Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
Uziemienia i EMC
Uziemienia i EMC
Uziemienia – Podstawy obliczeń i projektowania
Prof. Henryk Markiewicz i Dr Antoni Klajn
Politechnika Wrocławska
Czerwiec 2003
Niniejszy Poradnik został opracowany jako część europejskiego programu edukacyjnego i szkoleniowego Jakość
Zasilania Inicjatywa Leonardo (LPQI), wspieranego przez Komisję Europejską (w ramach Programu Leonardo da
Vinci) i Międzynarodowe Stowarzyszenie Miedzi. Dla uzyskania bliższych informacji odwiedź stronę LPQI www.lpqi.org.
Europejski Instytut Miedzi, Deutsches Kupferinstitut i Polskie Centrum Promocji Miedzi zrzekają się wszelkiej odpowiedzialności
za wszelkie bezpośrednie lub pośrednie skutki jak również nie przewidziane szkody, które mogą być poniesione w wyniku użycia
informacji lub nieumiejętnego użycia informacji lub danych zawartych w niniejszej publikacji.
Copyright© European Copper Institute, Deutsches Kupferinstitut and Polskie Centrum Promocji Miedzi.
Reprodukcja materiału zawartego w niniejszej publikacji jest legalna pod warunkiem reprodukcji w całości i po dania jej źródła.
Promocja LPQI w Polsce prowadzona jest w ramach Polskiego Partnerstwa Jakości Zasilania:
Politechnika Wrocławska Akademia Górniczo-Hutnicza Instytut Szkoleniowy Schneider Electric Polska Medcom Sp. z o.o.
Uziemienia i EMC
1
Uziemienia – Podstawy obliczeń i projektowania
2
Uziemienia – Podstawy obliczeń i projektowania
Omówione uwarunkowania sprawiają, że zarówno obliczanie rezystancji układu uziomowego jak i planowanie konstruk-
cji uziomu może być przeprowadzane przy ograniczonym poziomie dokładności.
3
Uziemienia – Podstawy obliczeń i projektowania
Podstawowym modelem pozwalającym na zilustrowanie zasadniczych właściwości elektrycznych uziomu, jest uziom o
kształcie półkuli pogrążony w gruncie tak, jak to przedstawiono na rys. 3. Dla takiego kształtu uziomu zakłada się promie-
nisty rozkład prądu uziomowego IE, czego konsekwencją jest założenie, że kolejne półkule wewnątrz gruntu, w szczegól-
ności półkula o elementarnej grubości dx (rys. 3), są powierzchniami ekwipotencjalnymi, a linie rozpływu prądu IE są do
nich prostopadłe. Przy takich założeniach rezystancja półkulistej warstwy gruntu o grubości dx i promieniu x , dla stałej
wartości rezystywności gruntu ρ wyraża się zależnością:
ρ
dR = dx (2)
2π · x2
Rezystancja uziemienia jest zatem określona równaniem:
∞
ρ dx ρ
R= ∫
2π r x 2
=
2 πr
(3)
Rezystancja uziemienia zależy w dużym stopniu od głębokości pogrążenia metalowych elementów uziomu. Jest to spo-
wodowane głównie tym, że wilgotność gruntu rośnie wraz jego głębokością. Drugim istotnym czynnikiem jest znacz-
nie większa stabilność wilgotności i temperatury w głębszych warstwach gruntu w porównaniu z warstwami płytszymi.
Warstwy płytsze wysychają i nasiąkają wodą jak również ulegają zamrożeniu zależnie od warunków atmosferycznych,
co jest powodem znacznych zmian rezystancji uziemienia. Problem ten jest przykładowo zilustrowany na rys. 4, gdzie
pokazano zmiany rezystancji pionowego uziomu prętowego w funkcji jego długości, dla określonych stałych warunków
pogodowych. Widoczny jest wyraźny wzrost rezystancji wraz ze skracaniem długości uziomu. Wykonanie uziomów pio-
nowych nie jest jednak wszędzie możliwe bądź to ze względu na warunki geologiczne, np. w gruncie skalistym, bądź ze
względu na inne czynniki, takie jak przykładowo pożądany równomierny rozkład potencjału, co można uzyskać konstru-
ując rozległy uziom poziomy.
