CAPTULO 4 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES INTRODUO Os materiais semicondutores so elementos cuja resistncia situa-se entre a dos condutores e a dos isolantes.

Dependendo de sua estrutura qualquer elemento pode ser classificado como isolante, semicondutor ou condutor. Atualmente os principais componentes dos equipamentos eletrnicos so dispositivos semicondutores tais como: diodos, transistores e circuitos integrados. Seu emprego deve-se habilidade de controlar o fluxo de corrente, executando as mesmas funes das vlvulas eletrnicas, porm com grandes vantagens como tamanho, peso e durabilidade. Por estas razes o emprego dos dispositivos semicondutores trouxe um grande desenvolvimento eletrnica. Os primeiros conceitos de dispositivos semicondutores datam do incio do sculo. Em 1906 descobriu-se que determinados cristais, em contato com uma ponta metlica, tinham a propriedade de conduzir corrente eltrica somente numa direo criava-se ento, o diodo slido. Com o desenvolvimento da teoria atmica, os cientistas aperfeioaram o diodo slido at que durante a Segunda Grande Guerra, em 1948 os cientistas W. Shockley, J. Bardeen e W. H Brattain apresentaram um pequeno dispositivo construdo com cristal de germnio, que tinha a capacidade de controlar e amplificar a corrente eltrica. Este dispositivo que foi chamado de transistor, foi aperfeioado e seu desenvolvimento deu origem ao aparecimento de muitos outros dispositivos que hoje formam a grande famlia dos semicondutores. Devido ao funcionamento dos semicondutores estar ligado s caractersticas da estrutura dos materiais, faremos um estudo destas estruturas. ESTRUTURA DA MATRIA Como se sabe, podemos dividir um material em pores cada vez menores, at que chegamos a menor das pores, que recebe o nome de molcula. Podemos definir a molcula como sendo a menor poro que um material pode ser dividido. Se da molcula partirmos a uma nova diviso, chegaremos ao tomo, que por sua vez no conservar mais as propriedades do material subdividido. Muitos modelos de tomos foram apresentados, mas coube a Rutherford e Neil Bohr o modelo do tomo atual. Segundo este modelo o tomo constitudo de um ncleo que contm partculas denominadas prtons e nutrons. Em torno do ncleo giram, em rbitas distintas, outras partculas denominadas eltrons. Este modelo est representado na figura 4-1. Ncleo Eltron rbita de eltrons Figura 4-1 Desenho representativo de um tomo Pela tabela peridica dos elementos pode-se ver que existem 105 tipos de tomos. A quantidade de partculas que contm um tomo varia de espcie para espcie. Eletricamente, os prtons e os eltrons tm a mesma carga, porm de sinais contrrios, sendo que a carga do prton positiva e a do eltron negativa. Diz-se que o tomo est eletricamente em equilbrio, quando o nmero de eltrons for igual ao nmero de prtons. Caso contrrio, o tomo chamado de on. Um on pode ser de dois tipos: on positivo quando o tomo perdeu um ou mais eltrons e on negativo quando o tomo ganhou um ou mais eltrons. Como citado anteriormente, no tomo, os prtons e nutrons esto concentrados formando o ncleo, porm os eltrons agrupam-se ao redor do ncleo, em forma de camadas. Estas camadas tm um nmero mximo de 7, e so designadas pelas letras K, L, M, N, O, P, Q. Cada camada pode

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ter um nmero mximo de eltrons e esses so mostrados na figura 4-2. N da camada 1 2 3 4 5 6 7 Designao K L M N O P Q N mximo de eltrons 2 8 18 32 32 18 8

Um exemplo simples de ligao covalente a combinao de dois tomos de hidrognio, como mostrado na figura 4-3.

