Diodo Union PN

Diapositiva 1
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
LA UNIN P-N
La unin p-n en circuito abierto
Hueco Iones de impurezas aceptoras Zona de deplexin Iones de impurezas dadoras
Contacto hmico
+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
Unin
- + + + + + +
Electrn
Diapositiva 2
LA UNIN P-N
La unin p-n en polarizacin inversa
n n
Movimiento de portadores Corriente

+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
_ A
+ + + + +
+ + + + +
+ K
Minoritarios
Mayoritarios
Diapositiva 3
LA UNIN P-N
La unin p-n en polarizacin directa
n n
Movimiento de portadores Corriente

- + + + ++ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
+ + + + +
A+
_K
Minoritarios
Mayoritarios
Diapositiva 4
LA UNIN P-N
Potencial de contacto y ancho de la regin de transicin de una unin p-n.
p
_+ _ + _+
E
Densidad de carga
+
X
d 2V = 2 dx
Campo elctrico
_
-
X Barrera de potencial
E=
dV = dx dx
Potencial
Vo X
V = Edx
Diapositiva 5
LA UNIN P-N
Barrera de potencial y ancho de la regin de transicin de una unin p-n, con polarizacin _V + inversa p n I0 _+ _ + _ _ ++ A K
E Densidad de carga
+
X
Campo elctrico
_
V
VB
Potencial
Vo X
VB = Vo + V
Diapositiva 6
LA UNIN P-N
Barrera de potencial y ancho de la regin de transicin de una unin p-n, con polarizacin +V _ n directa p I _+ _+ A K
E Densidad de carga
+
X
Campo elctrico
V Potencial
Vo VB
VB = Vo V
Diapositiva 7
LA UNIN P-N
Componentes de corriente en polarizacin directa +V _ n p I _+ _+ A K
pp nn npo
0
Concentracin de portadores
pno
X
I
Corriente
Diapositiva 8
LA UNIN P-N
Ecuacin de la unin: Hiptesis restrictivas
n n
Ancho de la zona de transicin despreciable En la zona de transicin no hay generacin de pares electrn-hueco Se desprecian las corrientes de fuga en la superficie del semiconductor ni corrientes transversales
Diapositiva 9
LA UNIN P-N
Ecuacin de la unin: Deduccin
HUECOS
dp ( x) I pn ( x) = SqD p n dx
ELECTRONES
Pn(0) pn(x) Pn (x) pn(0)
pn (x ) = Pn ( x) + pno x Pn (x ) = Pn (0) e Lp
pno p po = pn (0) e
Vo V VT
V VT
Ley de la Unin
1) I np (0 ) = SqDn n po V (e 1) Ln
T
0 dX
I pn ( 0) =
SqD p pno (e Lp
D p D n V I = qS p no + n po (e VT 1) Ln Lp
Diapositiva 10
LA UNIN P-N
Corriente inversa de saturacin
n n
Discrepancias del valor terico y prctico Dependencia
D p Dn I o = qS p no + n po = f (T ) Ln Lp
Diapositiva 11
DIODO SEMICONDUCTOR
Ecuacin de la caracterstica tensin-intensidad
I = I o (e
n n n
V VT
1)
- +
A V
I I oe
+ V
V VT
Representacin grfica
Tensin umbral (V) OFF<> Corte ON <> Conduccin
I I o
0
OFF Polarizacin inversa
V
ON
Polarizacin directa
Diapositiva 12
DIODO SEMICONDUCTOR
Germanio vs Silicio
I Ge Si
0,2
0,6
Diapositiva 13
DIODO SEMICONDUCTOR
Ejercicio 1. Clculo y representacin de la caracterstica de un diodo.
DATOS Semiconductor Silicio 2,00 1,00 300 INCOGNITAS Tensin (V) 0,65 0,68 0,71 0,74 0,77 0,80 0,83 0,86 0,89 0,92 Intensidad(mA) 0,2868 0,5123 0,9150 1,6342 2,9188 5,2130 9,3106 16,6291 29,7003 53,0458
Intensidad inv.de satur.(nA) Temperatura (K)
Diapositiva 14
DIODO SEMICONDUCTOR
Ejercicio 2. Clculo de la intensidad y tensin entre bornas de un diodo. Mtodo general de clculo: Resolucin del sistema formado por la recta de carga del circuito y la ecuacin del diodo.
R
A
+ V -
ID
K
+ Vo
I = I o (e 1) V = I D R + Vo
Vo VT
Mtodo iterativo
DATOS INCOGNITAS Semiconductor Germanio Tensin entre bornas (V) Intensidad(mA) Tensin de la Fuente (V) 6,00 0,0000 3,0000 Resistencia (Kilo-ohmios) 2,00 0,3262 2,8369 1,00 0,3247 2,8376 Intensidad inv.de satur.(nA) 10,00 0,3247 2,8376 Temperatura (K) 300 0,3247 2,8376
Diapositiva 15
DIODO SEMICONDUCTOR
Respuesta de un diodo a la temperatura Reglas prcticas
t1 to 10
I o (t1 ) I o (to ) 2 Io 0 , 07 C 1 IoT V 2,5mV / C T
I T1 > To
Diapositiva 16
DIODO SEMICONDUCTOR
Ejercicio 3. Segn la ecuacin anterior la corriente inversa de saturacin del germanio debera aumentar un 11%/C, pero experimentalmente obtenemos en el laboratorio que la variacin prctica con la temperatura es alrededor del 7%/C, cuando aplicamos una tensin inversa de 6V siendo la corriente de 1A. Esta situacin se interpreta como si el diodo terico estuviera en paralelo con una resistencia que representa las corrientes de fugas del dispositivo. Calcular esta resistencia.
Diapositiva 17
DIODO SEMICONDUCTOR
Ejercicio 4. La resistencia trmica del contacto mecnico del chasis de un diodo con su medio es de 0,1 mW/C, es decir, disipa 0,1 mW por cada grado de aumento de la temperatura. No se permite que la temperatura del diodo aumente por encima de la ambiente (25C) ms de 20C. Si la corriente inversa de saturacin es de 1A a 25C y teniendo en cuenta que sta se duplica por cada 10C de aumento, calcular la tensin inversa mxima que se puede aplicar al diodo.
Diapositiva 18
DIODO SEMICONDUCTOR
Resistencia esttica
I
I3
RR =
VR IR
I2 I1 V1 V2 V3
RF =
V
VF IF
Diapositiva 19
DIODO SEMICONDUCTOR
Resistencia dinmica o incremental
I
r=
dV 1 = dI tag
r=
dV 1 = dI tag 0
Diapositiva 20
DIODO SEMICONDUCTOR
Ejercicio 5. Un diodo ideal de germanio tiene a temperatura ambiente una resistencia esttica de 5 , siendo la intensidad en ese punto de 50 mA. Calcular la resistencia dinmica del diodo cuando se polariza directamente con una tensin de 0,3 V.
Diapositiva 21
DIODO SEMICONDUCTOR
Capacidad de transicin
-V+
A K A
-V+
K
CT =
dQ S = dV w
V
Diapositiva 22
DIODO SEMICONDUCTOR
Ejercicio 6. Se usan con frecuencia diodos polarizados inversamente como condensadores variables gobernados por tensin. La capacidad de transicin de un diodo de unin abrupta es de 12 pF a 6V . Hallar la disminucin de capacidad cuando la polarizacin aumenta 1V.
Diapositiva 23
DIODO SEMICONDUCTOR
Capacidad de difusin
I
K
- +
A K
- +
A
2 dq L p L2 1 CD = = + n dV D p Dn r
Diapositiva 24
DIODO SEMICONDUCTOR
Ejercicio 7. En un diodo de silicio en que el lado p est mucho ms dopado que el lado n, la longitud de difusin es de 3x10-6 m., la movilidad de los huecos 500 cm 2/V-s y la capacidad de difusin 2 nF. Calcular la intensidad de corriente que pasa por l a temperatura ambiente. Se desprecia la corriente inversa de saturacin.
Diapositiva 25
DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA

Efecto de ruptura o de avalancha: temperatura Efecto Zener: campo elctrico I Vz V
Zona de ruptura o de avalancha
Diapositiva 26

Efecto de ruptura o de avalancha: temperatura _V + p n I _+ _ _ ++ _ + A K
E Densidad de carga
_ + _
-
Campo elctrico
X
Huecos con mayor energa trmica generan electrones
Electrones con mayor energa trmica generan huecos
V Vo
VB
Potencial
V >> Vo
Diapositiva 27

Efecto Zener: campo elctrico
p
_ V+ n __ _ _ ++ _ + + _ _ ++ _ ++ _ +
X
I
K
Densidad de carga
Campo Campo elctrico
_
-
intenso X
Electrones con mayor energa potencial generan huecos
V Vo
VB
V >>> Vo
Potencial
Diapositiva 28
DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIN Carga variable

I Vz Izmn. V V R I IZ
VZ = Cte. = I L RL V = Cte. I = Cte. R= V VZ I +

Si RL I L I Z Si RL I L I Z
R
+ IL
VZ
I IZ
RL V
+ IL
VZ
Izmx.
Diapositiva 29

Ejercicio 8. En un circuito regulador de tensin de acuerdo con los datos calcular las incgnitas.
DATOS
Tensin de fuente (V) Intensidad mx.de carga (mA) Intensidad mn.de carga (mA) Tensin de regulacin (V) Intensidad mn. del Zener(mA)
INCOGNITAS
24,00 Intensidad mx.en el Zener (mA) 100,00 Potencia mx. disipada Zener (W) 30,00 Resistencia de regulacin (hmios) 12,00 Resistencia de carga mx. (hmios) 10,00 Resistencia de carga mn. (hmios) 80,00 0,96 109,09 400,00 120,00
Diapositiva 30
DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIN Fuente variable

