la jonction polarisée V"b = Vb - Vj avec


Vj est la différence de potentiel créée par la source extérieure au niveau de la jonction . Pour
une polarisation inverse, cette grandeur Vj est négative.

on obtient :

En appliquant une polarisation inverse, on augmente la largeur de la zone désertée

Le courant inverse.

En polarisation inverse, la densité des trous à la sortie de la ZCE du côté "N" devient :

p"n = pn exp-(qV"b/kBT) avec : V"b = Vb - Vj et :

de la même manière la densité des électrons à la sortie du la ZCE du côté "P" est :

Le même calcul que pour le courant direct mène à la même relation :

mais comme Vj est négative exp(qVj/kBT) tend vers 0, le courant inverse Ii est :
Ii = - Is
Le courant inverse traversant une jonction polarisée en inverse est très faible,
indépendant de la tension appliquée et varie fortement avec la température.

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III.2. Jonction polarisée en directe

Le pôle + de la source attire les électrons et apporte des trous dans le circuit.
Le pôle - de la source attire les trous et apporte des électrons dans le circuit.
Au fur et à mesure que la tension s'élève, la barrière de potentiel se rétrécit. Elle finit par
disparaître et le courant peut circuler. Il existe une tension seuil (pour une jonction PN) qui est
caractéristique du matériau (Vs ≈ 0,6 V pour le Si et 0,2 V pour le Ge).

Épaisseur de la ZCE en polarisation directe.

Dans la relation obtenue pour une jonction non polarisée

En remplaçant Vb par la barrière de potentiel de la jonction polarisée V'b = Vb - Vj avec


Vj est la différence de potentiel créée par la source extérieure au niveau de la jonction . Pour
une polarisation directe, cette grandeur Vj est positive.

on obtient :

En appliquant une polarisation directe, on diminue la largeur de la zone désertée

III.3. Caractéristiques courant - tension

a) Densité de courant

Base = région la moins dopée Emetteur = la région la plus dopée


L’étude se fera dans zone N

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La densité totale de courant est : Jn + Jp = Jnc + Jnd + Jpc + Jpd
En plus, hors de la zone de transition, la charge d’espace est nulle. Ainsi tout
accroissement de la concentration des porteurs minoritaires est compensé en tout point,
presque immédiatement, par un accroissement identique des porteurs majoritaires, autrement
dn dp
dit : = c’est la relaxation diélectrique.
dx dx
D
==> J nd = - n J pd or J nc >>J pc car les porteurs majoritaires sont beaucoup plus nombreux
Dp
que les porteurs minoritaires. Donc la densité de courant des porteurs minoritaires est
essentiellement due à la diffusion : Jp ≈ Jpd

Exercice d’application
Une jonction PN abrupte au Germanium (Ge) est dopée d’un côté avec 10 20 atomes
de Bore par m3 et de l’autre côté avec 1021 atomes de Phosphore par m3.
Si Eg = 0,66eV à T=300°K, NC = 1,04.1019cm-3, NV = 6.1018m-3et εr = 16 calculer :
1. La concentration intrinsèque ni ?
2. La concentration en majoritaires et minoritaires de chaque côté ?
3. Le potentiel de diffusion Vf ?
4. La largeur de la ZCE ?

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Solution
1. On part des expressions de n et p en fonction de NC et NV pour avoir ni² puis déduire ni.
2., 3. Et 4.En nous servant des expressions obtenues aux pages 32-36

b) Caractéristiques courant – tension

 Jonction ou diode idéale

Une jonction qui bloquerait totalement en inverse sans courant de fuite et sans claquage et
qui conduirait un courant infini en direct sans chute de tension serait une diode idéale.
Id

sous polarisation “directe”


(“Ud0”), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)

Ud
sous polarisation “inverse” (Ud<0)
la diode = circuit ouvert
Cette diode est théorique, elle n’existe pas.

 Jonction ou diode réelle

Id
140
comportement linéaire
100

60

20
Is
Vo
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 Vd
Hypothèse : régime statique ==> tension et courant indépendantes du temps.

Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1µA ,

 La diode est dite “bloquée”


 Dans ce domaine son comportement est approximativement linéaire
 Le courant “inverse”, Is , augmente avec la température

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Pour Vd >>V0(≈0.7V), le courant augmente rapidement avec une variation à peu près
linéaire

 La diode est dite “passante”


 Mais Id n’est pas proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo)

Zone « du coude » : augmentation exponentielle du courant

Avec 1n 2 (facteur “d’idéalité”),


  V   VT = kT/e avec k=1,38.10-23 J/K (constante de Boltzmann)
Id  Is exp  d  -1
  n VT  

 Le comportement est fortement non linéaire


 Forte variation avec la température

 Limite de fonctionnement

 Zone de claquage inverse

Id

VdId=Pmax
Vmax

Vo Vd

claquage par effet Zener


ou Avalanche
Vmax = « P.I. V » (Peak Inverse Voltage) ou « P.R.V » (Peak Reverse Voltage)

Limitation en puissance (1/2W pour les diodes standards) Il faut que VdId=Pmax
Influence de T : diode bloquée : Id = IS double tous les 10°C (diode en Si)

diode passante : Vd (à Id constant) diminue de ~2mV/°C

 Diodes dans un circuit et droite de charge

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Point de fonctionnement

 Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse?
Id
Val Vd Id , Vd,
RL V
R
?

 Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

 Id et Vd sont sur la caractéristique I(V) du composant

 Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions


Droite de charge

 Loi de Kirchoff :  Id 
Val  Vd
= Droite de charge de la diode dans le circuit
RL

Caractéristique I(V)

Id
Val/RL
Q
IQ Q= Point de fonctionnement

« Droite de charge »

Vd
VQ Val

 Connaissant Id(Vd) on peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement


! procédure valable quelque soit la caractéristique I(V) du composant !

 On peut “calculer” le point de fonctionnement en décrivant la diode par un modèle simplifié.

 Modèle statique

Hypothèse : Id, Vd constants ou à variation lente (pas d’effets transitoires).


=“modèles grands signaux, basses fréquences”

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Modèle de “première” approximation: Diode « idéale »

 On néglige l’écart entre les caractéristiques réelle et idéale


Id
 pas de tension seuil Id
 conducteur parfait sous polarisation directe
Vd Vd
 Vd <0: circuit ouvert

 Schémas équivalents : Ri
Id
pente=1/Ri diode “passante”
Val  Id  0

Val >0 Vd Val


Id  , Vd  0
Ri Val Ri

Val Id Ri
diode “bloquée”
Val  Vd  0
Val< 0 Vd
Val I d  0, Vd  Val

Modèle amélioré de « seconde approximation »

 tension seuil Vo non nulle Id


Id
 caractéristique directe verticale
(pas de “résistance série”) Vd
 Vd <0: circuit ouvert Vd
Vo
! Pour une diode en Si: Vo  0,6-0,7 V

schémas équivalents :
 Schémas équivalents Id
Ri
diode “passante”
pente=1/Ri
Val  Id  0
Vo
Val >Vo Vd Val  Vo
Id  , Vd  Vo
Ri Vo Val Ri

Val Id Ri
diode “bloquée”
 Vd  Vo
Val<Vo Vd Val
I d  0, Vd  Val
Val

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Modèle de 3ième Approximation
Caractéristique réelle
Id pente = 1/Rf
 tension seuil Vo non nulle
 résistance directe Rf non nulle Vd
 Vd <0: résistance Rr finie pente = 1/Rr~0 Modélisation

! Pour une diode en silicium, Vd


Vo = 0,6-0.7V, Rf ~ q.q. 10 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
 Rr >> M Vo

 Schémas équivalents
schémas équivalents :
Id
Val >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
V Val Vd Id  I d  0 et Vd  Vo
Vo Val d
Rf  Vd  Vo  R f I d

Id
Ri
Val <Vo :
Vd diode bloquée
Val  Vd  Vo
Val Rr

Calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas équivalents :

Problème: le schéma dépend de l’état (passante ou bloquée) de la diode. Il y a deux schémas


équivalents possibles… Lequel est le bon?

Démarche (pour débutant...):


a) choisir le schéma (ou état) le plus vraisemblable (en vous aidant
par exemple de la droite de charge)

b) calculer le point de fonctionnement Q de la diode

c) vérifier la cohérence du résultat avec l’hypothèse de départ

S’il y a contradiction, il y a eu erreur sur l’état supposé de la diode.


Recommencer le calcul avec l’autre schéma.

Démarche pour étudiants entraînés...


Un coup d’œil attentif suffit pour “deviner” l’état (passant/bloqué) de la diode !
Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schéma équivalent...

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 Exemple

IV. AUTRES TYPES DE DIODES

IV.1. Diodes Zener

La diode Zener est conçue pour présenter, dans sa caractéristique inverse, une zone de
« claquage contrôlée », dans laquelle le courant inverse augmente rapidement sans
augmentation significative de la tension et sans endommager la diode. En outre, au delà d’un
courant minimal (Imin), la caractéristique est quasiment linéaire.
Toute diode Zener est aussi caractérisée par un courant inverse maximal à ne pas franchir
au risque de détruire le composant.
C'est une diode destinée à la régulation de tension, c'est-à-dire qu'utilisée correctement,
elle assure une tension constante et stable.