Figura 4-2 Camadas atmicas Devido ao fato do tomo ter a forma esfrica, muitas vezes ele representado em forma circular para facilitar o raciocnio. Definio de Nmero Atmico: Como j foi dito, tomos diferentes possuem diferentes nmeros de partculas. Por exemplo, o tomo de oxignio possui 8 prtons e 8 eltrons, j o tomo de alumnio possui 13 prtons e 13 eltrons. Para podermos identificar e classificar os vrios tomos existentes foi criado um nmero que indica quantos prtons existem em cada tomo. Esse nmero chamado denmero atmico. LIGAO ATMICA Vimos que com exceo da camada K que se completa com dois eltrons, a camada mais externa dos tomos pode conter oito eltrons, no mximo. Os tomos que no possuem este nmero de eltrons tendem a se completarem doando ou recebendo a fim de terem oito eltrons na ltima camada. A capacidade de combinao dos tomos chamada de valncia. Os eltrons da ltima camada dos tomos so chamados de eltrons de valncia, pois atravs deles que a ligao qumica se processa. De acordo com a valncia os elementos podem ser: monovalentes, divalentes, trivalentes etc. Uma ligao covalente uma combinao qumica em que os eltrons so compartilhados entre os tomos.

Figura 4-3 Ligao covalente Os tomos de silcio e de germnio, que so os mais importantes no estudo de semicondutores, tambm se ligam covalentemente e embora tenham nmeros atmicos diferentes possuem valncias iguais. Esses tomos podem combinar-se covalentemente formando uma estrutura cristalina que pode ser representada num plano conforme a figura 4-4. Cada tomo compartilha seus eltrons de valncia com outros quatro, obtendo uma estrutura eletricamente estvel. Ligao Covalente Eltrons de valncia

Figura 4-4 Ligao covalente, estrutura cristalina MATERIAIS SEMICONDUTORES Como j foi dito, semicondutores so materiais cuja resistncia se situa entre a dos

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condutores e a dos isolantes. Cabe ressaltar agora o conceito de condutores e a dos isolantes. Um material condutor caracterizado por apresentar os eltrons de valncia de seus tomos fracamente ligados ao ncleo e, devido a essa ligao no ser muito forte, esses eltrons podem ser considerados livres. Sendo assim, se aplicarmos uma diferena de potencial esse material ele conduzir facilmente uma corrente eltrica. Exemplos de materiais condutores: cobre, ouro, prata, ferro etc. Quando os eltrons de valncia do tomo esto fortemente ligados ao ncleo, de tal modo que no podem ser considerados eltrons livres no material, este dito isolante. Os materiais isolantes apresentam ento uma forte oposio a passagem da corrente eltrica.

Exemplos de materiais isolantes: borracha, porcelana, vidro etc. Dos materiais semicondutores existentes o germnio e o silcio so atualmente os mais empregados. Esses tomos ao se unirem entre si formam uma estrutura do tipo cristalina. Uma estrutura dita cristalina quando sua forma bem definida (sempre em forma de cristais). So exemplos de materiais com estrutura tipo cristalina: cobre, diamante, silcio, germnio etc. Quando a forma da estrutura formada pela unio dos tomos no bem definida esta dita amorfa. So exemplos de materiais com estrutura tipo amorfa: plsticos, gases, borracha etc. A figura 4-5 mostra a estrutura cristalina do germnio e do silcio.

Figura 4-5 Rede cristalina plana do Germnio (Ge) e do Silcio (Si) Nas duas estruturas, os tomos se combinam covalentemente. Cada tomo combina-se com mais quatro, tomando e fornecendo seus eltrons de valncia. Observando as duas estruturas vemos que cada eltron de valncia no material est preso a dois tomos, nessa condio no dever haver eltrons livres no material, logo as suas caractersticas eltricas so de isolante. Na realidade, isto s acontece se estes materiais estiverem a uma temperatura de 0o absoluto. Processo de formao de portadores na rede cristalina. Apesar das ligaes covalentes entre os tomos de cristais puros de silcio e de germnio
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serem rgidas, quando o cristal submetido a qualquer tipo de energia algumas delas chegam a se romper. O rompimento entre as unies ocorre quando o eltron de valncia que pertence aos dois tomos adquire energia suficiente para se liberar. Ligaes covalentes so interrompidas quando um dos cristais submetido a certos campos de energia como: calor, luz, raios X, raios csmicos etc. O nmero de rompimentos diretamente proporcional intensidade do campo de energia aplicado ao cristal. Cada rompimento gera um portador de carga eltrica negativa e uma carga eltrica positiva.

