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Chapitre 3 : La diode

3.1 Introduction
3.2 Historique
3.3 Les semi-conducteurs
3.4 La jonction PN

1 INTRODUCTION A L ELECTRONIQUE ANALOGIQUE Chapitre 3 : Jonction PN et Diodes


3.1 Introduction

La diode:
- Dipôle passif polarisé à caractéristique non linéaire

- Ne laisse passer le courant que dans un sens

- Composant essentiel dans de nombreuses applications

2 INTRODUCTION A L ELECTRONIQUE ANALOGIQUE Chapitre 3 : Jonction PN et Diodes


3.2 Historique

En quelques dates …
1874 – Karl Ferdinand Braun
• Premier dispositif capable de faire passer le courant
électrique dans un sens, le bloquant dans l’autre sens

Cristal de Galène Ancêtre de la Diode Schottky

1890 – John Ambrose Fleming


• Terme ‘diode’ utilisé pour la 1ère fois pour la diode à
vide

Diode à vide

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3.2 Historique

En quelques dates …
1901– Peter Cooper Hewitt
• Création de la diode à vapeur de mercure
• Application redresseur de tension/courant (AC - >DC)

Redresseur au mercure de la Tour de Bosenberg

1947– William Shockley, …


• Diode à semi-conducteur (Ge, Si), diode à jonction PN

Polarisation directe Polarisation inverse

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3.3 Semi-conducteur

Matériaux
Eléments du Groupe IV ou III/V de la classification périodique

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3.3 Semi-conducteur

Silicium…
Semi-conducteur le plus utilisé
• Pour une énergie cinétique suffisante, certains des
électrons de valence rompent leurs liaisons avec la
structure du réseau et deviennent disponibles en tant
qu‘électrons de conduction.
• Ces électrons libres permettent le passage du
courant dans un semi-conducteur.

Si Si Si

Si Si Si

Si Si Si

Structures à 4 e- de valences

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3.3 Semi-conducteur

Problème …
Utilisation à des températures normales (sans chaleur) → Dopage

Le Dopage :
• Consiste à ajouter des impuretés à la structure cristalline
• N-Type Dopage (Composant de la V colonne)

Si Si Si
Exemple:
e-
• On ajoute des atomes de Phosphores
(5 e- dans la bande de valence) Si P Si
• Atomes de phosphore =donneurs
• Silicium dopé avec des donneurs:
• N type semi-conducteur
Si Si Si

Dopage type N

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3.3 Semi-conducteur

Problème …
Le Dopage :
• Consiste à ajouter des impuretés à la structure cristalline
• P-Type Dopage (Composant de la III colonne)

Si Si Si
Exemple:
• On ajoute des atomes de Bore (3 e- t+

dans la bande de valence)


Si B Si
• Place vacante =Trou
• Atomes de Bore = accepteurs
• Silicium dopé avec des accepteurs:
• P type semi-conducteur Si Si Si

Dopage type P

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3.3 Semi-conducteur

Jonction PN …
Juxtaposition d’un semi-conducteur dopé N avec un semi conducteur
dopé P :

Si Si Si Si Si Si

t+ e-

Si B Si Si P Si

Si Si Si Si Si Si

Dopage type P Dopage type N

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3.4 La jonction PN

Jonction PN …

Juxtaposition d’un semi-conducteur dopé N avec un semi


conducteur dopé P
P N
- - - - - + + + + +

- - - - - + + + + +

- - - - - + + + + +

Dopage type P Dopage type N

porteur libre de type électron, e-


porteur libre de type trou, t+
- atome ionisé négatif par la perte d’un t+
+ atome ionisé positif par la perte d’un e-

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3.4 La jonction PN
Jonction PN à l’équilibre
P N P N
- - - - - + + + + + - - - - - + + + + +

- - - - - + + + + + - - - - - + + + + +

- - - - - + + + + + - - - - - + + + + +

Attraction des porteurs à l’interface Recombinaisons de paires e- / t+

P N
- - - - - + + + + +

- - - - - + + + + +

- - - - - + + + + +

Création d’une zone de charge


ZCE: zone de d’espace, ZCE
déplétion, pas de
porteurs libres (raréfaction de porteurs libres, il ne reste plus que
des atomes ionisés)

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3.4 La jonction PN

Jonction PN à l’équilibre …
Création d’un courant de saturation

P Isat N

- - - - - + + + + +

- - - - - + + + + +

- - - - - + + + + +

Ei

Création d’un champ électrique intrinsèque Ei


(raréfaction de porteurs libres, il ne reste plus que des atomes ionisés)

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3.4 La jonction PN

Jonction PN polarisée par une tension U ….

En directe : U>0 En inverse : U<0


Création d’une augmentation du courant Diminution du courant de
de diffusion diffusion, ZCE augmente
P E < Ei N P E > Ei N
- - - - - + + + + + - - - - - + + + + +

- - - - - + + + + + - - - - - + + + + +

- - - - - + + + + + - - - - - + + + + +

Ei Eext Ei Eext
ID Isat
U>0 U<0
E= Ei –Eext < Ei E= Ei +Eext > Ei
Diminution du champ Augmentation du champ
Diode passante Diode bloquée
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3.4 La jonction PN

Jonction PN polarisée …

Anode Cathode

E = Ei

P N Jonction à l’équilibre:
Il existe un courant Isat très faible de
l’ordre 10-15A
E < Ei
ID
P N Jonction en direct:
Le potentiel VD engendre un champ
électrique inverse à Ei, il y a
VD apparition d’un courant de diffusion
E > Ei
Isat
P N Jonction en inverse:
Le potentiel VD engendre un champ
VD électrique qui s’ajoute à Ei, il n’y
pas de courant de diffusion Id # 0

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3.4 La Jonction PN

Diode caractéristique réelle I(V)

Loi de Schokley: Relation d’Einstein:

Anode ID Cathode Vt = 26mV @ 300°K

ID
VD

Polarisation inverse: Polarisation direct:

Diode bloquée
VD0 Diode passante

VD
Composant non linéaire

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