4
Uziemienia – Podstawy obliczeń i projektowania
5
Uziemienia – Podstawy obliczeń i projektowania
6
Uziemienia – Podstawy obliczeń i projektowania
7
Uziemienia – Podstawy obliczeń i projektowania
Wnioski
Rezystancja uziemienia i rozkład potencjału na powierzchni gruntu są głównymi parametrami charakteryzującymi wła-
ściwości układów uziomowych.
Parametry elektryczne układu uziomowego zależą tak od właściwości gruntu jak i od konÞguracji uziomu. Właściwości
gruntu są charakteryzowane przez jego rezystywność, która może się zmieniać w szerokim zakresie od kilku Ωm do kil-
ku tysięcy Ωm zależnie od rodzaju gruntu, jego struktury i wilgotności. W efekcie tego obliczenie dokładnej wartości re-
zystancji uziemienia nie jest zadaniem łatwym. Wszystkie zależności opisujące rezystancję uziemienia zostały wyprowa-
dzone przy założeniu jednorodnej struktury gruntu i stałej wartości rezystywności.
Idealnym rozkładem potencjału byłby rozkład płaski wokół uziomu. Rozkład potencjału jest parametrem istotnym w
ochronie przeciwporażeniowej i determinuje wartości napięć dotykowych i krokowych. Najmniej korzystny rozkład po-
tencjału mają uziomy pionowe, podczas gdy najbardziej „płaski” rozkład potencjału na powierzchni gruntu ma uziom
kratowy.
Przy projektowaniu uziemienia należy uwzględnić jego właściwości udarowe. Bardzo duże wartości prądu powodują
zmniejszenie się rezystancji wskutek istnienia silnego pola elektrycznego pomiędzy metalowymi częściami uziomu a zie-
mią, podczas gdy duże szybkości narastania prądu powodują zwiększenie impedancji wskutek istotnego wpływu reaktan-
cji elementów uziomu. Impedancja uziemienia jest superpozycją obydwu tych zjawisk.
LITERATURA
[1] HD 637 S1 “Power installations exceeding 1 kV a.c.”, 1999.
[2] ABB Switchgear Manual, 10th edition, Dusseldorf, Cornelsen Verlag 1999.
[3] IEC 364-5-54: 1980 “Electrical installations of buildings – Part 5: Selection and erection of electrical equipment – Chapter 54: Earthing
arrangements and protective conductors”
[4] Rudolph W., Winter O. EMV nach VDE 0100. VDE-Schriftenreihe 66. VDE-Verlag GmbH. Berlin, Offenbach, 1995.
8
Partnerzy główni i referencyjni
European Copper Institute Engineering Consulting & Design Polskie Centrum Promocji Miedzi
(ECI) (ECD) (PCPM)
Web: www.eurocopper.org Web: www.ecd.it Web: www.miedz.org.pl
Akademia Górniczo-Hutnicza Hochschule für Technik und Wirtschaft Provinciale Industriele Hogeschool
(AGH) (HTW) (PIH)
Web: www.agh.edu.pl Web: www.htw-saarland.de Web: www.pih.be
Zespół redakcyjny
David Chapman (Chief Editor) CDA UK david.chapman@copperdev.co.uk
Politechnika Wrocławska
Wybrzeże Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław
Polska
Tel: 00 48 71 320 34 24
Fax: 00 48 71 320 35 96
Email: henryk.markiewicz@pwr.wroc.pl
Web: www.pwr.wroc.pl
Dr Antoni Klajn
Politechnika Wrocławska
Wybrzeże Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław
Polska
Tel: 00 48 71 320 39 20
Fax: 00 48 71 320 35 96
Email: antoni.klajn@pwr.wroc.pl
Web: www.pwr.wroc.pl