Pela figura 4-6 podemos observar que com o rompimento da ligao covalente ocorre a liberao do eltron, ficando no lugar deste um buraco ou lacuna. Esta lacuna tem caracterstica positiva, porque qualquer eltron prximo poder ser atrado por ela. Eltron livre

Fluxo de lacunas Quando uma ligao perde um eltron de tal forma que exista uma lacuna, esta fcil de ser preenchida por um eltron de valncia que deixa uma ligao covalente de um tomo vizinho; este eltron ao sair da ligao covalente, deixa outra lacuna. Assim, efetivamente, a lacuna se move na direo oposta direo do eltron. Esta lacuna, nesta nova posio, pode ser agora preenchida por um outro eltron proveniente de outra ligao covalente. Temos assim um mecanismo para a conduo de eletricidade. Um modo conveniente de ilustrar esse movimento mostrado na figura 4-7, em forma de esferas.

Lacuna

Figura 4-6 Gerao de lacuna Como j foi dito, vrios fatores podem contribuir para a gerao de portadores em cristais de germnio e de silcio, porm, a variao de temperatura o fator que mais os afeta. A 0o absoluto, o germnio e o silcio tm condies de serem isolantes, porm, na temperatura ambiente, aproximadamente 25o C, ambos cristais apresentam em suas estruturas milhares de rompimentos entre as ligaes, criando milhares de portadores positivos e negativos, lacunas e eltrons respectivamente. Nesta situao tanto o germnio quanto o silcio tem caractersticas de semicondutores intrnsecos, isto possuem caractersticas prprias. Na temperatura ambiente de 250 C, um cristal puro de silcio apresenta aproximadamente 1010 lacunas e 1010 eltrons por cm3 e uma resistividade de 2,4 x 104 ohms/ cm3. Para a mesma temperatura, um cristal puro de germnio apresenta, aproximadamente, 1013 lacunas e 1013 eltrons por cm3 e uma resistividade de 47 ohms/cm3. Pelos valores de resistividade vemos que na mesma temperatura a estrutura do silcio tem ligaes covalentes mais estveis que as do germnio, ou seja, so mais difceis de serem rompidas.

Figura 4-7 Fluxo de lacunas JUNO PN FORMAO At agora estudamos os cristais de silcio e de germnio em suas formas puras. Porm, partindo-se de um cristal puro, atravs de tcnicas especficas, consegue-se introduzir neste cristal, tomos de um outro metal, de tal modo a se conseguir o comportamento eltrico desejado. Esta operao denominada dopagem e o metal a ser introduzido no cristal chamado de impureza. Os metais usados como impureza podem ter tomos trivalentes ou pentavalentes, isto , com trs ou cinco eltrons na ltima camada. Se na dopagem usarmos impurezas trivalentes (ou aceitadoras), cria-se no cristal portadores de carga positiva ou lacunas, pois, para participar da ligao covalente o tomo da impureza necessita de um eltron para

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completar sua ltima camada com quatro eltrons. Este cristal chamado de positivo ou P.. Porm, se na dopagem usarmos impurezas pentavalentes ou doadoras, cria-se no cristal eltrons livres, pois para participar da ligao covalente o tomo da impureza doa um eltron que estava em excesso. Este eltron pode ento ser considerado livre. Este cristal chamado de negativo ou N. Para a criao de um cristal tipo N as impurezas geralmente utilizadas so: fsforo, arsnio, bismuto e antimnio. A figura 4-8 mostra um bloco representativo do elemento N.

Facilmente, entendemos que a dopagem criar, no cristal, tantos eltrons livres ou lacunas quantos forem os tomos de impurezas doadoras ou aceitadoras introduzidos. Polarizao do elemento N Ao polarizarmos um elemento N, conforme a figura 4-10, teremos o aparecimento de uma corrente eltrica, cujos portadores so eltrons e cujo sentido o indicado na figura. A intensidade desta corrente limitada pela resistividade do elemento N, que depende da quantidade de portadores, que, por sua vez depende da quantidade de tomos da impureza.