I Vz Izmn. V
V R I IZ
VZ = Cte. I L = Cte. V Cte. I Cte. R= V VZ I +

Si V I I Z Si V I I Z
R I IZ
+IL
VZ
Izmx.
RL V
+ IL
VZ
Diapositiva 31

DATOS
Tensin de fuente mnima (V) Tensin de fuente mxima (V) Intensidad en la carga (mA) Tensin de regulacin (V) Intensidad mn. del Zener(mA)
INCOGNITAS
24,00 Resistencia de carga (hmios) 100,00 Intensidad mx.en el Zener (mA) 30,00 Potencia mx. disipada Zener (W) 12,00 Resistencia de regulacin (hmios) 3,00 400,00 212,00 2,54 363,64
Diapositiva 32
DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIN Carga y fuente variables

I Vz Izmn. V V R I IZ
V Cte. I Cte. R= Vmx . V Z Vmn . V Z = I Lmn . + I Zmx . I Lmx . + I Zmn .

R
VZ = Cte. = I L RL
+ IL
VZ
Izmx.
RL V
I IZ
IL RL
VZ
Diapositiva 33

DATOS
Tensin de fuente mnima (V) Tensin de fuente mxima (V) Intensidad mx.de carga (mA) Intensidad mn.de carga (mA) Tensin de regulacin (V) Intensidad mn. del Zener(mA)
INCOGNITAS
24,00 Resistencia de regulacin (hmios) 100,00 Intensidad mx.en el Zener (mA) 100,00 Potencia mx. disipada Zener (W) 30,00 Resistencia de carga mx. (hmios) 12,00 Resistencia de carga mn. (hmios) 10,00 109,09 776,67 9,32 400,00 120,00
Diapositiva 34
DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIN

Caracterstica con pendiente: caso general I VZ Cte. V Cte. I Cte. R=
Vz
Vmx. VZmx. Vmn. VZmn. = I Lmn. + I Zmx. I Lmx. + I Zmn.

R
Izmn.
V
V
I
Izmx.
IZ
VZ
RL V
IZ
+ IL -
V Z IL
RL
Diapositiva 35

Ejercicio 11. En un circuito regulador de tensin de acuerdo con los datos calcular las incgnitas (anlisis).
DATOS
Tensin de fuente mnima (V) Tensin de fuente mxima (V) Tensin nominal Zener (V) Resistencia del Zener (hmios) Intensidad mx.del Zener(mA) Intensidad mn. del Zener(mA) Intensidad mx.de carga(mA)
INCOGNITAS
20,00 Resistencia de regulacin (hmios) 25,00 Tensin de regulacin mx. (V) 10,00 Tensin de regulacin mn. (V) 17,00 Potencia mx. disipada Zener (W) 45,00 Intensidad mn. de carga (mA) 5,00 Resistencia de carga mn. (hmios) 50,00 Resistencia de carga mx. (hmios) 250,00 10,77 10,09 0,48 11,94 201,70 901,59
Diapositiva 36

Ejercicio 12. En un circuito regulador de tensin de acuerdo con los datos calcular las incgnitas (sntesis).
DATOS
Tensin de fuente mnima (V) Tensin de fuente mxima (V) Intensidad mx.de carga (mA) Intensidad mn.de carga (mA) Tensin de regulacin mx.(V) Tensin de regulacin mn.(V) Intensidad mn. del Zener(mA)
INCOGNITAS
20,00 Resistencia de regulacin (hmios) 25,00 Intensidad mx.en el Zener (mA) 50,00 Potencia mx. disipada Zener (W) 12,00 Resistencia del Zener (hmios) 10,57 Resistencia de carga mx. (hmios) 10,10 Resistencia de carga mn. (hmios) 5,00 Tensin Zener (V) 180,00 68,17 0,72 7,44 880,83 202,00 10,06

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Movimiento de portadores Corriente

Movimiento de portadores Corriente

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Pn(0) pn(x) Pn (x) pn(0)

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Intensidad inv.de satur.(nA) Temperatura (K)

I o (t1 ) I o (to ) 2 Io 0 , 07 C 1 IoT V 2,5mV / C T

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DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA

DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA

Electrones con mayor energa trmica generan huecos

DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA

Campo Campo elctrico

Electrones con mayor energa potencial generan huecos

DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIN Carga variable

VZ = Cte. = I L RL V = Cte. I = Cte. R= V VZ I +

DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA

DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIN Fuente variable

VZ = Cte. I L = Cte. V Cte. I Cte. R= V VZ I +

DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA

DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIN Carga y fuente variables

V Cte. I Cte. R= Vmx . V Z Vmn . V Z = I Lmn . + I Zmx . I Lmx . + I Zmn .

DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA

DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIN

Vmx. VZmx. Vmn. VZmn. = I Lmn. + I Zmx. I Lmx. + I Zmn.

DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA

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