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Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une tension
seuil négative ou « tension Zener » (VZ)


Caractéristiques VZ : tension Zener (par définition: VZ
Id >0)
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au delà
-Vz Vd duquel commence le domaine linéaire “Zener”
-Imin
Imax : courant max. supporté par la
diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)
Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01-
-Imax 0,1mA, Pmax  régime de fonctionnement

 En sens direct : cette diode fonctionne comme une diode conventionnelle et ne


présente pas d'intérêt particulier.
 En sens inverse : c'est le domaine d'utilisation de la diode Zener.

 schémas équivalents Modèle statique :

hyp : Q  domaine Zener

Rz
Vd
Id

Id
Vz
+
-Vz Vd
-Imin
Q
pente
1/Rz

-Imax

IV.2. Les diodes de protection

Ces diodes sont principalement destinées à protéger les composants semi-conducteurs


contre les surtensions dangereuses. Comme les diodes Zener, on les branche en inverse. Elles
conduisent à partir des tensions élevées.

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IV.3. Les diodes Schottky

Elles sont constituées d’un contact redresseur entre un métal et un semiconducteur


(contact Schottky). Par rapport à une jonction PN, leur tension de seuil sont faibles, ce qui les
rapproche d’un interrupteur parfait. Elles sont utilisées dans les circuits numériques rapides.

IV.4. Diodes Varicap

Une diode varicap est une diode à capacité variable.


La diode varicap est une diode dont la capacité parasite de forte valeur est modifiable en
fonction du courant la traversant. Elle est très utilisée en radio puisqu'elle permet un ajustage
électronique d'une capacité.
Elle utilise la variation de Ct avec Vd en polarisation inverse.

IV.5. Les diodes électroluminescentes et les photodiodes

Les photodiodes sont des jonctions PN polarisées en inverse qui, lorsqu’elles sont
éclairées par une lumière infrarouge ou visible, délivrent un courant proportionnel à l’intensité
de la lumière incidente.

Les diodes électroluminescentes sont des jonctions PN polarisées en direct qui peuvent
émettre des photons lors de la recombinaison d’électrons libres revenant à l’état lié. La
fréquence de la lumière dépend du gap du semiconducteur.

V. APPLICATIONS - REDRESSEMENT

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47
EXERCICES
EXERCICE N° 1

On considère une jonction P-N dont les caractéristiques sont données ci-dessous.

Déterminer les caractéristiques de la région de charge


d’espace (hauteur et largeur) dans les différents cas suivants :
1°) ND = 1018 cm-3, NA = 1016 cm-3
2°) ND = 5 1018 cm-3, NA = 2,5 1016 cm-3
On étudiera successivement le cas du Ge et du Si.

Déduire de ces résultats les dimensions électriques des


régions N et P.
Même question dans le cas où les deux régions ont des dopages identiques égaux à N = 1016
cm-3.
Pour le silicium, ni = 1,6 1010 cm-3 et pour le germanium, ni = 2,5 1013 cm-3.

EXERCICE N° 2

On reprend le cas de la diode correspondant à l’exercice précédent (ND = 5 10 18 cm-3, NA =


2,5 10 16 cm-3).
Recalculer les dimensions électriques des régions dans les cas suivants:
Diode au silicium polarisée par:
1- Une tension directe de 0,6 V
2- Une tension inverse de 5 V
Diode au Germanium polarisée par:
3- Une tension directe de 0,3 V
4- Une tension inverse de 5 V

EXERCICE N° 3

La concentration en impuretés des zones P et N d’une jonction abrupte au silicium est


NA=1018 cm-3 et ND=1015 cm-3. Pour une température de 300K, déterminer :
1- La d.d.p. interne Vd de la jonction.
2- Les longueurs de diffusion xn et xp ainsi que la largeur de la barrière de potentiel xt.
3- La valeur maximale du champ électrique Emax.
On donne ni² =2,6 1020 cm-6, VT=26 mV et εrε0=10-12 F/cm.

EXERCICE N° 4

Soit une jonction PN diffusée constituée d'une région dopée N, de concentration en atomes
donneurs Nd non connue, et d'une région plus faiblement dopée P, de concentration en atomes
accepteurs Na = 10l6 cm-3.
A l'équilibre (tension appliquée V = 0 volt), le champ électrique E varie linéairement avec la
distance x à l'intérieur de la zone désertée de type p (de largeur d p) suivant la loi E(x) = Ax +
B.