Figura 4-8 Cristal tipo N (representao) Os crculos pequenos representam os tomos pentavalentes, o sinal negativo o quinto eltron do tomo pentavalente, que no entrou na combinao. Para a criao de um cristal tipo P as impurezas normalmente utilizadas so: brio, alumnio, glio e ndio. A figura 4-9 mostra um bloco representativo do elemento P. Figura 4-10 Polarizao do elemento N Por serem portadores de carga negativa, os eltrons livres no elemento so atrados pelo potencial positivo da fonte de tenso, dando corrente o sentido indicado na figura 4-10. Polarizao do elemento P A figura 4-11 mostra a polarizao de um elemento P. Ao polarizarmos um elemento P conforme indicado na figura 4-11, haver uma corrente de lacunas no cristal no sentido mostrado.

Figura 4-9 Cristal do tipo P (representao) Os pequenos crculos representam os tomos trivalentes e os sinais positivos fora dos crculos so as lacunas criadas por eles.
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Figura 4-11 Polarizao do elemento P

As lacunas, que so positivas, so repelidas pelo seu positivo da fonte de tenso e atradas pelo plo negativo da mesma. Um eltron entra no cristal no lado negativo da fonte e se combina com uma lacuna, completando a unio, estes j no existem mais como portadores eltricos. Em seguida a bateria que perdeu um eltron no lado negativo da fonte, tira um eltron do cristal no lado positivo da fonte, gerando assim, uma lacuna que imediatamente repelida pelo plo positivo da fonte e atrado pelo plo negativo. Temos assim uma corrente eltrica constante que limitada pela resistividade do elemento, que por sua vez, depende do nmero de portadores criados na dopagem do mesmo. Portadores Majoritrios e Minoritrios nos elementos Como vimos anteriormente, se adicionarmos impurezas pentavalentes um cristal surgem nesse cristal tantos eltrons livres quantos forem os tomos de impurezas adicionados. Sabemos que na temperatura ambiente o cristal puro apresenta portadores positivos e negativos em nmeros iguais. Porm, com a dopagem essa igualdade alterada e o material que possua igual quantidade de portadores, possui agora, maior nmero de eltrons do que de lacunas. Dizemos ento que os eltrons so portadores majoritrios e as lacunas portadores minoritrios no elemento N.

Quando se une um elemento P a um elemento N, h uma combinao natural de portadores ou seja, eltrons do elemento N e lacunas do elemento P, em toda a estrutura das superfcies unidas. Porm, nem todos os eltrons e lacunas se recombinam porque as primeiras recombinaes criam ons, que fazem uma barreira ao processo de recombinao. Isto pode ser visto na figura 4-13.

Figura 4-13 Formao de ons na juno PN No elemento P os tomos que se ionizam so os das impurezas aceitadoras e no elemento N os das impurezas doadoras. Esta regio ionizada entre os elementos P e N dotada de um campo eletrosttico negativo, no lado P e positivo no lado N. Esse campo considerado como se fosse um campo de fora, cujo potencial negativo, da regio P, repele os portadores de eltrons, do lado N e cujo potencial positivo, da regio N, repele as lacunas do lado P. Por isso, embora os portadores de eltrons e lacunas estejam em movimento, temperatura ambiente, eles no se difundem por toda estrutura cristalina. A figura 4-14 mostra uma juno PN com os portadores de carga e as foras de repulso.

Elemento N

Elemento P

Figura 4-12 Concentrao de portadores nos elementos P e N

Figura 4-14 Campo eletrosttico e foras de repulso na juno PN

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Devido a falta de portadores de carga nessa regio a mesma recebe o nome de regio de depleo. POLARIZAO DE UMA JUNO PN

Assim uma corrente eltrica estabelecida numa juno PN. Esta corrente denominada corrente direta. Juno PN inversamente polarizada

De acordo com a polaridade dos elementos P e N da juno tem-se um comportamento diferente da mesma. A juno PN pode ser polarizada de duas maneiras: direta ou inversa. Juno PN diretamente polarizada Diz-se que a juno PN est diretamente polarizada quando tem-se o positivo da fonte de tenso ligado ao elemento P e o negativo ao elemento N, como mostra a figura 4-15.

Diz-se que a juno PN est inversamente polarizada quando tem-se o positivo da fonte de tenso no lado N e o negativo no lado P, como mostra a figura 4-16.

Figura 4-16 Juno PN inversamente polarizada Podemos observar que o potencial positivo, no lado N, uma fora de atrao para os eltrons e que o potencial negativo, no lado P uma fora de atrao para as lacunas. A ao dessa fora faz com que os portadores se desloquem, temos ento um aumento na barreira de potencial, como mostrado na figura 4-16. Este aumento diretamente proporcional ao aumento da tenso aplicada juno PN. Nesta situao no deve circular corrente normal no circuito, porm, devido s caractersticas do cristal, haver uma pequena corrente que denominada corrente de fuga. DIODO SEMICONDUTOR Vimos anteriormente que podemos polarizar uma juno PN de duas maneiras distintas, direta e inversamente. Na primeira condio temos uma corrente circulando pela juno e na segunda esta corrente pode ser considerada desprezvel. vemos ento que esse dispositivo possui caractersticas de conduo eltrica unidirecional. Tal elemento pelas caractersticas acima descritas ser amplamente empregado na Eletrnica, principalmente na retificao de sinais recebendo para tanto o nome de diodo de juno ou diodo semicondutor.
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Figura 4-15 Juno PN diretamente polarizada Na polarizao direta da juno PN, temos uma diminuio da barreira de potencial pois as lacunas, do lado P, so repelidas pelo potencial positivo e os eltrons do lado N so repelidos pelo potencial negativo da fonte de tenso. A regio agora apresenta uma baixa resistncia, cerca de dezenas de ohms. Os tomos pertencentes ao lado N tornam-se ons positivos, porque seus eltrons foram deslocados em direo da juno, tendo agora condies de receberem eltrons da fonte de tenso. Por sua vez os tomos do lado P, tornam-se ons negativos, porque suas lacunas foram deslocadas para a juno, tendo condies de fornecer eltrons para o lado positivo da fonte de tenso. Vemos que com essa polarizao, temos eltrons entrando no lado N e saindo no lado P. Na regio da juno, h um processo constante de recombinao de eltrons e lacunas.

DIODO RETIFICADOR Existem muitos tipos de diodos, tais como o diodo Zener, o SCR, o fotodiodo etc. Porm, entre os vrios tipos de diodos existentes um dos mais usados na eletrnica o diodo retificador cujo smbolo mostrado na figura 4-17.

Figura 4-19 Curva da polarizao direta do diodo Figura 4-17 Smbolo e polarizao dos diodos Polarizao direta do diodo Como j foi visto, na polarizao direta da juno PN o lado N est ligado ao plo negativo da fonte de tenso e o lado P no plo positivo da mesma. Polarizao inversa do diodo A figura 4-20 mostra o circuito de um diodo polarizado inversamente.

Figura 4-20 Diodo polarizado inversamente Na polarizao inversa da juno PN, o lado N est ligado no plo positivo da fonte de tenso e o lado P no plo negativo da mesma. I Tenso de ruptura (Break down) Regio direta

Figura 4-18 Circuito do diodo semicondutor polarizado diretamente Pelo circuito da figura 4-18 podemos observar que, atravs do potencimetro R, conseguimos variar, a partir de zero volt, a tenso aplicada ao diodo. Como a variao de corrente diretamente proporcional variao de tenso veremos que ao aumentarmos a tenso sobre o diodo a corrente tambm aumentar proporcionalmente. At um determinado valor de tenso este comportamento vlido, a partir de tal ponto a corrente cresce bruscamente e a tenso no diodo tende a ficar constante. Afigura 4-19 mostra a curva de polarizao direta de um diodo.