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1) Etablir la relation E(x) liant l'intensité du champ à une position quelconque x, pour x
compris entre x = 0 (position de la jonction) et x = dp (limite de zone désertée côté p) : le
champ sera supposé nul pour x supérieur ou égal à dp. Vérifier que A est négatif.

2) Donner l’expression de la valeur maximale du champ.

3) Montrer que l'intégrale de la fonction E(x), prise entre x = 0 et x = dp, est égale à la tension
de diffusion V0.

4) Exprimer dp en fonction de V0. Calculer dp pour V0 = 0,8 V ( = 1,04.10-10 F/m).

EXERCICE N° 5

On considère une jonction PN sur AsGa. La région N est beaucoup plus dopée que la région P
(Nd >> Na).
L’extension dp de la zone désertée côté P est reliée à la tension de diffusion V0 par la relation
dp = (2  V0/Na e)1/2 .
Des mesures de capacité, en fonction de la tension inverse appliquée, ont donné les résultats
suivants :
C en pF 780 540 440 380 340 310
VR en V 0 1 2 3 4 5

1) Donner l’expression de la capacité C de la jonction en fonction de VR.


2) A partir des mesures, déterminer la tension de diffusion Vo et le dopage Na.
3) Quelle serait l'indication du capacimètre si le dopage était divisé par 3 ?
On donne r 0 = 8,85 10-12 F.m-1 ; S = 1 mm2

EXERCICE N° 6

Soit une jonction P-N abrupte à T = 300 K telle que, du côté P, la densité de trous est fixée
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par dopage à la valeur pp0 = 5.10 cm-3 et, du côté N, la densité des électrons à la valeur
19 -3
nn0 = 4.1014 cm-3 . On donne Nc = Nv = 10 cm , Ec – Ev = 1,1 eV et ni = 7.109 cm-3.

1) Calculer la position du niveau de Fermi loin de la jonction dans chacune des 2 régions.
2) Calculer la différence de potentiel interne, ou hauteur de barrière V0 à l’équilibre. Tracer le
schéma de bandes correspondant.
3) Déterminer la concentration de porteurs en équilibre dans chaque extrémité du matériau.

On veut déterminer la variation de potentiel dans la jonction à partir de l’équation de Poisson


sachant que la permittivité du semiconducteur vaut environ 10 fois celle du vide.
4) Déterminer le champ électrique et le potentiel et représenter leur variation dans la zone de
charge d’espace côté N.

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5) En supposant que la variation de potentiel se fait essentiellement du côté N déterminer
l’extension de la charge d’espace dn. Calculer sa valeur numérique et vérifier que
l’extension côté P est négligeable.
6) On applique à la jonction une polarisation inverse de 5 V. Comment se transforme le
schéma de bandes ? Quelle est la nouvelle extension de la zone de charge d’espace ?

On polarise la jonction dans le sens direct (passant) sous une tension de 0,2 V.
7) Dessiner la nouvelle structure de bandes après polarisation.
8) Dans cette situation, la densité de porteurs minoritaires pn augmente au point x = 0, limite
entre zone désertée et zone neutre coté N. Calculer cette nouvelle concentration pn(x = 0).
9) Donner la formule théorique de la caractéristique I(V) d’une jonction idéale. Quels sont les
paramètres qui influent sur le courant de saturation ?

EXERCICE N° 7

Soit le circuit à diode suivant :

On veut imposer un courant I0 = 1 mA à partir d’une source U0 = 2 V.


- En utilisant le modèle exponentiel de la diode, calculez
a) la chute de tension aux bornes de la diode
b) la résistance R nécessaire pour imposer le courant I0
c) la résistance dynamique de la diode au point de fonctionnement
- En utilisant le modèle simplifié de la diode (UD = Uj = 0.7 V), calculez le courant I0 en
prenant la même résistance que celle trouvée précédemment.

EXERCICE N° 8

Déterminer dans chacun des cas suivants la concentration en électrons et trous ainsi que la
résistivité d'un échantillon de silicium :
Cas 1 : intrinsèque (non dopé intentionnellement),
Cas 2 : dopé au bore à 1015 cm−3,
Cas 3 : dopé au bore à 5.1015cm−3, au phosphore à 2.1019cm−3.
Conclure sur l’effet du dopage sur la résistivité du silicium.

Données : ni(300 K)=1010 cm−3, μe=1350 cm2.V−1.s−1, μp=450 cm2.V−1.s−1.

EXERCICE N° 9

A 25°C, le courant inverse d’une diode au silicium est de 25 nA. La composante de fuite
superficielle est de 20 nA. A 75°C le courant de fuite superficielle est encore de 20 nA.
Calculer le courant inverse total.

50
EXERCICE N° 10 (Questions de cours)

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