V Regio reversa

Vd- Tenso direta Id- Corrente direta Vr- Tenso reversa Ir- Corrente reversa

Figura 4-21 Curva de polarizao inversa do diodo

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Pelo circuito vemos que, atravs do potencimetro R, fazemos com que a tenso negativa no elemento P aumente lentamente. Nesta situao a corrente que flui no circuito desprezvel, porm, se aumentarmos ainda mais o valor da tenso sobre o diodo atingiremos um valor em que h um aumento brusco da corrente reversa, comprometendo at mesmo a integridade da juno PN. Este valor de tenso denominado tenso de ruptura. A curva de polarizao reversa do diodo semicondutor mostrada na figura 4-21. RUPTURA DA JUNO PN A ruptura da juno ocorre quando a corrente reversa atinge um nvel suficiente para romper as ligaes entre os tomos do cristal, danificando a mesma. O valor da tenso de ruptura de suma importncia no projeto de circuitos utilizando diodos polarizados inversamente. Os diodos construdos com cristais de silcio suportam maiores tenses inversas do que os diodos de germnio. A ruptura da juno de um diodo pode ser causada por vrios fatores como tenso inversa (ou avalanche) e por efeito trmico. Ruptura por Avalanche) tenso inversa (efeito

maior que a da capacidade de dissipao da juno. Para uma tenso inversa constante, a corrente inversa pode ser aumentada pelo efeito trmico, o que aumenta a potncia da juno. Com o aumento dessa potncia haver tambm um aumento de temperatura o que resulta num novo aumento da corrente inversa, esse aumento de corrente tende a aumentar ainda mais a potncia e essa por sua vez a temperatura. E assim sucessivamente at a ruptura. APLICAO DO DIODO RETIFICADOR Pelo que foi visto at aqui notamos que o diodo pode ser considerado como sendo uma chave eletrnica. Quando em polarizao direta, a corrente sobre ele fica limitada somente pelos elementos do circuito externo. Porm, quando est polarizado inversamente, a corrente do circuito fica limitada por ele mesmo, tendo assim, o comportamento de um circuito aberto. A figura 4-22 mostra dois circuitos com diodos polarizados direta e inversamente.

Quando a tenso inversa atinge um valor alto o suficiente para provocar o rompimento das ligaes entre os tomos do cristal diz-se que a ruptura se d por tenso inversa ou por efeito avalanche, porque esses rompimentos geram portadores, que por sua vez vo romper, por choque, outras ligaes e assim por diante como numa avalanche. Este processo de quebra e gerao de portadores diminui rapidamente a resistncia da juno aumentando bruscamente a corrente por ela, podendo inclusive danifica-la. Ruptura por efeito trmico Como visto anteriormente, existe na juno PN a gerao de portadores minoritrios devido temperatura. A ruptura por efeito trmico se d quando os portadores minoritrios provocam uma corrente inversa que resulte numa potncia
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Figura 4-22 Diodos polarizados inversa e direta mente No circuito com a polarizao direta a corrente que flui pelo circuito uma juno da tenso de 60 V e da tenso sobre o diodo, que muito pequena, pois em polarizao direta o diodo praticamente um curto-circuito. Tem-se ento quase toda tenso (59,3 V) sobre a resistncia de 1,5 K , restando apenas uma pequena tenso (0,7 V) sobre o diodo. No circuito com a polarizao inversa no h praticamente corrente fluindo, portanto no

haver queda de tenso sobre R. Tem-se ento toda a tenso da fonte sobre o diodo o qual pode ser considerado um circuito aberto. DIODO EM TENSO ALTERNADA Quando polarizado com tenso alternada o diodo retificador conduz somente durante o

semiciclo em que est polarizado diretamente, ou seja, durante o semiciclo em que a tenso de anodo for maior que a de catodo, permanecendo cortado no outro semiciclo. A figura 4-23 apresenta um circuito com um diodo operando em tenso alternada e tambm as formas de onda de entrada e de sada.

Figura 4-23 Circuito retificador com tenso senoidal Durante o semiciclo positivo de Vi (de t0 a t1), o ponto A fica positivo em relao ao ponto B, polarizando o diodo diretamente. Nesta condio, o diodo praticamente um curto-circuito e a corrente no circuito determina em R uma queda de tenso proporcional tenso entre os tempos t 0 e t 1 da tenso de entrada. Durante o semiciclo negativo de Vi (de t1 a t2),, o ponto A fica negativo em relao ao ponto B, polarizando o diodo inversamente. Nestas condies, o diodo pode ser considerado um circuito aberto. A ao descrita acima chamada retificao, e onde o diodo tem a sua mais importante aplicao. Como outras aplicaes do diodo retificador podemos citar: em detectores de pico, circuitos limitadores, circuitos de proteo etc.

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